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”。 部分公司影响稍大 根据公告显示,我国决定对镓、锗相关物项实施出口管制,并从今年8月1日起正式实施。据了解,镓相关物项包括金属镓(单质)、氧化镓氮化镓、磷化镓砷化镓等,而锗相关物项包括金属锗、磷锗......
获得铝的过程中,其副产品就是镓。 也就是说,虽然镓产量少,导致这种金属比较贵,但并不属于极端稀缺。 否则的话,在一些低端产品中,我们将看不到砷化镓的影子。 光照射在砷化镓上,可产生电流。反之,将电流反过来作用在砷化镓上......
加码布局氮化镓产业链,宏光半导体与协鑫集团订立战略合作框架协议;9月8日,宏光半导体发布公告,公司近日与协鑫集团有限公司订立战略合作框架协议,以展开长期战略合作。 根据战略合作框架协议,公司与合作方拟于氮化镓......
究院围绕核心的半导体激光器领域所做的一个重要的横向业务扩展,将目前长光华芯公司核心的半导体激光器从短波红外和近红外领域拓展到可见光领域。 苏州半导体激光创新研究院院长王俊表示,目前公司拥有砷化镓、磷化铟和氮化镓......
GaN在射频功率领域会所向披靡吗?; 来源:内容来自GaN世界 ,作者 Barry Manz, Mouser Electronics 谢谢。 氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓......
氮化镓激光芯片终于实现国产,氮化镓正在向快充以外的市场进军; 【导读】8月26日,安徽格恩半导体有限公司氮化镓激光芯片产品发布会圆满举行。本次格恩半导体共发布了十多款令人期待的氮化镓......
效大功率深紫外光源芯片、GaAs (砷化镓)基红外激光雷达芯片等三款光电芯片产品,加快推进汽车向智能化、安全化、便捷化、健康化发展。......
中金岭南韶关冶炼厂成功自主合成砷化镓多晶;据广东国资消息,近日,广晟集团控股上市公司中金岭南所属韶关冶炼厂在稀贵金属绿色回收与提取实验室半导体衬底材料中试团队的努力下,韶冶厂成功自主合成第一炉砷化镓......
场预计将稳步增长。   LED和集成电路为业务核心   三安光电主要从事化合物半导体材料与器件的研发、生产及销售,以氮化镓砷化镓、碳化硅、 磷化铟、氮化铝、蓝宝石等化合物半导体新材料所涉及的外延片、芯片......
全球先进材料领域的领先企业能够联合起来,为氮化镓材料相关的增长市场共同开发产品,这一点可喜可贺。我期待着与 IQE 共同走向成功,并将这种关系发展到涵盖广泛的半导体材料领域。”关于氮化镓氮化镓......
成果发表于《Nature Communications》上。   (三)基于铟镓氮红光Micro-LED芯片的全彩显示技术 南京大学、厦门大学、合肥工业大学和沙特阿卜杜拉国王科技大学联合攻关氮化镓......
英飞凌8.3亿美元收购半导体元件生产商GaN Systems;美国东部3月2日下午,英飞凌宣布收购氮化镓初创公司GaN Systems,交易总值8.3亿美元。GaN Systems 是开发基于氮化镓......
英飞凌8.3亿美元收购半导体元件生产商GaN Systems;美国东部3月2日下午,英飞凌宣布收购氮化镓初创公司GaN Systems,交易总值8.3亿美元。GaN Systems 是开发基于氮化镓......
建设国内一流的半导体激光芯片研发及生产平台。 作为省重点项目,该项目将打造先进化合物半导体光电子研发生产平台,进行氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等激光器和探测器用2-3英寸......
)。 砷化镓/氮化镓化合物半导体芯片制造流程示意图 化合物半导体射频器件产业存在整合元件制造商( IDM)和( 无晶圆设计公司+晶圆代工厂)两种商业模式。 传统的国际设计厂商都采用 IDM 形式......
资已超过25亿,是国内首家提供6吋砷化镓/氮化镓半导体集成电路晶圆制造的芯片制造企业,已完成包括砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)及磷化铟(InP)在内的6大类......
实现营业收入 64.69 亿元,同比下降 4.33%;营业成本 55.92 亿元,同比增长 4.42%;实 现归属于上市公司股东的净利润 1.70 亿元,同比下降 81.76%。期内,该公司研发投入同比增长 11.27......
科技技术长林珩之表示,5G基地台的功率放大器将会以砷化镓与氮化镓制程为主,因其是功率主导(Power Handle),并以表现度为主要衡量指针。 但这样的制程需更多的校准(Calibration)程序,成本......
科技先进化合物半导体材料及元器件项目总投资60亿元。 项目建成后,将应用以砷化镓为主,包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料,开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器,以及......
正式落户宜兴经济技术开发区。 据悉,该项目总投资60亿元,项目建成后,将应用以砷化镓为主,包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料,开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器,以及......
制造和运输过程中的二氧化碳排放。每出货一个氮化镓电源IC都可以净减少4公斤的二氧化碳。这就是为什么像电动汽车先驱Brua这样的公司会公开表示,他们将从SiC转向GaN,作为进一步减小充电器尺寸和重量的关键因素,同时......
