资讯
“国产芯片”瑞森半导体（REASUNOS）将亮相2023慕尼黑上海电子展(2023-07-11)
，其中硅基功率器件包括平面高压MOS，超结MOS，Trench低压MOS和SGT低压MOS,
产品涵盖20V-1500V全耐压段，可以满足各种不同应用场景;以平面高压MOS为例，目前......
充电桩电路图（电路设计中单、双向充电桩解决方案）(2024-11-27 18:53:31)
PFC拓扑推荐器件
其次，对于LLC部分，罗姆通过高耐压1200V 碳化硅MOS来削减部件个数。通过将1200V
碳化硅MOS应用于LLC部分，可以将Stack型的LLC电路......
瑞森半导体（REASUNOS）诚邀参加2023慕尼黑上海电子展(2023-07-11)
年，将扩大第三代半导体的布局，继续加大研发投入，优化产品设计的同时也优化生产制程，开发更低VF值的二极管产品、完善650V和1700V
MOS产品系列，还将就更高耐压、更大电流，模块......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
源。
在一些高电压驱动场景中，需要高耐压的MOS，这样就要从构造上做调整，内部结构就要做的很厚，同时带来的新的问题就是导致导通电阻增大。不同耐压的MOS管，其导......
常用的功率元器件大全(2023-02-06)
采取增强注入的结构实现了低通态电压，使大容量电力电子器件取得了飞跃性的发展。IEGT 具有作为MOS 系列电力电子器件的潜在发展前景，具有低损耗、高速动作、高耐压、有源栅驱动智能化等特点，以及......
防反接电路、防倒灌电路、过流保护电路(2024-09-14 14:51:48)
管并联到电路中。二极管要考虑导通电流和反向耐压等参数
3.桥式整流电路
看好电路图的 电源和负载的两端接哪
4.MOS管防反接（用得......
韦尔股份采用华大九天Empyrean Polas®保障芯片设计可靠性(2022-06-29)
设计复杂度的提升，Power设计场景也趋于复杂。除了单管，不同类型的多管串联也成为设计的一部分，华大九天的Polas工具对于多管串联等复杂设计的Rdson和EM分析中有很好的指导作用，从Rdson的分net分层......
氮化镓取代碳化硅？PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样(2024-11-12 09:47)
，从而实现了安全可靠且简便的控制方法，这种架构也决定了可以开发出更高耐压的氮化镓。阎金光也强调，虽然串联方法下导通电阻会稍大一些，但是却能保证产品的高可靠，高耐压，这样才能发挥出氮化镓的真正优势。“技术......
压敏电阻和气体放电管串联有什么用(2023-08-30)
电流不会增加，有效减缓了压敏电阻因长期流过的泄漏电流所产生的老化现象。
除此之外，压敏电阻和气体放电管串联使用，有着减少输出残压，提高通流能力，延长使用工作时间等优点。
智旭电子压敏电阻
......
IU5207三串锂电池快充芯片，集成30伏OVP支持20瓦快充，最大1.3A充电电流(2024-03-18)
IU5207三串锂电池快充芯片，集成30伏OVP支持20瓦快充，最大1.3A充电电流;
IU5208E是一款支持20W快充的3节串联锂电池升压充电芯片。IU5208E集成功率MOS,采用......
ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”(2024-01-24)
税），样品可通过、、等网售平台购买。今后，ROHM将持续努力提高从低耐压到高耐压半导体元器件的品质，并继续加强别具特色的产品阵容，为应......
ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”(2024-01-23 15:34)
器等需要进行高速开关的应用。
新产品从2023年12月起全部投入量产（样品价格：300日元～/个，不含税），样品可通过Ameya360、Sekorm、Right IC等网售平台购买。今后，ROHM将持续努力提高从低耐压到高耐压......
罗姆开发出实现更低功耗的4通道背光用LED驱动器“BD9428”(2013-07-31)
对策等都是亟需解决的课题。
作为解决高耐压、大电流化、提高散热性能的对策，业界一般采用外置LED驱动用MOSFET的方法，但这会导致安装面积和部件成本增加。
此次，罗姆通过最尖端的高耐压BiC......
贞光科技：一文解读车规级碳化硅(2023-01-05)
率半导体趋势明确：
SiC基功率半导体相比Si基具备更高耐压等级和开关损耗，以Si-IGBT为例，450V下其耐压为650V，若汽车电气架构升级至800V，考虑开关电压开关过载等因素，对应功率半导体耐压......
械式开关相比，具有不易磨损、体积小、可配备保护电路等诸多优点，因此其应用尤为广泛。ROHM将在移动设备和消费电子领域多年积累的霍尔IC技术优势与高耐压工艺相结合，开发出可以提高汽车可靠性的霍尔IC。
本系列产品采用高耐压......
