瞬态电压抑制（TVS）二极管是一种用于保护电子设备免受连接电线上感应的电压尖峰影响的电子元件。TVS二极管设计用于保护脆弱的系统输入免受附近机器、雷击或电涌造成的大瞬态尖峰的影响。它们分流浪涌电流，同时将浪涌电压限制在安全水平。TVS二极管可以比压敏电阻或气体放电管等其他常见的过电压保护元件更快地响应过电压。实际箝位发生在大约一皮秒内，但在实际电路中，通向器件的导线的电感施加了更高的限制。VS二极管可以由两个彼此串联并与待保护电路并联的相互对立的雪崩二极管表示。虽然这种表示在原理上是准确的，但实际上这些设备现在是作为单个组件制造的。双向TVS二极管可以箝位正负电压尖峰。传统的TVS二极管通常具有非常差的钳位性能。为了获得精确的钳位性能，TI的Flat Clamp浪涌二极管具有非常低的RDYN，从而导致低钳位电压。Infineon Technologies提供DSL70用于DSL线路保护，TVS3V3L4U用于10/100以太网二次侧保护。STMicroelectronics提供瞬态电压抑制器（TVS），这是一种雪崩二极管，专门设计用于箝位过电压和消散高瞬态功率浪涌。
延伸阅读
- 高频二极管和低频二极管的区别
- 高频高压整流二极管
- 高频二极管和普通二极管
- 超高频二极管
- 高频电路工作的二极管
- 高频二极管
- 高频二极管能代替低频整流吗
- 高反压二极管
- 全波整流电路二极管最高反向电压
- 高频检波二极管
- 高压浪涌吸收二极管
资讯
单片机硬件电路的设计方案和心得(2023-02-01)
单片机硬件电路的设计方案和心得;减少后级电源对前级的影响，防止电源正负接反烧坏后级电路，防止电源关电时电流倒灌，但经过二极管有0.4V左右压降，需要考虑经过0.4V降压后会不会低于后级电路的正常工作电压......
常用外围电路设计，硬件电路设计参考及注意事项(2024-10-09 20:07:52)
后级电源对前级的影响，防止电源正负接反烧坏后级电路，防止电源关电时电流倒灌，但经过二极管有0.4V左右压降，需要考虑经过0.4V降压后会不会低于后级电路的正常工作电压......
常见的外围硬件电路设计参考及注意事项(2024-10-06 22:07:42)
据实际负载电流调整阀值大小
2、D10 肖基特二极管 减少后级电源对前级的影响，防止电源正负接反烧坏后级电路，防止电源关电时电流倒灌，但经过二极管有0.4V左右压降，需要考虑经过0.4V降压后会不会低于后级电路的正常工作电压......
40A/1200V碳化硅肖特基二极管B2D40120HC1用于机车空调(2023-10-26)
略不计的反向恢复电流，VR=1200V，Tj=175℃时典型值仅为30uA，相比Si二极管，开关损耗显著减少。
3、具有高浪涌电流承受能力，Tc=25℃、Tp=10ms时，其浪涌电流可达180A。最高运行结温可达175......
变频驱动器VFD/IGBT逆变器的过压保护6KV介绍(2023-08-14)
用笔记重点关注即使在不利条件下也可帮助确保VFD的可靠性和运行的TVS二极管。
在上图中，橙色块突出显示了交流线路保险丝，以提供过流或短路保护。。蓝色方框表示瞬态抑制器，用于防止雷电引起的电涌或电源线的谐波电压......
智能暖通空调系统的设计可靠性和效率如何实现？(2023-07-25)
保选择高额定值的空气和直接接触 ESD 保护的型号。
模拟前端保护元件
模拟前端通过电力线通信协议经交流电源线与电力公司通信。该电路需要防止电源线上感应的电压瞬变。请考虑大功率 TVS 二极管，它可以吸收高达 15......
Littelfuse推出高浪涌额定值SMD瞬态抑制二极管(2022-11-04)
Littelfuse推出高浪涌额定值SMD瞬态抑制二极管;
【导读】芝加哥，2022年11月1日 — Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力......
