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封装的 1200V 碳化硅(SiC)模块,其中两款为半桥配置,两款为全桥配置,导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业......
四个串行口缓冲区的数据采用集中打包、一次发送的方法减少了网络访问次数,既提高了通信效率又避免了因频繁短帧传输造成的网络拥堵;最后应用程序模块还提供了嵌入式串行口-以太网桥的串行门属性配置功能,用户可根据各测试设备串行口的具体属性,在管控计算机上通过以太网对网桥......
进步可使不同相邻子网中的设备之间进行选择性通信,而不会损害网络安全。子网桥接打开了跨子网无缝通信的大门,从而为智能家居应用和类似的大规模工业网络提供支持。 远程配置:扩大网络设置的范围 在网络中配置新设备时传统上需要靠近配置......
封装的 1200V 碳化硅(SiC)模块,其中两款为半桥配置,两款为全桥配置,导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业......
宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 碳化硅()模块,其中两款为半桥配置,两款为全桥配置,导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。本文......
MPLAB Connect Configurator简介以及GUI常用功能范;之前我们曾介绍 USB智能集线器产品。之所以称为“智能”,是因为它不是单纯的USB集线器,它还内含多种功能的USB网桥......
碳化硅(SiC)模块,其中两款为半桥配置,两款为全桥配置,导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。 Qorvo......
实验室中完成了基于永磁同步电机的大功率逆变器拖载台架测试,成功测试了其 2.2mΩ 650V 半桥功率模块,该模块由 4 个8mΩ 氮化镓功率场效应管并联组成,采用三相桥配置......
LT8418数据手册和产品信息;EVAL-LT8418-BZ 评估电路采用 LT8418,以半桥配置驱动两个 100V 增强型氮化镓 (eGaN) FET。该电路作为降压转换器进行了优化,但它......
使用单输出栅极驱动器实现高侧或低侧驱动;摘要本文引用地址:在许多隔离式电源应用中,功率 MOSFET 通常采用某种形式的桥配置,用于优化电源开关和电源变压器,从而提高效率。这些桥配置......
、大华摄像头网口进水腐蚀烧坏怎么办 10、监控网桥......
池进行监控。该电量计将传统的库伦计数方法与创新的ModelGauge m5 EZ算法相结合,无需电池特征分析,配置弹性,使用简便。在微控制器方面,充电盒采用具备BLE 5.2模块和内建SIMO电源......
减少了组件总数,节省了宝贵的电路板空间。 贸泽电子分销的GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有两个HEY1011-L12C GaN FET驱动器和两个半桥配置的650 V......
降低社会运营成本。但物联网应用的主要痛点恰恰出在连接上:配置复杂、易受干扰、维护困难。自连科技的愿景就是为客户提供将一切物、人、位置、时间、事件等“自动连接在一起”的能力。 自连科技总经理谈林涛 自连......
服务有限公司相关负责人等出席活动并致辞。 此次交付的欧马可智蓝4.5吨氢能冷藏车,采用新型高效率整车控制策略及热管理技术,低能耗、长续航。匹配大容量高安全储氢系统,采取电驱桥配置,搭载国氢科技全自主“氢腾”燃料电池系统,额定输出功率80千瓦......
多种高性能开关电源拓扑中与同步整流 (SR) MOSFET 一起使用。 该器件将从内部一个 200 V CS 引脚自供电,实现上桥配置和低 VOUT,而不需要一个辅助电源。 双 VCC 引脚选择最佳 VCC 源端......
多种高性能开关电源拓扑中与同步整流 (SR) MOSFET 一起使用。 该器件将从内部一个 200 V CS 引脚自供电,实现上桥配置和低 VOUT,而不需要一个辅助电源。 双 VCC 引脚选择最佳 VCC 源端......
添加更多的计算SoC。 在蓝色图的底部是两个以太网桥,连接到车辆内的区域ECU;基于 IP 的对称点对点连接带宽可扩展到 10 Gbps。这些以太网网桥......
个8mΩ 氮化镓功率场效应管并联组成,采用三相桥配置。 VisIC Technologies 3-phase prototype inverter system 因此,VisIC......
