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实现按需式读取，研究组进一步利用电子蒸镀技术在波导两侧加工了片上电极，从而利用电场诱导的斯塔克效应实时调控波导内铒离子的相干演化。 通过极化铒离子的电子自旋，并初始化其核自旋状态，光子的存储效率被提升至......
业界领先的美光 176 层 NAND 技术，将推动客户端市场过渡到 QLC 存储。该系列 PCIe 4.0 SSD新品进一步巩固了美光的市场领先地位，将显著加速 QLC 在客户端设备中的普及，为系统设计提供更广泛且具备高性价比的存储......
韩国DRAM芯片产量份额今年将飙升至64%; 【导读】据彭博社报道，TrendForce表示，随着美国对华出口管制改变半导体供应链，韩国将扩大其在全球存储......
大张旗鼓的建设，大基金和政府的支持，这绝对是存储领域不能忽视的新兴力量。 从IC Insights的报告我们得知，中国现有的存储势力包括： （1）长江存储，这是清华紫光在今年7月收购XMC之后......
容量、密度和带宽需求大幅提升 目前车载市场中主要的存储应用包括DRAM（DDR、LPDDR）和NAND（e.MMC和UFS等）。低功耗的LPDDR和NAND将是主要增长点，负责芯片启动的NOR......
的12代酷睿处理器上市后，消费者可使用新平台配合佰维DDR5内存条，感受大容量高速率内存随技术迭代带来的性能提升。 关于佰维 佰维以“从芯到端，赋能万物互联，构筑万物互联时代的存储根基”为使命，致力......
美光DRAM厂突发停电，影响几何？;全球市场研究机构TrendForce集邦咨询提供的最新信息显示，12月3日，存储器大厂美光位于台湾林口的晶圆厂发生停电事件，停电时间约1个小时，据了解，此次......
美光推出全球首款176层NAND移动解决方案，助力5G超快体验;2021 年 7 月 30 日，中国上海 —— 内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc. (美光......
设备带来无与伦比的性能，其主要优势包括： 业界领先的存储密度，比竞争对手1最新产品的存储密度提升高达 28% 业界领先的 2400 MT/s1 NAND 输入/输出（I/O）速度，比上一代产品提升 50%2 读取性能比上一代产品提升......
幕或是玻璃反射的灯光)，但因成本较高，需要较多的灯管与灯泡维持亮度。 间接照明三要素 1、间隙 通常来讲，光的扩散效果与间隙有着重要的联系，当间隙不够时，光就容易受到影响，从而形成强烈的明暗对比，看上......
——NXE:3800E 引入了部分 EUV 的技术，运行效率得以提升。本文引用地址：根据IT之家之前报道，NXE:3800E 已于本月完成安装，可实现 195 片晶圆的每小时吞吐量，相较......
作负载[4]、MTTF/MTBF[5] 达 250 万小时以及0.35% AFR 年故障率。 MG11 系列 CMR硬盘可帮助云计算、数据中心和企业存储客户,快速扩展现有基础设施的存储......
/s。通信速度直接影响车辆的启动时间和软件加载时间，从而提供不同的体验。为应对更快的启动和读写需求，驾驶舱领域的存储至少要支持UFS2.1。高通第三代8155座舱SoC已经支持UFS接口......
14nm量产。 从目前看来，难以评估镁光的损失的一个蛀牙原因是时间。三家中国公司在2016年底宣布，他们正在进入DRAM业务，并于2016年12月份为员工做广告。但根据DigiTimes......
达乃至瑞萨这些SoC企业会提供定制服务，这些SoC会指定用美光的存储。只有韩系车少量使用三星的大容量DRAM。 每次运算的时候，CPU发出指令，权重模型从UFS中被取出暂存在DRAM中，如果......
存储：AI影响加深，DRAM、NAND供需随动; 【导读】高带宽内存（HBM）是2024年半导体领域的绝对热词。随着AI持续推动，2025年HBM大概率依旧霸榜。因为数据中心和AI处理器越来越多地依赖这种类型的存储......
达乃至瑞萨这些SoC企业会提供定制服务，这些SoC会指定用美光的存储。只有韩系车少量使用三星的大容量DRAM。 每次运算的时候，CPU发出指令，权重模型从UFS中被取出暂存在DRAM中，如果有显存的话，就放......