ROHM面向车载应用开发出高耐压霍尔IC新产品(2023-07-02)
其应用尤为广泛。ROHM将在移动设备和消费电子领域多年积累的霍尔IC技术优势与高耐压工艺相结合，开发出可以提高汽车可靠性的霍尔IC。
本系列产品采用高耐压工艺，实现了42V的业界超高耐压，还可......
采用TVS二极管组合方式助力汽车电子提升抛负载测试性能(2023-08-31)
管并联。
方案二：把两个TVS二极管串联起来使用
1）组合方式：串联使用
2）使用方法：把两个TVS二极管头尾连接在一起。
3）方案说明：在工作电路相同工作电压下，串联使用时，选择单颗TVSS二极......
蓉矽半导体1200V碳化硅二极管产品“NovuSiC® EJBS™”系列实现量产(2022-06-23)
电的MCR®（MOS-Controlled Rectifier）系列产品市场表现火热，MCR®是有高耐压、超低漏电、低导通压降和高结温性能的理想硅基二极管，可应用在工业电源、便携式储能、光伏......
SiC上场时刻到？能源局局长：着重解决电力芯片“卡脖子”问题(2021-07-01)
输电系统中，其电压电流等级仍然偏小，需要依靠多电平拓扑或器件串联，来提高耐压能力。未来随着高压SiC技术研发成功，STATCOM的结构或将大大简化。
SiC在高......
RS瑞森半导体低压MOS-SGT在电动车控制器上的应用(2023-04-03)
就有力。在电动车控制器产品上主推低压SGT MOS系列，产品具备如下优势：
产品优势：
1、在VDS耐压方面，能保证耐压性能；
2、Vth一致性高，适合多管并联；
3、在脉冲漏极电流Id (pluse......
小、可配备保护电路等诸多优点，因此其应用尤为广泛。将在移动设备和消费电子领域多年积累的技术优势与高耐压工艺相结合，开发出可以提高汽车可靠性的霍尔IC......
小型产品需求高涨。通常，对于Super Junction MOSFET而言，在保持高耐压和低导通电阻特性理想平衡的同时，很难进一步缩小体积。此次，ROHM通过改进内置芯片的形状，在不......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
负压关断可以避免因米勒电容对门极电压的抬升作用而产生的误导通风险，还可以加快关断速度，减小关断损耗，从一定程度上提高耐压。IGBT的驱动电路一般采用专用的驱动芯片，如东芝的TLP系列，富士公司的EXB系列，英飞......
基于比较器的过压保护电路设计方案（完整版）(2024-06-17)
设计任务中的设计系统框图描述，设计的核心任务是具体实现受控开关（controled switch）的条件动作，另外为了不影响电源的利用效率，考虑用高输入电阻的器件来实现受控开关的功能，使电源和负载不被旁路分流，比如利用驱动MOS管来......
拓尔微携多款新品亮相134届广交会，展示“芯”实力(2023-10-27)
Sink/Source电流可调440mA/260mA，驱动能力强。
工业板块✦
在工业板块，拓尔微展示了其为工业终端设备提供的高稳定性解决方案。重点展品包括60V 1A的高耐压......
ROHM新增5款100V耐压双MOSFET 以小尺寸实现业界超低导通电阻(2023-08-09)
，用来冷却这些设备的风扇电机也使用的是48V系统电源，考虑到电压波动，起到开关作用的MOSFET需要具备100V的耐压能力。而另一方面，提高耐压意味着与其存在权衡关系的导通电阻也会提高，效率......
ROHM新增5款100V耐压双MOSFET(2023-08-09)
逐渐被转换为48V系统，电源电压呈提高趋势。此外，用来冷却这些设备的风扇电机也使用的是48V系统电源，考虑到电压波动，起到开关作用的MOSFET需要具备100V的耐压能力。而另一方面，提高耐压意味着与其存在权衡关系的导通电阻也会提高......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
入阻抗大，低噪声，MOS管较贵，三极管的损耗大。
6、MOS管常用来作为电源开关，以及大电流开关电路、高频高速电路中，三极管常用来数字电路开关控制。
▉ G和S极串联电阻的作用
MOS管的......
MOS管在汽车LED 中的应用方案(2024-07-09)
低电源电路的开关损耗，提高整个电源系统的效率。
选型汽车LED中的MOS管时，有几个关键要点需要考虑，包括：
1. 功率和电压要求：根据LED的功率需求和工作电压确定MOS管的额定功率和耐压等级。确保MOS管能......
