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部由一个1mA电流源,所以我们为了保证其工作,则光耦的光敏三极管端至少要在最大时,可以达到1mA,如果在最大的时候都达不到1mA,就有可能出问题。 在计......
力 •50A峰值脉冲电流能力 •精度高,DC增益误差一般小于1% •准确测量最低1mA电流 应用: •电源 •半导体设备 •功率逆变器/转换器 •电子镇流器 •工业/消费电子产品 •移动通信 •马达驱动器 ......
将外部负载连接到电动机的输出端口,这些电动势就会驱动电流流过负载,从而产生电能。这个过程称为回馈发电,也称为电机发电。但是,电动机的回馈发电能力通常比专门设计的发电机要弱。   两个电机发电能永动吗......
值(%) @IF=5mA,VCE=5V, GB等级 100 饱和电流传输比IC/IF(sat) 最小值(%) @IF=1mA,VCE=0.4V, GB等级......
通常用于开关应用。 交流光耦具有两个反向并联的 LED,使得输入电流能够双向流动,从而使每半个周期的交变输入信号都能输出一个半波。    图1:左:直流光耦;右:交流光耦 如何选择合适的光耦合器? 隔离......
在输入侧仅有一个 LED,因此只能输入单向电流。这种光耦通常用于开关应用。 交流光耦具有两个反向并联的 LED,使得输入电流能够双向流动,从而......
具有两个反向并联的 LED,使得输入电流能够双向流动,从而使每半个周期的交变输入信号都能输出一个半波。 图1:左:直流光耦;右:交流光耦   如何选择合适的光耦合器? 隔离电压是一个重要参数,该参......
颗纳芯微参与研发的SiC MOSFET,每颗支持高达1700V的耐压;在1分钟的标准雪崩测试中,NSI7258可耐受2100V的雪崩电压和1mA的雪崩电流,实现业内领先的耐压和抗雪崩能力。于此同时,在......
输入电压Vin、稳压电压,限流电阻R确认TL431的工作电流1mA~100mA) 4)算出限流电阻R的功率,P=(Vin-Vout)*(Vin-Vout)/R,选择合适的电阻R 例如输入电压12V......
让电动汽车牵引逆变器设计更灵活,成本更优的反激控制器;在全球气候变暖和和双碳的背景下,以电能驱动车辆的交通方式在未来出行将占据主要地位。牵引逆变器(Traction Inverter)作为......
部分由于变频器功率会做的比较大,不再适用于IPM的驱动方案,所以会有大功率的IGBT模块来做驱动,这个时候就需要有专门的隔离驱动器来做驱动。 川土微电子正在定义这一款产品,会首先做和光耦驱动的兼容,最大输出电流能力在4A......
值电压为4V。但是只是使用4V电压进行驱动MOS管时,MOS管Rds比较大,MOS管不能流过过大电流,如下图所示: 从图中可以看出,随着栅源电压的增大MOS管的通流能力也就随着增大。所以在驱动......
片集成方案实现了更优的成本效益,且减少了约50%的占板面积,最高通流能力可达200A。该系列产品支持不同的封装耐压、通流能力和响应速度,可覆盖光储系统各个位置的电流检测需求。 降本......
可以在高达125℃的环境温度下轻松驱动频率高达25KHz的功率模块。高达10A的峰值栅极电流和对高dV/dt(>50KV/µs)的抗扰性可实现功率模块的快速开关和低开关损耗。还具......
的离线锂离子电池充电器 ADP3810/3811控制输出的电流驱动直接连接到光耦合器的光电二极管,无需额外电路。其 4mA 输出电流能力可驱动各种光耦合器 - 此处使用 MOC8103。光电晶体管的电流流过RF,在 3845......
器和储能电池/BMS。日前,纳芯微已经与光伏行业的头部客户紧密合作,提供可靠的产品及服务。 图:纳芯微光储系统解决方案总览 纳芯微的产品覆盖广泛,包括:SiC功率半导体、隔离/非隔离驱动芯片、隔离电流......
片集成方案实现了更优的成本效益,且减少了约50%的占板面积,最高通流能力可达200A。该系列产品支持不同的封装耐压、通流能力和响应速度,可覆盖光储系统各个位置的电流检测需求。 降本还意味着芯片需要有更多的功能组合,纳芯......
板面积,最高通流能力可达200A。该系列产品支持不同的封装耐压、通流能力和响应速度,可覆盖光储系统各个位置的电流检测需求。降本还意味着芯片需要有更多的功能组合,纳芯......
%。为了能反映反馈电压的变化,光 耦应工作于线性区,所以当反馈电压为+15V时,设计光耦副边电流1mA,其原边电流IF=1.25mA,原边压降UD=1.2V,I431A≈2mA。此处TL431A作比......
源供电,MAX5353采用+3.3V单电源供电。两款器件的电源电流消耗均小于280µA。 输出放大器的反相输入可供用户实现特定增益配置、远程检测和高输出电流能力。因此,MAX5352/MAX5353非常......
