资讯
超共源共栅简史(2023-03-29)
供出色的功率和零干扰接收性能，同时还内置了全向天线”。甚至有一个带电线的遥控器。如今，超共源共栅另有含义。从 1939 年的管式稳压器，到早期的音频放大器，再到高电压应用中的双极晶体管堆栈，我们可以了解到这个词的起源。目前......
关于PWM型D类音频功率放大器的设计(2024-09-10)
全桥功率开关电路。
2.6 基准电路
本文所设计的带隙电压基准源结构如图10 所示，主要由核心电路与启动电路两部分组成。
图10 基准电路
核心电路中M1~M12 一起构成共源共栅电流镜来提供直流偏置，运放op1 采用两级共源共栅放大......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件(2023-03-29)
型 FET 在电源系统中是有问题的，因为在给系统通电之前，必须对氮化镓耗尽型 FET 施加负偏压。
解决这个问题的一个方法是将低压硅 FET 与耗尽型 GaN FET 组合在一个共源共栅放大电路配置中（图......
Qorvo®宣布推出集成智能电机控制器和高效SiC FET的电源解决方案(2022-02-11)
收购的 UnitedSiC 带来的新型碳化硅先进共源共栅技术。这款小尺寸解决方案集成了五个构建模块（DC/SC、LDO、MCU、栅极驱动器和放大器）和外部电源开关，共同构成带外部 SiC FET 的三......
RECOM扩展栅极驱动 DC/DC 系列产品(2023-12-20)
RECOM扩展栅极驱动 DC/DC 系列产品;
【导读】非对称稳压输出适合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动 - 现在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 转换......
RECOM推出栅极驱动 DC/DC 系列产品扩展(2024-02-27)
RECOM推出栅极驱动 DC/DC 系列产品扩展;
【导读】非对称稳压输出适合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动 - 现在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 转换......
测试共源共栅氮化镓 FET(2024-04-09)
测试共源共栅氮化镓 FET;Cascode GaN 动态测试面临的挑战 Cascode GaN 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场，因为......
采用28nm FD-SOI技术的汽车级微控制器嵌入式PCM宏单元(2024-07-24)
：差分读取放大器; PCM访问时序图，2个等待状态（WS）
图3所示是读出放大器（SA）。位线读取电压由NMOS共源共栅晶体管控制：存储单元读电流和基准电流流过共源共栅，最后注入比较网（refcp1和......
Qorvo® 推出紧凑型 E1B 封装的 1200V SiC 模块(2024-02-29)
电源和太阳能等应用。
Qorvo SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅......
Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计(2024-01-30)
全新 SiC FET 系列的推出彰显了我们致力于为动力总成设计人员提供先进、高效解决方案的承诺，以助力其应对独特的车辆动力挑战。”
这些第四代 SiC FET 采用 Qorvo 独特的共源共栅......
Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能(2024-01-30)
第四代 SiC FET 采用 Qorvo 独特的共源共栅结构电路配置，将 SiC JFET 与硅基 MOSFET 合并封装，从而制造出具备宽带隙开关技术效率优势和硅基 MOSFET 简单......
Qorvo 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能(2024-01-30 14:48)
全新 SiC FET 系列的推出彰显了我们致力于为电动汽车动力总成设计人员提供先进、高效解决方案的承诺，以助力其应对独特的车辆动力挑战。”这些第四代 SiC FET 采用 Qorvo 独特的共源共栅......
Qorvo推出紧凑型E1B封装的1200V SiC模块(2024-02-29)
引用地址：
电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅......
Qorvo收购碳化硅功率半导体供应商UnitedSiC公司(2021-11-05)
器和牵引驱动，以及电信/服务器电源、变速电机驱动和太阳能光伏（PV）逆变器等等都至关重要。
UnitedSiC高性能 FET 基于独特的共源共栅配置，其中高性能 SiC 快速 JFET 与共源共栅优化的 Si......
Qorvo E1B SiC模块：成就高效功率转换系统的秘密武器(2024-06-20)
每单位面积的导通电阻更低。
图2，SiC MOSFET与用于共源共栅电路SiC JFET的截面比较
JFET在功率电路中应用较少使用的一个原因是它作为一种常开型器件，需要负电压才能完全关断。通过使用共源共栅结构，可以......
Qorvo 推出紧凑型 E1B 封装的 1200V SiC 模块(2024-03-01 09:50)
SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅......
革新ZVS软开关技术，Qorvo SiC FET解锁高效率应用潜能(2024-07-25)
ZVS技术的革新者，凭借其独特的设计和材料科学的进步，为电力电子行业带来了前所未有的变革。
图2. SiC MOSFET与用于共源共栅电路SiC JFET的截面比较
与平面SiC MOSFET对比......
Qorvo® 推出紧凑型 E1B 封装的 1200V SiC 模块(2024-03-05)
简化热机械设计和装配。我们的共源共栅技术还支持以更高的开关频率运行，通过使用更小的外部元件进一步缩小解决方案的尺寸。这些模块的高效率特性可以简化电源设计流程，让我们的客户能够专注做好单一模块的设计、布局、组装、特性......
