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微电子将成为公司控股子公司。上述并购计划已通过民德电子董事会审议,尚须股东大会批准。 据了解,广芯微电子主营业务为高端特色工艺半导体晶圆代工,目前已量产的产品包括MOS场效应二极管、特高压DMOS系列产品、高压......
正处于机电安装及洁净室装修等室内工程阶段,预计到今年春节前实现通线投产。 与此同时,民德电子称,广微集成主要销售产品MOS场效应二极管(MFER)在目前合作的代工厂月产能为6英寸晶圆片6000-8000片,与上......
值)。 ADuM4137 提供现场温度编程功能。可以使用两个温度传感器引脚,通过套件初级端的串行端口接口 (SPI) 总线,对 IGBT 的系统温度、感应二极管增益和偏移进行隔离式监控。值存......
司smartIDM生态圈战略的关键环节,一期规划6英寸硅基120万片/年的晶圆代工产能,目前正处于建设阶段。 民德电子透露称,广芯微电子项目预计将于2023年上半年投产,项目投产后,将以公司成熟的MOS场效应二极管......
过一个逆变器将直流电逆变成交流电接入电网;微型逆变器则对每块组件进行逆变。其优点是可以对每块组件进行独立的MPPT控制,能够大幅提高整体效率,同时也可以避免集中式逆变器具有的直流高压、弱光效应差、木桶效应......
式振荡器主要是利用负阳器件的这一特性来抵消电路中的正阻器件所产生的损耗,当达到动态平衡时,振荡便会产生。 振荡电路中的有源器件(包括雪崩二极管、Gunn效应二极管、晶体三极管等)充当着负阻角色。 与只需在直流偏置状态下便可产生负阻的二极管......
本不高。 缺点:一旦接反需要更换保险丝,操作比较麻烦。 3、正接反接都可正常工作的电路 优点:输入端无论怎样接,电路都可以正常工作。 缺点:存在两个二极管的压降,适用于小电流电路。 4、N沟道增强型场效应......
这个电路的楼主被众多网友痛批。说是DS之间存在一个二极管根本没法实现。楼主没有注明场效应管的管脚名称,由于存在一个应用场效应管的惯性思维,导致楼主蒙冤。其实场效应管只要在G和S极之间建立一个合适的电压就会完全导通。导通之后D和......
都可以正常工作。 缺点: 存在两个二极管的压降。适用于小电流电路。 4、N沟道增强型场效应......
)。 三、晶体二极管......
什么是SMT分立器件?有哪些类型?内部结构是怎样的?; SMT分立器件包括各种分立半导体器件,有二极管、晶体管、场效应管,也有由两三只晶体管、二极管组成的简单复合电路。 典型......
允许误差±1%±2%±5%±10%±15%±20%如:一瓷片电容为104J表示容量为0.1uF、误差为±5%。 三、晶体二极管 晶体二极管......
上的正向压降与温度有关。电压看起来具有正温度系数,因此根据肖克利理想二极管方程,它取决于掺杂浓度和工作温度。 温度系数可能像普通热敏电阻一样为负,也可能像在低于 20 开氏度的温度下工作的温度感应二极管......
氧化镓半导体器件,中国再获重要进展;高功率氧化镓肖特基二极管 如何开发出有效的边缘终端结构,缓解肖特基电极边缘电场是目前氧化镓肖特基二极管研究的热点。由于氧化镓P型掺杂目前尚未解决,PN结相......
整流桥的作用是将来自交流电源的电流转换为单向的直流电流供给电机或其他负载。它通常由四个二极管组成,排列成一个桥式电路。这些二极管被安置在一个特定的方式,使得交流电流能够依据输入电压的正负半周而相应地流过负载。 整流桥的原理是基于二极管......
有望实现高速半导体开关 隧道二极管是江崎玲于奈1958年8月时发明的,当时他在东京通讯工业株式会社(现在的索尼)。1973年时江崎玲于奈和布赖恩·约瑟夫森因为发现上述半导体中的量子穿隧效应......
以实现不同VDD(芯片工作电压)的MCU之间进行串口通信。 该电路的核心在于电路中的MOS场效应管(2N7002)。他和三极管的功能很相似,可做开关使用,即可控制电路的通和断。不过比起三极管......
