葫芦电子社区-电子元器件库存搜索引擎，为您网罗全球厂商代理商库存

资讯

氮化镓 (GaN) 带来电源管理变革的 3 大原因;氮化镓正取代硅，越来越多地用于需要更大功率密度和更高能效的应用中 作为提供不间断连接的关键，许多......
氮化镓 (GaN) 带来电源管理变革的 3 大原因; 作为提供不间断连接的关键，许多数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高能效和功率密度。 氮化镓技术，通常称为 GaN，是一......
降本25%！GaN进军汽车、医疗等市场;近日，GaN领域新增4起应用案例，涉及汽车、电源及驱动器等。 纳微联手Shinry 联手开发GaN汽车电力系统 1月25日，据外媒消息，纳微......
据中心领域应用进展 服务器电源及其冷却系统对能源消耗，占据了数据中心较大一部分运营成本，而GaN能够提供卓越的性能和效率，使得数据中心减少对冷却系统的需求，更加节能，并最终使数据中心更具成本效益，因而......
TI推出业内最小、最快的GaN驱动器，扩展其GaN电源产品组合; TI 推出业内最小、最快的GaN驱动器，扩展其GaN电源产品组合 德州仪器（TI）(NASDAQ......
的尺寸和更低的成本。 电力领域的基本市场驱动因素是效率和成本。 效率不仅受到监管要求的推动，也受到市场对更小、更轻的电源要求的推动。从成本来看，PI发现，对于具有更高规格的高端电源，GaN是成本最低的方法，因为......
的尺寸和更低的成本。 电力领域的基本市场驱动因素是效率和成本。 效率不仅受到监管要求的推动，也受到市场对更小、更轻的电源要求的推动。从成本来看，PI发现，对于具有更高规格的高端电源，GaN是成本最低的方法，因为......
挑战已经推动了氮化镓 (GaN) 在高压电源设计中的广泛应用，原因在于 GaN 具有两大优势： 提高功率密度。GaN 的开关频率较高，使设计人员能够使用体积更小的无源器件（如电感器和电容器），从而缩小电路板的尺寸。 提升......
挑战已经推动了(GaN)在高压电源设计中的广泛应用，原因在于GaN具有两大优势： ●   提高功率密度。GaN的开关频率较高，使设计人员能够使用体积更小的无源器件（如电感器和电容器），从而缩小电路板的尺寸。 ●   提升......
大联大友尚推出基于ST产品的GaN电源转换器方案;2023年7月20日，---大联大控股宣布，其旗下意法半导体（ST）ViperGaN50器件的GaN电源转换器方案。本文引用地址： 图示1-基于ST......
大联大友尚集团推出基于ST产品的GaN电源转换器方案;2023年7月20日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于意法半导体（ST......
等；GaN适用于中等功率、中等电压（100V～600V）、高频率（200kHz以上）的应用，包括数据中心服务器电源、基站电源、小型AC适配器（消费电子）、车载OBC、48V DC-DC等。 可以......
而言，SiC适用于大功率、高电压（大于600V）、高频率（20kHz～200kHz）的应用，包括EV逆变器、HV DC-DC、OBC、服务器电源（一次侧）、太阳能、风力、工业设备电源等；GaN适用......
通过 GaN 推动电动汽车的发展; 当我们为电动汽车（EV）电源管理技术发明更高效的集成电路，我们的客户就可以设计出更高效、更经济实用的汽车，进而减少废气排放，保护......
被视为下一代功率半导体的关键技术。受电动汽车（EV）、变频器、数据中心服务器、人工智能（AI）、可再生能源、工业电源转换和消费应用等需求的推动，GaN和SiC产品......
生效的欧盟生态设计 Lot 9 效率监管要求，GaN 将有机会在机架式电源和服务器中的独立冗余电源中取代硅. 这种使用 GaN 电源的服务器升级和服务器机架扩建将由英特尔和惠普等 OEM 的创新工作引领 更多服务器和机架电源......
ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术;ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术 将GaN器件与控制IC相结合，助力电源......
智能（AI）、可再生能源、工业电源转换和消费应用等需求的推动，GaN和SiC产品预计在未来十年内都将快速增长。 Chris Allexandre, Senior Vice President......
ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术;将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）确立......
大联大友尚集团推出基于onsemi和GaN System产品的PD快充电源方案;9月20日，大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343产品......
ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT！;～非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统的效率提升和小型化～ 全球知名半导体制造商ROHM（以下简称“ROHM”）将650V......
