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正是针对市场主流的模组化趋势，能够为客户提供更高性能的解决方案。射频前端PA器件功放管主要采用砷化镓HBT工艺，追求在高频工况下，具备高线性度、稳定性和放大效率。三安集成通过在外延材料及工艺......
正是针对市场主流的模组化趋势，能够为客户提供更高性能的解决方案。 射频前端PA器件功放管主要采用砷化镓HBT工艺，追求在高频工况下，具备高线性度、稳定性和放大效率。三安集成通过在外延材料及工艺......
HMC478数据手册和产品信息;HMC478器件为SiGe、异质结双极性晶体管(HBT)、增益模块MMIC、SMT放大器，工作频率范围为dc至4 GHz。 这些放大器可用作可级联50 Ω RF......
HMC584数据手册和产品信息;HMC584LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC584LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输......
HMC533数据手册和产品信息;HMC533LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC533LP4(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可提......
HMC475数据手册和产品信息;HMC475ST89(E)是一款InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC SMT放大器，工作频率范围为DC至4.5 GHz。 采用业界标准SOT89封装......
的外部元件只有输入/输出交流耦合电容、电源去耦电容和直流偏置电感。 ADL5544采用InGaP HBT工艺制造而成，ESD额定值为±1.5 kV（1C类）。额定温度范围为−40℃至+105℃的宽......
增益，增益不随频率、温度、电源、器件而变化。放大器为单端式，具有内部匹配50Ω电阻。各放大器只需配置输入/输出交流耦合电容、电源去耦电容和一个外部偏置电感便可工作。 ADL5534采用GaAs HBT工艺......
去耦合电容器以及外部电感。 ADL5541采用InGaP HBT工艺制作，静电放电（ESD）保护额定值为1 kV (Class 1C)。它采用3 mm × 3 mm LFCSP封装，带裸露焊盘，具有......
证为广东省重点项目、珠海市产业立柱项目，以化合物半导体晶圆代工技术创新为主导，致力于打造具有国际领先水平的化合物半导体工艺平台，推出高品质、高良率的制程技术，全力协助国内企业实现射频芯片国产化制造，成为......
工艺的异质结三极管。SiGe异质结三极管一开始被用在IBM的高端CPU中，不过由于功耗原因不久就被CMOS取代。之后IBM将SiGe HBT用在了射频系统中，获得了巨大的成功。Iyer因为SiGe异质......
广东省重点项目：华芯微电子第一片6寸晶圆成功下线; 11月19日消息，据珠海高新区公众号，近日珠海华芯微电子有限公司首条6寸砷化镓晶圆生产线正式调通，并成功生产出第一片6寸2um砷化镓HBT晶圆......
Mini-Circuits推出6~18GHz超低相位噪声单片放大器; 【导读】Mini-Circuits推出的LVA-6183PN+是一款基于GaAs HBT技术......
语：BiCMOS       双极互补金属氧化物半导体HBT          异质结双极型晶体管mmW          毫米波PDK          工艺设计套件RF           射频SiGe......
际行业同仁展开深入技术交流。三安集成作为射频前端整合解决方案服务提供商，首次出席了MWC，于3A1Ex展位将工艺节点和产品型谱的最新进展向国际客户进行展示，引起了国际市场的广泛关注。 三安......
集成的砷化镓射频HBT、pHEMT工艺全面支持客户在在Sub-3G和Sub-6GHz等4/5G频段的设计需求。基于自研LT衬底专利工艺，三安集成提供全面的高性能TC-SAW和HP-SAW滤波器产品，结合......
远未来做好芯片制造服务。” 三安集成的砷化镓射频HBT、pHEMT工艺全面支持客户在在Sub-3G和Sub-6GHz等4/5G频段的设计需求。基于自研LT衬底专利工艺，三安......
在输入和输出内部匹配50 Ω，能够轻松用于各种不同的应用中。只需配置输入/输出交流耦合电容、电源去耦电容和一个外部电感便可工作。 ADL5602采用InGaP HBT工艺制造而成，ESD额定......
主要从事砷化镓微波集成电路 (GaAs MMIC)晶圆之代工业务，提供HBT、pHEMT微波集成电路/离散元件与后端制程的晶圆代工服务，应用于高功率基地台、低杂讯放大器(LNA）、射频切换器(RF Switch......
HMC740数据手册和产品信息;HMC740是一款InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC SMT放大器，工作频率范围为0.05至3 GHz。 该放大器采用业界标准SOT89封装，可用......
HMC453QS16G数据手册和产品信息;HMC453QS16G(E)是一款高动态范围GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)、1.6瓦特MMIC功率放大器，在0.4至2.2 GHz的频......