全新Littelfuse高浪涌额定值SMD瞬态抑制二极管，比其他表面安装解决方案小50%(2022-11-15 14:41)
全新Littelfuse高浪涌额定值SMD瞬态抑制二极管，比其他表面安装解决方案小50%;为数据中心、电信和电源设备应用提供卓越的防雷击、防电感冲击和其他瞬态浪涌保护Littelfuse公司......
Nexperia宣布面向高速数据线的TrEOS系列ESD保护器件再添两款新产品(2022-12-19 10:15)
Nexperia宣布面向高速数据线的TrEOS系列ESD保护器件再添两款新产品;PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压，为敏......
压敏电阻：空调的“保镖”(2023-08-31)
也有压敏电阻的存在。
智旭压敏电阻
压敏电阻在空调中是作为过压保护和高浪涌吸收的电容器来使用的。压敏电阻并联在电源变压器初级线圈两端组成串联回路，这样做的目的是抑制浪涌电压，防止在正常工作情况下因浪涌电压......
三端可调稳压器怎么检测(2023-06-25)
也要逐渐升高，最高电压接近 37V。否则，说明LM317存在异常。
说明：
C2的作用是软启动控制，使该稳压器在工作瞬间输出电压由低逐渐升高到正常，可以防止稳压器工作瞬间输出电压过高导致工作异常。二极管......
电动汽车电池系统需要什么保护(2023-05-06)
，寻找符合汽车坚固性标准并确保温度范围为 -55 ### 125°C。为了保护电池组免受系统引起的瞬变、ESD 和其他类型的瞬变的影响，我们建议使用瞬态电压抑制器 （TVS） 二极管。表面......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管(2024-07-02)
型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电......
使用集成MOSFET限制电流的简单方法(2023-03-13)
使用集成MOSFET限制电流的简单方法;电子电路中的电流通常必须受到限制。例如在USB端口中，必须防止电流过大，以便为电路提供可靠的保护。同样在充电宝中，必须防止电池放电。放电电流过高会导致电池的压降太大和下游设备的供电电压......
使用集成MOSFET限制电流的简单方法(2023-04-19)
使用集成MOSFET限制电流的简单方法;电子电路中的电流通常必须受到限制。例如，在USB端口中，必须防止电流过大，以便为电路提供可靠的保护。同样，在充电宝中，必须防止电池放电。放电电流过高会导致电池的压降太大和下游设备的供电电压......
纳微半导体发布新一代650V MPS SiC碳化硅二极管(2023-05-12 15:05)
低正向压降、高浪涌电流（IFSM）和开关损耗随温度变化小。专有的薄片技术进一步降低了正向电压，并很好地提升散热性能GeneSiC二极管先期提供表面贴装QFN的封装。为确保能在关键应用中可靠运行，第五......
Nexperia面向高速数据线的TrEOS系列ESD保护器件再添两款新产品(2022-12-19)
组合再添新产品，即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM极低钳位电压ESD保护二极管。这些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压以及宽通带，浪涌抗扰度出众，出众的IEC61000-4-5......
Nexperia宣布面向高速数据线的TrEOS系列ESD保护器件再添两款新产品(2022-12-19)
PESD4V0X2UM极低钳位电压ESD保护二极管。这些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压以及宽通带，浪涌抗扰度出众，出众的IEC61000-4-5浪涌等级。
Nexperia高级......
提高汽车的功能安全性 掌握ESD实现无干扰的数据传输(2023-06-13)
)。
保护车辆网络
众多供应商提供各种专门设计的ESD二极管产品，分别针对上述各个系统。与TVS二极管相比，它们不仅能够防止电压尖峰，还能够防止数据丢失。
汽车中对ESD敏感的应用 （图片来源：儒卓......