运行效率高得多。 本文将探讨氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 的基本原理，展示其在开关模式电源电路中相对于传统硅器件的优势，介绍Nexperia的实际案例，并对其应用进行了讨论。 01......
罗姆GaN器件带来颠覆性革命,体积减少99%,损耗降低55%;本文引用地址：引言 如今，电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半，为了实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功......
组合的可靠供应。 TI表示，GaN 做为矽的替代方案，这款半导体材料可在许多领域中提供优势，包括节能、开关速度、电源解决方案尺寸与重量、整体系统成本，以及在高温与高压条件下的性能等。GaN晶片......
用好氮化镓不止需要功率器件，驱动一样值得注意;GaN FET 在高频 DC-DC 转换器等电源系统中越来越受到青睐。因此，电力电子领域的大多数主要厂商都推出了氮化镓 (GaN) 功率 FET，这些......
用好氮化镓不止需要功率器件，驱动一样值得注意;GaN FET 在高频 DC-DC 转换器等电源系统中越来越受到青睐。 因此，电力电子领域的大多数主要厂商都推出了氮化镓 (GaN) 功率 FET......
GaN 电源产品管理主管 David Snook 表示，GaN 的快速开关速度和低功率损耗使他们能够将太阳能逆变器和数据中心的中压电源设备的占地面积减少 40% 以上。 他补充说，用新型 GaN......
并自动校准系统。它集成了功率 MOSFET 和电流数模转换器，方便器件精准检测 PA 静态漏极电流。此设计采用电源管理，对 GaN 偏置流程进行简化。 中国北京 – 2022 年 6 月 14日–移动......
被视为下一代功率半导体的关键技术。受电动汽车（EV）、变频器、数据中心服务器、人工智能 (AI)、可再生能源、工业电源转换和消费应用等需求的推动，GaN 和 SiC 产品预计在未来十年内都将快速增长。Chris......
被视为下一代功率半导体的关键技术。受电动汽车（EV）、变频器、数据中心服务器、人工智能 (AI)、可再生能源、工业电源转换和消费应用等需求的推动，GaN 和 SiC 产品......
GaN产业形成了IDM以及设计公司和晶圆代工厂合作并存的模式。”英飞凌科技电源与传感系统事业部大中华区应用市场总监程文涛说，“当然，第三代半导体的产业发展时间相对较短，在标准化、成熟......
速开关器件的性能。本文引用地址： 近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。 在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源......
算力需求持续攀升，CPU/GPU的功耗问题日益显著。为了应对更高端的AI运算，服务器电源的效能、功率密度必须进一步提高，GaN已成为关键解决技术之一。台达为全球最大的服务器电源供应商，市占率近5成。观察其服务器电源......
WBG 器件给栅极驱动器电源带来的挑战;碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 器件的栅极驱动器电源必须满足这些宽带隙半导体的独特偏置要求。本文将讨论在 SiC 和 GaN 应用中设计栅极驱动器电源......
意法半导体氮化镓功率半导体PowerGaN系列首发，让电源能效更高、体积更纤薄;·       基于氮化镓 (GaN) 的产品可以取得更高的能效，帮助工程师设计出更紧凑的电源，适合各种消费、工业......
体产品全系列的可靠供应。” GaN 技术：功能强大，潜力无限 作为硅的替代品，GaN 是一种在能源效率、开关速度、电源解决方案尺寸和重量、总系统成本以及高温和高压性能方面颇具优势的半导体材料。GaN 芯片......
示了其最新产品。这些基于 GaN 的设备涵盖从 20-W 手机充电器到 2-kW 数据中心电源和 20-kW 电动汽车 (EV) 充电器到兆瓦级并网产品。 在 CES 2023 展会上，Navitas 通过......
 技术：功能强大，潜力无限作为硅的替代品，GaN 是一种在能源效率、开关速度、电源解决方案尺寸和重量、总系统成本以及高温和高压性能方面颇具优势的半导体材料。GaN 芯片可提供更高的功率密度，即在......
实现从多个德州仪器工厂供货，从而确保我们高功率、高能效 GaN 半导体产品全系列的可靠供应。" GaN 技术：功能强大，潜力无限 作为硅的替代品，GaN 是一种在能源效率、开关速度、电源......
表示：“GaN功率器件的技术进步引起了全球电子行业的高度关注。过去多年来，双方交流不断加深，并于2022年就电源系统用的功率器件达成了战略合作伙伴关系。作为双方技术交流的成果，罗姆的650V GaN......
