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制引脚和地之间还使用了一个 0.01uF 的陶瓷电容器。 开关电路设计：我们的主要目的是开发 220V 的交流信号。这就需要使用大功率晶体管，使最大电流流向负载。因此，我们使用最大集电极电流为 6A 的功率晶体管......
该低压信号放大至可持续电平。在这种模式下，输出为反相放大信号。该信号为低功耗信号。 以 AB 类配置排列的两个达林顿功率晶体管可放大该信号的功率电平。 A 类模式配置的晶体管用于驱动该晶体管。 电路背后的理论： 该电......
改进将会改变用于智能手机的超快充电器和无线充电器、用于PC和游戏机的USB-PD紧凑型适配器，以及太阳能储电系统、不间断电源或高端OLED电视机和云服务器等工业应用。   在当今的GaN市场上，通常采用分立功率晶体管......
改进将会改变用于智能手机的超快充电器和无线充电器、用于PC和游戏机的USB-PD紧凑型适配器，以及太阳能储电系统、不间断电源或高端OLED电视机和云服务器等工业应用。   在当今的GaN市场上，通常采用分立功率晶体管......
改进将会改变用于智能手机的超快充电器和无线充电器、用于PC和游戏机的USB-PD紧凑型适配器，以及太阳能储电系统、不间断电源或高端OLED电视机和云服务器等工业应用。   在当今的GaN市场上，通常采用分立功率晶体管......
意法半导体宣布量产氮化镓器件PowerGaN;8月3日，意法半导体官微宣布，公司最近已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT（高电子迁移率晶体管）器件。 据介......
切换式电源供应器具有体积小、重量轻、效率高的优点；一般切换式电源供应器采用传统硬式切换，功率晶体管操作频率增加时，功率晶体管的切换损失也随着增加，功率晶体管使用的散热片不仅体积变大并且使效率降低。       一般......
意法半导体量产PowerGaN器件，让电源产品更小巧、更清凉、更节能; 【导读】意法半导体宣布已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率晶体管......
意法半导体量产PowerGaN器件，让电源产品更小巧、更清凉、更节能;2023年8月3日，中国 -宣布已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式 HEMT(高电子迁移率晶体管)器件......
以及氮化镓系统公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶体管的PD快充电源方案。 9月20日，大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343产品......
功率晶体管，连续六年创新高;据ICinsights分析，功率晶体管销售额在 2022 年有望增长 11%，预计今年将达到 245 亿美元，连续第六次创下历史新高，这主......
启时间会有所不同。 我想出的第二个保护非常有趣，我个人还没有在任何其他电路中看到它。该电路由两个最合适的运算放大器（它们采用一个封装）和Q20组成，可在任何功率晶体管发生故障时保护扬声器。通常......
高效晶体管如何推动组串式光伏逆变器发展;在今天的博文中，我们会进一步深入探讨——随着时代的发展，高效功率晶体管技术对组串式的影响。在电力储能系统中，是进行电流转换必不可缺的组件。本文引用地址：首先......
封装形式，包括PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封装。 意法半导体的G-HEMT器件将加速功率转换系统向GaN宽带隙技术过渡。GaN晶体管的击穿电压和导通电阻RDS(on)与硅基晶体管......
DSC和LFPAK 12x12大功率封装。意法半导体的G-HEMT器件将加速功率转换系统向GaN宽带隙技术过渡。GaN晶体管的击穿电压和导通电阻RDS(on)与硅基晶体管相同，而总......
电源系统设计及批量生产的卓越能力，此次策略合作将为中国行业带来突破性革新。本文引用地址： 氮化镓功率半导体将在实现下世代电动车对尺寸微缩、轻量及高效率的要求上，扮演关键角色。 拥有完整且高质量车规等级氮化镓功率晶体管......
可以很快的给栅极电容放电。Q1/Q4/Q7/Q8是中等功率晶体管，用于确保提供足够的峰值电流。图2显示了GA、GB、GA_12V和GB_12V的波形。图2. 逻辑电平栅极驱动信号(GA和GB)和12V电平......
