资讯
我国研发出首个室温超快氢负离子导体(2023-04-06)
还原电势，已经成为研究者们关注的重点。“近年来，科学家已经开发了几种氢负离子导体，比如碱土金属氢化物和稀土金属氧氢化物，它们以能够实现快速氢迁移而闻名。”陈萍说，然而它们都不能在室温环境下实现超离子传导。
此次......
AMETEK氧化锆氧分析仪的工作原理和常见故障有哪些(2023-05-23)
易于维护和保养是十分重要的。
3、氧化锆测氧原理
电解质溶液靠离子导电，具有离子导电性质的固体物质称为固体电解质。固体电解质是离子晶体结构，靠空穴使离子运动而导电，与P型半导体靠空穴导电的机理相似。
纯氧化......
英特尔发布硅自旋量子芯片：用上EUV工艺(2023-06-16)
栅极和接触层加工技术。
在硅自旋量子比特中，信息(0/1)被编码在单个电子的自旋(上/下)中。
硅自旋量子比特本质上是一个单电子晶体管，因此英特尔能够采用与标准CMOS(互补金属氧化物半导体)逻辑......
柔性32比特微处理器问世(2021-07-22)
柔性32比特微处理器问世;据英国《自然》杂志21日发表的一项电子学最新进展，英国一个科研团队报告称，他们结合金属氧化物薄膜晶体管和柔性聚酰亚胺，制成了一种柔性32比特微处理器，这一......
钠电池正极材料技术路线多样，我国布局企业快速增多(2023-04-19)
国钠电池正极材料行业市场深度调研及发展前景预测报告》显示，目前，全球已经开发问世的钠电池正极材料种类众多，主要包括过渡金属氧化物、聚阴离子类化合物、普鲁士蓝类化合物等几大类，其中，过渡金属氧化物又包括层状氧化物、隧道状氧化物两种，研究......
基于硅纳米波导倏逝场耦合的超紧凑光学式MEMS加速度计(2022-12-27)
基于硅纳米波导倏逝场耦合的超紧凑光学式MEMS加速度计;近些年，加速度计因其体积小、功耗低、易于与互补金属氧化物半导体晶体管集成电路（CMOS IC）整合而受到持续关注。目前已经开发了电容、压阻......
2024年度动力电池新时代——钠离子电池的崛起(2024-06-24)
了多种技术路线。接下来，我们将详细介绍其中一种主流的技术路线：层状氧化物+碳基。
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正极材料——层状过渡金属氧化物目前，钠离子电池正极材料的研发有多条技术路线，主流的有层状过渡金属氧化物、聚阴离子......
英特尔发布全新硅自旋量子比特芯片Tunnel Falls，推动量子计算走向实用(2023-06-16 10:20)
/下）中。硅自旋量子比特本质上是一个单电子晶体管，因此英特尔能够采用与标准CMOS（互补金属氧化物半导体）逻辑生产线类似的流程制造它。
英特尔认为，硅自旋量子比特比其他量子比特技术更有优势，因其可以利用先进晶体......
英特尔发布全新硅自旋量子比特芯片Tunnel Falls，推动量子计算走向实用(2023-06-16 10:20)
/下）中。硅自旋量子比特本质上是一个单电子晶体管，因此英特尔能够采用与标准CMOS（互补金属氧化物半导体）逻辑生产线类似的流程制造它。
英特尔认为，硅自旋量子比特比其他量子比特技术更有优势，因其可以利用先进晶体......
英特尔发布全新硅自旋量子比特芯片Tunnel Falls，推动量子计算走向实用(2023-06-15)
/下）中。硅自旋量子比特本质上是一个单电子晶体管，因此英特尔能够采用与标准CMOS（互补金属氧化物半导体）逻辑生产线类似的流程制造它。
英特尔认为，硅自旋量子比特比其他量子比特技术更有优势，因其可以利用先进晶体......
英特尔发布硅自旋量子芯片：用上EUV工艺、95%良率(2023-06-16)
栅极和接触层加工技术。
在硅自旋量子比特中，信息（0/1）被编码在单个电子的自旋（上/下）中。
硅自旋量子比特本质上是一个单电子晶体管，因此英特尔能够采用与标准CMOS（互补金属氧化物半导体）逻辑......
