资讯
Keil C51单片机变量的使用方法详细介绍(2023-05-05)
类型，在使用时而显得比标准C稍微复杂。在Keil C51中，变量的存储类型不同，访问变量所需要的时间也不同，由于C51内核单片机资源少、速度慢，变量存储类型对系统工作速度的影响不可忽视。在了解变量与单片机存储结构......
SK海力士：2017年带来72层3D NAND Flash(2017-02-04)
丁文中代表新世界，如同DRAM技术由20纳米跨入10纳米级，必须在存储结构上有所创新，突破技术瓶颈，才能解决漏电、增加电荷储存容量等问题。
至于1y纳米代号Davinci则是......
s3c2440裸机-nandflash编程（一. nandflash原理及结构简介）(2023-08-09)
平表示操作还在进行中，高电平表示操作完成）
2.nandflash内部存储结构
nandflash内部存储结构如下：
我们常见的Nand Flash，内部只有一个chip，每个chip只有一个plane......
s3c2440裸机-nandflash编程-1-nandflash原理及结构简介(2024-07-04)
平表示操作还在进行中，高电平表示操作完成）
##2.nandflash内部存储结构
nandflash内部存储结构如下：
我们常见的Nand Flash，内部只有一个chip，每个......
微机原理：处理器结构特点(2024-08-08)
微机原理：处理器结构特点;问1.处理器通常有哪几种结构？他们的特点分别是什么？有什么优点和缺点？
答1.这里说的处理器的结构是指处CPU的存储结构，分为冯诺依曼结构和哈佛结构。
（1）冯诺依曼：将程序存储器和数据存储......
AI浪潮席卷 存储再进化(2024-03-04)
产第一代HBM（HBM1），导入AMDRadeon Rx300 GPU芯片。随后韩国与存储大厂三星电子与美光也投入HBM开发。其主要结构是由多层DRAM存储小芯片形成的高容量存储垂直堆叠，最下层是HBM......
浅谈STM32芯片的存储结构(2023-07-03)
对比一下Cortex-M3存储器结构和STM32存储器结构：
图5 Cortex‐M3和STM32存储结构对比
STM32在ARM规定的基础上，将4G空间分为了Block0、Block1、Block2......
STM32芯片的存储结构(2024-07-24)
‐M3和STM32存储结构对比
STM32在ARM规定的基础上，将4G空间分为了Block0、Block1、Block2、……、Block7，共8块，每块大小为512MB。
图6 STM32的存储......
cc2530内部存储结构图(2024-01-15)
cc2530内部存储结构图; CPU 和内存
CC253x芯片系列中使用的8051 CPU内核是一个单周期的8051兼容内核。它有三种不同的内存访问总线（SFR，DATA 和CODE......
存储市场酝酿新一轮DRAM技术革命(2024-07-23)
衡量DRAM单元中晶体管等组件尺寸；“Square”则用于衡量向单元中的晶体管施加电压的组件面积大小。
业界表示，早期DRAM单元结构是8F Square，目前商业化的DRAM主要采用6F Square......
与美光、SK海力士分道扬镳，传三星不走3D DRAM路线(2023-05-29)
目前拥有30项与3D DRAM相关的专利。
据韩媒报道，三星电子正在开发一种4F² DRAM存储单元结构，这一结构比3D DRAM......
件;因此，来自单元库的组件是未知的，导致FPGA工具流中形成黑盒。因此，不能够将这种存储组件直接映射到FPGA上提供的存储结构。专门为ASIC原型而设计的专用FPGA逻辑综合工具可以读取ASIC单元......
分析uboot移植第一阶段的各种代码(2023-06-08)
的配置问题
在100ask24x0.c board_init中
两个结构体S3C24X0_CLOCK_POWER 这个是我们需要用的结构体 此结构体在S3C24X0.h 里面定义了
其中CLKDIVN是表......
关于linux下的嵌入式文件系统以及flash文件系统选择(2023-09-07)
介绍1、存储结构在jffs中，所有的文件和目录是一样对待的，都是用一个jffs_raw_inode来表示整个flash上就是由一个一个的raw inode排列组成，一个目录只有一个raw inode，对于......