都表现出了相当的渗透力。1.GaN在5G方面的应用射频氮化镓技术是5G的绝配,基站功放使用氮化镓氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)是射频应用中常用的半导体材料。与砷化镓......
通信基站射频芯片、碳化硅功率芯片等。 该公司表示,本次交易系中国电科产业发展整体部署,将氮化镓通信基站射频芯片与器件、碳化硅功率芯片及其应用业务重组注入上市公司,有利于将上市公司打造成为拥有氮化镓......
微波射频集成电路芯片。其中包括年产18万片砷化镓HBT和pHEMT芯片,年产12万片垂直腔面发射激光器VCSEL芯片,年产6万片氮化镓HEMT芯片。 该项目由公司全资子公司海宁公司在五年内分阶段实施,其中......
35亿元,山东菏泽砷化镓半导体晶片项目开工;菏泽市牡丹区吴店镇消息显示,2月26日,吴店镇举办2024年春季吴店镇省重点项目建设现场推进会暨砷化镓半导体晶片项目开工奠基仪式。 据悉,菏泽市牡丹区砷化镓......
的评估企业,包括申请人的各种材料,合规性,确定公司是否具备上市条件等。聆讯是一个重要的阶段,通常通过聆讯就代表着招股日不远了。 资料显示,英诺赛科成立于2017年,是国内氮化镓IDM企业。招股......
被认为是研究短波长光电子器件以及高温高频大功率器件的最优选材料,相对于硅、砷化镓、锗甚至碳化硅器件,GaN器件可以在更高频率、更高功率、更高温度的情况下工作。另外,氮化镓器件可以在1~110GHz范围的高频波段应用,这覆盖了移动通信、无线网络、点到......
化合物半导体光电子平台项目将形成年产1亿颗芯片、500万器件的能力,具备氮化镓砷化镓、磷化铟等激光器和探测器芯片的产线建设及器件封装能力,具备其他高功率半导体激光器芯片等功率芯片研发、封测能力(包括6-8寸器......
聚焦氮化镓产业,晶湛半导体获A股公司歌尔股份投资;近日,第三代半导体初创厂商苏州晶湛半导体有限公司(“晶湛半导体”)宣布完成B+轮数亿元战略融资。 本轮融资由A股上市公司歌尔股份控股子公司......
购Nitronex,进入氮化镓(GaN)领域。当然,更重要的,Nitronex是一个拥有大量硅基氮化镓专利的公司。后面我们收购了基于封装技术的公司,主要服务于高可靠性的微波和射频应用,比如军工、航天,而它......
器的垂直整合制造商,于1987年上市,并在2023年改为纽约证券交易所上市交易股票。 其中,Coherent材料部门是领衔的工程材料与光电仪器供应商,例如由硒化锌、硫化锌、砷化镓、磷化铟、锑化镓......
又一家氮化镓企业被合并,10年内营收提升至15亿;近日,为了扩大化合物半导体材料业务,住友化学宣布与全资子公司Sciox合并,并将于今年10月1日起生效,将其并入公司的IT相关......
瞄准第三代半导体新材料领域,将为卡脖子难题提供更多解决方案。 消息显示,此次开工的博康(嘉兴)半导体科技有限公司(简称“博康半导体”)氮化镓射频功率芯片先导线项目占地面积46667平方米,总投......
生产线,年生产4英寸氮化镓外延片220000片,项目计划2021年9月开工。 天眼查信息显示,山西阿斯卡新材料科技有限公司成立于2021年7月29日,注册资本500万元,经营......
负责推进、实施微波射频集成电路芯片项目。 项目总投资约 43 亿元,建成后预计年产 36 万片 6 英寸砷化镓/氮化镓微波射频集成电路芯片。其中包括年产 18 万片砷化镓 HBT 和 pHEMT 芯片......
科技关联方供应有保障 资料显示,鑫耀半导体成立于2013年,是云南锗业旗下控股子公司,主要负责化合物半导体材料砷化镓晶片(衬底)、磷化铟晶片(衬底)的研发和生产,产品被广泛应用于垂直腔面发射激光器(VCSEL......
)市场将出现显著成长,但传统的LDMOS制程将逐渐被新兴的氮化镓(GaN)取代,砷化镓(GaAs)的市场占比则相对稳定。 Yole预计,电信基地台设备升级与小型基地台的广泛布建,将是推动RF PA......
Kinzer及应用和技术营销副总裁Jason Zhang等高层在纽约纳斯达克MarketSite见证了纳微半导体的敲钟时刻。作为首家专注于氮化镓功率芯片业务的上市公司,纳微半导体用实际行动证实了GaN可行......
在更广泛的芯片市场低迷的情况下刺激增长。英飞凌功率和传感器系统总裁怀特表示,英飞凌特别看好氮化镓(GaN)芯片。该公司预测,到2027年,氮化镓芯片市场将以每年56%的速度增长。Yole预测,GaN射频器件市场规模将从2020年的8.91亿美......
