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的控制图,更好理解需要采样那些信号 三相电流采样,采用了一体式的三相电流霍尔传感器,电气框图及安装如下   因为使用的功率管子是IGBT,不是SiC MOSFET,对应......
开关控制,当出现了过流,过压的使用情况下,需要快速关闭外部输出,达到保护功率电路的目的,如果不能快速关断,可能会导致功率管,如 MOSFET,IGBT 的损坏,典型......
客户有效节省系统成本• 强驱动能力:相较传统产品,拥有更强驱动力,显著降低系统开关损耗、减少系统发热量 该新品是一款三相中压高速栅极驱动IC,专为桥式电路中驱动双N型沟道VDMOS功率管IGBT而设......
能源汽车的电机控制器中,电力转换是通过控制IGBT的开关实现的。受制于材料本身的局限性,IGBT较难在200℃以上温度下工作。高功率密度的电机控制器需要高效的电力转换效率和更高的工作温度,这对功率......
功率半导体再迎新一轮扩产契机IGBT、SiC、GaN成集中发力方向;功率半导体在2022年依旧供不应求,行业景气依旧。但与此前全类器件供应紧张情况不同的是,经过了近两年的产能扩张,低端......
也会因为电压的提高而更快。目前满足车规级标准的功率半导体器件中,最主流的硅基IGBT耐压等级在600-750V,但能在800V平台上使用的高压IGBT产品并不多,还存在着损耗高、效率低的缺点 这时候,碳化硅功率管......
电源转换类芯片将电池电压转换到芯片所需的电压值。以下对DC-DC开关电源与LDO线性电源两类进行分析。 (1)DC-DC开关稳压器 DC-DC开关稳压器是指直流电压到直流电压稳压器,常指开关电源。DC-DC芯片的功率管......
电源转换类芯片将电池电压转换到芯片所需的电压值。以下对DC-DC开关电源与LDO线性电源两类进行分析。 (1)DC-DC开关稳压器 DC-DC开关稳压器是指直流电压到直流电压稳压器,常指开关电源。DC-DC芯片的功率管......
微NSi6801单通道隔离驱动器能够兼容光耦输入,其优秀的性能比起传统的光耦式栅极驱动器,工作寿命更长,能在更高温的环境下工作,传播延迟更短,脉冲宽度失真更小。可用于驱动SiC,IGBT和MOSFET等功率管......
(瞬时电流)的驱动信号,用于“驱动侧”大功率IGBT的控制,每只2SD315A内部包含两个IGD模块;第三块是输入与输出相互绝缘的DC/DC 转换器,它的......
,这款产品用于满足家电和暖通空调 (HVAC)系统的高效能需求。同时满足消费者对可靠、静音、小巧且经济实用的系统的需求。作为TI在半导体行业的一项重要创新,DRV7308 结合了先进的氮化镓技术和智能功率管......
度闻泰科技的半导体业务仍保持了不错的增长。 从公司具体的半导体业务产品线来看,重点包括晶体管(包括保护类器件ESD/TVS等)、Mosfet功率管、模拟与逻辑 IC,2022年上半年三大类产品占收入比重分别为 48.45%(其中......
正确理解驱动电流与驱动速度;驱动芯片概述 功率器件如MOSFET、IGBT需要驱动电路的配合从而得以正常地工作。图1显示了一个驱动芯片驱动一个功率MOSFET的电路。当M1开通,M2关掉的时候,电源......
全球能源问题的不断加剧以及电力电子技术的不断发展,大功率光伏逆变器作为经济高效的绿色可再生能源器件得到了广泛应用,普遍使用的IGBT。IGCT等开关器件的容量等级也在不断提高。为了......
电流限制典型 值为 1.0A。 防堵转功能 如果马达被外力或者障碍物卡住,则过驱动电流会引起温度升高而损坏马达,为了防止此类现象,芯片内置锁定保护电路关断内部功率管......
控制器和驱动器的驱动器轻松驱动。我们很高兴与   Qorvo 合作,使其电机控制器和驱动器应用尽享 GaN 带来的益处。”   JEff Strang | Qorvo功率管理事业部总经理“GaN 和碳化硅(SiC)等宽禁带半导体因凭借其更高的功率......
形当中增加了待机功耗,因此如今各国也正在提高轻载下的效率要求。 浅析功率变换过程中的损耗 Jason表示,功率变换过程中功率管的损耗来源主要是开关损耗与导通损耗,这两个损耗有时候是需要权衡的。 导通......