进行串口通信。 该电路的核心在于电路中的MOS场效应管(2N7002)。他和三极管的功能很相似,可做开关使用,即可控制电路的通和断。不过比起三极管,MOS管有挺多优势,后面将会详细讲起。下图是MOS管实物3D......
进行串口通信。 该电路的核心在于电路中的MOS场效应管(2N7002)。他和三极管的功能很相似,可做开关使用,即可控制电路的通和断。不过比起三极管,MOS管有挺多优势,后面将会详细讲起。下图是MOS管实......
所能实现的压降的一小部分。因此,同步整流器的损耗将比二极管低得多,有助于提高整体效率。 由于必须同步用于开关FET的栅极信号,因此相比基于二极管的整流器,电路设计更为复杂。与必须去除二极管......
”,截止场效应管。 内部上拉电阻阻值很大,经过测量大致在330KΩ左右,而内部电源Vcc仅仅+5V,这样以P1.X高电平驱动发光二极管为例,场效应管截止,相当于Vcc通过330KΩ的电阻向二极管......
领域首次报道的高温击穿特性。 ▲图1.结终端扩展NiO/β-Ga2O3异质结二极管(a)截面示意图和器件关键制造细节,(b)与已报道的氧化镓肖特基二极管及异质结二极管的性能比较 02增强型氧化镓场效应......
二极管、BJT 均为双极型载流子器件,其电导调制效应起主导作用,因此电流越大,阻性越低;温度越高,(电导调制效应越强,载流子浓度越高)阻性越小。 微观世界的神秘风采 好奇......
,输出为S;P沟道的电源输入为S,输出为D;且增强型、耗尽型的接法基本一样。 红色箭头指向G极的为NMOS,箭头背向G极的为PMOS ▉ 寄生二极管 由于生产工艺,一般的MOS管会有一个寄生二极管......
再次强调,在继电器端必须并联一个续流二极管,否则开关继电器的同时可能会损坏三极管。 对于需要提供大电流才工作的LED电路,我们也必须考虑使用三极管来驱动,有时甚至会需要多个三极管同时才能驱动。 场效应......
代半导体材料氮化镓(GaN)和SiC功率器件表现出越来越优越的特性。从理论上讲,SiC器件的WBG是硅的三倍,因此可以实现约600°C的结温。 以下是对有前途的碳化硅功率器件的简要介绍。 二极管 碳化硅肖特基势垒二极管......
艾迈斯欧司朗推出生命体征监测系列新品,新产品组合实现更高系统效率和灵活性; · 通过艾迈斯欧司朗生命体征监测新产品,客户可根据自身要求,用改进后的发射器、光电二极管......
、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨,每年可交付1000多亿......
匹克盛会”。中国科大国家示范性微电子学院龙世兵教授课题组两篇关于氧化镓器件的研究论文(高功率氧化镓肖特基二极管和氧化镓光电探测器)成功被大会接收,这也是中国科大首次以第一作者单位在IEEE IEDM上发......
件的专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia......
管还是P管可以用数字万用表测量测试两个PN结是否正常。 场效应管:测试场效应管的体内二极管的PN结是否正常,测试GD,GS是否有短路。 电容:无极性电容,击穿短路或脱焊,漏电严重或电阻效应。 电解......
连接的晶体管的漏极并测量电流,注意vgs=vth并忽略体效应,我们可以计算输出电阻为:   •方程式4。   从方程式4中,我们可以看到二极管连接的晶体管的输出电阻大约等于其跨导的倒数。该值......
电压总是等于栅极电压。因此,当电流流动时,它总是饱和的,就像我们在方程式3中看到的那样:   •方程式3。   如果我们将测试电压源连接到二极管连接的晶体管的漏极并测量电流,注意vgs=vth并忽略体效应,我们......
I 最大:5A + / – 60V 基于 FET 的 100W 音频放大器零件清单: R1 27kΩ C1 1uF 63V D1 1N759A 0.5W 12V 齐纳二极管 R2 4.7kΩ......
怎么使用万用表测量电路电压、电流、电阻、二极管、三极管、场效应管;一、电压的测量1、直流电压的测量,如电池、随身听电源等。首先将黑表笔插进“com”孔,红表笔插进“V Ω ”。把旋......
常用的16种电子元器件的图片、名称、符号!挺全的,值得收藏!; 电子电路中常用的器件包括:电阻器(含电位器)、电容器、电感器、变压器、二极管、三极管、光电器件、电声......