意法半导体氮化镓功率半导体PowerGaN系列首发，让电源能效更高、体积更纤薄(2021-12-17)
5x6 HV 和 2SPAK封装。这些产品预计在 2022 年下半年量产。
此外，G-FET 系列还推出一个新的共源共栅 GaN 晶体管 SGT250R65ALCS，采用 PQFN 5x6封装......
功耗限制条件下噪声最优化的低噪声放大器的设计(2024-07-18)
电感源极负反馈、单端输入的基本电路形式[2-3]实现的低噪声放大器(LNA)如图1所示。图中，M1、M2和LS组成电感负反馈共源共栅casocode放大电路，以获得高隔离度、低噪声系数和良好的输入阻抗匹配。在输......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
。
图6 基本共源放大电路
与晶体管放大电路的共射、共集、共基接法相对应，场效应管放大电路有共源、共漏、共栅接法，有电路输入电阻高、噪声系数低，抗辐......
Qorvo为功率设计扩展高性能且高效的750V SiC FET产品组合(2022-08-04)
维持丰富的设计裕量和电路稳健性。这些器件利用独到的共源共栅 SiC FET 技术，其中，处于常开状态的 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装，产生处于常闭状态的 SiC FET，这些器件提供出色的 RDS......
为什么矿机电源对效率和可靠性要求越来越高(2022-12-08)
器件将对上述提到的优势进行近乎完美的诠释，帮助矿机电源应对越来越高的用电要求，让“挖矿”更加高效节能。
基于独特共源共栅电路配置的SiC FET
在众多的SiC器件中，SiC FET通常会被认为是一种接近理想的开关方案，通过采用共源共栅......
RECOM 推出适用于高性能栅极驱动应用的微型 DC/DC 转换器(2024-11-06 09:45)
、Si 和 SiC MOSFET 以及 GaN 共源共栅 HEMT 单元对各种栅极驱动电压的要求。例如，产品型号为 R12C2T25/R 的模块可在 9-18 VDC 输入电压下工作，并可编程为 +18......
MOSFET共源放大器介绍(2024-02-27)
MOSFET共源放大器介绍;在本文中，我们介绍了具有不同负载类型的的基本行为。本文引用地址：
模拟电路随处可见，放大器基本上是每个模拟电路的一部分。能够制造出卓越的放大器件，这就是为什么有多种基于它们的单级放大器......
MOSFET共源放大器介绍(2024-02-26)
MOSFET共源放大器介绍;在本文中，我们介绍了具有不同负载类型的的基本行为。本文引用地址：模拟电路随处可见，放大器基本上是每个模拟电路的一部分。能够制造出卓越的放大器件，这就是为什么有多种基于它们的单级放大器......
基础知识之D/A转换器(2024-03-25)
扰。
上图是电流型DAC上下相反的东西。 由于是共源共栅电流源，不容易受输出 电压的影响，可高精度化。
......
器电源等应用。
贸泽电子供应的UJ4C/SC器件采用独特的共源共栅SiC FET技术，其中常开SiC JFET与Si MOSFET封装在一起形成常关SiC FET。这些FET降低了紧凑型内部连接回路的电感，与包......
器电源等应用。
贸泽电子供应的UJ4C/SC器件采用独特的共源共栅SiC FET技术，其中常开SiC JFET与Si MOSFET封装在一起形成常关SiC FET。这些FET降低了紧凑型内部连接回路的电感，与包......
器电源等应用。
贸泽电子供应的UJ4C/SC器件采用独特的共源共栅SiC FET技术，其中常开SiC JFET与Si MOSFET封装在一起形成常关SiC FET。这些FET降低了紧凑型内部连接回路的电感，与包......
一只脚迈进交通领域，另一脚踩进数据中心，氮化镓比碳化硅更出彩(2023-10-10)
的功率GaN FET有两个主流方向：增强型（E-Mode，单芯片常关器件）和耗尽型（D-Mode，双芯片常关器件）。目前E-Mode栅极有稳定性和漏电流的问题，而驱动双芯片常关（或者说共源共栅配置）的D......
MOSFET共源放大器的频率响应(2024-03-04)
MOSFET共源放大器的频率响应;在本文中，我们通过研究的s域传递函数来了解其频率响应。本文引用地址：之前，我们了解了的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用，但仅适用于低频操作。为了......
应对 PCS 创新，德州仪器全方位保驾护航(2024-01-12)
得到了实际的量产验证。
德州仪器的 GaN 采用了直驱的常开型 dMode，与采用 Cascode（共源共栅）架构的 dMode 相比，德州仪器的直驱型 GaN 完全没有反向恢复二极管，因此......
Qorvo® 发布 TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V SiC FET(2023-03-21)
FET 利用 Qorvo 独特的 Cascode 电路结构（即共源共栅），将 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装在一个器件内部，以发挥宽禁带开关技术的高效率优势和 Si MOSFET......
射频和功率协同发力，Qorvo于上海慕尼黑电子展展示领先技术方案(2023-07-25)
FET的产品，这一产品组合来自于此前对于UnitedSiC的并购，而其产品特色在于能够提供业界领先的极地Rds(on)。另外，第四代SiC FET利用了独特的Cascode 电路结构（即共源共栅），将......