时代。 作为新一代内存标准，DDR5内存带来了许多显而易见的新特性，例如：单条最大容量提升、内存频率直接飙升至4800Mhz起步，同时功耗也有所降低。 目前，许多内存厂商的DDR5内存......
。 本次框架采购包含 0.5C（2 小时充放电时长）及 0.25C（4 小时充放电时长）储能系统，同时按照大唐集团有限公司 2024-2025 年新能源项目开工、投产计划，综合各省/区域配储时长要求，设定......
、提高 GPU 利用率，并增强大容量 NVMe SSD 的存储韧性。 缩小体积，提升数据中心效率 美光 6550 ION SSD 支持 U.2、E1.S 和 E3.S 三种......
年1月期间，研究小组收集了170名学生志愿者的呼气样本，从收集到出结果的过程不到一个小时。这些学生在此前48小时内进行了咽拭子和鼻拭子核酸检测，结果显示，一半检测呈阳性，一半呈阴性。 与被......
将有助于PCIE 5.0版固态硬盘与企业级固态硬盘产品的快速发展，通过高达2.4Ghz的传输速率可减少存储时数据响应时间，提高GC指令(垃圾数据处理)与WL指令(磨损平均处理)的运作效率，减少......
艺优化及规模化效果的加持下，固态电池的制造成本将进一步下降，装车量预计也会跃升至12万辆，逐渐向普及化迈开。 据了解，我国将投入60亿支持企业在固态电池领域的探索与创新，比亚迪、宁德时代等巨头将获得资金支持，全力加速全固态电池的商业化应用进程。 ......
传三星电子调升西安工厂NAND开工率至70%; 【导读】据韩媒The Elec报道，三星电子已将西安工厂的闪存开工率提升至70%。西安工厂是三星电子唯一处于韩国境外的存储......
拟量信息有及时钟信息。本系统利用二字节（共16位）存储16路开关量信息，利用8个字节的存储空间存储8路模拟量信息。为了节省存储空间，系统并非每次存储采集数据时都存储时间标志。由于数据采集以固定的秒间隔来进行，因此......
全新SuperMTP®商标的IP产品，既保留了原本擦写次数多，存储时间长、无需增加额外光罩成本并兼容传统CMOS工艺或BCD、HV等特色工艺的优势，又在可靠性、安全性、可测性、产品一致性方面实现大幅提升......
半年整体需求将恢复。 美光的股价自年初以来下跌了 43%，反映出经济衰退对全球半导体行业的不利影响——通常被视为全球经济状况的晴雨表。这家总部位于爱达荷州博伊西的存储......
十年投资1500亿美元，美光的芯片计划全曝光;美国美光科技是世界领先的内存和存储芯片制造商之一，正在全球范围内进行数十亿美元的新投资，以满足对其领先技术的预期长期需求，尽管......
下一代硅光子技术;中国台湾厂商以台积电(为首，据悉已建立上百人研发团队，日月光投控也积极抢进。 为了应对数据中心对传输速率需求持续提升，以及AI大浪潮来袭，全球......
文章链接： https://zhuanlan.zhihu.com/p/48018717 三极管的关断时间较长(主要是由于三极管关断时的存储时间较长)，因此若TXD发送低电平，DE&RE引脚较长时间后才会升至......
设备带来无与伦比的性能，其主要优势包括：• 业界领先的存储密度，比竞争对手[1]最新产品的存储密度提升高达 28%• 业界领先的 2400 MT/s1 NAND 输入/输出（I/O）速度，比上一代产品提升......
]。 图6 坏块表模块验证电路框图 验证内容分为两部分，首先为不跨分区的自动续存功能验证，其次为跨分区的自动续存功能验证。 不跨分区验证时，验证的存储时长约为1 min。先通......
竞争也将再次升级。 伴随着Flash原厂扩大3D NAND量产规模，大数据和核心应用继续快速增长，相信2017年是存储产业整体快速增长的一年。 3中国闪存芯片布局 我们先看一下中国有哪些正在崛起的存储......
P12G作为一款新QLED电视，采用的是更为先进的量子点Pro 2023技术，这项技术使得电视的色域值提升至157%，有丰富色彩显示能力。此外，在新技术作用下，TCL P12G的色彩纯度比普通液晶电视提升......
