资讯
测试共源共栅氮化镓 FET(2024-04-09)
测试共源共栅氮化镓 FET;Cascode GaN 动态测试面临的挑战 Cascode GaN 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场，因为......
超共源共栅简史(2023-03-29)
汽车快速充电器和可再生能源的未来
上了年纪的设计师在看到 “” 一词时，可能会联想到 Admiral 的 24 英寸 30 系列电视机。该系列号称 “机箱采用超共源共栅结构，配有额外的真空管，可提......
RECOM扩展栅极驱动 DC/DC 系列产品(2023-12-20)
RECOM扩展栅极驱动 DC/DC 系列产品;
【导读】非对称稳压输出适合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动 - 现在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 转换......
RECOM推出栅极驱动 DC/DC 系列产品扩展(2024-02-27)
RECOM推出栅极驱动 DC/DC 系列产品扩展;
【导读】非对称稳压输出适合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动 - 现在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 转换......
Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计(2024-01-30)
全新 SiC FET 系列的推出彰显了我们致力于为动力总成设计人员提供先进、高效解决方案的承诺，以助力其应对独特的车辆动力挑战。”
这些第四代 SiC FET 采用 Qorvo 独特的共源共栅结构......
Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能(2024-01-30)
第四代 SiC FET 采用 Qorvo 独特的共源共栅结构电路配置，将 SiC JFET 与硅基 MOSFET 合并封装，从而制造出具备宽带隙开关技术效率优势和硅基 MOSFET 简单......
Qorvo 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能(2024-01-30 14:48)
全新 SiC FET 系列的推出彰显了我们致力于为电动汽车动力总成设计人员提供先进、高效解决方案的承诺，以助力其应对独特的车辆动力挑战。”这些第四代 SiC FET 采用 Qorvo 独特的共源共栅结构......
Qorvo® 推出紧凑型 E1B 封装的 1200V SiC 模块(2024-02-29)
电源和太阳能等应用。
Qorvo SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅......
Qorvo® 发布 TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V SiC FET(2023-03-21)
FET 利用 Qorvo 独特的 Cascode 电路结构（即共源共栅），将 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装在一个器件内部，以发挥宽禁带开关技术的高效率优势和 Si MOSFET......
Qorvo推出紧凑型E1B封装的1200V SiC模块(2024-02-29)
引用地址：
电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅......
Qorvo E1B SiC模块：成就高效功率转换系统的秘密武器(2024-06-20)
每单位面积的导通电阻更低。
图2，SiC MOSFET与用于共源共栅电路SiC JFET的截面比较
JFET在功率电路中应用较少使用的一个原因是它作为一种常开型器件，需要负电压才能完全关断。通过使用共源共栅结构，可以......
Qorvo® 发布 TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs(2023-03-21)
的 Cascode 电路结构（即共源共栅），将 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装在一个器件内部，以发挥宽禁带开关技术的高效率优势和 Si MOSFET 简化的门级驱动的优势。
现在......
Qorvo 推出紧凑型 E1B 封装的 1200V SiC 模块(2024-03-01 09:50)
SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅......
革新ZVS软开关技术，Qorvo SiC FET解锁高效率应用潜能(2024-07-25)
，Qorvo SiC FET采用了共源共栅结构，其核心在于使用了沟槽JFET。这一设计消除了平面SiC MOSFET中存在的沟道电阻，取而代之的是一个低压硅MOSFET的沟道电阻。由于......
Qorvo® 推出紧凑型 E1B 封装的 1200V SiC 模块(2024-03-05)
简化热机械设计和装配。我们的共源共栅技术还支持以更高的开关频率运行，通过使用更小的外部元件进一步缩小解决方案的尺寸。这些模块的高效率特性可以简化电源设计流程，让我们的客户能够专注做好单一模块的设计、布局、组装、特性......