高dv/dt触发工作,省去了驱动引脚,非常适用于浪涌与雷击防护,与气体放电管一样属于撬棒型保护,撬棒型的电气特点可以见如下图,正常工作状态下是关断的,此时漏电流较小,在浪涌电压超过击穿电压VBO时,电路......
型器件,翻转所需的电流一般要5mA以上,而一般只需要1mA。 3)普通光耦随着温度的升高,通讯容易发生异常。为保证可以在全温度范围、全生命周期可靠运行,需要设计复杂外围电路来实现。 4)普通光耦......
必须≥1mA可保证三极管处于饱和状态,此时Ic满足三极管最大的驱动能力。 另外,对于三极管的放大倍数β,指的是输出电流的驱动能力放大了β,比如100倍,并不是把输出电流真正的放大了100倍,切记。......
考虑三极管的情况下,b极电阻与下拉电阻的分压必须大于0.7V,PNP同理。 b极电流必须≥1mA可保证三极管处于饱和状态,此时Ic满足三极管最大的驱动......
状态下产生的功率小,发热少; 3.低热阻:正常工作时发热量小; 4.高雪崩耐量:发生异常短路情况时会产生较大的电压电流尖峰,高雪崩耐量可使MOS管不被击穿; 5.短路电流能力强:短路瞬间会产生较大电流,MOS......
博通SiC/GaN栅极驱动器助力绿色能源低碳转型;光耦用于在控制电路与高压和功率半导体之间提供增强的电绝缘,抑制高共模噪声的能力将防止在高频切换过程中功率半导体的错误驱动。该类......
直流偏移作为耦合器电路的输出信号中心时的电压。   图6.光耦合器试验板连接。 使用电压-电流转换器驱动LED 将LED置于作为电压-电流转换器的运算放大器的反馈回路中,可以大大降低LED的非......
/us共模抗干扰、30V输出端供电和低至50ns传输延时等关键指标。是一款隔离型半桥门极驱动器,具有高达 4A 的拉灌峰值电流能力。利用 MPS 专有的高压容性隔离技术,可以实现高达 5KVRMS......
电压更高,要求驱动器输出电压范围摆幅更宽。此外,产品开关速率要更快,并降低开关损耗,驱动器具有输出更大的Source或Sink电流能力,芯片内部上升或下降时间更短,传输延时更小。 碳化硅驱动......
源供电,MAX5173采用+3V单电源供电。输出放大器的反相输入可实现特定增益配置、远程检测和高输出电流能力。因此,MAX5171/MAX5173非常适合用于包括工业过程控制的各种应用。两款器件的电源电流......
MOSFET 时,选择合适的栅极驱动器光耦合器非常重要,因为该驱动器的电流和额定功率决定了 IGBT 或 MOSFET 导通或关断的速度。 IC 允许额定功率内的栅极驱动电源操作栅极驱动光耦......
成的可编程输出光电检测器逻辑门结合在DIP-8、SMD-8和 SOIC-8封装中。光耦每通道最大供电电流仅为5 mA,接通门限电流低,典型值为2 mA,微控制器直接连接不需要增加驱动级,从而......
特性: - 具备超强驱动能力,可以提供最大5A的拉灌电流 - 提供轨到轨输出和非轨到轨输出两个版本 - 输入侧电源电压VCC:3V至5.5V - 输入方式兼容光耦电流型输入,可耐-6.5V反向电压 - 驱动......
隔离器的输入。光耦由电流输入驱动,而数字隔离器由电压输入驱动——CMOS 或晶体管逻辑。 光耦合器可以通过控制电压和电流的串联电阻器驱动数字设备输入,例如微控制器、模数转换器和数模转换器。输入电流......
轨到轨输出和非轨到轨输出两个版本 - 输入侧电源电压VCC:3V至5.5V - 输入方式兼容光耦电流型输入,可耐-6.5V反向电压 - 驱动器侧电源正压轨VCC2:高达35V......
路使用MAX17690无光耦反激控制器,器件采用16引脚TQFN封装,带裸焊盘。利用MOSFET代替副边二极管,可支持同步整流,实现89.6%的效率。电路使用MAX17606副边同步整流器驱动器,器件采用6引脚......
轨到轨输出和非轨到轨输出两个版本- 输入侧电源电压VCC:3V至5.5V- 输入方式兼容光耦电流型输入,可耐-6.5V反向电压- 驱动器侧电源正压轨VCC2:高达35V- 驱动器侧电源负压轨VEE2:高达......
轨到轨输出和非轨到轨输出两个版本- 输入侧电源电压VCC:3V至5.5V- 输入方式兼容光耦电流型输入,可耐-6.5V反向电压- 驱动器侧电源正压轨VCC2:高达35V- 驱动器侧电源负压轨VEE2:高达......