纳微半导体发布新一代650V MPS™ SiC碳化硅二极管(2023-05-12)
GeneSiC功率器件应用场景
GeneSiC MPS的独特设计，结合了PiN和肖特基二极管结构的优点，产生仅有1.3V的最低正向压降、高浪涌电流（IFSM）和开......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2024-06-28)
于光伏逆变器、储能系统、工业驱动器和工具、数据中心等。这些严苛的应用环境中，器件工作温度可达+175°C，正向额定浪涌电流保护能力高达260 A。此外，D2PAK 2L封装二极管采用高CTI 600的塑......
AT89C5l单片机用电故障控制系统的设计(2023-09-25)
人们生活水平的不断提高。用电设备也不断增加，产生了肓目用电现象。这给人们造成极大的安全隐患。其中危害性最大的用电故障有三种：输入电压过高、室内线路严重过载、用电器短路。本文设计的单片机AT89C5l用电故障控制系统的目的就是为了防止......
Littelfuse双通道PPTC封装尺寸缩小50%，可防止电信设备电流过载(2019-10-29)
Littelfuse双通道PPTC封装尺寸缩小50%，可防止电信设备电流过载;通过将两个电信PPTC纳入更小的表面贴装封装尺寸中节省电路板空间全球领先的电路保护、电源......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，正向......
反激式转换器 RCD 缓冲电路的设计指南(2024-11-10 12:40:37)
。因此，Llk1 和 COSS 之间存在谐
振，具有高频和高压浪涌。MOSFET 上过高的电压可能 导致故障。在 CCM 运行模式下，次级二极管保持导通 直至 MOSFET 栅极导通。当......
汽车 12V 和 24V 电池输入保护推荐(2023-10-08)
设计位置也有不同意见，如果测试浪涌严格也建议放在TVS的后端，避免测试时冲击电流过大而损坏。一般此处电流小选择肖特基二极管，可以采用雷卯的超低压降系列肖特基。SS34LVFA 或SS56C等产品。
防浪涌二极管TVS......
“直击要害”的LED防雷设计攻略(2024-07-29)
保护器(SPD)来抑制浪涌能量并最大限度地减少对照明设备的浪涌冲击。
对于SPD，有多种过电压保护元件可用，包括金属氧化物压敏电阻(MOV)、气体放电管(GDT)和瞬态电压抑制(TVS)二极管。这些......
Littelfuse推出用于表面安装式封装的新LTKAK2－L系列大功率瞬态抑制二极管(2023-06-13 11:35)
）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司宣布推出最新产品LTKAK2-L系列大功率瞬态抑制二极管。 这种表面安装式解决方案满足了市场对兼容自动化PCB组装工艺的高浪涌额定值瞬态抑制二极管......
Littelfuse推出用于表面安装式封装的新LTKAK2－L系列大功率瞬态抑制二极管(2023-06-13 11:35)
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Littelfuse推出用于表面安装式封装的新LTKAK2-L系列大功率瞬态抑制二极管(2023-06-01)
于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司宣布推出最新产品LTKAK2-L系列大功率瞬态抑制二极管。 这种表面安装式解决方案满足了市场对兼容自动化PCB组装工艺的高浪涌额定值瞬态抑制二极管......
SZSMF4L汽车级400瓦瞬态抑制二极管介绍(2024-05-27)
系列，具有快速响应时间、低齐纳阻抗、高浪涌处理能力和出色的钳位能力，可为这些敏感系统提供保护。其低泄漏电流同时也是保护传感器的理想选择。由于体积小，这款二极管适用于大多数汽车应用，尤其......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2024-07-01 09:46)
器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。
日前发布的新一代SiC二极管包括5 A至40......
MAX5940D数据手册和产品信息(2024-11-11 09:21:02)
。MAX5940A/MAX5940B/MAX5940C/MAX5940D在检测阶段保证漏电流偏差低于10µA。可编程的电流限制确保在上电时不会出现高浪涌电流。该类器件具有电源模式UVLO，带有......
