资讯
奥迪电机驱动器(MCU)系统框图、芯片、功能拆解(2023-07-07)
的控制图，更好理解需要采样那些信号
三相电流采样，采用了一体式的三相电流霍尔传感器，电气框图及安装如下
因为使用的功率管子是IGBT，不是SiC MOSFET，对应......
工程师笔记|STM32G4 Advanced Timer Break 功能(2023-02-02)
开关控制，当出现了过流，过压的使用情况下，需要快速关闭外部输出，达到保护功率电路的目的，如果不能快速关断，可能会导致功率管，如 MOSFET，IGBT 的损坏，典型......
纳芯微隔离和驱动技术为SiC+800V电驱动赋能(2023-03-20)
能源汽车的电机控制器中，电力转换是通过控制IGBT的开关实现的。受制于材料本身的局限性，IGBT较难在200℃以上温度下工作。高功率密度的电机控制器需要高效的电力转换效率和更高的工作温度，这对功率......
功率半导体再迎新一轮扩产契机IGBT、SiC、GaN成集中发力方向(2022-05-19)
功率半导体再迎新一轮扩产契机IGBT、SiC、GaN成集中发力方向;功率半导体在2022年依旧供不应求，行业景气依旧。但与此前全类器件供应紧张情况不同的是，经过了近两年的产能扩张，低端......
800V架构下电机面临的两大要求(2023-03-21)
也会因为电压的提高而更快。目前满足车规级标准的功率半导体器件中，最主流的硅基IGBT耐压等级在600-750V，但能在800V平台上使用的高压IGBT产品并不多，还存在着损耗高、效率低的缺点
这时候，碳化硅功率管......
一文读懂汽车芯片—电源转换类芯片(2023-07-20)
电源转换类芯片将电池电压转换到芯片所需的电压值。以下对DC-DC开关电源与LDO线性电源两类进行分析。 （1）DC-DC开关稳压器
DC-DC开关稳压器是指直流电压到直流电压稳压器，常指开关电源。DC-DC芯片的功率管......
电源管理类芯片分类 汽车电机控制器的电源方案(2023-09-06)
电源转换类芯片将电池电压转换到芯片所需的电压值。以下对DC-DC开关电源与LDO线性电源两类进行分析。 （1）DC-DC开关稳压器
DC-DC开关稳压器是指直流电压到直流电压稳压器，常指开关电源。DC-DC芯片的功率管......
纳芯微单通道隔离驱动器NSi6801二代产品正式发布！(2022-12-13)
微NSi6801单通道隔离驱动器能够兼容光耦输入，其优秀的性能比起传统的光耦式栅极驱动器，工作寿命更长，能在更高温的环境下工作，传播延迟更短，脉冲宽度失真更小。可用于驱动SiC，IGBT和MOSFET等功率管......
变频器和逆变器常用的驱动集成电路（二）(2024-04-02)
(瞬时电流)的驱动信号,用于“驱动侧”大功率IGBT的控制,每只2SD315A内部包含两个IGD模块;第三块是输入与输出相互绝缘的DC/DC 转换器,它的......
闻泰上半年半导体净利大涨31.72%，汽车及工业端需求旺盛(2022-08-30)
度闻泰科技的半导体业务仍保持了不错的增长。
从公司具体的半导体业务产品线来看，重点包括晶体管（包括保护类器件ESD/TVS等）、Mosfet功率管、模拟与逻辑 IC，2022年上半年三大类产品占收入比重分别为 48.45%（其中......
正确理解驱动电流与驱动速度(2022-01-27)
正确理解驱动电流与驱动速度;驱动芯片概述
功率器件如MOSFET、IGBT需要驱动电路的配合从而得以正常地工作。图1显示了一个驱动芯片驱动一个功率MOSFET的电路。当M1开通，M2关掉的时候，电源......
光伏发电逆变电路的设计与研究(2022-12-24)
全球能源问题的不断加剧以及电力电子技术的不断发展，大功率光伏逆变器作为经济高效的绿色可再生能源器件得到了广泛应用，普遍使用的IGBT。IGCT等开关器件的容量等级也在不断提高。为了......
森国科推出行业领先的散热风扇驱动芯片G1287A(2024-03-11)
电流限制典型 值为 1.0A。
防堵转功能
如果马达被外力或者障碍物卡住，则过驱动电流会引起温度升高而损坏马达，为了防止此类现象，芯片内置锁定保护电路关断内部功率管......