前六个月，SK海力士原计划在2025年下半年正式向客户交付HBM4芯片。 据韩媒报道，SK海力士正全力推进第5代1b DRAM的产能提升，计划将月产能从年初的1万片激增至年底的9万片，到明年上半年进一步提升至......
科技作为国产品牌的新生力量，会踏踏实实地走好每一步路，专注存储领域，坚持自主研发，不仅要逐步做到国产化存储，未来更要走出去，让国产品牌在国际上发声，早日迎来中国存储时代！ 封面图片来源：拍信网......
可在边缘处理大量数据，并为时间关键型任务提供近乎实时的决策。美光广泛的汽车内存和存储解决方案组合提供了车辆在行驶中所需的即时性能。我们很高兴与高通合作，助力汽车生态系统加速普及前沿解决方案，打造更安全、更智......
近40年的存储品牌退出历史舞台！铠侠已决定停用浦科特;老牌存储品牌彻底退出历史舞台。 据多家媒体报道，母公司 Kioxia（ 铠侠）已决定停用拥有近40年历史的存储品牌Plextor（浦科......
出样业界首款同时搭载低功耗 DDR5 (LPDDR5) DRAM 的通用闪存 (UFS) 多芯片封装 (uMCP) 产品。这款 uMCP 产品为纤薄紧凑的中端智能手机设计提供了高密度、低功耗的存储解决方案。 美光的......
参数，写检测点需要耗费大量的时间，未经优化的存储集群一次写入检测点需要3个小时。基于对存储集群读写带宽与大模型检测点恢复时间的分析，为提高大模型的训练效率，实现检测点数据60秒以内的写入和读取恢复，前端......
的配置推荐。性能方面：大模型训练过程中检测点文件读写对存储系统读写性能带来巨大挑战。万亿模型需要12~13TB模型参数，写检测点需要耗费大量的时间，未经优化的存储集群一次写入检测点需要3个小时。基于对存储集群读写带宽与大模型检测点恢复时间......
成本，其中Amazon S3可为客户提供多达8级的存储层级。亚马逊云科技近期推出多项成本优化相关的新的存储服务及功能，通过提升数据存储的可视化程度、优化性能、简化管理运维等方式，帮助客户进一步优化存储......
次缔约方大会进一步通过多项决定，减少汞污染、保护人类健康及环境安全。根据大会的修正案内容，中国将从2026年开始禁止生产、进口或出口30瓦以下自镇流荧光灯及电子显示器用冷阴极荧光灯等两类添汞照明产品，并于2027年底之前禁止生产、进口......
电子制造领域，OSP（Organic Solderability Preservative，有机可焊性保护剂）PCB 板因其良好的可焊性和成本效益而被广泛应用。然而，OSP PCB 板存在一定的存储时......
情导致的零部件长短料的问题对于终端产品组装的冲击也逐渐加剧，促使部分厂商开始减少购买相对长料的存储器，尤其以PC OEMs业者的态度最为明显。不过所幸服务器端的需求仍相对有所支撑，带动多数DRAM供应......
再加载第二列FLASH.如此循环进行数据加载，直到最后一片加载完成后，再回到第一片。这样就充分利用了编程阶段的时间，使存储速度得到提升，此过程也称流水线操作。 为了实现流水线的存储方式，本文也用DMA控制......
证用户现场高效且稳定的生产，格劳博中国将柔性产线在大连生产基地内组装、试切，并依据切削数据反复进行优化调整，直线托盘存储系统PSS-L仅用7个月时间便实现了下线交付。得益于格劳博中国大连生产基地的项目规划、设计、制造......
。 图片来源：msi.com 业内对3D NAND堆叠层数的不断追求来源于市场对单芯片存储容量需求的不断提升。由于芯片的微缩化已经接近2x nm性价比极限，通过实现存储......
发展趋势，同时也非常关注中国存储市场的需求和发展，已经为中国客户定制了许多优秀的存储方案。 在存储技术日新月异的关键节点，铠侠确认于11月20日，在深......
“正在测试”，测试结果显示如图4所示。 　　图4 　　此时，可使用功能键F1、F2分别操作仪器进行“重测”、“存储”，如需打印可以按打印键打印当前显示的数据，当选择存储时仪器内部可以存储50组数......

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