意法半导体推出热切换理想二极管控制器，适用于ASIL－D 汽车安全关键应用(2023-08-10)
控制器驱动一个外部 MOSFET开关管，替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管。MOSFET上的电压降比肖特基二极管的正向电压降低，因此，正常工作期间的耗散功率也低于二极管。当电......
意法半导体推出热切换理想二极管控制器，适用于ASIL－D 汽车安全关键应用(2023-08-10)
控制器驱动一个外部 MOSFET开关管，替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管。MOSFET上的电压降比肖特基二极管的正向电压降低，因此，正常工作期间的耗散功率也低于二极管。当电......
汽车12V和24V电池输入保护推荐(2023-03-06)
或SS56C等产品。
防浪涌二极管TVS，主要用于防护各种过压波形和抛负载冲击，此处选择范围较大，一般推荐选用SM8S24CA或SM8S36CA。
市面上有很多也叫此型号的产品，一定......
Nexperia宣布面向高速数据线的TrEOS系列ESD保护器件再添两款新产品(2022-12-19)
Nexperia宣布面向高速数据线的TrEOS系列ESD保护器件再添两款新产品;基础半导体器件领域的高产能生产专家宣布 产品组合再添新产品，即P4V0Y1BBSF和P4V0X2UM极低钳位电压保护二极管......
意法半导体推出热切换理想二极管控制器，适用于ASIL-D 汽车安全关键应用(2023-08-15)
——意法半导体 STPM801是率先市场推出的车规集成热切换的理想二极管控制器，适合汽车功能性安全应用。
这款理想二极管控制器驱动一个外部 MOSFET开关管，替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管......
意法半导体推出热切换理想二极管控制器,适用于ASIL-D汽车安全关键应用(2023-08-10)
意法半导体推出热切换理想二极管控制器,适用于ASIL-D汽车安全关键应用; STPM801是率先市场推出的车规集成的，适合汽车功能性安全应用。本文引用地址：这款驱动一个外部 MOSFET开关管，替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管......
嵌入式核心板开发之ESD静电保护(2023-01-12)
选型指南
1. ESD静电二极管的截止电压VRWM要大于等于电路中最高工作电压；
2. 脉冲峰值电流IPP和最大箝位电压VC的选择，要根据线路上可能出现的最大浪涌电流来选择合适IPP的型号，需要......
Littelfuse采用表面安装式封装的SZSMF4L汽车级400瓦瞬态抑制二极管(2023-08-15)
电子产品的数量和复杂程度正在不断增加，而所有这些组件都需要针对高电压、高能瞬态的保护。
SZSMF4L汽车级400瓦瞬态抑制二极管
SZSMF4L瞬态抑制二极管具有快速响应时间、低齐纳阻抗、高浪涌......
LT4356MP-1数据手册和产品信息(2024-11-11 09:21:20)
关断。在经过了一个冷却周期之后，GATE 引脚将被拉至高电平，从而再次接通 MOSFET。
备用放大器可以用作电压检测比较器或线性稳压控制器，以驱动一个外部 PNP 传输晶体管。
可以在肖特基二极管......
Littelfuse推出采用表面安装式封装的SZSMF4L汽车级400瓦瞬态抑制二极管(2023-08-08)
、高能瞬态的保护。
SZSMF4L瞬态抑制二极管具有快速响应时间、低齐纳阻抗、高浪涌处理能力和出色的钳位能力，可为......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管......
电控单元ECU常见故障分析(2024-08-15)
通讯连接失败或无法通讯，应改用万用表检查ECU的电源电压、基准电压（+5V）与搭铁线等线路。
若检查时发现电源电压及搭铁线正常而基准电压过低，则说明ECU电源电路存在故障或外电路基准电源线短路；若检查时发现基准电压过高......
Littelfuse采用表面安装式封装的SZSMF4L汽车级400瓦瞬态抑制二极(2023-08-15)
400 W系列。 汽车电子产品的数量和复杂程度正在不断增加，而所有这些组件都需要针对高电压、高能瞬态的保护。本文引用地址：SZSMF4L具有快速响应时间、低齐纳阻抗、高浪涌处理能力和出色的钳位能力，可为......
有源钳位技术解析(2022-12-15)
钳位工作时序
如下为典型的有源钳位电路，此电路里面采用2个TVS串联构成，其优点体现在可以耐受更高回路电压，同时可以吸收更大的浪涌能量。其工作原理为：在IGBT集电极电压过高时TVS被击穿，通过......