全球首批RDS（on）低于10mΩ的碳化硅FET发布(2019-12-10)
（on）为7 mΩ，另外三款电压额定值为1200V，RDS（on）分别为9和16 mΩ。所有器件都采用通用型TO247封装。
这些新型SiC FET整合高性能第三代SiC JFET和共源共栅......
Qorvo® 发布 TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs(2023-03-21)
的 Cascode 电路结构（即共源共栅），将 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装在一个器件内部，以发挥宽禁带开关技术的高效率优势和 Si MOSFET 简化的门级驱动的优势。
现在......
UnitedSiC发布首批RDS（on）低于10mΩ的碳化硅FET(2019-12-10)
FET整合高性能第三代SiC JFET和共源共栅（cascode）优化的Si MOSFET，这种电路配置能够以常见的封装形式创建一种快速、高效的器件，但仍然可以用与Si IGBT、Si MOSFET......
SiC在电动车功率转换中的应用(2024-07-23)
半桥，它使用 35mohm，1200V 堆叠式共源共栅开关。开关波形表明，此类器件支持非常快、非常清晰的开关，可以用作本文中所述的所有电路选项的构建块。
图 8：集成驱动器和 FET 级，例如......
UnitedSiC推出业界最佳6mΩ SiC FET(2021-09-14)
保持充足的设计裕度和电路鲁棒性。
UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共栅”拓扑结构，其内部集成了一个SiC JFET并将之与一个硅MOSFET封装在一起。这两者结合起来就提供了宽禁带技术的全部优势——可实......
镓产品的全球领先企业 Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN) 今日发布了题为『Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势』的最新白皮书。该技术文献科普了共源共栅 (常闭......
Transphorm最新技术白皮书:常闭耗尽型(D-Mode)与增强型(E-Mo(2023-10-19)
管的根本优势』的最新白皮书。该技术文献科普了共源共栅 (常闭) d-mode平台固有的优势。重要的是，该文章还解释了e-mode平台为实现常闭型解决方案，从根本上 (物理层面) 削弱......
Qorvo 发布 TOLL 封装的高功率 5．4mΩ 750V SiC FETs(2023-03-21 14:18)
还提供了开尔文连接以实现可靠的高速转换。这些第四代 SiC FET 利用 Qorvo 独特的 Cascode 电路结构（即共源共栅），将 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装在一个器件内部，以发......
镓功率半导体产品的全球领先企业 Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今日发布了题为『Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势』的最新白皮书。该技术文献科普了共源共栅 (常闭......
Qorvo发布TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs(2023-03-21)
还提供了开尔文连接以实现可靠的高速转换。
这些第四代 SiC FET 利用 Qorvo 独特的 Cascode 电路结构（即共源共栅），将 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装在一个器件内部，以发......
连接与电源：新Qorvo为行业提供更全面的解决方案(2023-03-28)
封装形式，基于独特的 Cascode 电路结构（即共源共栅），将 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装在一个器件内部，可充分发挥宽禁带开关技术的高效率优势和 Si MOSFET 简化......
连接与电源：新Qorvo为行业提供更全面的解决方案(2023-03-28 15:05)
器件，其拥有全球最低的5.4 (mΩ) 的导通阻抗，采用TOLL封装封装形式，基于独特的 Cascode 电路结构（即共源共栅），将 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同......
连接与电源：新Qorvo为行业提供更全面的解决方案(2023-03-28)
TOLL封装封装形式，基于独特的 Cascode 电路结构（即共源共栅），将 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装在一个器件内部，可充分发挥宽禁带开关技术的高效率优势和 Si......
连接与电源：新Qorvo为行业提供更全面的解决方案(2023-03-28)
最新推出的750V SiC FET 器件，其拥有全球最低的5.4 (mΩ) 的导通阻抗，采用TOLL封装封装形式，基于独特的 Cascode 电路结构（即共源共栅），将 SiC JFET 与 Si......
连接与电源：新Qorvo为行业提供更全面的解决方案(2023-04-03)
，可以为新能源汽车相关研发提供助力。值得一提的是，公司最新推出的750V SiC FET器件，其拥有全球最低的5.4（mΩ）的导通阻抗，采用TOLL封装形式，基于独特的Cascode电路结构（即共源共栅......
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年来我公司专营进口电子元器件，一直致力于各种 IC 器件的推广及应用。为国内军工、科研、计算机仪器、仪表等厂家提供各类国际各厂电子的电子原器件，并提供各种配套服务. TI/BB:高精度运算放大器： OPA2277
列器件：高精度运算放大器、电流变送器、模数转换IC、数模转换IC、AC/DC转换器、VF转换器、隔离放大器、触摸屏控制器、音频运算放大器、音频转换器、接口UATR芯片、RS-485接口、微控制器、低噪声运算放大器
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;商斯达;;专门从事移动通信与微波通信产品代理经销、研发、生产、销售和服务的民营高新技术企业。公司主要代理经销、生产和研发微波功率晶体管、微波与射频功率放大器、低噪声放大器、(GSM、CDMA
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