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基础知识之烟雾传感器和空气质量传感器(2024-03-11)
设备现在体积小、便携，广泛用于工业卫生应用。随着人们对环境污染的关注增加，对空气质量监测的需求也逐渐增加。空气质量传感器简史
2：常见空气质量传感器工作原理介绍
（1）金属氧化物半导体式传感器
工作......
中韩科研人员在新型半导体材料和器件领域取得重大突破(2024-04-11)
研究首创高迁移率稳定的非晶P型(空穴)半导体器件，突破该领域二十余年的研究瓶颈。这一突破将进一步推动现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的发展。
相比于多晶半导体，非晶体系具有诸多优势，如低......
基础知识之图像传感器(2024-03-12)
CCD图像传感器中，像素由p 掺杂 金属氧化物半导体(MOS)电容器表示。这些MOS 电容器是 CCD 的基本构建模块，在图像采集开始时偏置高于反转阈值，从而允许在半导体-氧化物......
传苹果供应商InvenSense将出售(2016-10-31)
。
INVENSENSE 专利的InvenSense-Fabrication 制程，可在晶圆层级结合MEMS 机械结构与标准CMOS( 互补金属氧化物半导体：complementarymetal oxide......
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管(2023-01-04)
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管;
二维(2D)半导体，如二硫化钼和黑磷，可以与硅技术竞争，因为它们的原子级厚度，优异的物理性能，并与经典的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术......
Microsemi扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体MOSFET产品系列(2013-09-16)
Microsemi扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体MOSFET产品系列;Microsemi宣布扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体(VDMOS) MOSFET产品系列，两款更大功率、更高电压(V......
实时监测TVOC浓度——中科微感新一代高性能TVOC传感器正式推出(2024-02-06 10:16)
卫生组织、美国国家科学院/国家研究理事会（NAS/NRC）等机构一直强调TVOC是一类重要的空气污染物。中科微感推出高性能TVOC传感器
中科微感近期推出了新一代MEMS基金属氧化物半导体原理的TVOC传感器......
实时监测TVOC浓度——中科微感新一代高性能TVOC传感器正式推出(2024-02-06 10:16)
卫生组织、美国国家科学院/国家研究理事会（NAS/NRC）等机构一直强调TVOC是一类重要的空气污染物。中科微感推出高性能TVOC传感器
中科微感近期推出了新一代MEMS基金属氧化物半导体原理的TVOC传感器......
炜盛科技推出高性能家用燃气报警器专用气体传感器MR007(2023-07-24)
MR007
热线型气体传感器MR007，采用基于网格分布的MOS（金属氧化物半导体）纳微孔超稳定结构基体和钉扎束缚催化剂掺杂担载技术，在寿......
SK启方半导体推出HVIC工艺技术，扩大高压代工服务组合(2024-10-25 08:55)
扩大和增强了高压代工服务组合。SK启方半导体的HVIC工艺特点在于，它可以在一个工艺中实现5V逻辑、25V高压器件、650V+ nLDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）以及650V以上自举二极管，这使......
SK启方半导体推出HVIC工艺技术，扩大高压代工服务组合(2024-10-24)
扩大和增强了高压代工服务组合。
SK启方半导体的HVIC工艺特点在于，它可以在一个工艺中实现5V逻辑、25V高压器件、650V+ nLDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）以及650V以上自举二极管，这使......
突破性方法将“顽固”金属转化为薄膜(2023-05-25)
更容易地用“顽固”金属制造高质量的金属氧化物薄膜。这项研究为科学家开发用于量子计算、微电子、传感器和能源催化的下一代新材料铺平了道路。相关论文发表在最新一期《自然·纳米技术》杂志上。
“顽固”金属氧化物......
恩智浦扩展车规级雷达单芯片产品系列 支持先进ADAS与自动驾驶应用(2024-01-11)
添加新的软件定义雷达功能。
SAF86xx采用恩智浦与去年推出的SAF85xx相同的通用型架构。与上一代40 nm或45 nm产品相比，通过利用28 nm RFCMOS（互补金属氧化物半导体）技术......
国家监管总局反垄断局公示SK海力士收购启方半导体股权案(2022-04-19)
的相关业务包括：（1）存储器半导体，例如动态随机存取存储器、NAND闪存；（2）存储解决方案，例如固态硬盘;以及（3）系统半导体，例如互补式金属氧化物半导体图像传感器。
△Source：反垄......
