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- 支持5.5 V输入电压 - ESD：3000V HBM，2000V CDM - 工作温度:-40℃~125......
的封装及管脚定义 ZJM5400系列具体型号(阻值) ZJM5400系列包含了精心设计的电路，使其具有业内领先的能力：3.5 kV HBM，2 kV CDM，这一特性使其能够在实际使用中大幅简化保护电路设计，以实......
) ZJM5400系列包含了精心设计的静电保护电路，使其具有业内领先的静电保护能力：3.5 kV HBM，2 kV CDM，这一......
-C，CC-逻辑5V/3A 5，支持双口Type C快速充电与单电源 6，2kV HBM和1kV CDM ESD静电防护等级 7，40°C~+125°C工作温度，符合RoHS和无卤素 快充......
、CDM、IEC模型不同，传输线脉冲发生器发出的是静电模拟方波，而传统模式发出的则是RC-LC模式的脉冲波形。 对于其他（CDM、HBM、MM等）的静电模型，在相同损伤能量下，TLP与各......
（Transmission Line Pulse）测试又称为测试，是对静电防护半导体器件进行描述的一种常用方法。1985年由Maloney等人就提出的模拟方法，与传统的HBM、MM、CDM、IEC模型不同，发生......
（Transmission Line Pulse）测试又称为传输线脉冲测试，是对静电防护半导体器件进行描述的一种常用方法。1985年由Maloney等人就提出的模拟方法，与传统的HBM、MM、CDM、IEC模型不同，传输......
Line Pulse）测试又称为测试，是对静电防护半导体器件进行描述的一种常用方法。1985年由Maloney等人就提出的模拟方法，与传统的HBM、MM、CDM、IEC模型不同，发生......
带宽，可支持更高的转速感测，同时具备对静电放电 (ESD)、8kV 人体模型 (HBM) 和 2kV 充电装置模型 (CDM) 的高度保护能力，可确保稳健运作。   这些符合 AEC-Q100 第 0......
锁存器具有高速 30kHz 感测带宽，可支持更高的转速感测，同时具备对静电放电 (ESD)、8kV 人体模型 (HBM) 和 2kV 充电装置模型 (CDM) 的高度保护能力，可确保稳健运作。 这些符合 AEC......
61000-4-2通过±10kV，HBM通过±14kV；TXDx、RXDx和SLPx_N的HBM通过±8kV；所有管脚的CDM通过±2kV。 02产品......
)、8kV 人体模型 (HBM) 和 2kV 充电装置模型 (CDM) 的高度保护能力，可确保稳健运作。 这些符合 AEC-Q100 第 0 级标准的锁存器，采用......
感测带宽，可支持更高的转速感测，同时具备对静电放电 (ESD)、8kV 人体模型 (HBM) 和 2kV 充电装置模型 (CDM) 的高度保护能力，可确保稳健运作。 这些符合 AEC-Q100 第......
覆盖当前和未来高达10.6 GHz的UWB高频频谱。PE423211具有低插入损耗和高隔离度，工作温度范围为零下40℃至零上105℃，在HBM（2000V）和CDM（500V）电压模式下可提供出色的ESD性能。 ......
增强稳固性，这些器件提供的静电放电 (ESD) 保护超过 5kV 人体模型 (HBM) 及 2kV 充电设备模型 (CDM) 的汽车规范。 三种 BOP/BRP 典型值选项可供选择，分别为 10......
超过 5kV 人体模型 (HBM) 及 2kV 充电设备模型 (CDM) 的汽车规范。 三种 BOP/BRP 典型值选项可供选择，分别为 10/-10 高斯、25/-25 高斯及 75/-75 高斯，狭窄......
电路仅需简单配置即可满足CISPR25 Class 5要求。ESD性能方面，NSIP605x实现了±8kV 的ESD (HBM)和±2kV的ESD (CDM)性能。出色的EMI和ESD特性......
电压保护功能可以防止电池错误连接。为了增强稳固性，这些器件提供的静电放电 (ESD) 保护超过 5kV 人体模型 (HBM) 及 2kV 充电设备模型 (CDM) 的汽车规范。三种 BOP/BRP 典型......
电压保护功能可以防止电池错误连接。为了增强稳固性，这些器件提供的静电放电 (ESD) 保护超过 5kV 人体模型 (HBM) 及 2kV 充电设备模型 (CDM) 的汽车规范。三种 BOP/BRP 典型......
极开路输出则有过流限制和齐纳钳位。两款器件的静电放电 (ESD) 保护支持超过 8kV HBM 与 1kV CDM，且具备 40V 负载突降能力。关于 Diodes IncorporatedDiodes 公司......
优势 1) 符合AEC-Q100标准且采用汽车级工艺流程制造； 2) 已通过第三方AEC-100车规级认证； 3) 单体静电HBM......
Dump)。另外，-18V 反向电压保护功能可以防止电池错误连接。为了增强稳固性，这些器件提供的静电放电 (ESD) 保护超过 5kV 人体模型 (HBM) 及 2kV 充电设备模型 (CDM) 的汽......
器件的静电放电 (ESD) 保护支持超过 8kV HBM 与 1kV CDM，且具备 40V 负载突降能力。 关于......
禁用lm5170-q1在低 电流关断模式。 LM5170-Q1主要特性： 1•符合AEC-Q100汽车应用： -设备温度等级1：40度至 + 125度室温工作范围 –装置HBM的ESD等级分类2......
)模块，它通过移动激光雷达点并填充中心点，显式地建模了原始激光雷达点与虚拟实例中心之间的关系。此外，本文提出了一种中心去重模块(CDM)，它可以高效地保留每个实例的唯一中心，消除冗余的中心检测。在......
