资讯
热敏电阻: TDK推出可嵌入到IGBT模块的高精度片式NTC热敏电阻(2021-12-12)
烧结和重质铝丝焊连接，并且特性和R100 =493 Ω条件下的常见MELF-R/T曲线相吻合。无铅化的新型元件订购编号为B57860L0522J500，工作温度范围为-55 °C至+175 °C，尺寸为1.6 x......
Vishay 推出两款采用紧凑、高隔离延展型SO-6封装的最新IGBT和MOSFET驱动器(2024-10-28)
的最新IGBT和MOSFET驱动器---VOFD341A和VOFD343A。Vishay VOFD341A和VOFD343A的峰值输出电流分别达3 A和4 A，工作温度高达+125 °C，传播延迟低至200 ns......
Vishay的采用延展型SO－6封装的新款 IGBT和MOSFET驱动器实现紧凑设计、快速开关和高压(2024-10-24 14:29)
Vishay的采用延展型SO－6封装的新款 IGBT和MOSFET驱动器实现紧凑设计、快速开关和高压;
器件峰值输出电流高达4 A，工作温度高达+125 °C，传播延迟低至200 ns日前，威世......
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效(2023-09-11)
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效;新系列 将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变......
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效(2023-09-11)
管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
新推出的 STPOWER IH2系列IGBT还提......
SiC MOSFET用于电机驱动的优势(2023-12-22)
工况
在电机控制逆变器中使用宽禁带器件有两个引人关注的益处。第一，它们产生的热量比硅器件少，降低了散热需求。第二，它们能承受更高工作温度——SiC：600°C，GaN：300°C，而硅芯片能承受的最高工作温度......
东芝推出用于IGBT／MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦(2021-11-30)
为电路板组件布局提供更高的灵活性，并支持电路板背面安装，或用于器件高度受限的新型电路设计。
这两款光耦的最高工作温度额定值均达到125℃（Ta＝-40℃至125℃），使其更容易设计和保持温度裕度。
此外......
金升阳推出IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源——QA-(T)-R3G系列(2023-11-24)
容性负载2200μF
● 超小隔离电容3.5pF(typ.)
● 工作温度范围：-40℃ to +105℃
● 可持......
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效(2023-09-11)
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效;
【导读】意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作......
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效(2023-09-12 10:03)
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效;STPOWER IH2面向工业和电磁加热应用意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作......
东芝推出智能栅极驱动光耦，有助于简化功率器件的外围电路设计(2022-08-31)
有源米勒钳位功能可防止上下桥臂功率器件发生短路[3]，帮助简化设计，并减少外部电路。
与此同时，TLP5222采用SO16L封装，可确保8mm（最小值）的爬电距离和电气间隙，适用于需要实现较高绝缘性能的设备。此外，其额定工作温度......
东芝推出智能栅极驱动光耦，有助于简化功率器件的外围电路设计(2022-08-31)
有源米勒钳位功能可防止上下桥臂功率器件发生短路[3]，帮助简化设计，并减少外部电路。
与此同时，TLP5222采用SO16L封装，可确保8mm（最小值）的爬电距离和电气间隙，适用于需要实现较高绝缘性能的设备。此外，其额定工作温度......
e络盟开售Littelfuse完整解决方案(2023-10-17)
。LF2181NTR逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至 3.3V）兼容，可轻松连接控制设备。该驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，可将驱动器的交叉传导降至最低。LF2181NTR采用 SOIC(N)-8封装，工作温度......
e络盟开售Littelfuse完整解决方案(2023-10-17)
驱动器的交叉传导降至最低。LF2181NTR采用 SOIC(N)-8封装，工作温度范围为 -40 °C 至+125 °C。
•USP10973热敏电阻组件：这种铜探头组件适用于各种温度传感应用。它具有严格公差，防潮......
e络盟开售Littelfuse完整解决方案(2023-10-17)
和CMOS电平（低至 3.3V）兼容，可轻松连接控制设备。该驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，可将驱动器的交叉传导降至最低。LF2181NTR采用 SOIC(N)-8封装，工作温度范围为 -40 °C......