电子管功放的检修技巧_电子管功放故障排除(2024-01-26)
直流高压电路与底线间的阻值，检查高压电路与地是否短路或泄放电阻有无开路。如果高压电路与地短路未排除而直接通电开机，容易烧坏整流管或电源变压器。有的扩音机泄放电阻开路，会造成帘栅压过高，功率管......
氮化镓取代碳化硅，从PI开始？(2023-11-13)
形当中增加了待机功耗，因此如今各国也正在提高轻载下的效率要求。
浅析功率变换过程中的损耗
Jason表示，功率变换过程中功率管的损耗来源主要是开关损耗与导通损耗，这两个损耗有时候是需要权衡的。
导通......
基于STM32F103VE单片机实现纯数字式正弦逆变电源的应用方案(2023-09-27)
流输入电压经过滤波后由推挽升压和全桥整流升压到350 V的直流母线电压，再经过全桥逆变电路转变为220 V/50 Hz的工频交流电，采样电路对相应点进行采样，以实现闭环控制及保护功能。
图1
由于大电流条件下，功率管......
一文看懂华润微电子IC和新型IPM等产品亮点(2024-01-22)
全桥栅极驱动电路、高压半桥栅极驱动电路和单路低侧栅极驱动电路等产品。
CS57304S是一款高压高速功率半桥驱动电路，主要应用于驱动N型MOS或IGBT功率器件的系统。该电路内置了欠压保护功能防止功率管......
Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计(2023-01-13)
Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计;Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计，该方案采用了高性能TO-220封装氮化镓功率管
目前，同业......
拆分芯片业务谋求独立上市，比亚迪半导体值不值300亿？(2023-01-04)
收或超10亿元。
但全球汽车年销量约9000万辆，新能源汽车销量也过百万辆，IGBT的市场容量其实非常大。根据全球最大IGBT供应商英飞凌2019年财报，全球IGBT功率管......
Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计，该方案采用了高性能TO－220封装氮化镓功率管;目前，同业竞争氮化镓技术均未推出插件式封装的氮化镓器件。采用符合产业标准的插件式封装，电源能够以更低的成本获得功率......
老司机怎么测量三极管管型、管脚和性能？(2023-03-14)
;系列，包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP)，低噪声管9014(NPN)，高频小功率管9018(NPN)等。它们的型号一般都标在塑壳上，而样子都一样，都是TO-92标准封装。在老......
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据(2022-12-16)
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据;Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据
该公司高压氮化镓器件持续为全功率范围的应用提供极佳的可靠性
加州......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
电路主要有以下几个方面：
1）防止栅极 di/dt过高：
由于采用驱动芯片，其输出阻抗较低，直接驱动功率管会引起驱动的功率管快速的开通和关断，有可能造成功率管漏源极间的电压震荡，或者有可能造成功率管......
闻泰科技业绩承压 多元布局静待景气反转(2024-04-23)
科技在现有产品进行迭代升级、推出新产品的基础上，持续开发高功率分立器件（IGBT 、SiC 和 GaN）和模块、模拟 IC 组合、功率管理 IC 和信号调节 IC 等新产品，以满足市场对高性能、高功率......
闻泰科技：控股股东及实际控制人被立案，不会对日常运营造成重大影响(2023-07-12)
%。
2022 年全年，闻泰科技半导体业务研发投入为 11.91 亿元，加速推动技术进步与迭代，覆盖功率 分立器件(IGBT、SiC 和 GaN)和模块、12 英寸创新产品、模拟 IC 组合、功率管......
Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型(2023-05-31)
, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始规格书。TP120H070WS功率管是迄今为止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体，领先......
应对 PCS 创新，德州仪器全方位保驾护航(2024-01-12)
高抗噪能力。
4. 低延迟的实时控制技术能够可靠地控制使用 GaN 或 IGBT 开关的复杂电源拓扑，提高高压系统的稳健性和功率密度。
第三代半导体的优势
在功率级方面，越来......
Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计(2023-01-13)
计使用了三个Transphorm的SuperGaN® 功率管 (TP65H150G4PS)，该氮化镓功率管的导通电阻为150毫欧，采用为业界所熟悉且深受信赖的三引脚TO-220封装。在使用PFC架构、较高......