企业，深圳深爱半导体股份有限公司（下称“深爱半导体”）也在现场展示了旗下高压MOSFET产品-Planar MOS、高压MOSFET产品-Super junction、中低压MOSFET产品、大功率双极晶体管......
今年功率晶体管销售额可望达到245亿美元，增长11%;进入2022年以来，芯片市场的供需紧张关系在逐季缓解，但依旧面临需求分化加剧，比如消费级芯片需求的萎缩迫使渠道商清理库存，而汽车电子、工控等功率......
建筑控制器、照明、空调、智能表计和其他工业应用的开关式电源 (SMPS)。 每个器件都集成了脉宽调制 (PWM) 控制器和650V 增强型 GaN 功率晶体管，可以......
Ameya360：平面MOSFET与超级结MOSFET区别;今天,Ameya360给大家介绍近年来中的高耐压的代表超级结。本文引用地址：功率晶体管的特征与定位 首先来看近年来的主要功率晶体管Si......
转换成大电流栅极驱动信号，从而驱动 IGBT 以及 SiC 等大功率晶体管，进一步带动牵引电机运转。 二、Gate Driver 介绍 Gate Driver，栅极驱动器，作为主控 MCU 以及晶体管之间的桥梁，首要......
器由 GaN Systems提供功率晶体管，从而显着提高了功率密度。 新的转换器采用 GaN Systems 的 GS61008P（一款 100V 增强型硅基 GaN 功率晶体管），实现......
)。 每个器件都集成了脉宽调制 (PWM) 控制器和650V 增强型 GaN 功率晶体管，可以......
表计和其他工业应用的开关式电源 (SMPS)。 每个器件都集成了脉宽调制 (PWM) 控制器和650V 增强型 GaN 功率晶体管，可以用一个标准光耦合器实现二次侧稳压功能。5mm x 6mm QFN紧凑封装，结合......
表计和其他工业应用的开关式电源 (SMPS)。 每个器件都集成了脉宽调制 (PWM) 控制器和650V 增强型 GaN 功率晶体管，可以用一个标准光耦合器实现二次侧稳压功能。5mm x 6mm QFN紧凑封装，结合......
更高的应用中，意法半导体的 PowerGaN器件也适用于电信电源、工业驱动电机、太阳能逆变器、电动汽车及其充电设施。 意法半导体汽车与分立器件产品部副总裁、功率晶体管事业部经理Edoardo Merli 表示......
模块采用烧结技术提高可靠性，并具有很强的稳健性，易于集成到电驱系统。模块内部的主要功率半导体是意法半导体的第三代(Gen3) STPOWER 碳化硅MOSFET功率晶体管，具有业界领先的品质因数(RDS(ON) x芯片......
, Inc.（Nasdaq: TGAN）今日宣布，利用该公司的一项专利技术，在氮化镓功率晶体管上实现了长达5微秒的短路耐受时间（SCWT）。这是同类产品有记录以来首次达到的成就，也是......
模块采用烧结技术提高可靠性，并具有很强的稳健性，易于集成到电驱系统。模块内部的主要功率半导体是意法半导体的第三代(Gen3) STPOWER 碳化硅MOSFET功率晶体管，具有业界领先的品质因数(RDS......
根据极性在一个方向上旋转；而当开关关断时，电压消失，电机空转后停止。开关的位置可以在①的（-）侧，也可以在③的（+）侧。也可以用半导体功率晶体管（图中的MOSFET）代替开关来构成电子电路。如②所示设置在（-）侧时......
基于功率晶体管TIP33C和TIP34C的40W功率放大器电路图;这是基于功率晶体管TIP33C和TIP34C为主要部分构建的40W功率放大器的电路图。它采用对称/双电源供电。必须使用散热器来防止晶体管......
级是音频放大器的最后一个电路，它负责将放大后的信号驱动扬声器产生声音。输出级通常由一个功率晶体管或功率管组成，它具有足够的功率输出能力，以便驱动扬声器。输出级的输出通常通过输出电容连接到扬声器。 总结 音频......