全球首批RDS（on）低于10mΩ的碳化硅FET发布(2019-12-10)
器件都采用通用型TO247封装。
这些新型SiC FET整合高性能第三代SiC JFET和共源共栅（cascode）优化的Si MOSFET，这种电路配置能够以常见的封装形式创建一种快速、高效的器件，但仍......
Qorvo收购碳化硅功率半导体供应商UnitedSiC公司(2021-11-05)
器和牵引驱动，以及电信/服务器电源、变速电机驱动和太阳能光伏（PV）逆变器等等都至关重要。
UnitedSiC高性能 FET 基于独特的共源共栅配置，其中高性能 SiC 快速 JFET 与共源共栅优化的 Si......
Qorvo 发布 TOLL 封装的高功率 5．4mΩ 750V SiC FETs(2023-03-21 14:18)
还提供了开尔文连接以实现可靠的高速转换。这些第四代 SiC FET 利用 Qorvo 独特的 Cascode 电路结构（即共源共栅），将 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装在一个器件内部，以发......
UnitedSiC发布首批RDS（on）低于10mΩ的碳化硅FET(2019-12-10)
FET整合高性能第三代SiC JFET和共源共栅（cascode）优化的Si MOSFET，这种电路配置能够以常见的封装形式创建一种快速、高效的器件，但仍然可以用与Si IGBT、Si MOSFET......
Qorvo发布TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs(2023-03-21)
还提供了开尔文连接以实现可靠的高速转换。
这些第四代 SiC FET 利用 Qorvo 独特的 Cascode 电路结构（即共源共栅），将 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装在一个器件内部，以发......
应对 PCS 创新，德州仪器全方位保驾护航(2024-01-12)
得到了实际的量产验证。
德州仪器的 GaN 采用了直驱的常开型 dMode，与采用 Cascode（共源共栅）架构的 dMode 相比，德州仪器的直驱型 GaN 完全没有反向恢复二极管，因此......
为什么矿机电源对效率和可靠性要求越来越高(2022-12-08)
器件将对上述提到的优势进行近乎完美的诠释，帮助矿机电源应对越来越高的用电要求，让“挖矿”更加高效节能。
基于独特共源共栅电路配置的SiC FET
在众多的SiC器件中，SiC FET通常会被认为是一种接近理想的开关方案，通过采用共源共栅结构......
Qorvo®宣布推出集成智能电机控制器和高效SiC FET的电源解决方案(2022-02-11)
收购的 UnitedSiC 带来的新型碳化硅先进共源共栅技术。这款小尺寸解决方案集成了五个构建模块（DC/SC、LDO、MCU、栅极驱动器和放大器）和外部电源开关，共同构成带外部 SiC FET 的三......
SuperGaN使氮化镓产品更高效(2023-10-18)
SuperGaN® 技术是一种共源共栅（cascode）结构的常闭耗尽型（normally-off d-mode）氮化镓平台。该平台特点使得SuperGaN 具备了增强型（e-mode）氮化......
采用28nm FD-SOI技术的汽车级微控制器嵌入式PCM宏单元(2024-07-24)
refcp2）。共源共栅结构支持比较网快速放电。在预充电阶段结束后，释放这些比较网，网络动态电压演变被转换为内部锁存器的数字输出，用于偏置两个PMOS，以产生电源电压vdif1和vdif2。vdif1......
意法半导体氮化镓功率半导体PowerGaN系列首发，让电源能效更高、体积更纤薄(2021-12-17)
5x6 HV 和 2SPAK封装。这些产品预计在 2022 年下半年量产。
此外，G-FET 系列还推出一个新的共源共栅 GaN 晶体管 SGT250R65ALCS，采用 PQFN 5x6封装......
Qorvo为功率设计扩展高性能且高效的750V SiC FET产品组合(2022-08-04)
维持丰富的设计裕量和电路稳健性。这些器件利用独到的共源共栅 SiC FET 技术，其中，处于常开状态的 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装，产生处于常闭状态的 SiC FET，这些器件提供出色的 RDS......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件(2023-03-29)
2）。
图 2：低压硅 MOSFET 与耗尽型GaN FET 的共源共栅配置，会使硅栅结构的稳健性与 GaN 器件的高压时钟特性得到改善，并且使用耗尽型 GaN FET 时让......