基于S3C2410开发板的U-BOOT移植解决方案(2023-01-11)
位于它的内存地址区。
NAND闪存（K9F1208U0A）的数据存储结构分层为：1设备（Device） = 4096 块（Block）;1块= 32页/行（Page/row）;1页= 528B = 数据......
千亿美元蛋糕！3D DRAM分食之战悄然开局(2024-01-31)
术演变，为了克服尺寸限制，将晶体管从平面转换为3D架构，以提高单位面积的存储单元数量，由此3D DRAM的架构设想正式面向公众视野。通俗来讲，传统DRAM的结构是晶体管集成在一个平面上，3D DRAM则将......
将ASIC IP核移植到FPGA上——更新概念并推动改变以完成充满挑战的任务!(2024-07-31)
，来自单元库的组件是未知的，导致FPGA工具流中形成黑盒。因此，不能够将这种存储组件直接映射到FPGA上提供的存储结构。专门为ASIC原型而设计的专用FPGA逻辑综合工具可以读取ASIC单元库，但此......
DRAM，加速走向3D(2023-03-15)
用。
为什么是3D DRAM？
所谓3D DRAM，是一种打破了当前陈旧的范式的，具有新结构的存储芯片。
如下图所示，传统的DRAM......
51系列中嵌入式单片机的优缺点分析(2023-08-21)
;将寄存器20H的内容直接传送至寄存器30H中)，因而PIC单片机的瓶颈现象比51系列还要严重，这在编程中很有感受。
总线结构:MCS-51单片机的总线结构是冯-诺依曼型,计算机在同一个存储......
巨头们低调发力，3D DRAM或在未来3年成为主要方向(2023-03-16)
DRAM是一种利用IGZO（氧化物半导体）材料制作CAA（电容器辅助接入）晶体管，并将其与DRAM芯片堆叠在一起的技术。基于IGZO的CAA晶体管3D DRAM的优点是可以实现无电容结构，从而提高存储......
中国大陆存储器行业方兴未艾？(2021-11-09)
中国大陆存储器行业方兴未艾？;存储器，顾名思义，用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。目前，现代计算系统通常采取高速缓存（SRAM）、主存（DRAM）、外部存储（NAND Flash）的三级存储结构......
基于ARM9芯片S3C2410实现测量监控系统的应用方案(2023-01-06)
的采样时间间隔由用户确定。采样时，在 1 个信号周期内等时间间隔准确采样 16 点并存储结果，采集完后，对采集的数据进行数字滤波并计算得到相应的值。
交直流电流的采集采用霍尔器件 ACS752SCA......
OC8051简介(2024-07-31)
架构
1、存储器组织结构
8051的存储结构有点特殊，它的程序存储空间（ROM）和数据存储空间（RAM）是逻辑分离的，另外它必须使用16-bit的DPTR寄存器来访问外部的数据存储器。
程序存储......
细说MCS-51单片机的物理存储空间(2023-08-16)
细说MCS-51单片机的物理存储空间;我们在学习传统的MCS-51单片机的时候，一定学习过51单片机的存储结构。传统的MCS-51存储器有三个空间，分别是片内RAM(内部数据存储器)、片外RAM......
s3c2440裸机-内存控制器(四、SDRAM原理-cpu是如何访问sdram的)(2023-08-10)
s3c2440裸机-内存控制器(四、SDRAM原理-cpu是如何访问sdram的);1.SDRAM原理
black（1）SDRAM内部存储结构：
（2）再看看与2440连接的SDRAM原理......
3D DRAM时代即将到来，泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构(2023-08-07)
“NOT AND”，意为进行与非逻辑运算的电路单元。）
l 这一趋势有利于整个行业的发展，因为它能推动存储器技术的突破，而且每平方微米存储单元数量的增加意味着生产成本的降低。
l DRAM技术的不断微缩正推动向使用水平电容器堆叠的三维器件结构......
STC8G系列存储结构二(2024-07-29)
STC8G系列存储结构二;STC8G 系列单片机的程序存储器【RAM】和数据存储器【 Flash 类型的程序储存器ROM】是各自独立编址的。
备注：也就是他们的地址开始都是从0开始。但是......
C语言在STM32中的内存分配(2024-01-25)
num_byte_static addr is 0x20000318
先说结论：
num_byte、num_word、num_byte_static和point_heap存储在内部RAM中......