大功率芯片散热电动汽车电机控制器结构优化(2023-10-24)
驱动装置这种集成系统由多个模块组合而成，传统的电力驱动装置采用硅 IGBT作为电流的控制元件，普通硅器件结温目前已达到 150℃，接近硅材质的上限，并且元件在工作温度大于 80℃后就会出现显著的性能降低、芯片载流能力下降、开关......
ModCap �C 面向直流链路应用的模块化电容器概念(2021-04-23)
生能源和工业应用带来紧凑型逆变器。
市场对逆变器和所需直流链路电容器的要求日益严格，其中包括以紧凑尺寸提供高能量密度、控制快速开关操作、大电流能力、高工作温度、与IGBT模块的机械兼容性，以及长使用寿命。为满......
TDK推出紧凑型门极驱动变压器(2024-04-09)
500 kHz，工作温度为-40°C至+150°C，非常适合电动汽车（经AEC-Q200认证并符合AQG标准关于振动的要求）和工业电子中的IGBT和MOSFET门极驱动应用。元件绕组的圈比为1:1.08......
SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著(2024-07-24)
导致消费者能够看到的汽车基本性能指标明显提高。
但是，要求高能效的不止于这一个因素，还有多种其它因素：
· 降低工作温度，提高可靠性；
· 降低热负荷，减少通过散热器、散热片、冷却液和其它技术散发的热量；
· 减少......
RECOM扩展栅极驱动 DC/DC 系列产品(2023-12-20)
过电压和损坏的风险。总功率2W时工作温度高达 82°C，2.5W时可达 75°C。即使在最高温度 125°C 时，转换......
RECOM推出栅极驱动 DC/DC 系列产品扩展(2024-02-27)
路可设置为 -2.5 至 -22.5 VDC，总正负电压范围为 18 至 25 VDC，例如 +15/-3 V，以高效驱动 SiC 栅极。电压保持在 +/-1.5% 范围内，防止过电压和损坏的风险。总功率2W时工作温度......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率(2023-07-05)
器件的市场预计将随着太阳能面板和电动汽车(EV)充电器的日益普及而有所增长。Nexperia的600 V IGBT采用稳健、经济高效的载流子储存沟槽栅场截止(FS)结构，在最高175℃的工作温度......
Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法(2022-12-05)
的RDSon在工作温度范围内不易发生波动。使用基于 SiC 的 MOSFET，RDSon 数值在 25°C到100°C温度之间仅仅偏移大约 1.13 倍，而使用典型的基于Si MOSFET（例如......
变频器的作用和安装(2023-04-11)
与进行连接之外，还应注意以下几点：
1、避免振动与冲击。为了防止引发电器接触不良，变频器安装场所应远离振动源和冲击源，并使用减振橡胶垫固定控制柜内电磁开关之类易产生振动的。
2、工作温度宜低。变频器的工作温度......
e络盟开售Littelfuse完整解决方案(2023-10-19)
3.3V）兼容，可轻松连接控制设备。该驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，可将驱动器的交叉传导降至最低。LF2181NTR采用 SOIC(N)-8封装，工作温度范围为 -40 °C 至+125 °C......
e络盟开售Littelfuse完整解决方案(2023-10-19 16:03)
）兼容，可轻松连接控制设备。该驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，可将驱动器的交叉传导降至最低。LF2181NTR采用 SOIC(N)-8封装，工作温度范围为 -40 °C 至+125 °C......
碳化硅如何最大限度提高可再生能源系统的效率(2023-07-06)
系统或直流快充电源模块等可再生能源系统中至关重要。
很多可再生能源应用的运行面积较小，会产生大量热量，推动设计人员不断探寻缩减印刷电路板尺寸和最大程度进行散热的方法。SiC 比 IGBT 的工作温度高，使得 SiC 电源......
新能源汽车电机控制器原理及应用(2024-02-22)
(7)保护功能，保护电机控制器、驱动电机、动力电池不超过工作温度极限
(8)驾驶保障，在车辆行驶过程中可以根据客户的需求增加防抖功能，保证行车的舒适性 ......
新能源汽车电机控制器(MCU)(2024-09-04)
电动机转变为发电机。
(5)通信功能，通过CAN总线与其他控制单元和网关通信。
(6)故障诊断，当自诊断异常时存储故障码，同时发送给VCU。
(7)保护功能，保护电机控制器、驱动电机、动力电池不超过工作温度......