CCD高速摄像机和CMOS高速摄像机这两者之间有什么区别吗？(2024-04-16)
)，又称互补金属氧化物半导体。CMOS传感器没有复杂的处理过程，能直接将图像半导体产生的光电信号转变成数字信号，处理速度快、能耗低，不过CMOS器件产生的图像质量相比CCD要低一些。
CMOS实际......
TI通过全新60-GHz传感器产品组合为全球工业市场解锁毫米波技术(2019-4-18)
TI通过全新60-GHz传感器产品组合为全球工业市场解锁毫米波技术;
为了全球工业应用中推进毫米波（mmWave）传感器技术，德州仪器（TI）近日宣布推出用于工业系统的超高分辨率单芯片互补金属氧化物半导体......
事关存储器，华为公布新专利(2024-04-11)
存储器。只要处于上电状态，SRAM中写入的信息就不会消失，不需要刷新电路。传统的硅(Si)基SRAM包括6个金属氧化物半导体场效应品体管。
在计......
基于硅纳米波导倏逝场耦合的超紧凑光学式MEMS加速度计(2022-12-27)
基于硅纳米波导倏逝场耦合的超紧凑光学式MEMS加速度计;近些年，加速度计因其体积小、功耗低、易于与互补金属氧化物半导体晶体管集成电路（CMOS IC）整合而受到持续关注。目前已经开发了电容、压阻......
X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案(2023-06-02)
半年启动。
缩略语：
BCD Bipolar-CMOS-DMOS
CMOS 互补金属氧化物半导体
DTI 深槽隔离
EDA 电子设计自动化
SOI......
X－FAB率先向市场推出110纳米BCD－on－SOI代工解决方案(2023-06-02 16:25)
语：BCD Bipolar-CMOS-DMOSCMOS 互补金属氧化物半导体DTI 深槽隔离EDA 电子设计自动化SOI 绝缘体上硅SONOS 硅-氧化物-氮化物......
ADRF5301数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:45)
加到 VDD 引脚的 3.3 V 单一正电源供电。该器件采用兼容互补金属氧化物半导体 (CMOS)/低电压晶体管至晶体管逻辑 (LVTTL) 的控制。
ADRF5301 采用符合 RoHS 标准......
X-FAB在制造工艺上的突破为电隔离解决方案增加CMOS集成选项(2023-11-03)
为此类产品的设计打造更大灵活性。我们也十分高兴看到客户的首批集成型产品即将投产。”
缩略语：
CMOS互补金属氧化物半导体
EDA电子设计自动化
EV电动汽车
IC集成电路
PDK工艺设计套件
......
X-FAB在制造工艺上的突破为电隔离解决方案增加CMOS集成选项(2023-11-03)
也十分高兴看到客户的首批集成型产品即将投产。”
缩略语：
CMOS 互补金属氧化物半导体
EDA 电子设计自动化
EV 电动汽车
IC 集成电路
PDK 工艺设计套件......
iDEAL推出SuperQ技术，开创硅功率器件性能新时代(2023-05-17 09:57)
术最初针对高达850伏(V)的电压，为系统工程师提供改进的功率半导体器件，例如二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)和集成电路(IC)。 例如，基于SuperQ的......
iDEAL推出SuperQ™技术，开创硅功率器件性能新时代(2023-05-17)
原子水平的科学和工程实现，SuperQ提供了创纪录的单位面积电阻(RSP)。 该技术最初针对高达850伏(V)的电压，为系统工程师提供改进的功率半导体器件，例如二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品;
【导读】MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain)和栅(Gate)三个......
走出科幻的透明电子器件，未来发展轨迹晶莹剔透(2023-01-10)
善公共安全。
他的团队还开发了用于储能的氧化物。氧化物半导体在电池电极中有很好的作用。除此之外，它还可用于高功率器件超级电容器，在电动汽车、备用电源和自供电传感器和传感器......
延续摩尔定律，新型半导体研发实现新突破(2022-06-07)
实现几乎无限的材料组合。
研究人员表示，他们创造的晶体管可用于制造高性能和低功耗互补金属氧化物半导体逆变器电路。未来，他们的设备可以大规模制造，用于开发低功耗的逻辑电路和微芯片。
值得一提的是，除了......
北方华创携手睿科微赋能全球首颗嵌入式RRAM显示驱动芯片(2024-08-28 08:50)
，是混合技术集成电路，结合了双极型晶体管、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）的优点，常用于功率放大器和电源管理电路。[5] 信息来源：英飞凌官网......