英特尔发布全新硅自旋量子比特芯片Tunnel Falls，下一代量子芯片将于2024年推出(2023-06-20)
码在单个电子的自旋（上/下）中。硅自旋量子比特本质上是一个单电子晶体管，因此英特尔能够采用与标准CMOS（互补金属氧化物半导体）逻辑生产线类似的流程制造它。
英特尔认为，硅自......
室温打印金属氧化物薄膜实现，可制造坚韧透明的柔性电路(2024-08-16)
室温打印金属氧化物薄膜实现，可制造坚韧透明的柔性电路;据15日《科学》杂志报道，包括美国北卡罗来纳州立大学和韩国浦项科技大学在内的国际研究团队，展示了一种在室温下打印金属氧化物薄膜的技术，并利......
英特尔发布全新硅自旋量子比特芯片Tunnel Falls(2023-06-16)
管，因此英特尔能够采用与标准CMOS（互补金属氧化物半导体）逻辑......
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管(2023-01-04)
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管;
二维(2D)半导体，如二硫化钼和黑磷，可以与硅技术竞争，因为它们的原子级厚度，优异的物理性能，并与经典的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术......
三菱电机发布商用手持双向无线电用6.5W硅射频高功率MOSFET样品(2024-03-05)
三菱电机发布商用手持双向无线电用6.5W硅射频高功率MOSFET样品;
【导读】三菱电机集团近日（2024年2月27日）宣布，将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频（RF）高功率金属氧化物半导体场效应晶体......
三菱电机开始提供用于xEV的SiC-MOSFET裸片样品(2024-11-15)
）电驱逆变器的碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）裸片样品。这是三菱电机首款标准规格的SiC-MOSFET功率半导体芯片，将助力公司应对xEV逆变器的多样化需求，并推动xEV的日......
突破性方法将“顽固”金属转化为薄膜(2023-05-25)
突破性方法将“顽固”金属转化为薄膜;
研究人员开发出一种突破性的方法来制造高质量的金属氧化物薄膜。图片来源：明尼苏达大学
美国明尼苏达大学双城分校领导的一个团队开发出了一种首创的突破性方法，可以......
基础知识之烟雾传感器和空气质量传感器(2024-03-11)
设备现在体积小、便携，广泛用于工业卫生应用。随着人们对环境污染的关注增加，对空气质量监测的需求也逐渐增加。空气质量传感器简史
2：常见空气质量传感器工作原理介绍
（1）金属氧化物半导体式传感器
工作......
中韩科研人员在新型半导体材料和器件领域取得重大突破(2024-04-11)
研究首创高迁移率稳定的非晶P型(空穴)半导体器件，突破该领域二十余年的研究瓶颈。这一突破将进一步推动现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的发展。
相比于多晶半导体，非晶体系具有诸多优势，如低......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
技术。另外，晶体管也从MOSFET演变为FD-SOI、Bulk FinFET和SOI FinFET。
MOS诞生之初，栅极材料采用金属导体材料铝，因为铝具有非常低的电阻，它不会与氧化物......
超越锂：一种很有前途的镁可充电电池正极材料(2023-02-16)
能正极材料的缺乏阻碍了它们的发展。与锂离子对应物一样，过渡金属氧化物是
MRB 中的主要阴极材料。然而，镁离子在氧化物内部的缓慢扩散造成了一个严重的问题。为了克服这个问题，一些研究人员探索了硫基材料。但是用于 MRB
的硫......
北方华创携手睿科微赋能全球首颗嵌入式RRAM显示驱动芯片(2024-08-28 08:50)
，是混合技术集成电路，结合了双极型晶体管、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）的优点，常用于功率放大器和电源管理电路。[5] 信息来源：英飞凌官网......