个8mΩ 氮化镓功率场效应管并联组成,采用三相桥配置。 VisIC Technologies 3-phase prototype inverter system 因此,VisIC......
块由 4 个8mΩ 氮化镓功率场效应管并联组成,采用三相桥配置。 VisIC Technologies 3-phase prototype inverter system 因此,VisIC......
定电流分别为15A(EPC23104)和25A(EPC23103)。本文引用地址:这三款集成电路能够承受100 V的最大电压和集成了GaN半桥功率级,内含采用半桥配置的对称FET、半桥驱动器、电平转换器、自举......
侧栅极驱动器LF2181NTR:LF2181NTR是一款高压、高速栅极驱动器,能够驱动半桥配置中的N通道MOSFET和IGBT。这项处理技术使LF2181NTR的高压侧能够在自举操作中切换至600V......
供应的畅销产品包括: •高压侧/低压侧栅极驱动器LF2181NTR:LF2181NTR是一款高压、高速栅极驱动器,能够驱动半桥配置中的N通道MOSFET和IGBT。这项处理技术使LF2181NTR的高......
侧栅极驱动器LF2181NTR:LF2181NTR是一款高压、高速栅极驱动器,能够驱动半桥配置中的N通道MOSFET和IGBT。这项处理技术使LF2181NTR的高压侧能够在自举操作中切换至600V。LF2181NTR逻辑输入与标准TTL......
。 新产品系列适用于反激式、PFC和LLC/LCC设计,包括使电源换向变得稳定而可靠的半桥或全桥配置。通过集成具有超低反向恢复电荷(Qrr)的超快速体二极管,该系......
新推两款新型100V功率级IC,其额定电流分别为15A(EPC23104)和25A(EPC23103)。 这三款集成电路能够承受100 V的最大电压和集成了GaN半桥功率级,内含采用半桥配置的对称FET......
(EPC23103)。这三款集成电路能够承受100 V的最大电压和集成了GaN半桥功率级,内含采用半桥配置的对称FET、半桥驱动器、电平转换器、自举充电和输入逻辑接口。这三款器件采用热增强型QFN封装......
推出 EiceDRIVER 2ED132xS12x 系列,进一步扩展其产品组合。该驱动器 IC系列的半桥配置补充了现有的 1200V SOI 系列,为客户提供了更多的选择以及设计灵活性。增强......
大电压和集成了GaN半桥功率级,内含采用半桥配置的对称FET、半桥驱动器、电平转换器、自举充电和输入逻辑接口。 这三款器件采用热增强型QFN封装,尺寸仅为3.5 mm x 5......
充分利用低电压开关的优势。 4.双有源桥(DAB) 双有源桥(DAB)是最常见的隔离型双向拓扑之一。如图7所示,其在初级侧和次级侧均采用了全桥配置。每个桥通过移相控制,即控制相对于彼此相位偏移的方波,来控......
板提供一种快速的综合方法,可用于在半桥配置中评估驱动两个 NMOS FET 栅极的 ISL78424、ISL78434 和 ISL78444 100V 3A 源电流、4A 灌电流半桥驱动器。评估板包含两个 N......
简介 特性 应用 相关产品 简介 ISL78424EVAL3Z、ISL78434EVAL1Z 和 ISL78444EVAL1Z 评估板提供一种快速的综合方法,可用于在半桥配置......
板提供一种快速的综合方法,可用于在半桥配置中评估驱动两个 NMOS FET 栅极的 ISL78424、ISL78434 和 ISL78444 100V 3A 源电流、4A 灌电流半桥驱动器。评估板包含两个 N......
板提供一种快速的综合方法,可用于在半桥配置中评估驱动两个 NMOS FET 栅极的 ISL78424、ISL78434 和 ISL78444 100V 3A 源电流、4A 灌电流半桥驱动器。评估板包含两个 N......
简介 特性 应用 相关产品 简介 ISL78424EVAL3Z、ISL78434EVAL1Z 和 ISL78444EVAL1Z 评估板提供一种快速的综合方法,可用于在半桥配置......