地芯科技发布全球首款基于CMOS工艺的国产化多频多模线性PA;5月18日，杭州地芯科技有限公司（以下简称：地芯科技）在上海发布了全球首款基于CMOS工艺的支持4G的线性CMOS PA——GC0643......
HMC-C079数据手册和产品信息;HMC-C079是一款GaAs HBT超低噪声放大器，封装在微型密封模块中，在3至8 GHz的频率下工作。 这种高动态范围放大器模块提供11 dB的增益、6 dB......
人都有其自身的技术特长，主要涵盖基体材料、制造工艺技术、工业工程和品质管理等领域，在工艺整合、控制工艺参数、提高产率、可靠性和产品质量管理上有着丰富的实践经验。 公告指出，立昂......
HMC-C076数据手册和产品信息;HMC-C076是一款GaAs HBT超低噪声放大器，封装在微型密封模块中，在7至11 GHz的频率下工作。 这种高动态范围放大器模块提供9 dB的增益、6 dB......
低频和高频RF无线系统的集成差异;低频和高频RF无线系统的集成具有很大差异。在高频段，由于CMOS工艺能实现的带宽高于双极工艺，因而是RF电路首选工艺，通常RF-CMOS不会与数字CMOS集成......
HMC-C083数据手册和产品信息;HMC-C083 MicroSynth®是完全集成的宽带合成器模块，将高性能SiGe、GaAs pHEMT和InGaP HBT技术组合成一个紧凑的密封封装。 输出......
，国内两条芯片生产线传来新进展：广东华芯微电子首条6寸砷化镓晶圆生产线正式调通；陕西芯业时代8英寸特色工艺......
镓微波射频集成电路芯片。其中包括年产18万片砷化镓HBT和pHEMT芯片，年产12万片垂直腔面发射激光器VCSEL芯片，年产6万片氮化镓HEMT芯片。 该项目由公司全资子公司海宁公司在五年内分阶段实施，其中......
英寸砷化镓晶圆生产线正式调通，并生产出第一片6英寸2um砷化镓HBT晶圆，预计将于2025年上半年实现大规模量产。据介绍，该晶圆具备高增益、高效能的特性，可应用于先进5G Phase 7/8手机......
方案可实现下一代高性能功能，推动 5G 扩展至移动设备市场的各个层级。该芯片组以行业领先的技术（BAW、SOI、GaAs HBT）和丰富的无线电架构经验为基础，为下一代 5G 手机......
家领先的化合物半导体代工厂交付了 GaAs HBT 功率放大器样品，为 Android 智能手机和 WiFi 7 提供了 5G RF 前端产品。 IQE 首席执行官 Americo Lemos......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺;功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延的不同，本文通过深入对比HEMT与硅基MOS管的外延，再对增强型和耗尽型的HEMT进行对比，总结......
器产能稼动率仍有较大提升空间。目前，滤波器产能为150KK/月，主要发展SAW技术路线。 另外，GaAs射频部分主要为客户提供高品质HBT、pHEMT等先进工艺芯片代工服务，可覆盖频段已延伸至Ka频段，客户......
前端： 　　砷化镓射频产能为 15,000 片/月，能够为客户提供高品质的 HBT、pHEMT 等先进工艺芯片 代工服务，可覆盖频段已延伸至 Ka 频段。 　　滤波器产能为 150KK/月，主要发展 SAW 的技......
、GaAs HBT）和丰富的无线电架构经验为基础，为下一代 5G 手机提供高性能解决方案。各模块均作为完整的参考设计进行优化和测试，制造商能够利用预先验证的互操作性和高集成度优势，大幅......
安集成在厦门率先建设国内第一条6吋化合物半导体民用产线。2016年与GCS合资设立厦门三安环宇专注于化合物射频PA代工，2017年公司HBT工艺通过重点客户产品认证，2018年三安集成宣布推出国内第一家6英寸SiC晶圆......
锂(LiNbO3)等，昂贵的价格严重制约了它们的商业化进程。考虑到光信号在被氧化硅包裹的硅中传播时几乎不会发生衰减，而且硅材料本身价格低廉且在半导体工艺中已实现成熟应用，于是......
年4月，联合寰宇通讯，晶品光电成立新晶宇光电，后来改名为常州承芯半导体。 官网指出，承芯半导体的策略是引进寰宇通讯的技术，在最短时间建立团队，达到HBT，pHEMT，VCSEL，滤波......
公司并购整合的多条产品线，Qorvo在汽车应用上有了更多的产品方向。” 依赖于自有的高功率 HBT 放大器工艺、 SAW 和 BAW 滤波器技术、SOI设计能力和产业控制力等技术和封测优势，再加......