系统鲁棒性。                                                NSi68515产品特性: - 具备超强驱动能力,可以提供最大5A的拉灌电流 - 提供轨到轨输出和非轨到轨输出两个版本 - 输入侧电源电压VCC:3V至5.5V - 输入方式兼容光耦电流型输入,可耐-6.5V反向......
成控制信号用来调节LED的驱动电流,输出PIN光电二极管产生与LED伺服光通量线性相关的输出信号。使用经过匹配准确跟踪LED输出光通量的PIN光电二极管,可确保输入输出耦合时间和温度的稳定性。 VOA300......
Vishay推出采用数字输入输出接口的25 MBd光耦,简化设计并降低成本;器件脉宽失真低至6 ns,供电电流仅为2 mA,工作温度高达+110 C,适于各种工业应用 美国 宾夕......
VOIH063A适用于数据通信、高速A/D和D/A转换、信号电平转换以及自动化设备、电机驱动器和电动工具高压防护。器件内部屏蔽确保最小瞬态共模噪声抑制(CMTI)达15 kV/μs。光耦接通门限电流和供电电流......
东芝推出智能栅极驱动光耦,有助于简化功率器件的外围电路设计;东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布扩大其智能栅极驱动光耦产品线,推出一款输出电流为2.5A的智能栅极驱动光耦......
东芝推出智能栅极驱动光耦,有助于简化功率器件的外围电路设计;东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布扩大其智能栅极驱动光耦产品线,推出一款输出电流为2.5A的智能栅极驱动光耦......
将高效输入LED与集成的可编程输出光电检测器逻辑门结合在DIP-8、SMD-8和 SOIC-8封装中。光耦每通道最大供电电流仅为5 mA,接通门限电流低,典型值为2 mA,微控制器直接连接不需要增加驱动级,从而......
将高效输入LED与集成的可编程输出光电检测器逻辑门结合在DIP-8、SMD-8和 SOIC-8封装中。光耦每通道最大供电电流仅为5 mA,接通门限电流低,典型值为2 mA,微控制器直接连接不需要增加驱动级,从而......
制器直接连接有效帮助简化设计。 VOIH72A开关速度快,脉宽失真低,适用于数据通信、脉宽调制以及自动化设备、电机驱动器和电动工具高压防护。器件最小瞬态共模噪声抑制(CMTI)达20 kV/μs。光耦供电电流低,是电流......
东芝推出用于IGBT/MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦;东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用薄型SO6L封装的两款光耦---“TLP5705H”和......
所需的绝对最短死区时间。对于IRIGBT,最短死区时间可设置为500ns。从左图可看出,这种情况下的电压失真极小。同样,相电流也是很好的正弦波,因此扭矩纹波极小。右图显示死区时间提高到1µs时的线电压和相电流。此值更能代表光耦合栅极驱动......
制器直接连接有效帮助简化设计。VOIH72A开关速度快,脉宽失真低,适用于数据通信、脉宽调制以及自动化设备、电机驱动器和电动工具高压防护。器件最小瞬态共模噪声抑制(CMTI)达20 kV/μs。光耦供电电流低,是电流......

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;一路通股份有限公司;;关于RS485驱动负载的数量,一般标准为32个。驱动负载数量还取决于产品所选用的RS485接口芯片,有的能驱动64个负载,有的能驱动128个。SE系列的相关产品采用的都是能驱动
;云南领跑科技有限公司;;我公司是一家专业从事大功率IGBT驱动模块的开发与应用的企业。我公司研发的大功率IGBT智能驱动模块在充分吸收和借鉴国外最新技术的基础上自主创新,研制
;深圳市威普尔科技有限公司;;深圳市威普尔科技有限公司成立于2011年3月,是领跑科技有限公司的深圳营销中心,领跑科技是一家专门从事高新技术研发、运用的科技型企业。公司主要从事大功率IGBT智能驱动
源.太阳能驱动源等.主要为节能灯,镇流器,小家电,汽车音响,开关电,.显示器等配套.价格优先,诚信质量.欢迎来人来电资询,订购!!!!!!
)电力电子器件:IGBT、隔离驱动变压器、驱动光耦。长期提供各种IGBT模块、变频器变压器、驱动光耦
实业服务覆盖从样品技术支持到半导体供应,从半导体产品供应到解决方案及控制板供应。 主要经营的半导体产品有:MCD(直流无刷,有刷马达驱动),MCU(家用,车用单片机),IPM(变频,马达智能驱动模块),IGBT(家电
发了新一代具有国际领先水平的焊机整流组件,并获得国家发明专利。本产品采用整流元件双面散热工艺技术,克服了国内外整流组件单面散热带来的散热能力差,允许过电流能力小等诸多弊病。新一代整流组件,散热面积提高一倍,允许过电流能力提高50%,具有
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高压LDO 供应输出电流为300MA的耐高压LDO 供应可替代HT71** HT75** HT73**的耐高压IC*供应LED驱动恒流IC 供应LED降压恒流IC 供应LDO降压恒流的LED驱动IC