针对电源管理领域发布的多个新品。同时，TI还分享了其在GaN方面的最新规划及发展。 TI发布新款升降压充电IC BQ25790/2 从几年前开始，TI就已经在观察电源行业的前沿趋势。TI认为，在未来5......
、BM3G007MUV-LB）。   近年来，为了实现可持续发展的社会，对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求，GaN HEMT作为......
更高的成本效益。• GaN Systems 作为推动电源产业更新换代的先驱角色，承诺持续开发高性价比的能源转换解决方案。全球氮化镓功率半导体领导厂商GaN Systems 今推出全新第四代氮化镓平台 (Gen 4......
TI推出其首款带集成驱动器、内部保护和有源电源管理的车用GaN FET; /* Style Definitions */ span.prnews_span { font-size:8pt......
和通信应用中得到快速采用，包括AI系统的电源供应器、太阳能逆变器、充电器和适配器以及电机控制系统。最先进的 GaN 制造工艺可以提高器件性能，从而为最终客户的应用带来好处，因为它可以实现效率性能、更小的尺寸、更轻......
处理大功率的设备的功率损耗尤为显著，因而相关制造商正在采取措施加快节能步伐。另外，对于电源而言，如果能够使器件高频工作，不仅可以节能，还可以实现电路的小型化，因此在产品中搭载使用了可实现高速开关的GaN（氮化......
数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源*1，开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB......
硅 (SiC) MOSFET 或 IGBT（绝缘栅双极晶体管）更好。 然而，它们特别适合需要中压范围内高频性能的应用。 600V GaN FET 最常用于传统电源，从个人电脑和消费电子设备到基站电源......
CGD与群光电能科技和剑桥大学技术服务部共同组建GaN生态系统;拥有系统和应用、研究和设备方面的专业知识，可生产创新、高性能的基于 GaN 的笔记本电脑和数据中心电源产品 2023 年 11 月......
纳芯微新品，专门用于驱动E−mode（增强型）GaN 开关管的半桥芯片NSD26;前言 现阶段的大多数 电源系统都是由多个芯片组成。 器件在电路板上组装前采用分立式的元件组装会产生寄生电感，从而......

相关企业

GAN
;GAN;;
gan-systems
gan-systems;;;
深圳市港晟电子有限公司
;深圳市港晟电子有限公司;;深圳市港晟电子有限公司成立于2004年，是一家电源行业经验丰富、专业提供电源解决方案及配套半导体电子元器件的供应商，并一直顺应市场发展，改革创新，为全球电源
成都雷电微力科技有限公司
;成都雷电微力科技有限公司;;公司专注于设计、研发、测试和销售基于先进 GaAs、GaN、HBT 、PHEMT 、BICOM、LTCC、MCM等工艺技术的微波及数模混合SOC集成电路产品，以无
东莞中和光电有限公司
;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装，材料采用氮化镓（GaN），结构为电解出型，封装形式为直插型，型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号，形状有圆头，椭圆，草帽，钢盔，方形
日本NIEC上海英达电子有了公司
恢复损耗,提高EMI正常在5％个DB左右.具有很低的Vf电压. GaN产品,GaN的二极管具有0反向恢复时间.是代替SIC产品的理想材料,且价格比SIC低许多.适合高频工作.可达800KHZ. 模块
江西联创光电科技股份有限公司南昌分公司销售部
全套引进国际先进设备与技术的LED器件生产线、片式LED器件生产线及GaP液相外延、GaN气相外延外延片生产线，南昌国家办导体照明工程产业和基地核心企业。
普光科技（番禺）有限公司
用先进的金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术，专业研发GaN和AlGaInP材料生产的各波长和高亮度的LED磊芯片和芯片。芯片系列主要有红、黄、蓝(30-100mcd)、绿(100-250mcd)等，◎Vf很稳定◎波长
江西联创光电科技股份有限公司南昌分公司
高级工程师8人，中级职称31人。拥有全套引进国际先进设备与技术的LED器件生产线、片式LED器件生产线及GaP液相外延、GaN气相外延外延片生产线。拥有具有自主知识产权外延片、片式LED器件的生产技术！
璨圆光电深圳市场部
;璨圆光电深圳市场部;;璨圆光电股份有限公司是一家LED芯片专业生产厂家,提供以氮化镓（GaN）为材质的超高亮度蓝、绿、紫光等LED晶粒!目前产品波长范围可达385nm-560nm；可应