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order)。 3 演练：动手设计容器 步骤1 设计小模型 首先撰写一个能将灰阶图像彩绘( 渲染) 为彩色图像的GAN( 生成对抗) 模型，如下代码。 然后，收集数十张毕加索(Picasso) 的图......
的GaN芯片及模块研发及产业化，开发了基站应用的GaN芯片及模块的设计技术、宽带预匹配技术、自动封测批产技术，以及GaN器件的模型提取、Doherty准单片电路设计以及数字预失真处理技术，形成......
Live’，这是其第二次举办此年度虚拟会议。鉴于去年首届活动取得圆满成功，本届为期三天的活动将扩大规模，涵盖与功率电子元件相关的众多主题，包括面向汽车和工业应用的GaN、MOSFET、功率......
Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型; 【导读】高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm......
关于2024年GaN的一些预测;本文作者为 英飞凌GaN Systems产品线高级副总裁兼总经理Johannes Schoiswohl 作为电力和物联网系统的主要供应商，英飞......
关于2024年GaN的一些预测;本文作者为 英飞凌GaN Systems产品线高级副总裁兼总经理Johannes Schoiswohl作为电力和物联网系统的主要供应商，英飞......
供应商的应用团队紧密合作，以确保GaN器件在您的应用中以足够低的温度运行。还可以从其应用团队获得产品整体散热模型，并将其纳入您的系统级散热模型中，以更准确地评估器件运行环境，进而确定由此产生的结温或沟道温度。 提高......
需要确认自身所处位置，还需要进行实时3D感知数据处理（比如对周边物体进行分类、进行物体跟踪等），因此使用LiDAR和摄像头的技术架构已经成为业界主流。 随着实时3D感知数据量的不断增加，构建深度学习模型......
展在得克萨斯州圣安东尼奥市举行的美国国际电力电子应用展览会（APEC），并展示其广泛的GaN产品组合以及GaN技术。 加快设计所需的支持和工具 设计人员可以使用和评估模块和SPICE模型......
设计所需的支持和工具设计人员可以使用LMG1020EVM-006和LMG1210EVM-012评估模块和SPICE模型快速轻松地评估这些新器件。工程师可以利用LIDAR的纳秒激光驱动器参考设计和高速DC / DC转换器的多兆赫GaN......
EV 应用量身定制的高功率 650V GaN IC 已于2021年 12 月向 EV 客户提供样品。在最近的小米产投日活动上，纳微展示了 6.6kW OBC 概念模型，后在CES 上也......
Transphorm发布业界首款1200伏GaN－on－Sapphire器件的仿真模型;该器件已准备就绪：为Transphorm的创新常关型氮化镓平台应用于新一代汽车和三相电力系统高可靠性、高性......
GHz的宽带频率，采用GaN和LDMOS半导体设计。GaN模型在更小的封装中可表现出高效率，其性能优势在宽带应用中最理想的。 高效的AB类设计采用50欧姆输入和输出匹配端口，内置控制和保护电路，以及......
Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型;该器件已准备就绪：为Transphorm的创新常关型氮化镓平台应用于新一代汽车和三相电力系统 加州......
LDMOS半导体设计。GaN模型在更小的封装中可表现出高效率，其性能优势在宽带应用中最理想的。 高效的AB类设计采用50欧姆输入和输出匹配端口，内置控制和保护电路，以及......
聚焦IIC Shanghai 2023：高效电源管理引关注，厂商创新亮点多;　　以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体(第三代半导体)成为市场聚焦的新赛道。宽禁......
2022年江苏省科技计划专项资金拟立项目曝光！重点布局GaN功率器件、MCU、EDA等领域;5月23日，江苏省科学技术厅发布《2022年江苏省科技计划专项资金（重点......
 Matthias Rudolph教授。精通氮化镓器件物理特性，留学期间搭建的GaN HEMT陷阱效应模型被学术界以及产业界广泛采纳作为标准模型并作为团队核心成员参与设计军用级别氮化镓超高稳健性低噪声......
体量测技术中心专注于各类电子元器件的研究，包括但不限于CMOS器件、DRAM器件、Flash器件、GaN和SiC等宽禁带半导体器件、MEMS器件、半导体激光器和光电探测器等。实验室致力于器件建模与失效机理研究、失效分析新技术、可靠......
英诺赛科发布100V车规级GaN，持续推进汽车激光雷达市场;英诺赛科宣布推出100V车规级氮化镓器件INN100W135A-Q，该器件已通过AEC-Q101 认证，适用......
英诺赛科发布60V GaN，为PD3.1提供更多选择; 【导读】随着 USB PD3.1 快充标准的正式发布，功率范围由原本的 20V 向 28V、36V、48V 拓展，对应......
最新GaN 射频功率 IC 提升了 5G 网络性能介绍; 5G 挑战可以通过使用先进的半导体(例如基于 GaN 的射频功率 IC)来解决，这些半导体可提供更高的性能和效率。 5G 技术......
目前最火热的生成对抗网络（GAN）和Transformer模型等。这些模型各具特色，适用于不同的生成任务。例如，RNN和LSTM在处理序列数据（如文本、音频）时表现出色；而GAN则在......
英诺赛科发布100V车规级GaN，持续推进汽车激光雷达市场; 【导读】英诺赛科宣布推出100V车规级氮化镓器件INN100W135A-Q，该器件已通过AEC-Q101 认证，适用......
科技提供先进的设计和验证解决方案，旨在加速创新，创造一个安全互联的世界。    半导体器件建模工程师需要依靠自动化工具来创建准确的仿真模型和工艺设计套件（PDK），以便在硅（CMOS）技术......