西部数据推出全新磁盘架构设计 HDD容量五年后可达50TB！(2021-09-14)
不会产生太大的成本负担。
搭载OptiNAND技术的全新存储层次结构，可利用磁盘SoC控制与iNAND EFD间的通信，使磁盘的数据清理的关键功能通过提升的元数据处理能力而得到加强，这将减少未来对DRAM......
解析80C51单片机中的cpu、存储器配置以及并行输入/输出口(2023-06-19)
解析80C51单片机中的cpu、存储器配置以及并行输入/输出口;单片机按存储结构可分为二类：一类是哈佛结构，另一类是普林斯顿结构。
①哈佛结构所谓哈佛结构是指程序存储器地址空间与数据存储器地址空间分开的单片机结构......
存储器需要一场新的技术革命(2017-02-21)
耗是非常重要的。
几乎所有系统的存储需求都在变化。虽然新的存储器和存储器架构已经筹划了很长时间，但仍未被广泛采用。然而，许多业内人士认为临界点已然将近。
过去50年中，SRAM和DRAM已经成为存储器层次结构......
高启全谈中国存储进展，呼吁美光和紫光合作(2017-04-11)
美光(Micron)加入合作，双方合则两利，且时间会对长江存储有利！
长江存储计划存储器的研发，制造基地在武汉、南京两地，紫光2017年1月底资金到位，现阶段长江存储的股权结构是大基金占25%、湖北......
s3c2440裸机-内存控制器3-SDRAM原理-cpu是如何访问sdram的(2024-07-08)
s3c2440裸机-内存控制器3-SDRAM原理-cpu是如何访问sdram的;1.SDRAM原理
black （1）SDRAM内部存储结构：
（2）再看看与2440连接的SDRAM原理......
后疫情时代需求爆发，半导体存储产业迎来新的曙光(2024-01-05)
占比达96.6%。DRAM和NAND市场空间广阔，也是模组业务的核心导向。
DRAM和NAND Flash在存储市场中占主导地位。存储器可分为RAM和ROM，在RAM中，DRAM结构简单，其特......
ARM版本系列及家族成员梳理(2023-03-07)
。这种体系结构是一种将程序指令存储和数据存储分开的存储器 结构，是一种并行体系结构。其主要特点是程序和数据存储在不同的存储空间中，即程序存储器和数据存储器。它们是两个相互独立的存储器，每个存储......
一文读懂定时器实现技术(2023-09-07)
务量小的场景下：最小堆实现，可以根据堆顶设置超时时间，数组存储结构，节省内存消耗，使用最小堆可以得到比较好的效果。而时间轮定时器，由于需要维护一个线程用来拨动指针，且需要开辟一个bucket数组，消耗内存大，使用......
SK海力士量产全球最大容量的24GB LPDDR5X DRAM(2023-08-22)
可以更广泛地应对客户的要求。”
2 HKMG：在DRAM晶体管内的绝缘膜上采用高K栅电介质，在防止漏电的同时还可改善电容（Capacitance）的新一代工艺。不仅可以提高内存速度，还可降低功耗。SK海力士于去年11月在......
三星计划2026年推出400层V10 NAND闪存，用于AI服务器(2024-10-31)
场份额。
三星高管表示，公司的目标是到2030年开发出超过1000层的NAND芯片，以提高密度和存储能力。
DRAM发展......
在STM32中为什么要引入链表？(2024-01-26)
存资源很紧缺的单片机程序中，当区域数据很少时，这种程序的处理方法浪费了大量的内存空间。
2、数值固定，需要存储更多区域，即使还有内存，还是需要修改宏定义，重新编译固件，不灵活。
这时需要引入链表来解决这个问题。
2、链表实现
链表实际上是线性表的链式存储结构......
SK海力士量产全球最大容量的24GB LPDDR5X DRAM(2023-08-11)
器半导体性能是必要因素，因此该领域的存储器市场也将持续扩大。
* 边缘设备（Edge Device）：指在大数据移动的整体结构(云端/数据中心-互联网-网络设备-边缘设备)中，在接......
虽然存储行情继续下跌，但万亿空间仍在，新老技术竞争愈发激烈(2023-06-14)
大大降低内存的分割导致的浪费和性能下降。
当下主流的计算系统通常采用高速缓存（SRAM）、主存（DRAM）、外部存储（NAND Flash）的三级存储结构。系统运作时，需要不断地在内存中来回传输信息。数据在三级存储......
