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Vishay推出加强版0805封装抗浪涌厚膜电阻器，额定功率高达0.5 W;Vishay推出加强版0805封装抗浪涌厚膜电阻器，额定功率高达0.5 W 器件通过AEC-Q200认证，节省......
Vishay推出加强版0805封装抗浪涌厚膜电阻器; 【导读】美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年3月29日 — 日前，Vishay Intertechnology......
Vishay推出加强版0805封装抗浪涌厚膜电阻器，额定功率高达0．5 W;器件通过AEC-Q200认证，节省电路板空间的同时，减少元器件数量并降低加工成本日前，Vishay......
Vishay推出加强版0805封装抗浪涌厚膜电阻器，额定功率高达0．5 W;器件通过AEC-Q200认证，节省电路板空间的同时，减少元器件数量并降低加工成本日前，Vishay......
Vishay推出加强版0805封装抗浪涌厚膜电阻器,额定功率高达0.5 W;日前， Intertechnology, Inc.宣布，推出加强版0805封装 Draloric RCS0805 e3......
引用地址： 抗浪涌的本手 电源模块应用过程中，部分客户会发现电源模块用着会“无缘无故”就坏了，特别是在室外应用场景和室内恶劣的工业电网场景，这种情况很可能是因为浪涌电压的产生而损坏。 浪涌......
ROHM面向支持自动驾驶的高速车载通信系统，开发出支持“CAN FD”的TVS二极管“ESDCANxx系列”;~低电容设计可防止信号劣化，出色的抗浪涌能力可提高车载电子设备的保护性能~全球......
Vishay高功率抗浪涌厚膜片式电阻具有优异的脉冲和ESD处理能力，可用于汽车和工业应用;日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布适用于汽车和工业应用的新系列抗浪涌......
实现高品质的车载通信。 低电容设计可防止信号劣化，出色的抗浪涌能力可提高车载电子设备的保护性能 全球知名半导体制造商ROHM......
实现功率模块的小型化、大容量和更低的开关损耗，有望在铁路、电力系统等大型工业设备中得到广泛应用。到目前为止，由于集成SBD的SiC-MOSFET功率模块的抗浪涌电流能力相对较低，浪涌电流只集中在某些特定的芯片上，导致芯片在高浪涌......
充电桩会有若干个充电模块并联后进行输出供电，这可确保在其中一个电源失效时，其他电源仍正常运作。 这款设计具备承受高电压和抗浪涌电流的能力，并封装于TO-247AD-2LM包装中，采用玻璃钝化晶片接合，提供稳健的可靠性。此外，其可......
。这两种器件都可提供高水平的抗浪涌性能，出众的IEC61000-4-5浪涌等级。   ......
充电基础设施、电机驱动器、不间断电源以及用于可持续能源生产的光伏逆变器。本文引用地址：这些器件采用合并PiN肖特基(MPS)结构，比类似的竞争SiC二极管具有更多优势，包括出色的抗浪涌电流能力。这样......
S21通带超过7.5 GHz，因此适用于5 Gbps时的USB3.x。这两种器件都可提供高水平的抗浪涌性能，出众的IEC61000-4-5浪涌等级。  ......
泛产品系列包括高可靠性薄膜电阻、耐脉冲抗浪涌厚膜电阻、并联/电流感应电阻以及高压电阻和宽端子电阻。 e络盟现供应的 KOA全系列无源元件解决方案包括：   ●     高可靠薄膜电阻 – KOA薄膜......
基(MPS)结构，比类似的竞争SiC二极管具有更多优势，包括出色的抗浪涌电流能力。这样就无需额外的保护电路，显著降低系统复杂性，使硬件设计人员能够在耐用型高功率应用中，以更......
)结构，比类似的竞争SiC二极管具有更多优势，包括出色的抗浪涌电流能力。这样就无需额外的保护电路，显著降低系统复杂性，使硬件设计人员能够在耐用型高功率应用中，以更......
，NovuSiC®EJBS™在20A时，VF为1.37V，漏电小于2μA，可承受288W的功率、最大26A的电流，为光伏、直流快充等领域带来可靠性要求更高、成本更优的解决方案；MCR®产品具有高温特性稳定、高抗浪涌......