“芯”科技赋能绿色发展,纳芯微连续三年荣膺“中国芯”奖(2023-09-22)
于驱动MOSFET或IGBT等功率管，提供最大4A/6A的拉灌电流能力，拥有超低传播延迟，低静态电流，耐负压能力强、高dv/dt抗扰度等特性，创新的隔离技术使得NSD1624的高压输出侧可以承受高达1200V......
Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型(2023-05-31)
戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管......
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据(2022-12-22)
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据;
该公司高压器件持续为全功率范围的应用提供极佳的可靠性
加州戈利塔—2012年12月15日--高可靠性、高性......
森国科推出电机驱动专用的高集成、高性能IPM智能功率模块(2024-01-02 11:25)
期待！关于森国科深圳市森国科科技股份有限公司是一家专业从事功率器件、模块，功率IC的高新科技企业。功率器件主要包括碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、IGBT，功率芯片主要包括功率器件驱动芯片、无刷......
浅谈ASDM40P55KQ的高效电源管理解决方案(2024-03-19)
浅谈ASDM40P55KQ的高效电源管理解决方案;随着科技的不断进步，电子设备的功能日益强大，对功率管理的需求也越来越高。在这个快节奏的时代，我们......
Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计,该方案采用了高性能TO(2023-01-13)
计使用了三个的SuperGaN® 功率管 (TP65H150G4PS)，该的导通电阻为150毫欧，采用为业界所熟悉且深受信赖的三引脚TO-220封装。在使用PFC架构、较高电流的电源系统中，这种......
DK1203东科反激式次边反馈开关电源控制芯片AC-DC 开关电源(2024-02-26)
压范围下的最佳效率。
芯片内置高压功率管和自供电线路，具有外围元件极少， 变压器设计简单（隔离输出电路的变压器只需要两个绕组）等特点。
主要特点
全电压输入 85V—265V
内置 700V 高压功率管......
Transphorm发布业界首款1200伏GaN－on－Sapphire器件的仿真模型(2023-05-31 10:30)
能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始规格书。TP120H070WS功率管......
步进电机相数如何选择(2023-10-07)
期使用，转矩下降比 HB 型要大。
二、两相 HB型步进电机
1、优点：
（1）分辨率高（一般步距角 1.8°的较多）而被广泛使用。
（2）转矩大。
（3）与多相 HB型步进电机比较，驱动功率管......
Synopsys推出用于TSMC 28纳米工艺的DesignWare嵌入式存储器和逻辑库(2012-02-22)
式存储器并取得了流片成功，而最近又将这种成功延伸到28纳米技术节点。通过利用Synopsys IP中一种先进的功率管理模式的组合，我们能够在性能不打折扣的情况下，实现功耗的显著降低。”
“作为......
一只脚迈进交通领域，另一脚踩进数据中心，氮化镓比碳化硅更出彩(2023-10-10)
需要更少的热管理，传统的汽车功率器件采用的是硅基功率MOSFET或绝缘栅双极晶体管（IGBT）。此外，GaN太阳能电池被认为是未来光伏领域的重要技术之一。在风电领域，GaN可以用于制造功率......
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据(2022-12-16)
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据;该公司高压氮化镓器件持续为全功率范围的应用提供极佳的可靠性
加州戈利塔—2012年12月15 日--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源......
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据(2022-12-16 09:12)
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据;该公司高压氮化镓器件持续为全功率范围的应用提供极佳的可靠性高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源......
森国科推出电机驱动专用的高集成、高性能IPM智能功率模块(2024-01-04)
硅MOSFET、IGBT，功率芯片主要包括功率器件驱动芯片、无刷电机驱动芯片两大类。公司总部在深圳市南山区，在深圳、成都、苏州设有研发及运营中心。公司研发人员占比超过70%，研究生以上学历占比50%，来自......
“芯”科技赋能绿色发展，纳芯微连续三年荣膺“中国芯”奖(2023-09-25 11:40)
、服务器电源等应用中，通过高压化进而提升能源利用效率的需求日益迫切，这对系统中相关驱动器件的耐压、抗扰等性能也提出了更高的要求。本次获奖的高压半桥栅极驱动NSD1624可用于驱动MOSFET或IGBT等功率管......
“芯”科技赋能绿色发展，纳芯微连续三年荣膺“中国芯”奖(2023-09-25)
IGBT等功率管，提供最大4A/6A的拉灌电流能力，拥有超低传播延迟，低静态电流，耐负压能力强、高dv/dt抗扰度等特性，创新的隔离技术使得NSD1624的高压输出侧可以承受高达1200V的直......
