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假设谐振频率与负载或任何器件的寄生电阻无关，即滤波器-负载组合电路的谐振频率就是，即不包含电阻项。由于品质因数确定了响应曲线在谐振频率时的峰值大小，在临界阻尼时，我们取品质因数Q值为0.707。 其中......
材料放置在天线线圈和任何金属表面之间，可将读写器产生的磁通量限制在磁屏内，从而避免金属表面产生感生电流，保持最佳 13.56 ㎒ 通讯条件。 IFQ06 系列的其它优势包括： H磁场成型/定向 影响感应天线的品质因数（Q......
加速度计的输出。 设计注意事项 1.图4中的电路是一种单位增益的Sallen-Key滤波器。可将电阻网络添加到运算放大器的反馈回路中，以给电路增加增益（参见附录1）。品质因数Q（衡量稳定性方面的性能）与增......
是一种单位增益的Sallen-Key滤波器。可将电阻网络添加到运算放大器的反馈回路中，以给电路增加增益（参见附录1）。品质因数Q（衡量稳定性方面的性能）与增益本质上相关。为获得最佳稳定性，增益应低于3。 2.品质因数Q......
的高导磁率低磁损耗材料 高柔韧性使片材易于成型为所需形状 高品质因数（Q......
.图4中的电路是一种单位增益的Sallen-Key滤波器。可将电阻网络添加到运算放大器的反馈回路中，以给电路增加增益（参见附录1）。品质因数Q（衡量稳定性方面的性能）与增益本质上相关。为获......
点频率自动检测功能 ●涵盖各式测量参数：Z（阻抗）、L（电感）、C（电容）、Rac（交流电阻）、Phase（相位）、Q（品质因数）、D（损耗因数）、Rdc（直流电阻） 、圈数比、漏电感和层间电容 ●可透......
特点 ●   绕线结构，超小尺寸  ●   高品质因数  ●   高自谐频率  ●   DCR小，大电......
条件。IFQ06 系列的其它优势包括：• H磁场成型/定向• 影响感应天线的品质因数（Q）• 提高两个天线之间的耦合因数（K）• 协助设置共振调频的电感值（L）• 形成完整的磁场路径• 通过......
条件。IFQ06 系列的其它优势包括：• H磁场成型/定向• 影响感应天线的品质因数（Q）• 提高两个天线之间的耦合因数（K）• 协助设置共振调频的电感值（L）• 形成完整的磁场路径• 通过......
结构产生，由“Q”或品质因数决定。 该电路的Q值决定了陷波的窄结构，因为该电路被设计为像专用陷波滤波器一样工作。 该嗡嗡声滤波电路电路的频率响应将通过高-Q陷波在陷波频率附近迅速崩溃。陷波......
我国首台高品质因数1.3GHz超导加速模组研制成功;6日，记者从中科院高能物理所获悉，该所研制的高品质因数1.3GHz超导加速模组日前成功通过成果鉴定。鉴定专家组认为，项目组经过技术攻关，在高品质因数......
要测试带有直流偏置的元器件时，比如二极管的导通电容，需要加偏压测试；类似的，在需要加直流电流偏置时，可以选用偏流盒； 2、品质因子Q和损耗因子 D的电学含义： 电感器的品质因子Q是表明器件接近纯电抗的程度，品质因......
图所示。对于可调谐电容来说，具有宽范围的调谐电容和良好的 Q 因数（品质因数）至关重要。RON 和 COFF 会显著影响天线效率。低电压时，RON 的影响更大；高电压时，COFF 的影响更大；采用低 RON......
x A 品质因数，能够最大限度减少小尺寸裸片中的传导损失。 中国北京 – 2022 年 8 月 4 日–移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc......
：品质因数的简称，是指在每个振荡周期，存储能量与损失能量之间的比率。用于测量谐振电路的选择性。 » 纹波：通带中插入损耗的差异。 » 选择性：对滤波器通过或抑制特定频率（相对于中心频率）的能......
发挥在硅上使用 SiC 的全部优势。英飞凌专有创新焊接工艺结合更加紧凑的设计、薄晶圆技术以及全新肖特基金属系统。打造的系列产品具有同类产品中极其优秀的的品质因数 (Qc x VF)，在各......