直流高压电路与底线间的阻值,检查高压电路与地是否短路或泄放电阻有无开路。如果高压电路与地短路未排除而直接通电开机,容易烧坏整流管或电源变压器。有的扩音机泄放电阻开路,会造成帘栅压过高,功率管......
全桥栅极驱动电路、高压半桥栅极驱动电路和单路低侧栅极驱动电路等产品。 CS57304S是一款高压高速功率半桥驱动电路,主要应用于驱动N型MOS或IGBT功率器件的系统。该电路内置了欠压保护功能防止功率管......
流输入电压经过滤波后由推挽升压和全桥整流升压到350 V的直流母线电压,再经过全桥逆变电路转变为220 V/50 Hz的工频交流电,采样电路对相应点进行采样,以实现闭环控制及保护功能。 图1 由于大电流条件下,功率管......
东科​DK8607AD集成双氮化镓功率管的有源钳位反激电源管理芯片;​DK8607AD 是一款集成了两颗 GaN 功率器件的有源钳位反激控制AC-DC 功率开关芯片。DK8607AD利用......
控制器和驱动器的驱动器轻松驱动。我们很高兴与 Qorvo 合作,使其电机控制器和驱动器应用尽享 GaN 带来的益处。”  JEff Strang | Qorvo功率管理事业部总经理 “GaN 和碳化硅(SiC)等宽禁带半导体因凭借其更高的功率......
Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计;Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计,该方案采用了高性能TO-220封装氮化镓功率管 目前,同业......
无刷直流电机的基本控制方法;无刷直流电机由电动机主体和驱动器组成,是一种典型的机电一体化产品。 无刷电机是指无电刷和换向器(或集电环)的电机。 由V1~V6六只功率管......
电压随外部电源对其充电而逐渐升高,经过一段时间后,电路进入正常工作状态。这样保证了输入电压缓慢地建立起来,确保芯片不受损坏。输出电路的开关功率管选用MOS功率管。由于功率管是在高频状态下工作会产生振荡。为了......
收或超10亿元。 但全球汽车年销量约9000万辆,新能源汽车销量也过百万辆,IGBT的市场容量其实非常大。根据全球最大IGBT供应商英飞凌2019年财报,全球IGBT功率管......
Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计,该方案采用了高性能TO-220封装氮化镓功率管;目前,同业竞争氮化镓技术均未推出插件式封装的氮化镓器件。采用符合产业标准的插件式封装,电源能够以更低的成本获得功率......
;系列,包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),低噪声管9014(NPN),高频小功率管9018(NPN)等。它们的型号一般都标在塑壳上,而样子都一样,都是TO-92标准封装。在老......
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据;Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据 该公司高压氮化镓器件持续为全功率范围的应用提供极佳的可靠性 加州......
科技在现有产品进行迭代升级、推出新产品的基础上,持续开发高功率分立器件(IGBT 、SiC 和 GaN)和模块、模拟 IC 组合、功率管理 IC 和信号调节 IC 等新产品,以满足市场对高性能、高功率......
%。   2022 年全年,闻泰科技半导体业务研发投入为 11.91 亿元,加速推动技术进步与迭代,覆盖功率 分立器件(IGBT、SiC 和 GaN)和模块、12 英寸创新产品、模拟 IC 组合、功率管......
电路主要有以下几个方面: 1)防止栅极 di/dt过高: 由于采用驱动芯片,其输出阻抗较低,直接驱动功率管会引起驱动的功率管快速的开通和关断,有可能造成功率管漏源极间的电压震荡,或者有可能造成功率管......
高抗噪能力。 4. 低延迟的实时控制技术能够可靠地控制使用 GaN 或 IGBT 开关的复杂电源拓扑,提高高压系统的稳健性和功率密度。 第三代半导体的优势 在功率级方面,越来......
, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始规格书。TP120H070WS功率管是迄今为止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体,领先......
计使用了三个Transphorm的SuperGaN® 功率管 (TP65H150G4PS),该氮化镓功率管的导通电阻为150毫欧,采用为业界所熟悉且深受信赖的三引脚TO-220封装。在使用PFC架构、较高......
于驱动MOSFET或IGBT功率管,提供最大4A/6A的拉灌电流能力,拥有超低传播延迟,低静态电流,耐负压能力强、高dv/dt抗扰度等特性,创新的隔离技术使得NSD1624的高压输出侧可以承受高达1200V......
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据; 该公司高压器件持续为全功率范围的应用提供极佳的可靠性 加州戈利塔—2012年12月15日--高可靠性、高性......
戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管......
降压恒流型 12-50V 2.5A 双色切换的LED车灯方案;这是一款双色切换的LED灯方案,12-50V 降压恒流,输出:6V 2.5A 这是一款PWM工作模式 , 高效率、 外围简单、内置功率管......
电机控制器和驱动器应用尽享 GaN 带来的益处。” JEff Strang | Qorvo功率管理事业部总经理“GaN 和碳化硅(SiC)等宽禁带半导体因凭借其更高的功率......
展示产品、演示和设计辅助工具,英飞凌将说明其在功率管理方面从产品到系统的专业技术如何帮助工程师平衡运营规范和应用要求。演示将包括以下领域的解决方案: –   宽禁带技术:宽禁带材料正在彻底改变功率......
期待!关于森国科深圳市森国科科技股份有限公司是一家专业从事功率器件、模块,功率IC的高新科技企业。功率器件主要包括碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、IGBT功率芯片主要包括功率器件驱动芯片、无刷......
浅谈ASDM40P55KQ的高效电源管理解决方案;随着科技的不断进步,电子设备的功能日益强大,对功率管理的需求也越来越高。在这个快节奏的时代,我们......
计使用了三个的SuperGaN® 功率管 (TP65H150G4PS),该的导通电阻为150毫欧,采用为业界所熟悉且深受信赖的三引脚TO-220封装。在使用PFC架构、较高电流的电源系统中,这种......
压范围下的最佳效率。 芯片内置高压功率管和自供电线路,具有外围元件极少, 变压器设计简单(隔离输出电路的变压器只需要两个绕组)等特点。 主要特点  全电压输入 85V—265V  内置 700V 高压功率管......
能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始规格书。TP120H070WS功率管......
集成过温保护、固定斜坡补偿与可配置斜坡补偿功能、软启动功能和过流保护等多种保护功能。 TPQ5055xQ为控制器,可支持宽输入电压范围,并搭配MOSFET、IGBT或SiC功率管,适用......
和设计辅助工具,英飞凌将说明其在功率管理方面从产品到系统的专业技术如何帮助工程师平衡运营规范和应用要求。演示将包括以下领域的解决方案: 宽禁带技术:宽禁带材料正在彻底改变功率......
期使用,转矩下降比 HB 型要大。   二、两相 HB型步进电机   1、优点:   (1)分辨率高(一般步距角 1.8°的较多)而被广泛使用。   (2)转矩大。   (3)与多相 HB型步进电机比较,驱动功率管......
式存储器并取得了流片成功,而最近又将这种成功延伸到28纳米技术节点。通过利用Synopsys IP中一种先进的功率管理模式的组合,我们能够在性能不打折扣的情况下,实现功耗的显著降低。” “作为......

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;林映旋;;深圳市广威电子有限公司位于中国深圳市福田大厦801,深圳市广威电子有限公司是一家电子元件、温度开关、IGBT、模块、电源IC、场效应管、功率管等产品的经销批发的个体经营。深圳
Design House)。公司的核心业务为功率管理产品的设计、开发和销售,包括功率Trench MOS,VDMOS,IGBT、肖特基二极管和功率集成电路等,其产品主要应用于功率管理领域。当前
House)。公司的核心业务为功率管理产品的设计、开发和销售,包括功率Trench MOS,VDMOS,IGBT、肖特基二极管和功率集成电
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;佩祥电子(深圳)有限公司;;本公司原为华盛电子,本公司主营二三极管,场效应管,大功率管,IGBT,霍尔元件,光敏,光藕,三端稳压,集成IC,贴片电阻电容,拥有大量现货库存,品种繁多,未能尽录,欢迎
极管系列、场效应三极管系列、IGBT三极管系列、MOS管,稳压管畅销消费者市场,在消费者当中享有较高的地位,公司与多家零售商和代理商建立了长期稳定的合作关系。华星电子商行经销的大功率三极管、电磁炉专用功率管
各厂家场效应管,IGBT,肖特基,功率管,可控硅等晶体管,以及IC集成电路.希望得到各供应商的支持,共谋发展,建立长期的合作关系。同时也希望与电子界同行进行广泛的交流合作,共同
;福田区华强电子世界振乐电子展销柜;;公司专营:通讯、网络、储存器、军用品、偏冷门、绝版IC。(BGA,QFP,TSOP,DIP等封装)IC。 二三极管.贴片三极管。电源升压,稳压管、大中小功率管