如何用单片机控制220V交流电的通断(2024-01-17)
实际间距选择合适的压敏电阻，因为瞬导通时候电压很高，这样就有起到过压保护，以防一通电或者关断时候产生感应电动势产生的电压把可控硅击穿，有时候还会串联一个电感。
使用可控硅三极管MOS管的......
ROHM新增5款100V耐压双MOSFET 以小尺寸实现业界超低导通电阻(2023-08-09)
一方面，提高耐压意味着与其存在权衡关系的导通电阻也会提高，效率会变差，因此，如何同时兼顾更高耐压和更低导通电阻，是一个很大的挑战。风扇电机通常会使用多个MOSFET进行驱动，为了节省空间，对于......
模拟电路和数字电路的学习笔记（精华总结55条）(2024-10-18 21:31:45)
二极管导通后两端电压基本不变的特点，采用几只二极管串联，获得3V以下输出电压
52、高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10uF......
基础知识之SiC功率器件(2024-03-21)
合适。本文引用地址：
2. 功率器件的特征
SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，因此与Si器件相比，能够以具有更高的杂质浓度和更薄的厚度的漂移层作出600V～数千V的高耐压功率器件。 高耐压......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展(2022-05-27)
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展;当前，能源、信息、国防、轨道交通、电动汽车等领域的快速发展，对功率半导体器件性能提出了更高的要求，高耐压、低损耗、大功率器件成为未来发展的趋势。氧化......
东芝在SiC和GaN的技术产品创新(2023-10-17)
泛视为下一代功率器件的材料，因为SiC 相较于硅材料可进一步提高耐压并降低损耗。虽然SiC 材质的功率器件目前主要用于列车逆变器，但其今后的应用领域非常广泛，例如车辆电气化，工业设备小型化，光伏发电机、不间......
又刷新了业界记录，PI发布了1700V氮化镓器件(2024-11-11 15:20)
之下，采用单个1700V的开关不仅能提高母线电压的承受能力，还能显著提升效率至90%以上，损耗减少了44%，电路结构更为简化。现有的高压解决方案（Stack FET电路架构），通常由一个750V的功率开关与另一个开关串联......
ROHM面向车载应用开发出高耐压霍尔IC新产品“BD5310xG－CZ／BD5410xG－CZ系列”(2023-06-30 09:40)
械式开关相比，具有不易磨损、体积小、可配备保护电路等诸多优点，因此其应用尤为广泛。ROHM将在移动设备和消费电子领域多年积累的霍尔IC技术优势与高耐压工艺相结合，开发出可以提高汽车可靠性的霍尔IC。本系列产品采用高耐压......
村田将2016尺寸、具有行业超高水平的低直流电阻、支持大电流且高耐压的车载用金属(2024-01-30)
%，直流饱和额定电流值(Isat)※7提高了64%，温度上升额定电流(Itemp)※8提高了31%（在均为0.33μH的情况下）。在ADAS等大电流驱动的车载电子设备电源电路中也可使用。
●高耐压......
纳芯微隔离和驱动技术为SiC+800V电驱动赋能(2023-03-20)
的新能源汽车销量有望达到200万台。
第二个趋势是采用高压碳化硅功率器件，其优势在于，第三代半导体器件具有高耐压、低导通损耗、小尺寸等优点，有助于提升效率，还可以优化电驱动重量，提升10%-15%的续航里程。
在新......
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
子管高频头线路，而用于AF输入，无论失真度、线性度、放大率、动态和低输出阻抗均全面优胜于一般的甲类三极管放大器，巨与许多其它的电子管线路设计相反，SRPP电路的失真率随着频率上升而减小。
此电路明明是两只电子管串联......
日清纺微电子推出用于车载设备和工业设备的电压检测器IC(2023-10-10)
对降低整体系统的功耗有很大的贡献。
产品特点
1. 通过SENSE引脚的高耐压化及支持CMOS输出，可消......
GaN竞赛中，罗姆如何取得领先优势？(2024-01-25)
用角度来看，以耐受电压600~1200 V为界，SiC能利用其特性生产更高耐压的产品，目前量产产品包括1200V、1700V，开发中产品已经达到3300V、5000V以上；GaN虽然禁带宽度也很宽，但在......
GaN竞赛中，罗姆如何取得领先优势？(2024-01-26 09:46)
~1200 V为界，SiC能利用其特性生产更高耐压的产品，目前量产产品包括1200V、1700V，开发中产品已经达到3300V、5000V以上；GaN虽然禁带宽度也很宽，但在现在很少有高压产品，以......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
极对地电压≈VM=7.4V，栅极对地电压≈VM+Vcc=19.4V，电容两端电压=12V，因此高端MOS可以正常导通。
（此时，自举二极管两端的压差=VM，因此在选择二极管时，需要保证二极管的反向耐压......