TDK推出紧凑型门极驱动变压器(2024-04-02)
体磁芯，尺寸紧凑，支持高工作电压，工作频率为100 kHz至500 kHz，工作温度为-40°C至+150°C，非常适合电动汽车（经AEC-Q200认证并符合AQG标准关于振动的要求）和工......
Vishay推出0603和0805 封装R25新阻值汽车级玻璃封装保护的NTC热敏电阻(2022-04-11)
± 1 %
± 1 %; ± 3 %
最大功耗
125 mW
210 mW
工作温度
-40 °C~+150 °C
TCR......
适用于三相电机驱动的智能功率模块设计实用指南(2024-05-06)
°C 条件下的表征测试，在所示的工作温度范围内得到保证。测试过程中采用了低占空比脉冲技术，从而保持结温尽量接近环境温度。这些值基于设计和/或表征测试结果。
7.ton 和 toff 包括内部驱动 IC......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率(2023-07-05)
器的日益普及而有所增长。Nexperia的600 V IGBT采用稳健、经济高效的载流子储存沟槽栅场截止(FS)结构，在最高175℃的工作温度下可提供超低导通和开关损耗性能与高耐用性。这可提高功率逆变器、感应......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET(2023-01-30 16:19)
峰值电流：10A• 保护/故障检测功能• 片上有源米勒钳制• 软关断• 过流保护（DESAT保护）• 欠压锁定(UVLO)• 故障反馈工作温度范围• -40至125°C（Tj：最高150°C）该产......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET(2023-01-30)
检测功能
片上有源米勒钳制
软关断
过流保护（DESAT保护）
欠压锁定(UVLO)
故障反馈
工作温度范围
-40至125°C（Tj：最高150°C）
该产......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC(2023-01-30)
保护（DESAT保护）
欠压锁定(UVLO)
故障反馈
工作温度范围
-40至125°C（Tj：最高150°C）
该产品将通过实现高成本效益的逆变器来推动电动汽车采用率的提升，从而......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET(2023-01-30)
峰值电流：10A• 保护/故障检测功能• 片上有源米勒钳制• 软关断• 过流保护（DESAT保护）• 欠压锁定(UVLO)• 故障反馈工作温度范围• -40至125°C（Tj：最高150°C）该产......
安森美全新SiC MOSFET模块方案实现高性能充电方案(2021-06-09)
平面技术，适合18 V到20 V范围内的驱动电压，易于用负门极电压驱动。它的较大裸芯片与沟槽式MOSFET相比，降低了热阻，从而在相同的工作温度下降低了裸芯片温度。
NXH010P120MNF配置为2......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率(2023-07-05 09:51)
器的日益普及而有所增长。Nexperia的600 V IGBT采用稳健、经济高效的载流子储存沟槽栅场截止(FS)结构，在最高175℃的工作温度下可提供超低导通和开关损耗性能与高耐用性。这可......
瑞萨推出栅极驱动IC，用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET(2023-01-30)
保护（DESAT保护）
● 欠压锁定(UVLO)
● 故障反馈
工作温度......
RECOM 推出适用于高性能栅极驱动应用的微型 DC/DC 转换器(2024-11-06 09:45)
V/-5 V 输出以适合 SiC MOSFET 的要求。工作温度范围为 -40°C 至 100°C，降额取决于具体型号。该系列的隔离额定值为 5 kVAC/1 min 的加强型隔离，工作电压为 1.4......
IGBT模块中不同金属化方法覆铜氮化铝陶瓷基板的可靠性研究(2022-12-26)
导体材料较匹配的热导率、宽的操作温度（工作温度范围和耐高温方面）和优良的绝缘性能，在大功率电力半导体模块、智能功率组件、汽车电子、高密度封装载板和发光二极管（LED）等方面有很好的发展前景，是先......
TDK推出EIA 2220尺寸的紧凑型CeraLink电容器(2022-03-18)
电压为500V，电容为250 nF。新元件当前有标准和软端子两种封装方式，预计未来将增加更多尺寸和电压等级选项。
新元件允许的工作温度范围为-40 °C至+150 °C，其独......