应用     ③ 三年质保 6）高防护性     ① 超高EMS防护等级——抗浪涌等级4级......
Gbps时的USB3.x。这两种器件都可提供高水平的抗浪涌性能，出众的IEC61000-4-5浪涌等级。关于新款器件的更多信息，包括产品规范和数据手册，请访问：nexperia.com/pip......
似的竞争SiC二极管具有更多优势，包括出色的抗浪涌电流能力。这样就无需额外的保护电路，显著降低系统复杂性，使硬件设计人员能够在耐用型高功率应用中，以更小的外形尺寸实现更高的效率。Nexperia在各......
GHz，因此适用于5 Gbps时的USB3.x。这两种器件都可提供高水平的抗浪涌性能，出众的IEC61000-4-5浪涌等级。 关于新款器件的更多信息，包括......
显著降低漂移区的导通电阻。在保持器件正向导通电压不变的情况下，器件的抗浪涌电流能力得到显著增强。 纳芯微SiC二极......
简介 SYT31S05DWD 是一款DFN1.0*0.6-2 封装的小电容ESD防护芯片。器件本身寄生电容0.45pf,但8/20us浪涌保护能力高达15A, 其抗浪涌电压的能力高达40V，15A下该......
细说Semtech SurgeSwitch保护器件;随着集成电路技术的发展，越来越多的功能集中到尺寸越来越小的芯片中。绝大部分产品接口必须满足抗浪涌的国际标准，如IEC 61000-4-5浪涌......
具有防脉冲和良好耐硫能力的新系列厚膜片式电阻--- Vishay Draloric RCA-IF e3。 Vishay Draloric RCA-IF e3系列器件具有优异的抗浪涌和脉冲的特性，耐硫能力符合ASTM......
吸收能力变弱，以及采用碳化硅方案，抗浪涌冲击能力变弱，使用压敏与固体放电管能降低残压的同时减少浪涌电流对于功率器件的损坏。 压敏电阻MOV 单相电OBC压敏电阻通常采用交流385-420Vac，而采......
采用新型的横向变掺杂技术，以专有的功率MOS结构，高温特性优良，同时极大提升了产品的雪崩能量和抗浪涌能力; 碳化硅基功率器件包括碳化硅SBD和碳化硅MOSFET，产品涵盖650V-1200V-1700V......
的测试电阻Ri大于0.9Ω都处于安全工作区，因此可以极大简化设计步骤，同时也侧面验证了在临界状态下，实测结果更能体现TVS的本身抗浪涌能力以及其设计裕量。 相比于抛负载专用TVS，常规TVS并没......
电源外围MOV及TVS选型(2024-12-30 14:11:28)
路时间过长，可能引起爆炸、火灾或对周围元件造成损害。压敏电阻以其经济实惠、抗浪涌性能优越和广泛的电压适用范围而受到广泛应用。在选择压敏电阻时，以下......
，两种电路使用场景是不一样的。 先问大家一个问题，电阻和TVS哪个抗浪涌能力强？答案毋庸置疑，当然是TVS......
、Super Junction位于底部的SGT MOS)来设计和流片，使得SGT MOS不仅具有常规SGT MOS的优点外，还能大大增强抗静电能力、提高体二极管的快速恢复时间、更强的抗浪涌能力，因而......
a在后级电路抗浪涌过电压能力较强时采用，电路b在外部具有一级保护措施时采用，一般设计在电源模块内部。变形电路2降低了电路的复杂性，并且由于去掉了电感，不需要考虑满足通过设备正常工作电流的需要，方案......
+ 70V的总线故障保护 通讯速率达5Mbps CMTI>150kV/us 低环路延迟:<220ns 增强的系统级ESD,EFT,抗浪涌能力 工作温度-40℃~125℃ 封装......
”系列已经量产，蓉矽半导体通过器件结构与工艺优化，获得了有超低漏电（2μA）且抗浪涌电流能力等同MPS的碳化硅JBS，称之为“EJBS™”  (Enhanced Junction Barrier......