板提供一种快速的综合方法,可用于在半桥配置中评估驱动两个 NMOS FET 栅极的 ISL78424、ISL78434 和 ISL78444 100V 3A 源电流、4A 灌电流半桥驱动器。评估板包含两个 N......
效的环境友好型产品的开发。”   MasterGaN1是意法半导体新产品平台的首款产品,集成两个半桥配置的GaN功率晶体管和高低边驱动芯片。   MasterGaN1现已量产,采用9mm x 9mm GQFN封装,厚度......
效的环境友好型产品的开发。”   MasterGaN1是意法半导体新产品平台的首款产品,集成两个半桥配置的GaN功率晶体管和高低边驱动芯片。   MasterGaN1现已量产,采用9mm x 9mm GQFN封装,厚度......
效的环境友好型产品的开发。”   MasterGaN1是意法半导体新产品平台的首款产品,集成两个半桥配置的GaN功率晶体管和高低边驱动芯片。   MasterGaN1现已量产,采用9mm x 9mm GQFN封装,厚度......
地简化了设计复杂度并降低了系统成本。     QDual3 IGBT 模块采用 800 A 半桥配置,集成了新的第 7 代沟槽场截止 IGBT 和二极管技术,采用安森美的先进封装技术,从而......
款高压、高速栅极驱动器,能够驱动半桥配置中的N通道MOSFET和IGBT。这项处理技术使LF2181NTR的高压侧能够在自举操作中切换至600V。LF2181NTR逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(低至......
栅极驱动器,能够驱动半桥配置中的N通道MOSFET和IGBT。这项处理技术使LF2181NTR的高压侧能够在自举操作中切换至600V。LF2181NTR逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(低至 3.3V......
Nexperia推出新款120 V/4 A半桥栅极驱动器,进一步提高工业和汽车应用的鲁棒性和效率;Nexperia(安世半导体)近日宣布推出一系列高性能栅极驱动器IC,可用于驱动同步降压或半桥配置......
跨电容的电压调节到母线电压的一半,从而充分利用低电压开关的优势。 图6 电平双向飞跨电容转换器 双有源桥(DAB) 双有源桥(DAB)是最常见的隔离型双向拓扑之一。如图7所示,其在初级侧和次级侧均采用了全桥配置。每个......
Qemu Mini2440 的 Linux Fedora 下网络配置;最近应朋友的要求,研究一下QEMU MINI2440下的仿真。本来我以为这个过程没什么的,这一研究还真发现不少问题,写出......
-H2-MINI-1x模组很适合通过结合ESP Wi-Fi® SoC的方式,来构建Thread终端设备、Thread边界路由器与Matter网桥。结构紧凑的ESP32-H2-MINI-1x模组与ESP32......
用于照明系统以及消费和工业领域的开关电源(SMPS)应用。 新产品系列适用于反激式、PFC和LLC/LCC设计,包括使电源换向变得稳定而可靠的半桥或全桥配置。通过集成具有超低反向恢复电荷(Qrr......
速以太网则可以接雷达或者摄像头传感器。2路高速以太网可以通过内部集成的高速以太网桥(G-Ethernet Bridge)直接进行以太网帧转发。4路低速以太网接口之间也可以通过低速以太网桥(L-Ethernet Bridge)直接......
动器 IC系列的半桥配置补充了现有的 1200V SOI 系列,为客户提供了更多的选择以及设计灵活性。增强的电流输出能力将这一产品组合的适用性提升到更高的系统功率水平。这些......

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;枣强县昌盛路桥配件厂;;
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光端机(1V1D,2V1D,4V1D,8V1D,16V1D) 视频+以太网+开关量+电话多业务光端机,光纤收发器(多模,单模)XDSL(EDSL,HDSL,SDSL,SHDSL,G.SHDSL),E1网桥
收发器等网络产品。 E1协议转换器4E1协议转换器8E1协议转换器16 E1协议转换器 光猫EDSL猫SDSL猫,复用器,交叉复用器 E1网桥2E1网桥4E1网桥8E1网桥16E1网桥 E1光端机4E1光端
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