TDK推出紧凑型门极驱动变压器(2024-04-03 15:01)
件采用锰锌 (MnZn) 铁氧体磁芯，尺寸紧凑，支持高工作电压，工作频率为100 kHz至500 kHz，工作温度为-40℃ 至+150℃，非常适合电动汽车（经AEC-Q200认证并符合AQG标准......
专为快速切换的GaN驱动而设计的DC／DC电源(2017-09-18)
可承受高开关电压、严苛的工作温度和高转换速率的隔离型驱动电源。为了满足这些严格要求，RECOM新开发了两款隔离型1W DC／DC转换器系列来为最新的GaN驱动器供电。高转换速率的GaN晶体......
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET(2023-02-01)
锁定(UVLO)
● 故障反馈
工作温度范围
● -40至125°C（Tj：最高150°C）
该产品将通过实现高成本效益的逆变器来推动电动汽车采用率的提升，从而最大限度减少对环境的影响。
供货......
e络盟开售东芝最新智能栅极驱动器(2022-10-14)
在指定时间后自动重置回正常运行状态。两款器件都采用薄型16引脚SO16L封装，工作温度为-40°C到110°C。e络盟此次新增的东芝最新系列智能栅极驱动器主要包括：• TLP5212是一......
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用(2022-12-21)
（Si）基功率器件长期以来一直主导着市场，但由于较低的带隙和电击穿场，其性能已达到极限。因此，开关频率、阻断电压和工作温度存在限制。
随着采用宽带隙（WBG）材料设计的革命性新器件的引入，可以......
IGBT 模块在颇具挑战性的逆变器应用中提供更高能效(2025-01-09)
小型化与先进的封装相结合，可以显著提高最大额定电流。在工作温度高达 150 摄氏度的电机控制应用中，QDual3 的输出功率为 100 kW 至 340 kW，比目前市场上的其他产品高出大约 12......
一辆新能源汽车需要哪些芯片？(2024-01-10)
用于保证和调节能源传输，以分立器件为主，包括电源管理芯片、IGBT、MOSFET等。
此外，相比于消费类芯片，汽车芯片对于可靠性及安全性的要求更高，一般设计寿命为15年或20万公里。在工作温度、湿度、发霉......
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: 36KB 工作电源电压: 1.8V 最大工作温度: + 85℃ 最小工作温度: - 40℃ 封装/箱体: LQFP-100 数据ROM大小: 2KB
;北京红科信通电子技术有限公司;;电池系列 工作温度范围℃ 开路电压V BCX85 -55 - +85 3.93 CSC93 -20
;新莱福;;本公司属于中外合资企业，主要生产和销售：热敏电阻(NTC)、温度传感器. 各类NTC和温度传感器 工作温度范围：-55~300℃ 电阻范围：0.1~3780KΩ B值范围：25/50
;中山市和拓铝材灯饰有限公司;;1.2电源规格 输入电压:85-265V 50-60Hz/AC 额定功率:70W 输出电压:24V/DC 输出电流:3A 标准预留线: 1.3环境规格 工作温度
) 耐热线缆（工作温度-65℃-200℃） -- 氟塑料（铁氟龙）AF200(F46) 高温电线电缆（工作温度-65℃-200℃） -- 氟塑料（铁氟龙）AF250(PFA)温温电线电缆（工作温度
达到了175℃，具有非常宽的工作温度范围，可以在 -65℃---170℃的环境中长期使用。由于具备优良耐热性和很高的机械强度，良好的尺寸稳定性，低的Z轴膨胀系数，使得
26条云母板生产线。 产品介绍： 耐热云母板厚度均匀，具有良好的电气性能和机械强度，白云母板的长期工作温度 为550℃；金云母板的长期工作温度为850℃；是一种新型的电热绝缘材料，适于
耐温等级分为二种，JDHK-2系列耐高温行程开关工作温度为250℃；JDHK-3系列耐高温行程开关工作温度为550℃。每个系列分别有十个规格，可满足不同场合使用要求。广泛使用于电力、化工、石油、纺织、钢铁等行业。
热诚欢迎国内外厂商来人来电业务垂询或网上查询！主要产品：-- 氟塑料（耐热线缆）AF200(F36) 耐热线缆（工作温度-65℃-200℃） -- 氟塑料（铁氟龙）AF200(F46) 高温
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