足在高温环境中的应用。 在LED电源的电路设计过程中，保护电路的设置是必不可少的，碳化硅肖特基二极管B1D02065E的反向重复峰值电压650V，正向重复峰值电流为2A，正向不重复电流为16A，具备更强的抗浪涌能力，在大......
短路电流，这对电容和整流二极管的瞬间抗浪涌电流承受较大应力，影响二极管和电容的寿命，还会对电网产生干扰。 为了限制这种冲击电流，就要限制一下瞬间的充电电流，在整......
反向恢复CoolSiC肖特基二极管共封装，在开关速度超过50 kHz时的开关损耗极低。这使得该器件成为大功率充电系统的上佳之选。此外，坚固耐用的第5代 CoolSiC肖特基二极管还具有更强的抗浪涌......
增加工艺复杂度的同时，获得了等同于MPS的高抗浪涌电流能力。 据了解，2020年11月，蓉矽就完成了1200V/20A NovuSiC® EJBS™的第一次工程投片，良率超过了90%。但为了“较真”，蓉矽......
硅功率器件，另一方面是对碳化硅二极管有了超10倍抗浪涌能力的要求，同时也要求更高功率、更小体积、更轻重量。 高巍列举了两个方案来展示碳化硅功率器件在光伏中的优势。在基于1,100V光伏逆变系统中：其中......
的辅助µVcc输出，减少了元件的数量。其它高级的保护和安全特性还包括具有滞回特性的的过温度保护(OTP)以及漏极引脚与所有其他引脚之间具有更宽的爬电距离，从而提高了应用的可靠性。725V的 MOSFET提供了出色的抗浪涌......
得该器件成为大功率电动汽车充电系统的上佳之选。此外，坚固耐用的第5代 CoolSiC肖特基二极管还具有更强的抗浪涌电流能力，最大程度地提高了可靠性。该SiC二极管的扩散焊接改善了封装的热阻 (Rth)，使芯片尺寸变得更小，从而......
由全球最大光伏电站开发商阳光新能源发布的新品——iHomePow阳光家庭能源破圈了。 iHomePow全智能全场景家庭绿色能源方案不仅通过光储充开发利用系统技术与智能系统，实现家庭能源系统的高效管理和绿色节能，更以头部玩家的姿态，推动家装......
从测量工具到解决方案，知户型携手测距仪品牌共建家装数字生态;在各行各业对市场复苏的迫切期待中，2023年Q1落下帷幕。数字化量房SaaS品牌"知户型"也在Q1策划了"共建空间数智生态——知户型·华南......
VDE V 0884-11:2017-01 增强绝缘认证，相关产品在隔离耐压、抗浪涌冲击、CMTI 等指标上均处于国际领先的水平，满足基于SiC 和GaN 设计的高压应用需求。 3 纳芯......
。EME中又包含传导和辐射;而EMS中又包含静电、脉冲群、浪涌等。本文将从EMS中的浪涌抗扰度的角度出发，分析设计电源的前级电路。抗浪涌的电路分析小功率电源模块中常用的EMC前级原理图，FUSE为保......
高级的保护和安全特性还包括具有滞回特性的的过温度保护(OTP)以及漏极引脚与所有其他引脚之间具有更宽的爬电距离，从而提高了应用的可靠性。725V的 MOSFET提供了出色的抗浪涌性能，而900V开关......
MOS，其产品优势： 针对PFC拓扑，优化EAS，增强抗雪崩能力，增强抗浪涌能力； 针对LLC拓扑，优化体二极管，增强di/dt能力，降低Qrr和驱动干扰； 优化Qg和Coss/Ciss比值，降低......
对恶劣环境静电效应及电路高压尖峰耐受能力差；二是SiC MOSFET应用本就多在高压高频大电流领域，电路中寄生参数产生尖峰毛刺，造成瞬时过压或开关损耗，此外沟槽SiC MOSFET不具备抗浪涌......
MOSFET提供了出色的抗浪涌性能，而900V开关则适用于工业类应用以及某些因电网电压波动而需要额外安全设计裕量的地区。供货及相关资源LinkSwitch-XT2SR IC基于1,000片的......

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