51单片机存储器的结构和原理解析(2023-08-23)
compact模式来说，是片外pdata空间；large模式，为片外xdata空间；
以上就是对这几天对8051的重新认识，当然不是很全面。在此之前，一直对其存储结构不是太明了。现在......
清华团队发布3D DRAM存算一体架构！(2024-08-12)
满足速度和容量的需求，现代计算系统通常采取高速缓存(SRAM)、主存(DRAM)、外部存储(NAND Flash)的三级存储结构。
常见的存储系统架构及存储墙
（全球半导体观察制图）
每当......
三星与西部数据官宣合作，推动下一代存储技术标准化(2022-03-30)
设备的起点。在此后阶段，合作计划将扩展至其他新兴的D2PF技术，如计算存储和存储结构（包括NVMe-oF）。......
基于LPC2104的汽车行使记录仪(2023-03-07)
始化电路的10个时标寄存器。 3 信息处理及存储模块设计 由于Flash的存储结构适宜是固态存储，EPROM的存储结构适宜于动态存储，因此，本系统根据实际需要，有用Flash固态存储和EPROM动态存储相结合的方式进行数据存储......
u-boot中nandflash初始化流程分析(2024-07-25)
寻找该命令的cmd_tbl_t结构，找到后返回该结构。该命令的结构是通过定义在include/command.h中的宏定义U_BOOT_CMD登记进.u_boot_cmd段中的。
5.run_command()找到......
3D Xpoint存储点燃SSD市场新战火(2017-03-22)
Optane固态硬盘预期能为此试图在快闪存储与DRAM之间开创新市场的新一代存储技术，建立虽然小巧但意义重大的滩头堡。
新款DC P4800X系列固态硬盘采用NVMe标准介面，一开始将提供375GB容量......
掌握HAL API中面向对象设计的思想(2023-10-24)
体GPIO_TypeDef，该结构体的各个成员严格按照STM32L4xx系列的GPIOx各寄存器顺序进行排序，且每个成员都能容纳（存储）一个32位的数据。
在STM32中，还有诸如USART、IIC、SPI......
平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？(2023-03-22)
更高极限的新路径。
平面升立体，3D DRAM跳出原框架
由上文可知，DRAM工艺突破放缓的原因主要在于存储单元的简洁结构——由一个用于存储......
平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？(2023-03-20)
服DRAM物理局限性的一种方法，据称这将改变存储器行业的游戏规则。
3D DRAM是什么？它将如何颠覆DRAM原有结构？
壹
摩尔定律放缓，DRAM工艺将重构
1966年的秋天，跨国......
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;飞思瑞克科技有限公司;;专业致力于存储器IC的研发、生产和销售。多年来，通过团队共同努力和执著的追求，我们已成为生产非易失性存储器产品EEPROM芯片（24CXX 系列和93CXX 系列）的先
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;深圳市粤胜兴电子有限公司;;本公司经销电子元气件多年，拥有丰富的经验、广泛的货源、优质的产品。主要经营存储器（FLASH、DRAM），物廉价美，质量保证，赢得了广大新老客户的信赖和支持，欢迎
;深圳市嘉讯微科技有限公司;;本公司是一家专业代理销售存储IC供应商。经营MCP,Flash,NAND,SDRAM,DRAM存储IC。品牌有SAMSUNG ，HYNIX，MICRON
各大厂家的直接进货渠道,独家实力储备(欧美日韩意台)世界各大知名品牌工厂停产系列的库存. 产品线：军工级别(EPROM)/动静态(SRAM/DRAM)/可编程可擦写IC(EEPROM)/存储器IC/单片机IC/快闪
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;深圳市顺成电子有限公司;;深圳市顺成电子有限公司是一家以技术为先导，以真实、优质、稳定的库存为基础的集成电路代理、经销商。主要经营BGA封装、内存、存储品、无线网卡.手机配件SDRAM、DDR
以严格的质量标准工作，保证以最快捷的方式为您提供最佳质量的产品和服务。 主要业务： IC内存芯片,存储器,SRAM DRAM SDRAM FLASH