资讯
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
的，所以NMOS又被称为绝缘栅型场效应管。
当栅极G和源极S之间不加任何电压，即VGS=0时，由于漏极和源极两个N+型区之间隔有P型衬底，相当于两个背靠背连接的PN结，它们......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
足维修人员需求。
01
什么是MOS管
MOS管即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型，因此，MOS管有时被称为绝缘栅场效应管，在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。
1......
硬件工程师的哲学人生~(2024-10-17 22:45:34)
你爱一个男生，非常笃定的话就和他结婚吧，男生的爱情就像绝缘栅场效应管，一般不可以测，所以，你千万别用你的闺蜜好友啥的来试他，男生的防线就如模电老师形容那管子一样，一测试就坏，而且，就算坏了，你还......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件(2023-03-29)
转换效率和功率密度是设计成功的关键。本文引用地址：
为了满足这些要求，开关模式电源系统的设计者需要从使用传统的硅 (Si) 基金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 转为使用其它器件，因为......
电路与人生，这样来理解电路(2024-10-20 12:02:30)
你爱一个男人，就和他结婚吧，男人的爱情就像绝缘栅场效应管，一般不可以测，所以，你千万别用你的闺蜜好友啥的来试他，男人的防线就如模电老师形容那管子一样，一测试就坏，而且，就算坏了，你还......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用(2022-11-28)
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用;
一、分类
MOSFET是集成电路中带有绝缘层的栅型场效应管，主要分为N沟道和P沟道两大类。其中N沟道MOS管电路中BEEP引脚......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
较麻烦，需采用隔离电压设计。
NMOS PMOS CMOS
CMOS门电路由PMOS场效应管和NMOS场效应管以对称互补的形式组成，先介绍MOS管，然后再介绍由CMOS组成的门电路。
MOS......
VisIC Technologies为大功率氮化镓牵引逆变器铺平了道路，成功运行了BEV电机(2023-02-16)
实验室中完成了基于永磁同步电机的大功率逆变器拖载台架测试，成功测试了其 2.2mΩ 650V 半桥功率模块，该模块由 4 个8mΩ 氮化镓功率场效应管并联组成，采用......
重庆万国造出自研自产 IGBT 元件，预计今年内实现量产(2022-08-12)
Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
就要寻求新的突破
点
。
02
MOS管如何呢？
MOS管，又称为绝缘栅场效应管......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
级的输出端和输入端连接在一起，在第二级中补偿电容实际作为密勒电容使用。
通过提供足够的栅源电压值使场效应管导通，衬底驱动MOS晶体管即以耗尽型器件的原理工作，通过施加在衬底端的输入电压调制流经晶体管的电流，完成......
恩智浦发布i.MX RT600跨界微控制器系列(2020-03-03)
持四组 32x32 MAC。
多达4.5MB 片上 SRAM，支持关键指令和数据的“零等待”访问。
28nm FD-SIO （耗尽型绝缘硅）工艺，提供更低的工作电流和漏电流。
内置......
获64亿补贴，三星将在得克萨斯建2nm晶圆厂！(2024-04-16)
斯汀扩建现有半导体设施，扩大 FD-SOI（全耗尽型绝缘体上硅）工艺产能。
电子此次投资将在未来 5 年为美国创造超过 17000 个建筑行业工作岗位和 4500 多个高薪制造业工作岗位。作为......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺;功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延的不同，本文通过深入对比HEMT与硅基MOS管的外延，再对增强型和耗尽型的HEMT进行对比，总结......
吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片(2023-03-16)
(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal......
VisIC Technologies为大功率氮化镓牵引逆变器铺平了道路，成功运行了BEV电机(2023-02-16)
个8mΩ 氮化镓功率场效应管并联组成，采用三相桥配置。
VisIC Technologies 3-phase prototype inverter system
因此，VisIC......
VisIC Technologies为大功率氮化镓牵引逆变器铺平了道路，成功运行了BEV电机(2023-02-16 10:37)
个8mΩ 氮化镓功率场效应管并联组成，采用三相桥配置。
VisIC Technologies 3-phase prototype inverter system
因此，VisIC......
VisIC Technologies为大功率氮化镓牵引逆变器铺平了道路，成功运行了BEV电机(2023-02-16)
块由 4 个8mΩ 氮化镓功率场效应管并联组成，采用三相桥配置。
VisIC Technologies 3-phase prototype inverter system
因此，VisIC......