内的任何频率。具有–236 dBcHz 品质因数和高相位检测器频率的高性能PLL 可以实现极低的带内噪声和集成抖动。高速N分频器没有预分频器，从而显着降低了杂散的幅度和数量。还有......
Nexperia位于曼彻斯特的新8英寸晶圆生产线启动，首批产品为行业领先的Qrr品质因数80 V/100 V MOSFET;奈梅亨，2021年6月24日：基础半导体器件领域的专家Nexperia今日......
汽车和工业电力系统设计，提供优异的品质因数（FOM），显著降低 RDS(ON) 和电容。这确保了最低的导通和开关损耗，从而提升了整体性能。本文引用地址： 新系列  提供多种封装，包括DFN3333-8L......
列通过先进的沟槽技术设计达到优异性能和效率。此系列 MOSFET 专为汽车和工业电力系统设计，提供优异的品质因数（FOM），显著降低 RDS(ON) 和电容。这确保了最低的导通和开关损耗，从而提升了整体性能。 新系列 MOSFET 提供......
款模块中的 MOSFET采用意法半导体的第二代 SiC 技术，RDS(on) x 芯片面积品质因数非常出色，确保开关可以处理高电流，把功率损耗降至很低。每款芯片的典型导通电阻RDS(on)都是13mΩ，全桥拓扑和T型拓......
近场通信（NFC）技术。 考虑到现代无线通信系统尺寸极其紧凑的特点，也因此需要高度紧凑的滤波器；即便如此，这些滤波器仍要求较高的Q因数（品质因数），并可以很容易地集成至滤波器组，来用......
导通电阻）等级，有助于设计师为每项设计选择合适的 SiC 器件。” 以下 SiC FET 出色的品质因数展现了全新 UF4C/SC 系列的性能优势：  中国北京 - 2022 年 5 月 17 日......
系为XL=2πfL 2.3 品质因素Q 品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量，Q为感抗XL与其等效的电阻的比值，即：Q=XL......
LFPAK88封装设计。这些器件具备高效率和低尖峰特性，适用于通信、服务器、工业、开关电源、快充、USB-PD和电机控制应用。   长期以来，品质因数Qg*RDSon一直是半导体制造商提高MOSFET......
是利用转移并结合在载体衬底上的单晶压电薄膜来限制和归导声波在单晶薄膜内的传播。通过这样的方式，GSAW技术可以在更广泛的范围内达到更卓越的品质因数，同时实现高机电耦合（k²）和更低的温漂系数（TCF......
新发展之路，进一步巩固了英飞凌在高端功率转换领域的领导地位。”英飞凌高压功率转换产品负责人Jan-Willem Reynaerts指出，“凭借CoolMOS C7一流的品质因数（RDS(on)*EOSS），我们......
放分别去推前场，后场和低音，不过要注意加个电容，线材也要选用好点的，防止烧坏汽车电源 主要有哪些不同呢？ 汽车扬声器一般采用高Qts（总品质因数）值、低阻抗、高灵敏度设计。由于......
整个射频前端模块市场中最重要的组成部分。 滤波器技术简介 射频滤波器最主要的指标包括品质因数Q和插入损耗。在目前的通讯协议中，不同频带间的频率差越来越小，因此需要非常好选择性，让通......
出滤波器带宽(N为3) BW：表示滤波器带宽 Cent：表示中心频率 Q：表示品质因数(中心频率比带宽) ......
器件具备高效率和低尖峰特性，适用于通信、服务器、工业、开关电源、快充、USB-PD和电机控制应用。 长期以来，品质因数Qg*RDSon一直是半导体制造商提高MOSFET开关效率的重点。然而，一味地降低该品质因数......
永磁高效节能电机本身可比普通电机节约电能3℅以上； 3.电机功率因数一般高于0.90，提高电网品质因数，无需加功率因数补偿器； 4.电机电流小，节约输配电容量、延长系统整体运行寿命； 5.加驱......