在更广泛的芯片市场低迷的情况下刺激增长。英飞凌功率和传感器系统总裁怀特表示,英飞凌特别看好氮化镓(GaN)芯片。该公司预测,到2027年,氮化镓芯片市场将以每年56%的速度增长。 Yole预测,GaN射频器件市场规模将从2020年的8.91......
靠性650 V、900 V 和1 200 V( 目前处于开发阶段)氮化镓器件。 Transphorm 拥有1 000 多项专利,氮化镓器件为单一业务。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商业模式运营的上市公司......
【成电协·会员行】优秀的第三代半导体氮化镓芯片公司——氮矽科技;  氮化镓(GaN)属于第三代半导体,又被称为宽禁带半导体,和第一代的硅(Si)以及第二代的砷化镓(GaAs)等前辈相比,其在......
120亿元湖北三安光电项目一期正式投产 全部达产后年产氮化镓芯片161万片;4月20日消息,日前,湖北葛店三安光电项目第一批晶圆片正式投料,标志着湖北三安光电有限公司Micro LED和Mini......
源和智能网联汽车、航天产业四大国家级产业基地。 据业内分析师统计,当前整个湖北省的上市公司预计共有106家,其中位于武汉市的上市公司有60家,非武汉市的上市公司有46家。根据数据可知,湖北省有超过20......
2023年国产射频前端芯片格局; 【导读】2023年,国产射频领域的各个细分赛道都将迎来上市公司,也都会有自己的标杆和龙头企业,可以说这将是国产射频前端芯片格局初定的一年。在这......
晶圆代工龙头稳懋就是最大的受益者。 稳懋:全球最大的砷化镓晶圆代工龙头 稳懋成立于1999年10月,是亚洲首座以六吋晶圆生产砷化镓微波通讯晶片的晶圆制造商,自2010年为全球最大砷化镓晶圆代工厂。 公司主要从事砷化镓......
第三代半导体项目遍地开花;近日,多个项目迎来最新进展。其中,重投天科项目、山东菏泽砷化镓半导体晶片项目投资资金超30亿。本文引用地址:总投资32.7亿元,重投天科项目在深圳宝安启用 据滨......
厂商有纳微半导体、英诺赛科、Transphorm等;而射频元件方面主要以碳化硅基氮化镓为主流结构,代表厂商有住友电工、恩智浦半导体、Wolfspeed等。 当前A股上市公司中,华润微、三安光电、士兰......
硅为代表的第一代半导体材料,以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体材料,以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体材料,半导体器件的工作范围和适用场景不断拓展,为信息社会的发展提供有力支撑。 半导......
上市公司新湖中宝投资的杭州富加镓业已经初步建立了氧化镓单晶材料设计、热场模拟仿真、单晶生长、晶圆加工等全链路研发能力,推出2寸及以下规格的氧化镓UID(非故意掺杂)、导电......

相关企业

;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始,在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓(GaAs
manufacturing in Taiwan. ; EPC设计,开发,市场,销售基于氮化镓的电源管理设备,采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换,利用优越的半导体材料,EPC是率先推出增强型氮化镓上
and passive components and unique in our ability to provide integrated solutions.;TriQuint 半导体公司采用砷化镓
信的生产厂家及军工等领域的科研院所。公司主要同美国、欧洲、韩国、台湾的著名微波、毫米波、光电子零部件生产厂家合作,为国内广大生产企业及科研院所提供超优性价比及最稳定、快捷的供货保证。 公司主营:微波、毫米波(砷化镓场效应管、砷化镓
;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装,材料采用氮化镓(GaN),结构为电解出型,封装形式为直插型,型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号,形状有圆头,椭圆,草帽,钢盔,方形
指定为Fujitsu富士通量子器件的光及微波器件的亚太区授权代理商,专业代理激光器及砷化镓(GaAs)功率放大器(PA). 雅加科技有限公司专业代理日Eudyna微波器件,可应用于无线通讯、微波通讯、卫星通讯、卫星
业务为专业代理各光纤产品及各种计算机配件和接口设备. 2000年11月被指定为Fujitsu富士通量子器件的光及微波器件的亚太区授权代理商,专业代理激光器及砷化镓(GaAs)功率放大器(PA).我们亦经销各知名品牌的系列产品,例如: MOT
善的配套设施和优良的生产环境,致力于高科技产品的规模化生产。 主导产品有砷化镓霍尔元件及其衍生产品、锑化铟霍尔元件、GPS传感器、光电器件等,其中砷化镓霍尔元件拥有自主知识产权、获得
期主要从事外延片生产及芯片封装,装配外延片生产线(MOCVD)20条,芯片生产线12条,芯片封装生产线14条,共投资7亿元;第三期是在第一期和第二期的基础上,根据企业发展的需要,生产半导体照明材料,装配砷化镓氮化镓
Asahikasei SDC MELEXIS等。 经营品种有:电源管理IC,马达驱动IC,砷化镓霍尔元件,锑化铟霍尔元件,双极型霍尔IC,光电器件。 我们的产品广泛应用于微型电机、DC-FAN、开关