揭秘十大常用电子元器件背后的那些门道！(2024-10-20 21:14:56)
获得一般晶体管很难达到的性能。
2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。
3、场效应管与晶体管的比较
(1)场效应管......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
和Brattain在1947年的一次场效应管发明尝试中，意外发明了电接触双极晶体管(BJT)。
两年后，同样来自贝尔实验室的Shockley用少......
什么是SMT分立器件？有哪些类型？内部结构是怎样的？(2024-10-28 11:57:14)
形短引脚，对称分布在长边的两侧，引脚中宽度偏大一点的是集电极，这类封装常见双栅场效应管及高频晶体管。
小功率管额定功率为100～300 mW，电流为10～700 mA......
CEA、Soitec、格芯和意法半导体共推下一代 FD-SOI技术发展规划(2022-04-25)
公司计划联合制定行业的下一代 FD-SOI(全耗尽型绝缘体上硅)技术发展规划。半导体器件和 FD-SOI技术创新对法国和欧盟以及全球客户具有战略价值。FD-SOI 能够......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
频信号加到共射极三极管VT1的基极，经放大后，由集电极输出并直接送到VT2的发射级，经VT2放大后，由视频信号VT2的集电极输出，送往显像管的阴极。
2、绝缘栅型场效应管......
科普丨十大最常用电子元器件介绍(2024-10-22 09:33:32)
晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。
2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。如图1-1-1......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
指针式万用表对场效应管进行判别方法;（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
明管有较大的放大能力。
第二，此方法对MOS场效应管也适用。但要注意，MOS场效应管的输人电阻高，栅极Ｇ允许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以防......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
论表针摆动方向如何，只要表针摆动幅度较大，就说明管有较大的放大能力。
第二，此方法对MOS场效应管也适用。但要注意，MOS场效应管的输人电阻高，栅极Ｇ允许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究;由于半导体生物传感器的低成本、迅速反应、检测准确等优点，对于此类传感器的研究和开发进行了大量投入。特别是基于场效应晶体管 (FET) 的生物传感器或生物场效应管......
Soitec 公布 2023 财年第一季度财报，同比增长 12%(2022-07-28)
领先的半导体机构和公司法国原子能和替代能源委员会（CEA）、Soitec、格芯和意法半导体共同宣布达成一项新合作，将共同定义业界的新一代 FD-SOI （全耗尽型绝缘体上硅）技术路线图。半导体和 FD-SOI 创新......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体三极管是电流放大系数（贝塔β）当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少。
3、场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
三极管是电流放大系数（贝塔β）当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少。
3、场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产生电流；而三......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少。
3、场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产生电流；而三极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此场效应管......
日本电产理德推出半导体高速检测装置“NATS-1000”(2022-12-23)
-MOSFET（Silicon Carbide：碳化硅 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：金属-氧化物半导体场效应管）等小型模块。由此，使该......
三星获得美国政府64亿美元建厂补贴(2024-04-16)
三星与美国政府拟定的协议，韩国芯片巨头准备新建两座“世界领先的逻辑芯片厂”、一座研发中心和一个先进封装设施，同时扩建三星原有的奥斯汀晶圆厂。同时，奥斯汀工厂的扩建将支持全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）工艺......
双面散热汽车IGBT器件热测试评估方式创新(2023-03-06)
Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有（Metal-Oxide......
伺服系统构成及其工作原理(2024-06-03)
%以上。IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点，用于......
车规级IGBT有多重要？(2024-03-11)
双极型晶体管，它由绝缘栅型场效应管和双极型三极管两个部分组成，其兼具MOSFET输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度快和BJT通态电流大、导通压降低、损耗小等优点，是功......
日本电产理德推出半导体高速检测装置“NATS-1000”(2022-12-23)
加灵活地支持SiC-MOSFET（Silicon Carbide：碳化硅 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：金属-氧化物半导体场效应管......
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
放大管采用双极型FET场效应管，此线路每声道为4对，并联使用，降低输出阻尼系数。此线路输出功率为50W，欣赏大动态音乐足够。每声道为4对时，如果配对比较困难，可采用2对，配对误差要求在3％以内。各管要用云母绝缘......
pHEMT功率放大器的有源偏置解决方案(2023-10-30)
沟道的高电导率可能会导致器件烧毁。本文探讨耗尽型射频(RF)放大器的工作原理以及如何对其有效偏置。耗尽型场效应晶体管(FET)需要负栅极电压，并且必须小心控制开启/关断的时序。文中......