钠电风起，宁德时代、中科海钠谁成新一代电池“钠王”？(2023-03-21)
式为NaxMO2（M代表镍、钴、铁、锰等过渡金属），在钠离子嵌脱过程中，利用其结构的良好可调节性，通过将不同过渡金属元素互相掺杂或取代可以制备出不同的二元、三元甚至多元的层状过渡金属氧化物。
目前主流层状氧化物......
北方华创携手睿科微赋能全球首颗嵌入式RRAM显示驱动芯片(2024-08-27)
] 双极CMOS DMOS，是混合技术集成电路，结合了双极型晶体管、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）的优点，常用于功率放大器和电源管理电路。
[5] 信息来源：英飞......
ABLIC推出面向智能手机、可穿戴设备的1节电池保护IC「S－821A/1B系列」(2024-10-31 10:02)
Transistor /金属氧化物半导体场效应晶体管） (*2) 正端保护：在电池的正极侧与负载之间插入MOSFET，发生异常时通过关闭MOSFET来切断通电路径，保护电路及设备Figure Example......
无序晶体镁铬氧化物有望用于未来的电池技术(2023-02-17)
无序晶体镁铬氧化物有望用于未来的电池技术;
UCL 和伊利诺伊大学芝加哥分校的研究人员发现，微小、无序的氧化镁铬颗粒可能是新型镁储能技术的关键，与传统锂离子电池相比，这种......
新型电极材料可提高混动汽车超级电容器的性能(2023-02-06)
可以改善存储和保留电荷的性能，而且增加了能量和功率密度，这要归功于电极材料的独特形态。
下一代电子设备和混动汽车，需要出色的电荷存储设备，才能正常运行。目前，大多数电荷存储设备，由传统的金属硫化物或金属氧化物......
英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破，将用于未来制程节点(2023-12-10)
尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物半导体）这两大CMOS关键组件。此外，英特......
英特尔在IEDM 2023上展示3D堆叠、背面供电、背面触点研究成果(2023-12-10)
管物理栅极长度有机会微缩到10纳米以下。在IEDM 2023上，英特尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物......
英特尔在IEDM 2023上展示3D堆叠、背面供电、背面触点研究成果(2023-12-11 11:28)
尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物半导体）这两大CMOS关键组件。此外，英特......
祛魅固态电池：一文看懂这项大火的技术(2024-08-15)
寿命短，一般在600-800次。
液态锂离子电池的四大核心材料构成
而现在，把电解质从液态变为固态，命名就更靠近电解质了。
固态电池正极通常由锂过渡金属氧化物......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-25 09:55)
长出一个多层TMDC结构。资料来源：东京都立大学
场效应晶体管（FET）是几乎所有数字电路的一个重要组成部分。它们根据跨接的电压来控制电流的通过。虽然金属氧化物半导体场效应晶体管（或称MOSFET）构成了当今使用的大多数场效应晶体......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-23)
长出一个多层TMDC结构。资料来源：东京都立大学
场效应晶体管（FET）是几乎所有数字电路的一个重要组成部分。它们根据跨接的电压来控制电流的通过。虽然金属氧化物半导体场效应晶体管（或称MOSFET）构成了当今使用的大多数场效应晶体......
稀土VS半导体，哪个更重要 ？(2021-03-15)
分市场。
稀土金属是位于元素周期表ⅢB族中钪、钇、镧系17种元素的总称，第一个稀土元素发现距今已有227年。之所以命名为稀土，是当时受到古希腊哲学的影响，认为世间万物皆由空气、水、火和土构成，所有氧化物都......
SK启方半导体推出HVIC工艺技术，扩大高压代工服务组合(2024-10-25 08:55)
收来自微控制器单元（MCU）的控制信号，并直接驱动高压金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）或绝缘栅双极晶体管（IGBT）等栅极，它们被广泛应用于各种电力产品，包括大型白色家电的电机驱动器、数据......
SK启方半导体推出HVIC工艺技术，扩大高压代工服务组合(2024-10-24)
收来自微控制器单元（MCU）的控制信号，并直接驱动高压金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）或绝缘栅双极晶体管（IGBT）等栅极，它们被广泛应用于各种电力产品，包括大型白色家电的电机驱动器、数据......