后一个新的互联平台。Qorvo 从自身擅长的 RF 入手，结合公司并购整合的多条产品线，Qorvo在汽车应用上有了更多的产品方向。”依赖于自有的高功率 HBT 放大器工艺、 SAW 和 BAW 滤波器技术、SOI设计......
车应用上有了更多的产品方向。” 依赖于自有的高功率 HBT 放大器工艺、 SAW 和 BAW 滤波器技术、SOI设计能力和产业控制力等技术和封测优势，再加上一系列通过汽车认证的产品经验，Qorvo 可以......
后一个新的互联平台。Qorvo 从自身擅长的 RF 入手，结合公司并购整合的多条产品线，Qorvo在汽车应用上有了更多的产品方向。” 依赖于自有的高功率 HBT 放大器工艺、 SAW 和 BAW 滤波......
车应用上有了更多的产品方向。” 依赖于自有的高功率HBT放大器工艺、SAW和BAW滤波器技术、SOI设计能力和产业控制力等技术和封测优势，再加上一系列通过汽车认证的产品经验，Qorvo可以......
个百分点。 　　（1）、射频前端： 　　砷化镓射频产能为 15,000 片/月，能够为客户提供高品质的 HBT、pHEMT 等先进工艺芯片 代工服务，可覆盖频段已延伸至 Ka 频段，客户......
负责推进、实施微波射频集成电路芯片项目。 项目总投资约 43 亿元，建成后预计年产 36 万片 6 英寸砷化镓/氮化镓微波射频集成电路芯片。其中包括年产 18 万片砷化镓 HBT 和 pHEMT 芯片......
先用于北汽新能源旗下车型。 这是国内第一个量产的车规级激光雷达。此前，国外也只有16线程的法雷奥量产。 华为的激光雷达售价仅200美元，受到各大车企热捧。北汽极狐HBT，每台车就安装了三个。除此之外，包括......
的9150 C-V2X芯片将向汽车制造商提供少量参考设计。高通在汽车及通信领域的积累，让高通的V2X芯片进入市场更顺利。 围绕高通产品的射频芯片、模组产品也已经问世。例如，Qorvo 新型 GaAs HBT......
势所在。 利用自身的HBT工艺，Qorvo能够将GaAs工艺PA的性能大幅度提升，业界领先BAW滤波器也能满足上述的需求。最重要的是，Qorvo提供的RF Fusion融合方案，能够省去中间的匹配，帮助......
进产能，以适应未来大规模量产需求。在华为发布车规级激光雷达的同一天，率先搭载华为激光雷达的ARCFOX极狐HBT智能电动汽车的谍照也曝光了。 从华为的汽车版图来看，激光雷达处于其“端”的重......

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;HBT;;
成都雷电微力科技有限公司
;成都雷电微力科技有限公司;;公司专注于设计、研发、测试和销售基于先进 GaAs、GaN、HBT 、PHEMT 、BICOM、LTCC、MCM等工艺技术的微波及数模混合SOC集成电路产品，以无
合肥市 鑫峰混凝土泵车配件经营部
产品有：HBT拖式泵车输送管、各种地面管、水平管、桩机橡胶软管、以及各种直管、弯管、变径管、法兰、弯头、橡胶圈、清洗球、清洗柱、清洗火塞、手动式12米、15米布料机。。三一、中联、大象、海诺等车泵臂架
深圳市宏标科技有限公司
;深圳市宏标科技有限公司;;深圳市宏标检测认证中心（Hong Biao testing & certification Co., Ltd.英文简称“HBT” ）是一家主要从事远红外检测；灯具
hittite
semiconductor processes utilize MESFET, HEMT, pHEMT, mHEMT, HBT and PIN devices. We are a fabless
深圳市宏标认证检测中心
自成立以来，本着“专业，公正，效率，周到”的企业文化得到许多客户和合作机构的支持。HBT已获得德国莱茵（TUV），美国UL，美国联邦通讯委员会（FCC）等众多国际认证机构的认可，而且
泰安矿用混凝土泵科技有限公司
一支强大的研发队伍集中于高端混凝土泵等输送设备产品的研发与生产。公司不断优化产品市场结构、积极开发新产品、扩大服务领域、提高服务质量，形成了产品研发、生产、销售一体化经营模式。公司历年来投入大量资金进行产品的研发，并广泛吸收国内外先进技术和经验，采用新工艺
威讯联合半导体
通讯系统及双向数据寻呼机的元备件，并致力于开拓基站及地方无线局域网（WLAN）的市场。 RFMD精通广泛应用于射频领域的多种处理技术，是生产砷化镓双极晶体管，或称作是GaAs HBT的主要厂家。RFMD还投
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