宽带隙之战才刚刚开始，SiC和GaN谁更有优势？; 【导读】从2001年左右开始，化合物半导体氮化镓引发了一场照明革命，从某些方面来看，这是人类历史上最快的技术变革。根据......
限度降低开关损耗是一项严峻挑战，尤其对于那些使用碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 器件的工程师更是如此。这种先进材料有望提高效率，但也有其自身的复杂性。测量硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮......
GaN在射频功率领域会所向披靡吗？; 来源：内容来自GaN世界 ，作者 Barry Manz， Mouser Electronics 谢谢。 氮化镓(GaN)这种......
碳化硅（SiC）或亚硝酸镓（GaN）。两者都具有较低的损耗（开关/导通），较高的耐压性并支持更快的开关频率。但是，随着它的不断发生，没有什么是免费的。显然，新的......
味着公司已经具备了相应的工艺代工能力。” 此外，“基于常开型 GaN HEMT 技术，公司研发技术团队还完成了器件不同技术路线工艺流程的开发；针对GaAs无源器件模型，开发了无源器件成套工艺，完成薄膜电阻、平板电容、螺旋......
味着公司已经具备了相应的工艺代工能力。” 此外，“基于常开型 GaN HEMT 技术，公司研发技术团队还完成了器件不同技术路线工艺流程的开发；针对GaAs无源器件模型，开发了无源器件成套工艺，完成......
温度为-40℃至+185℃。 Pasternack大功率放大器覆盖1.5 MHz到18 GHz的宽带频率，采用GaN和LDMOS半导体设计。GaN模型......
对于那些使用碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 器件的工程师更是如此。这种先进材料有望提高效率，但也有其自身的复杂性。测量硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮......
对于那些使用碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 器件的工程师更是如此。这种先进材料有望提高效率，但也有其自身的复杂性。测量硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮......
演讲嘉宾围绕高效电源管理、电源应用、功率半导体、充电IC、碳化硅/氮化镓、电源管理系统(BMS)及测试、车载USB充电、新能源发展机遇等议题展开深入交流和探讨，共同助推绿色能源产业创新发展。 是德科技：利用电池的模型......
模式，滤波器需要“工艺+设计+模型”为一体，国内有非常成熟的代工产业链，Fabless公司无需关注工艺、节点、模型。不过，只有IDM模式才有足够的模型数据作为仿真和实测之间的桥梁，国内的BAW滤波......
全球功率系统领域的半导体领导者，英飞凌在第三代半导体如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）领域持续布局，通过技术创新、产能扩张及市场应用拓展，为光储、智能家居、新能......
全球功率系统领域的半导体领导者，英飞凌在第三代半导体如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）领域持续布局，通过技术创新、产能扩张及市场应用拓展，为光储、智能家居、新能......
元件市场产值达 22.8 亿美元（IT之家注：当前约 158.69 亿元人民币），同比增长 41.4%。 报告指出，第三代半导体包括碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN），整体产值又以 SiC 占 80% 为重......
GaN HEMT和栅极驱动器。 新产品已于2023年9月开始出售样品（样品价格为3,500日元/个，不含税），预计将于2023年12月开始暂以月产20万个的规模投入量产。样品在电商平台Ameya360......
，PMCB60XNE在集成于1.0mm ×0.6mm ×0.2mm的DSN1006小型外形中，还可提供额定2kV ESD保护（人体模型 – HBM）。这两款MOSFET的额定漏极电流最高均可达4A......
中科重仪自研功率型硅基氮化镓生产线投产;近日，苏州中科重仪半导体材料有限公司（以下简称“中科重仪”）自主研发的应用于电力电子领域的大尺寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延......
GaN格局，开年大变;要说最近几年功率器件哪个方向最火热，一定是第三代半导体。昨日，瑞萨宣布3.39亿美元收购Transphorm，进军氮化镓（GaN）领域，引燃整个芯片圈。   近期，GaN领域......
全球GaN最新应用进展！;自2018年10月25日，Anker发布全球首款GaN充电器，将GaN正式引入消费电子领域以来，短短几年间，各大GaN厂商纷纷涉足相关产品。当前，GaN消费......
GaN竞赛中，罗姆如何取得领先优势？;SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）作为第三代半导体材料两大代表，在市场应用中愈发具备自己的特色。许多公司为了布局更全的产线，发挥二者的专长，均采用“Si+SiC......
GaN竞赛中，罗姆如何取得领先优势？;作者: 付斌SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）作为第三代半导体材料两大代表，在市场应用中愈发具备自己的特色。许多公司为了布局更全的产线，发挥二者的专长，均采......
Navitas 在 GaN 半导体领域的设计之旅; Navitas Semiconductor 是一家主要的氮化镓 (GaN) 供应商，在拉斯维加斯举行的 CES 2023 上展......
GaN衬底研发获新突破！;近日，北京大学与中镓半导体、波兰国家高压实验室开展了合作，使用乙烯气源制备出了世界最高电阻率的半绝缘GaN自支撑衬底。 实验使用乙烯气源制备了半绝缘GaN衬底，并对......
韩国硅晶圆厂新签代工协议，发力8英寸GaN功率半导体;据韩媒报道，9月22日，东部高科（DB Hitech）与韩国半导体公司A-pro Semicon宣布签署了一项开发GaN功率......
英诺赛科Q1收入达1.5亿，同比增长3倍！;4月14日，英诺赛科官方消息披露，央视二套正点财经栏目上个月聚焦消费电子市场动态，重点报道了GaN氮化镓快充，对GaN材料的应用与普及进行了介绍，并采......

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