射频之外，Qorvo的新战场(2023-04-04)
、1200V、1700V，重点针对1KW以上应用。与市面同类SiC MOSFET产品相比，Qorvo SiC FET 采用独有的Cascode 电路结构（共源共栅），即将 SiC JFET与硅MOSFET......
RECOM 推出适用于高性能栅极驱动应用的微型 DC/DC 转换器(2024-11-06 09:45)
、Si 和 SiC MOSFET 以及 GaN 共源共栅 HEMT 单元对各种栅极驱动电压的要求。例如，产品型号为 R12C2T25/R 的模块可在 9-18 VDC 输入电压下工作，并可编程为 +18......
解决方案，而被 CGD 视为进军目标的功率半导体市场预计到 2027 年市值将超过 500 亿美元。
CGD 的 ICeGaN™（集成电路增强模式 GaN）专利技术将 Cascode（共源共栅）配置......
关于PWM型D类音频功率放大器的设计(2024-09-10)
全桥功率开关电路。
2.6 基准电路
本文所设计的带隙电压基准源结构如图10 所示，主要由核心电路与启动电路两部分组成。
图10 基准电路
核心电路中M1~M12 一起构成共源共栅电流镜来提供直流偏置，运放op1 采用两级共源共栅......
氮化镓取代碳化硅，从PI开始？(2023-11-13)
了Cascode（共源共栅）架构，通过MOSFET与氮化镓并联的方式，实现了器件的常关。而一些厂商则通过建立栅极控制势垒，即所谓的E-Mode（增强型）来实现功率管常关。
Jason解释道，对于E-Mode而言......
SiC在电动车功率转换中的应用(2024-07-23)
半桥，它使用 35mohm，1200V 堆叠式共源共栅开关。开关波形表明，此类器件支持非常快、非常清晰的开关，可以用作本文中所述的所有电路选项的构建块。
图 8：集成驱动器和 FET 级，例如......
器电源等应用。
贸泽电子供应的UJ4C/SC器件采用独特的共源共栅SiC FET技术，其中常开SiC JFET与Si MOSFET封装在一起形成常关SiC FET。这些FET降低了紧凑型内部连接回路的电感，与包......
器电源等应用。
贸泽电子供应的UJ4C/SC器件采用独特的共源共栅SiC FET技术，其中常开SiC JFET与Si MOSFET封装在一起形成常关SiC FET。这些FET降低了紧凑型内部连接回路的电感，与包......
器电源等应用。
贸泽电子供应的UJ4C/SC器件采用独特的共源共栅SiC FET技术，其中常开SiC JFET与Si MOSFET封装在一起形成常关SiC FET。这些FET降低了紧凑型内部连接回路的电感，与包......
Transphorm GaN技术引领氮化镓革命(2024-06-26 17:08)
SuperGaN技术是其产品线中的一大亮点。SuperGaN技术是一种共源共栅（cascode）结构的常闭耗尽型（normally-off D-mode）氮化镓平台。该平台特点使得SuperGaN 具备......
连接与电源：新Qorvo为行业提供更全面的解决方案(2023-03-28)
封装形式，基于独特的 Cascode 电路结构（即共源共栅），将 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装在一个器件内部，可充分发挥宽禁带开关技术的高效率优势和 Si MOSFET 简化......
连接与电源：新Qorvo为行业提供更全面的解决方案(2023-03-28 15:05)
器件，其拥有全球最低的5.4 (mΩ) 的导通阻抗，采用TOLL封装封装形式，基于独特的 Cascode 电路结构（即共源共栅），将 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同......
连接与电源：新Qorvo为行业提供更全面的解决方案(2023-03-28)
TOLL封装封装形式，基于独特的 Cascode 电路结构（即共源共栅），将 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装在一个器件内部，可充分发挥宽禁带开关技术的高效率优势和 Si......