中国科大研制出新型隔离电源芯片(2021-02-22)
密度。此外，该研究还提出一种采用了可变电容的功率管栅极电压控制技术，实现了在更宽电源电压范围下，控制栅极峰值电压使其保持在最佳安全电压范围，而无需采用特殊厚栅氧工艺的功率管，实现......
PI推出第五代InnoSwitch，更高集成度更简化的设计(2024-01-31)
InnoSwitch 5-Pro创新的拓扑技术，可以通过 SR 控制实现零电压开关，阎金光解释了大致原理，其本质是利用次级侧的同步整流功率管来泄放能量。
如图所示，第一步是在下一次功率管开通前，次级......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
使用程序配合硬件电路去实现。
如下图所示，使用4个功率管（可以为MOS管或者IGBT）搭建成桥式电路，在桥臂中心引出两根导线，连接到电机的供电引脚上。
当使用单片机控制Q2,Q3导通，Q1,Q4截止时。电流经过过电源正极，经过......
ZS3089SL-24W（CC/CV）电源适配器方案(2024-02-22)
品采用原边反馈控制机制.无需光耦和TL431即可实现高精度输出.恒流恒压精度达到正负4%以内.同时内部集成了高压复合功率管.内部设计了无电容控制电路.无需外接补偿和采样滤波电容.同时......
无刷直流电机(BLDC)构成、应用领域及工作原理详解(2023-10-25)
直流电机的驱动桥需要 4 只功率管，而无刷直流电机的驱动桥则需要 6 只功率管)。
图1所示为其中一种小功率三相、星形连接、单副磁对极的无刷直流电机，它的定子在内，转子在外。另一种无刷直流电机的结构和这种刚刚相反，它的......
BLDC电机控制算法——FOC介绍(2023-09-07)
量并不足以驱动无刷直流电机，所以必须要再接一个功率管来驱动电机，功率管可以是MOSFET（场效应管），也可以是IGBT（绝缘栅双极晶体管）。
3、一般而言，电机的绕组数量都和永磁极的数量是不一致的（比如......
相关企业
;新蓝星电子有限公司;;主营场效应，IGBT，肖特基，快恢复,可控硅,达林顿等大中小功率管
;欧阳松禧;;深圳市松乐电子有限公司位于中国广东省深圳市福田区中航路都会电子城，是一家可控硅、场效应、肖特基、大中小功率管、达林顿、IGBT、各类二三极管等产品的经销批发商。经营的可控硅、场效
;林映旋;;深圳市广威电子有限公司位于中国深圳市福田大厦801，深圳市广威电子有限公司是一家电子元件、温度开关、IGBT、模块、电源IC、场效应管、功率管等产品的经销批发的个体经营。深圳
Design House）。公司的核心业务为功率管理产品的设计、开发和销售，包括功率Trench MOS，VDMOS，IGBT、肖特基二极管和功率集成电路等，其产品主要应用于功率管理领域。当前
House）。公司的核心业务为功率管理产品的设计、开发和销售，包括功率Trench MOS，VDMOS，IGBT、肖特基二极管和功率集成电
;深圳市科城电子有限公司;;本公司主要产品有IR 仙童 ST 富士通 英飞凌 东芝 飞利浦 POWER 场效应 IGBT 功率管 肖特基 快恢复 三端稳压管 可控硅 模块 等系列晶体管 货源
;佩祥电子(深圳)有限公司;;本公司原为华盛电子,本公司主营二三极管,场效应管,大功率管,IGBT,霍尔元件,光敏,光藕,三端稳压,集成IC,贴片电阻电容,拥有大量现货库存,品种繁多,未能尽录,欢迎
极管系列、场效应三极管系列、IGBT三极管系列、MOS管，稳压管畅销消费者市场，在消费者当中享有较高的地位，公司与多家零售商和代理商建立了长期稳定的合作关系。华星电子商行经销的大功率三极管、电磁炉专用功率管
各厂家场效应管,IGBT,肖特基,功率管,可控硅等晶体管,以及IC集成电路.希望得到各供应商的支持，共谋发展，建立长期的合作关系。同时也希望与电子界同行进行广泛的交流合作，共同
;福田区华强电子世界振乐电子展销柜;;公司专营：通讯、网络、储存器、军用品、偏冷门、绝版IC。（BGA，QFP，TSOP，DIP等封装）IC。 二三极管．贴片三极管。电源升压，稳压管、大中小功率管