模块采用烧结技术提高可靠性，并具有很强的稳健性，易于集成到电驱系统。模块内部的主要功率半导体是意法半导体的第三代(Gen3) STPOWER 碳化硅MOSFET功率晶体管，具有业界领先的品质因数(RDS(ON) x芯片面积)、极低......
半导体是意法半导体的第三代(Gen3) STPOWER 碳化硅MOSFET功率晶体管，具有业界领先的品质因数(RDS(ON) x芯片面积)、极低的开关能量和超强的同步整流性能。意法......
控制器和太阳能设备。 新产品可提升设备电源能效，如200-500W中等尺寸电视。如每年制造的2亿台液晶电视[1]均采用新的 MDmesh II Plus™ Low Qg（低栅电荷）功率晶体管，每年温室气体将减排14多万......
电源由外部提供，与触点并联的RC电路和压敏电阻用来消除触点断开时产生载电。 放大采用大功率晶体管或场效应管，响应速度小于1ms，晶体管工作在饱和导通状态和截止状态，图中......
电源由外部提供，与触点并联的RC电路和压敏电阻用来消除触点断开时产生载电。 放大采用大功率晶体管或场效应管，响应速度小于1ms，晶体管工作在饱和导通状态和截止状态，图中......
味着放大器产生的热量只是 10 W 版本的一小部分，并且可以使用廉价的现成电源。上面显示了经过调整的元件值的示意图. 第 2 步：匹配功率晶体管（可选） 当两个输出晶体管 Q1 和 Q2 具有......
镓再带来了新消息。 意法半导体量产氮化镓器件 8月3日，意法半导体官微宣布，公司最近已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT（高电子迁移率晶体管）器件。 据介绍，STPOWER......
足设计要求。 ④调整管的确定 稳流电源调整管的选择很重要，大功率晶体管产品的选择余地很大，故本例未作详细的计算，已知电源电压uimax≈20v、供电电流icm=300ma，则最大集电极耗散功率pcm=6w，则选择的晶体管......
Systems提供功率晶体管，从而显着提高了功率密度。 新的转换器采用 GaN Systems 的 GS61008P（一款 100V 增强型硅基 GaN 功率晶体管），实现系统尺寸减小 46%。 瑞萨......
Systems提供功率晶体管，从而显着提高了功率密度。 新的转换器采用 GaN Systems 的 GS61008P（一款 100V 增强型硅基 GaN 功率晶体管），实现系统尺寸减小 46%。瑞萨......
用于以下器件：a)GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件；b)GaN集成功率电路；c)以上的晶圆级及封装级产品。 T/CASAS 35—202X《用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管......
该公司的一项专利技术，在氮化镓功率晶体管上实现了长达5微秒的短路耐受时间（SCWT）。这是同类产品有记录以来首次达到的成就，也是整个行业的一个重要里程碑，证明 Transphorm 的氮......
是由于机械触点动作延时造成。负载电源由外部提供，与触点并联的RC电路和压敏电阻用来消除触点断开时产生载电。 放大采用大功率晶体管或场效应管，响应速度小于1ms，晶体管工作在饱和导通状态和截止状态，图中......
器件在相同耐压情况下具有更低的导通电阻，应用于电能转换领域将实现更低的功耗和更高的转换效率。因此，近年来，氧化镓半导体已成为半导体国际研究热点和大国技术竞争制高点。 西安电子科技大学研究团队通过一系列技术创新实现了氧化镓功率二极管和功率晶体管......
，因此该拓扑非常高效。好的设计可以实现 97% 或更高的效率。开关 DC/DC 转换器的简化框图如图 1 所示。 图 1：开关稳压器简化框图 图 1 中的开关功能由功率晶体管......
GaN 技术。C4H27W400AV 是一款不对称 Doherty 功率晶体管，适用于基站和多载波应用，能够在 2,300–2,700 MHz 的频率范围内工作。这款高效器件采用创新的 GaN 技术......
价值24亿美元的交易，让安森美能进一步扩张功率半导体市场版图，特别是功率晶体管与二极管。 　　这场合并案是近来IC产业界整并风潮的最新案例之一，显示目前跨产业的普遍看法，是半导体这个生意是「大企业」才有......

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