款模块A2U12M12W2-F2采用三电平T型逆变拓扑，导通能效和开关能效均很出色，输出电压质量稳定。这两款模块中的 MOSFET采用意法半导体的第二代 SiC 技术，RDS(on) x 芯片面积品质因数非常出色，确保......
启动、或用变频器调速，可全面更换异步电机； 3、稀土永磁高效节能电机本身可比普通电机节约电能15℅以上； 4、电机功率因数接近1，提高电网品质因数，无需加功率因数补偿器； 5、电机电流小，节约......
(这里忽略了，沟道调制效应的影响)。其中兄RS为信号源内阻，Rl=ωTLs是LNA输入阻抗的实部，R2≈Q′Lω0Lt是输出阻抗的实部，Q′L为电感Lt的品质因子，ωT是M1的截止频率。当输......
如果波形显示的不完整的换可以通过幅度菜单scale—调整下每格的分辨率，最后使用MARKFN下面标记Ndb带宽，测量出滤波器带宽(N为3) BW：表示滤波器带宽 Cent：表示中心频率 Q：表示品质因数......
在成本上将比SiC和GaN等材料更具优势。 目前，氧化镓材料面临一个重要的难点：难以实现氧化镓的p型掺杂，这导致氧化镓场效应晶体管面临着增强型模式难以实现和功率品质因数难以提升等问题。氧化......
）。 注： [1]降低了漏源导通电阻（典型值）×输出电荷（典型值），即开关应用的品质因数......
器件具备高效率和低尖峰特性，适用于通信、服务器、工业、开关电源、快充、USB-PD和电机控制应用。 长期以来，品质因数Qg......
电压相对于电流的相位角，X为电抗，B为电纳，D为损失因素，Q为品质因数，Rp为并联电阻，Rs为串联电阻。 在用户对元器件或两个元器件的组合件作检测之前，必须根据它们的持点，从主参数栏中选择一个待测的主参数，从次......
纳，D为损失因素，Q为品质因数，Rp为并联电阻，Rs为串联电阻。 在用户对元器件或两个元器件的组合件作检测之前，必须根据它们的持点，从主参数栏中选择一个待测的主参数，从次......
技术平台推出四款首批器件。作为目前市场上首批也是唯一的750V SiC FET，这四款第四代器件基于领先的品质因数（FoM）实现了新的性能水平，从而使汽车、工业充电、电信整流器、数据中心功率因数校正（PFC）和 DC......
很低的能量损耗和优异的开关性能，同时，品质因数成为新的市场标杆。与上一代产品相比，意法半导体最新的MDmesh DM9 技术确保栅源阈值电压(VGS(th)) 分布更窄，使开关波形更加锐利，导通......
先进沟槽技术设计，与传统标准沟槽设计相比，为60V MOSFET的品质因数（FOM）减少68%、100V减少41%、150V则减少了53%，且显著降低电容，确保了最低的导通和开关损耗，从而提升了整体性能。 新系......
的值很小，一般只有0.0002～0.1皮法。晶片振动时因摩擦而造成的损耗用R来等效，它的数值约为100欧。 由于晶片的等效电感很大，而C很小，R也小，因此回路的品质因数Q很大，可达1000～10000......
晶片的等效电感很大，而C很小，R也小，因此回路的品质因数Q很大，可达1000～10000。加上晶片本身的谐振频率基本上只与晶片的切割方式、几何形状、尺寸有关，而且可以做得精确，因此利用石英谐振器组成的振荡电路......
， INN100W032A 的硬开关品质因数仅为其 16%，软开关品质因数也仅为其 39%，可大大降低在 Buck/Boost 应用中开关器件的损耗，提升......
统的硅功率器件相比，CoolSiC MOSFET G2在硬开关和软开关操作中展现出了显著的优势。其关键品质因数相比上一代G1提高了20%以上，使得在相同的条件下，它能够以更高的效率进行电力转换。此外......
统的硅功率器件相比，CoolSiC MOSFET G2在硬开关和软开关操作中展现出了显著的优势。其关键品质因数相比上一代G1提高了20%以上，使得在相同的条件下，它能够以更高的效率进行电力转换。此外，SiC......

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