物联网将掀晶圆代工变革？日本及三星策略大转向(2016-10-18)
纳米以下半导体制程微缩的重要技术，不少半导体大厂将资源倾注在 FinFET，但在物联网浪潮来临，FD-SOI（全耗尽型绝缘层覆矽）技术也日渐受到重视。与 FinFET 相比，FD-SOI 基板......
简述8051单片机结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管（FET）。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出：“控制”信号为1，硬件自动使转接开关MUX打向上面，接通......
8051单片机的结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管（FET）。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出：“控制”信号为1，硬件自动使转接开关MUX打向上面，接通......
关于8051单片机基础结构解析与工作原理及电路结构(2024-02-03)
据输出锁存器。
2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管（FET）。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出：“控制”信号为1，硬件......
详解：8051单片机的结构与原理(2023-03-28)
。
2个场效应管（FET）。多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线输出：“控制”信号为1，硬件自动使转接开关MUX打向上面，接通反相器的输出，同时使“与门”开启......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？;MOSFET即金属氧化物半导体场效应管，是电路设计中常用的功率开关器件，为压控器件;其特点是用栅极电压来控制漏极电流，具备......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用，包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
中国上海，2023年11月16日......
日本电产理德推出半导体高速检测装置“NATS-1000”(2022-12-23)
硅 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：金属-氧化物半导体场效应管）等小型模块。由此，使该检测装置可支持如电机、EV用变频器、高速......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管;近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展(2022-05-27)
晶体管
增强型晶体管具有误开启自保护功能，且仅需要单电源供电，因此在功率应用中通常选用增强型器件。但由于氧化镓P型掺杂技术缺失，场效应晶体管一般为耗尽型器件，增强......
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.MOS场效应晶体管系列：结型场效应管.低噪声场效应管.高频场效应管.开关场效应管.高输入阻抗场效应管.双栅场效应管.高压场效应管.MOS耗尽型场效应管.CS系列场效应管. 进口晶圆，完全替代IR
;深圳市亿骏捷电子科技有限公司;;深圳市亿骏捷电子科技有限公司 本公司为一般纳税人企业,可开13％增值税发票！ 主要经销的产品有全新原装进口正品MOSFET场效应管、二三极管、单双向可控硅、肖特
;嵘威科技有限公司;;万代AOS的场效应管mosfet，IGBT，东芝Toshiba的场效应管mosfet，光耦TLP系列。
;深圳市正瑞恩电子有限公司;;〈MOS、FET场效应管〉、三端稳压、肖特基、开关管、高频、整流、快恢复、变容管、稳压管、升压IC、降压IC、复位IC、〉、封装： SOD-523、SOT-523
器.双栅场效应管.高频微波管.微波高频模块系列．SMD.钽电容.电容.电阻。二.三级管.变容管系列.等配套元器件。 祥兴电子以“重信誉.高质量.优质服务”为宗旨，以“守信.保质.薄利”为原则；公司
传感IC、光照探测器、红外数据头、光纤收发头、镭射激光管、发光二极管等。 B 传感器件系列：气敏传感器, 温度传感器、霍尔传感器、人体感应器、X射线传感器、倾斜传感器等。 C 高频场效应系列：双栅场效应管
;结型场效应管 蒋德平;;深圳市六度丰电子有限公司位于广东 深圳市龙岗区，主场效应管中环(环鑫品牌HX)\(韩国WISDOM) (国宇GF)与二三极管等。公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经
们共同为电子界携手创造美好繁荣的未来. 专营贴片：微波高中低频三极管,MOS,GaAs,FET,增强型场效应,双栅场效应管,结形场效应管.高频IC电路,CMOS逻辑电路. VCO,CATV,FM,AM,肖特基,变容二极管,PIN,RF
;杭州友善电子科技;;分销ST、IR、FSC、PHI、TI、HIT、NS、KEC、台湾威森 等知名品牌二极管、三极管、可控硅、场效应管、集成电路等，尤其在三极管、场效应管和可控硅
;深圳市华坤伟业电子经营部;;IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅极型功率管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成