件的专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia......
机损坏或者接触不良导致检测不到芯片。 6.9 下载成功后对应单片机显示相关现象。如上程序则单片机P1.0对应二极管点亮。 ......
微逆变器参考设计用一个交错有源箝位反激变换器实施,交错拓扑可以均流输入输出电流,可以实现低的铜损和铁损,电流均流后输出二极管导通损耗可以减小,可以帮助提升总体效率。 这里还有两个另外的原因去实施交错设计,如减小输出电流纹波,帮助......
生产大批量基础半导体器件的专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部......
接成振荡器工作模式。振荡器的输出连接至场效应管IRF540(T1),风扇则连接在T1的漏极D和电池正端之间。      C1并接在风扇两端以稳定转速,二极管D1用来保护T1免受反电动势的冲击。2A容量......
TI推出支持业界最低功耗的智能旁路二极管SM74611;TI推出一款采用标准表面贴装封装并支持 15A 电流处理功能与业界最低功耗的智能旁路二极管。与采用 3 个传统肖特基二极管......
速度,驱动二极管、VCSEL或LED,而且具有小尺寸、低能量及低成本等优势。 由于氮化镓场效应晶体管及集成电路提供大电流脉冲、超窄脉宽及小尺寸,所以可以实现不昂贵并且高性能的激光雷达系统。窄脉......
桥输出无法对输入转换做出响应。这种情况下,上桥栅极驱动器的电平转换器将缺少工作电压余量。需要注意的是,大多数事实证明上桥通常不需要在一个开关动作之后立即改变状态。 图8  信号丢失情况下的波形 考虑闭锁效应 最完整的高电压栅极驱动集成电路都含有寄生二极管......
Nexperia Nexperia,作为生产大批量基础半导体器件的专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN......
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC......
品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨,每年......
有效抑制VDD或BST引入的高频干扰,有利于保持栅极驱动信号幅值稳定,保护GaN开关管栅级免受过压应力的影响。 由于GaN器件可以实现反向导通,替代了普通MOSFET体二极管的续流作用,但是......
模拟电路入门100个知识点!; 1、在常温下,硅二极管的门槛电压约为 0.5V ,导通......
驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管,也就是一个耗尽型器件,它可以工作在负、零、甚至略微正偏压条件下[2].由于衬底电压影响与反型层(即导电沟道)相连的耗尽层厚度,通过MOS晶体管的体效应......

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检波. 混频二极管,阶跃.PIN.体效应二极管,恒流.变容二极管,砷化镓.肖特基.快恢复二极管,开关.整流.高反压二极管和大功率金封稳压管。金属圆帽三极管,高频发射管,差分对管,场效应管,可控硅,达林顿管,放大
;北京凯特科技有限公司;;本公司长期供应二极管
;深圳紫晶电子有限公司;;我司长期供应二,三极管,场效应管,可控硅,IC芯片及成品,已与多家知名企业合作,代理多种品牌,质量保证。
;深圳市安裕达电子;;二极管、三极管、开关二极管、肖特基三极管、瞬变二极管、PIN结二极管、大/中/小功率三极管、高频管、带阴三极管、复合管、整流二极管、快恢复二极管、稳压二极管、整流桥、射频
;鸿鑫电子;;长期销售拆机电子元器件;电解电容;肖特基二极管;快恢复二极管;整流二极管;场效应管;三极管;安规电容;15089115399
;宏辉电子;;长期销售拆机电子元器件;电解电容;肖特基二极管;快恢复二极管;整流二极管;场效应管;三极管;安规电容;整流桥堆、、、
;金成电子(香港)有限公司;;场效应管 肖特基二极管 快速恢复二极管 三端稳压 三极管等等...
/TO-126/TO220.双极型晶体管/场效应管/可控哇/高频利噪声晶体管/稳压电管/电子节能灯 镇流器专用.SOD-123/SOD-323二极管.TO-23二极管.TO-23双型晶体管.集成电路.代理
;宏辉电子商行;;宏辉电子是专业销售拆机电子元器件;电解电容;肖特基二极管;快恢复二极管;整流二极管;场效应管;三极管;安规电容;整流桥堆、、、
;深圳诚桩电子;;场效应管MOSFET,IGBT,电源驱动IC,快恢复二极管,肖特基二极管,SMD元件!