宁夏一半导体晶圆芯片项目动工建设(2024-05-13)
值达到30亿元以上，新增设备152余台（套），年设计生产沟道金属氧化物半导体势垒肖特基二极管晶圆60万片，规划总占地面积约296.27亩，建构筑物占地面积81851.49平方米，总建......
台积电首座欧洲晶圆厂8月20日举行动土典礼，规划月产能达4万片(2024-08-19)
位于德国德累斯顿，预计导入 28/22nm 平面互补金属氧化物半导体（CMOS）技术，以及 16/12nm 鳍式场效晶体管（FinFET）制程，规划初期月产能约 4 万片。
据了解，台积电董事长魏哲家将率团前往，包括......
图像传感器市场保持增长，亚洲需求剧增(2023-02-08)
市场将获得牵引力。图像传感器在将光学图像转换为电子图像方面非常有用。因此，由于图像传感器在数码相机中的应用，对图像传感器的需求预计会增加。
此外，互补金属氧化物半导体......
ADUM341E数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:32)
ADUM341E数据手册和产品信息;ADuM340E/ADuM341E/ADuM342E 是基于 ADI 公司 iCoupler® 技术的四通道数字隔离器。这些隔离元件结合了高速、互补金属氧化物半导体......
贸泽电子推出内容全面的可穿戴资源中心助力设计创新(2024-03-05)
抗和皮电活动。该传感器包含多个活动监控系统，可测量身体成分和皮肤含水量，适用于从健身手环到医疗贴片等各种应用。
● ScioSense ENS161数字金属氧化物多气体传感器，它基于金属氧化物 (MOX......
贸泽电子推出内容全面的可穿戴资源中心助力设计创新(2024-03-05)
于从健身手环到医疗贴片等各种应用。
•ScioSense ENS161数字金属氧化物多气体传感器，它基于金属氧化物 (MOX) 技术，具有四个传感器元件。ENS161多气体传感器使可穿戴设备能够连续进行空气质量监控。该传感器具有低功耗工作模式，功耗......
三菱电机开始提供用于xEV的SiC-MOSFET裸片样品(2024-11-15)
）电驱逆变器的碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）裸片样品。这是三菱电机首款标准规格的SiC-MOSFET功率半导体芯片，将助力公司应对xEV逆变器的多样化需求，并推动xEV的日......
X－FAB在制造工艺上的突破为电隔离解决方案增加CMOS集成选项(2023-11-03 10:33)
也十分高兴看到客户的首批集成型产品即将投产。”缩略语：CMOS 互补金属氧化物半导体EDA 电子设计自动化EV 电动汽车IC 集成电路PDK 工艺设计套件关于X-FAB：X-FAB......
X-FAB在制造工艺上的突破为电隔离解决方案增加CMOS集成选项(2023-11-03)
也十分高兴看到客户的首批集成型产品即将投产。”
缩略语：
CMOS 互补金属氧化物半导体
EDA 电子设计自动化
EV 电动汽车
IC 集成电路
PDK......
X-FAB引入图像传感器背照技术增强CMOS传感器性能(2024-04-09)
CMOS 互补金属氧化物半导体
PDK 工艺设计套件......
北大教授：后摩尔时代，集成电路技术的4个发展方向(2022-05-19)
管是集成电路的核心器件，最初的晶体管是双极型结构，后来金属氧化物半导体器件诞生，成为主流集成电路器件结构。现在，平面的金属氧化物半导体器件结构变为三维的鳍形栅结构，并正向环形栅方向发展。
每一......
5.14亿美元，全球半导体材料领域新添并购案(2021-09-18)
5.14亿美元，全球半导体材料领域新添并购案;9月17日，日本半导体材料制造商JSR株式会社宣布，将收购总部位于美国俄勒冈州科瓦利斯的Inpria，后者为世界领先的极紫外 (EUV) 光刻金属氧化物......
北方华创携手睿科微赋能全球首颗嵌入式RRAM显示驱动芯片(2024-08-27)
] 双极CMOS DMOS，是混合技术集成电路，结合了双极型晶体管、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）的优点，常用于功率放大器和电源管理电路。
[5] 信息来源：英飞......
X-FAB引入图像传感器背照技术增强CMOS传感器性能(2024-04-09)
语：
ARC 抗反射涂层
BSI 背照技术
CMOS 互补金属氧化物半导体
PDK 工艺设计套件
......