连接与电源：新Qorvo为行业提供更全面的解决方案(2023-03-28)
最新推出的750V SiC FET 器件，其拥有全球最低的5.4 (mΩ) 的导通阻抗，采用TOLL封装封装形式，基于独特的 Cascode 电路结构（即共源共栅），将 SiC JFET 与 Si......
连接与电源：新Qorvo为行业提供更全面的解决方案(2023-04-03)
，可以为新能源汽车相关研发提供助力。值得一提的是，公司最新推出的750V SiC FET器件，其拥有全球最低的5.4（mΩ）的导通阻抗，采用TOLL封装形式，基于独特的Cascode电路结构（即共源共栅......
UnitedSiC推出业界最佳6mΩ SiC FET(2021-09-14)
保持充足的设计裕度和电路鲁棒性。
UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共栅”拓扑结构，其内部集成了一个SiC JFET并将之与一个硅MOSFET封装在一起。这两者结合起来就提供了宽禁带技术的全部优势——可实......
射频和功率协同发力，Qorvo于上海慕尼黑电子展展示领先技术方案(2023-07-25)
FET的产品，这一产品组合来自于此前对于UnitedSiC的并购，而其产品特色在于能够提供业界领先的极地Rds(on)。另外，第四代SiC FET利用了独特的Cascode 电路结构（即共源共栅），将......
镓产品的全球领先企业 Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN) 今日发布了题为『Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势』的最新白皮书。该技术文献科普了共源共栅 (常闭......
Transphorm最新技术白皮书:常闭耗尽型(D-Mode)与增强型(E-Mo(2023-10-19)
管的根本优势』的最新白皮书。该技术文献科普了共源共栅 (常闭) d-mode平台固有的优势。重要的是，该文章还解释了e-mode平台为实现常闭型解决方案，从根本上 (物理层面) 削弱......
镓功率半导体产品的全球领先企业 Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今日发布了题为『Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势』的最新白皮书。该技术文献科普了共源共栅 (常闭......
又刷新了业界记录，PI发布了1700V氮化镓器件(2024-11-11 15:20)
（增强型）氮化镓器件，D-mode结构，具备天然的常通特性。为了确保开关在未加信号时能够保持断开的安全状态，PI在D-mode器件下串联了一个小型MOSFET，形成级联结构。这一“共源共栅”架构让D......
从原理到实例：GaN为何值得期待？(2021-11-30)
良好的热导率加上更高的热耐受力共同提升了器件的使用寿命和可靠性。
GaN器件优越的性能也其器件结构有极大的关系。目前，产业化的GaN器件在走的两种路线是P-GaN方式的增强型器件和共源共栅两种结构，两种结构市场上声音不同，大家......
相关企业
/led显示屏舞台租赁企业。
关于技术：除我们自身有专业领域高级技术人才外，并与20多家高等院校及科研机构保持长久稳定的合作关系，涉及软件、技术、工艺、信息、结构、工程、管理、服务等方面，资源共
;血糖测试纸/血糖试纸/珍岛集团;;上海珍岛实业有限公司是一家集团化公司，公司医疗器械事业部下属有三家子公司，其中赤峰奥派医疗器械有限公司和澳大利亚糖尿病专业科研机构共同研制出新一代血糖试纸，血糖
;上海松飞;;服务平台 信息资源开发 服务百姓大众 整合信息资源 实现资源共享 百姓的需求 我们的追求
;常州新宇过滤设备厂;;常州新宇过滤设备厂是强力永磁除铁设备专业生产厂家，产品填补国内空白。工厂技术力量雄厚，检测手段完备，与多家科研机构共同开发研制新型磁性分离设备。我厂
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;汕头市金嘉源电子有限公司;;我们金嘉源电子在库存，货源，价格上，有明显的优势，也因此让我们的客户群体不断扩大。衷心欢迎与新老客户携手合作，资源共享，实现双赢！
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