REASUNOS瑞森半导体碳化硅二极管在大功率电源上的应用(2023-08-21)
产品优势
瑞森半导体-碳化硅二极管(SiC SBD)产品优势：
1、极小的反向恢复电流，降低开关损耗；
2、低VF值，高浪涌电流能量；
3、更高频率的运行，能让被动元器件做得更小；
4、具有......
意法半导体推出热切换理想二极管控制器，适用于ASIL－D 汽车安全关键应用(2023-08-15)
控制器驱动一个外部 MOSFET开关管，替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管。MOSFET上的电压降比肖特基二极管的正向电压降低，因此，正常工作期间的耗散功率也低于二极管。当电......
集成理想二极管、源选择器和eFuse有助于增强系统鲁棒性(2023-12-15)
流沿该方向流动时，控制电路使MOSFET导通，以减小正向压降。当VC高于VA时，为了防止电流反向（从右到左）流动，控制电路必须将MOSFET快速关断。理想二极管的压降很低，由MOSFET的RDS(ON)和电......
相关企业
，抗干扰）/放电管/TVS浪涌二极管/2：各种型号的固态继电器及单双向可控硅（BTA/CTA、BTB/CTB、BT、MOC等全系列）若需详细资料及样品试用，烦请来电来函索取本公司主营TOBE电子线路过电压过
，抗干扰）/放电管/TVS浪涌二极管/2：各种型号的固态继电器及单双向可控硅（BTA/CTA、BTB/CTB、BT、MOC等全系列）若需详细资料及样品试用，烦请来电来函索取本公司主营TOBE电子线路过电压过
;飞创宏兴科技;;城堡系列C6K（S）~3C20KS采用双转换纯在线式架构，是最能有效解决所有电源问题的架构设计，对电网出现：断电、市电电压过高或过低、电压瞬间跌落或是减幅震荡、高压脉冲、电压
晶元，用于LED的封装，对LED芯片起ESD保护和浪涌保护的作用。其中TVS晶元还可以把浪涌电压抑制到 更低，对于LED的保护更好，功耗更低，寿命更长！RFSEMI的TVS和齐纳二极管晶元，目前
防护等领域提供领先方案的供应商。致力于向客户提供多种先进技术、安全可靠的产品、解决方案和优质服务。产品主要有浪涌保护器（SPD）、陶瓷气体放电管（GDT）、半导体放电管（TISP）、瞬变抑制二极管（TVS）、压敏
%M±15%.压敏电阻器适用范围：1.晶体管、二极管、IC、可控硅和半导体开关元件以及各种电子设备过压保护2.家用电器、工业电器、继电器和电子阀的浪涌吸收3.静电放电和噪音信号消除4.漏电保护开关过电压
Diodes（肖特基二极管） ・DIAC（触发二极管） ・Tuner and Band Switching（调谐和频带二极管） ・Surge Protector（浪涌保护管）・Rectifier
质量及于客户交往中以诚信相待，获得了广泛认可。 该产品主要用于邮电，铁路通信。通讯和有线电视以及供电等设备中，对其所保护的设备能有效地防止雷电及电源感应所产生的过电压和浪涌电流对电子设备（系统）造成
防护等领域提供领先方案的供应商。致力于向客户提供多种先进技术、安全可靠的产品、解决方案和优质服务。产品主要有浪涌保护器（SPD）、陶瓷气体放电管（GDT）、半导体放电管（TISP）、瞬变抑制二极管（TVS）、压敏
;银河电子元件;;生产销售“安全用电智能控制器”，针对学校学生宿舍、企业员工宿舍乱用违禁电器进行自动控制。从源头上防止电器火灾的发生