ADUM4137数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:41)
式发射器过流检测可与高速两级关闭功能相结合。
ADuM4137 为外部金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 提供一个米勒箝位控制信号，可在使用单轨电源的情况下在栅极电压降至低于 2.0 V（典型......
赛微电子拟以8450万欧元收购德国Elmos汽车芯片产线(2021-12-15)
年上市，当前拥有1141名员工，总部位于德国，是一家车规级半导体公司。德国Elmos开发、制造和销售各类CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体......
室温打印金属氧化物薄膜实现，可制造坚韧透明的柔性电路(2024-08-16)
室温打印金属氧化物薄膜实现，可制造坚韧透明的柔性电路;据15日《科学》杂志报道，包括美国北卡罗来纳州立大学和韩国浦项科技大学在内的国际研究团队，展示了一种在室温下打印金属氧化物薄膜的技术，并利......
ADRF5141数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:43)
8 GHz 至 11 GHz 时的插入损耗为 0.9 dB。
ADRF5141 在 +3.3 V 的正电源上消耗 13 μA 的低电流，在 -3.3 V 的负电源上消耗 360 μA 的低电流。该套件采用兼容互补金属氧化物半导体......
ADUM252N数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:42)
ADUM252N数据手册和产品信息;ADuM250N/ADuM251N/ADuM252N是采用ADI公司iCoupler®技术的5通道数字隔离器。这些隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS......
英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破，将用于未来制程节点(2023-12-10)
尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物半导体）这两大CMOS关键组件。此外，英特......
英特尔在IEDM 2023上展示3D堆叠、背面供电、背面触点研究成果(2023-12-10)
材料让晶体管物理栅极长度有机会微缩到10纳米以下。在IEDM 2023上，英特尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物半导体......
相关企业
in 2009.;为Aptina，形象就是一切。该公司是一家在CMOS（互补金属氧化物半导体）影像技术的领导者。其数字图像传感器元件和处理器仍然使用标准数字和视频相机，以及摄像机内置到手机，电脑，监控
;上海恩邦仪表机械有限公司;;感谢您光临本公司网站！ 我公司专业生产金属电容式压力/差压传感器。经多年研究，已攻克了金属电容式传感器生产中的多项技术难点。采用无氧式烧结工艺，完美解决了传感器中充油管与玻璃烧结时产生的氧化
;深圳市戴维莱传感技术有限公司;;我公司是专门从事常温半导体气敏传感器的开发 设计 应用，主要产品有TP-1.1A 瓦斯甲烷传感器 TP-2 一氧化碳传感器 TP-3 酒精传感器 TP-4 空气污染传感器
。TP系列常温型半导体气敏传感器广泛应用于各种电子检测装置上，能有效检测如天然气、液化石油气、一氧化碳、汽油、氢气、丁烷、丙烷、丙酮及氨、硫化物、氮氧化物等可燃、有害气体。在这些气敏传感器
;深圳市戴维莱传感技术开发有限公司;;深圳市戴维莱传感技术开发有限公司成立于2001年，是一家专业从事常温型非加热半导体气敏传感器研发和批量生产的厂家，并致力于开发各种气敏传感器
;深圳市戴维莱传感技术开发有限公司 市场部;;深圳市戴维莱传感技术开发有限公司成立于2001年，是一家专业从事常温型非加热半导体气敏传感器研发和批量生产的厂家，并致力于开发各种气敏传感器
;深圳戴维莱传感技术开发有限公司;;深圳市戴维莱传感技术开发有限公司成立于2001年，是一家专业从事常温型非加热半导体气敏传感器研发和批量生产的厂家，并致力于开发各种气敏传感器
;深圳市戴维莱传感技术开发有限公司市场技术部;;深圳市戴维莱传感技术开发有限公司成立于2001年，是一家专业从事常温型非加热半导体气敏传感器研发和批量生产的厂家，并致力于开发各种气敏传感器
电阻材料（不同于PTC及NTC热敏电阻）。其性能达到甚至超过同类进口产品。它是以氧化锌（ZnO）为基料配以其他少量多种金属氧化物，用制备陶瓷的工艺制造而成（比普通制陶工艺更为复杂）。比一
以精湛的技术保持着全球的领先位置！并且致力于可持续发展与环境的改善。已经研发了PT10、PT20、PT50、PT100、PT200、PT500、PT1000、PT10000铂金温度传感器、陶瓷电容湿度传感器、氧化物半导体气体传感器