冲击，避免损伤。 ● 所有IO具有数字滤波功能，提高恶劣环境下抗干扰能力，省去外置滤波电路。 ● ESD：±4KV（HBM模型），±2KV（CDM模型）。 ● 支持工业扩展级工作温度范围：-40℃～105......
述系统异常出现以后，产品输出转变为高阻抗状态，客户可通过配合外部的上拉电阻或者下拉电阻实现诊断高或者诊断低的目的，以实现系统级更高的功能安全。该产品系列具有业界领先的ESD性能，HBM模式高达±8kV......
，HBM模式高达±8kV，CDM模式高达±2kV，提高了在组件的生产制造与终端客户应用中的鲁棒性。 ......
述系统异常出现以后，产品输出转变为高阻抗状态，客户可通过配合外部的上拉电阻或者下拉电阻实现诊断高或者诊断低的目的，以实现系统级更高的功能安全。   该产品系列具有业界领先的ESD性能，HBM模式......
述系统异常出现以后，产品输出转变为高阻抗状态，客户可通过配合外部的上拉电阻或者下拉电阻实现诊断高或者诊断低的目的，以实现系统级更高的功能安全。该产品系列具有业界领先的ESD性能，HBM模式高达±8kV......
现系统级更高的功能安全。 该产品系列具有业界领先的ESD性能，HBM模式高达±8kV，CDM模式高达±2kV，提高了在组件的生产制造与终端客户应用中的鲁棒性。 ......
 ESD：2kV，符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001（HBM，Class 2）、500V，符合JESD22-C101（CDM，Class C2......
ESD目标 GPIO的ESD认证包括人体模型(HBM)>2KV、充电放电管理(CDM)>5A和闩锁(+-100mA)。这三个都必须符合AEC-A100-002-REV-E，这是按照ANSI......
指定的内部功能； 支持Open Wire Detection； 通过了AEC-Q100认证： 器件温度等级2：–40℃~105℃环境工作温度范围； 器件HBM ESD等级分类2级； 器件CDM ESD等级分类C3级......
温度可以支持-40℃~ +105℃，ESD等级HBM模式高达6500V、CDM模式高达2000V，Latchup等级高达800mA。 高性价比：采用12寸创新Flash工艺，优化......
可通过配合外部的上拉电阻或者下拉电阻实现诊断高或者诊断低的目的，以实现系统级更高的功能安全。 该产品系列具有业界领先的ESD性能，HBM模式高达±8kV，CDM模式高达±2kV，提高......
：集成电路的压力测试验证）等可靠性标准的验证，具有较强的防静电能力（实测HBM=5500V，CDM=500V）、较高的数据保持性（Data Retention>10年）和数据存储耐高温性（可达150......
/ Hardware•   静电防护：– HBM ESD：±2kV– CDM ESD：±750V•   全面的诊断保护功能（包括离线负载检测）•   工作温度：Tj=-40°C~150°C•   封装......
口具有高于AEC-Q100-002(HBM)、AEC Q100-011(CDM)要求的ESD能力，采用稳固的TSSOP封装，在系统信号传输及板级应力考验中均有不错的表现。产品特点 ②采用one-shot技术......
± 1% 参考电压Vref 5. 500kHz 工作频率 6. 在1mA下,效率高达80% 7. 在5mA下,效率高达88% 8. ESD: HBM 2KV/CDM 1KV 9. 工作温度: -40~85......
控通讯过程是否超时，判断芯片工作状态；符合AEC-Q100 Grade 1车规可靠性标准，工作温度范围-40℃~125℃；ESD抗干扰能力强，HBM=±8000V、CDM=±2000V，相比......
-Q100还规定了元器件在人体放电模式（HBM）和带电器件模式（CDM）下的电压承受能力 2.AEC-Q101：这是针对车载分立器件的测试标准，主要适用于汽车分立器件和元器件的标准规范。AEC......
•   静电防护： – HBM ESD：±2kV......
亦下足了功夫。以NSOPA801x为例，其HBM可支持高达5kV，而 CDM能在2kV的静电冲击下保持稳健。 轨到轨输入输出、高共模抑制 NSOPA8xxx系列为客户提供输入输出轨到轨性能，输入......
对干扰信号进行高效处理外， ESD防护同样重要，NSOPA8xxx在抗ESD方面亦下足了功夫。以NSOPA801x为例，其HBM可支持高达5kV，而 CDM能在2kV的静电冲击下保持稳健。 轨到轨输入输出、高共......
滤波器提高了高频抗扰度 没有输入滤波器时，电路增益为|R2/R1|。如果添加了无源输入滤波器，通常需要R3电阻来防范CDM电容降低放大器的相位裕度。DM低通滤波器由R1电阻、CDM和两个CCM电容组成。 CM......
ESD方面亦下足了功夫。以NSOPA801x为例，其HBM可支持高达5kV，而 CDM能在2kV的静电冲击下保持稳健。轨到轨输入输出、高共模抑制NSOPA8xxx系列为客户提供输入输出轨到轨性能，输入......
的人体放电模型 (HBM) 和充电器件模型 (CDM) 等波形相反。因为某些环境因素（比如湿度和温度）会使 ESD 冲击更加剧 烈，建议至少使用最小接触等级为 15kV 的 ESD 二极管。  • ISO 10605......
控制路径 集成VBUS开关栅极驱动器（PMOS） VBUS短路保护 VDD = [4.1 V; 22 V]-AMR = 28 V 温度范围：-40°C至105°C ESD = 1.5 kV CDM / 4......
亦下足了功夫。以NSOPA801x为例，其HBM可支持高达5kV，而 CDM能在2kV的静电冲击下保持稳健。 轨到轨输入输出、高共......

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