村田将2016尺寸、具有行业超高水平的低直流电阻、支持大电流且高耐压的车载用金属功率电感器实现商品化(2024-01-31 10:20)
%，直流饱和额定电流值(Isat)※7提高了64%，温度上升额定电流(Itemp)※8提高了31%（在均为0.33μH的情况下）。在ADAS等大电流驱动的车载电子设备电源电路中也可使用。●高耐压......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
是SO-8，方便用在面包板上。
比较器
运放的输入失调电压可被视为和输入的检测电压串联，取决于失调电压的极性，它可能提高......
碳化硅模块助力更可靠更高效的换电站快充电路设计(2024-07-08)
支持双向工作，但需要较高耐压能力的功率器件。
T-NPC或I-NPC则可以选择较低电压的主动开关器件，但若要有双向工作能力，则需要将图中的部分二极管替换为主动开关器件MOS或IGBT。
在汽......
ROHM开发出采用SOT－223－3小型封装的600V耐压Super Junction MOSFET(2023-12-07 15:18)
来，随着照明用的小型电源和电泵用电机的性能提升，对于在这些应用中发挥开关作用的MOSFET的更小型产品需求高涨。通常，对于Super Junction MOSFET而言，在保持高耐压......
Super Junction MOSFET而言，在保持高耐压和低导通电阻特性理想平衡的同时，很难进一步缩小体积。此次，ROHM通过改进内置芯片的形状，在不牺牲以往产品性能的前提下开发出5款更小更薄的SOT......
Qorvo分享最新成果，多元化布局展示强大实力(2024-04-24)
前端）芯片进行堆叠或串联来满足20串的需求，而Qorvo的单芯片方案可以独立完成这一需求。设计难点在于如何在高耐压条件下解决芯片发热和高低电压隔离问题。每增加一个电芯约增加4.2V电压，因此相比于16串......
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;上海大帆电气设备有限公司;;上海大帆电气生产DFVF3000变频串联谐振交流耐压试验装置，广泛用于各种高压交联电缆,变压器,发电机,GIS开关,电动机的交流耐压试验，SF6开关变频调频串联谐振串谐工频交流耐压
;上海大 帆电气设备有限公司;;上海大帆生产DFVF3000变频串联谐振交流耐压试验装置，广泛用于各种高压交联电缆,变压器,发电机,GIS开关,电动机的交流耐压试验，SF6开关变频调频串联谐振串谐工频交流耐压
;上海大帆电气设备 有限公司;;上海大帆电气设备有限公司,是变频串联谐振耐压试验装置行业的三甲品牌，是变频多功能大电流接地阻抗特性测量系统的生产厂家！上海
;上海大帆电气 设备有限公司;;上海大帆电气设备有限公司,是变频串联谐振耐压试验装置行业的三甲品牌，是变频多功能大电流接地阻抗特性测量系统的生产厂家！上海
;上海联能科技有限公司;;上海联能科技有限公司成立于1999年，注册资金为1111万元。公司历经几年的发展，期间先后参股/控股成立了“联能井冈山”、“联能光子”、“联能电子”、“联能晶体”和“联能
;上海奥联能源科技有限公司;;上海奥联能源科技有限公司成立2002年，位于中国上海北翟路2000弄94号501室，上海奥联能源科技有限公司是一家crouzet高诺斯微动开关、电子元器件、电子
有单节、双节、3/4节锂离子可充电电池保护IC及配套MOS；同步整流升压IC,电压检测器；电压稳压；DC/DC控制器；石英晶振；EEPROM；MS（锰、硅）锂可充电池；HB锂可充电池；XH电容（3.3V高耐压
开发的非标准品： 高压陶瓷电容：大容量高耐压，超高耐压，特殊容量，非标准厚度，高精度，特殊尺寸等。 压敏电阻：极低或超高压敏电压，特殊容量或电压，大电流或功率要求，大尺寸等。
子行业内深得客户品质信赖公司拥有一批高科技人才可为客户研发非标准品产品， 高压陶瓷电容：大容量高耐压，超高耐压，特殊容量，非标准厚度，高精度，特殊尺寸等。 压敏电阻：极低或超高压敏电压，特殊容量或电压，大电流或功率要求，大尺寸等
子行业内深得客户品质信赖公司拥有一批高科技人才可为客户研发非标准品产品， 高压陶瓷电容：大容量高耐压，超高耐压，特殊容量，非标准厚度，高精度，特殊尺寸等。 压敏电阻：极低或超高压敏电压，特殊容量或电压，大电流或功率要求，大尺寸等