ADRF5301数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:45)
加到 VDD 引脚的 3.3 V 单一正电源供电。该器件采用兼容互补金属氧化物半导体 (CMOS)/低电压晶体管至晶体管逻辑 (LVTTL) 的控制。
ADRF5301 采用符合 RoHS 标准......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
构和参数进行模拟仿真。
2、外延片制造流程
氮化镓外延片可在硅衬底、碳化硅衬底或蓝宝石衬底上进行生长，从成本和大批量生产考虑，外延的每一层的沉积一般采用MOCVD（金属氧化物化学气相沉积）。
图 5 氮化......
5.14亿美元，全球半导体材料领域新添并购案(2021-09-18)
5.14亿美元，全球半导体材料领域新添并购案;9月17日，日本半导体材料制造商JSR株式会社宣布，将收购总部位于美国俄勒冈州科瓦利斯的Inpria，后者为世界领先的极紫外 (EUV) 光刻金属氧化物......
锂钠之争，谁才是电池市场的未来(2023-01-14)
材料的比容量和电压
正极材料
金属氧化物成本低、合成工艺简单，包括P2层状氧化物、O3层状氧化物和三维隧道型氧化物；
聚阴离子类材料结构框架稳定、比容......
牙膏中的常见成分可延长电动汽车的行驶里程(2023-09-05)
的高能量密度会随着反复充放电而迅速下降。
主要竞争者之一的阳极（负极）由锂金属制成，取代了锂离子电池通常使用的石墨。因此，它被称为"锂金属"电池。阴极（正极）是一种含有镍、锰和钴（NMC）的金属氧化物......
延续摩尔定律，新型半导体研发实现新突破(2022-06-07)
实现几乎无限的材料组合。
研究人员表示，他们创造的晶体管可用于制造高性能和低功耗互补金属氧化物半导体逆变器电路。未来，他们的设备可以大规模制造，用于开发低功耗的逻辑电路和微芯片。
值得一提的是，除了......
搞懂电阻，最全的一篇干货(2023-09-07)
详细介绍了。
02 压敏电阻
压敏电阻，通常都是金属氧化物可变电阻，其电阻材料是氧化锌颗粒和陶瓷颗粒混合后一起烧结成型。
MOV的特性就是当电压超过一定阈值的时候，电阻迅速下降，可以通过大电流，因此......
全类型电阻介绍(2024-11-05 20:55:19)
电阻
上图出自Varistor and the Metal Oxide Varistor Tutorial
压敏电阻通常都是金属氧化物......
ADRF5141数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:43)
8 GHz 至 11 GHz 时的插入损耗为 0.9 dB。
ADRF5141 在 +3.3 V 的正电源上消耗 13 μA 的低电流，在 -3.3 V 的负电源上消耗 360 μA 的低电流。该套件采用兼容互补金属氧化物......
半导体一代宗师施敏离世，其著作被称为半导体界《圣经》(2023-11-08)
会致使资料因此挥发掉，衍生漏失资料的遗憾，闪存记忆体Flash即属于此类。
1967年，施敏与韩裔美国人姜大元（Dawon Kahng）在吃甜点时，用了一层又一层的涂酱，触发了二人的灵感，想到在金属氧化物半导体场效应电晶体......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品;
【导读】MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain)和栅(Gate)三个......
ADGM1003数据手册和产品信息(2024-11-11 09:21:06)
频应用提供带宽、功率处理能力和线性度方面的最佳性能。控制芯片生成 MEMS 开关所需的高压信号，并允许用户通过简单灵活的互补金属氧化物半导体 (CMOS)-/低压晶体管-晶体管逻辑 (LVTTL) 兼容......
ADRF5022数据手册和产品信息(2024-11-11 09:21:18)
负电源供电。该器件采用互补金属氧化物半导体(CMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制。
ADRF5022也可以在单个正电源电压(V DD )下工作，同时负电源电压(V SS )接地......
相关企业
;温州市金都开关厂;;上海金都电器成套有限公司位于上海市松江区玉树路518号，下设公司有上海金玉树避雷器制造有限公司和温州市金都开关厂，现有厂房2000平方米，生产金属氧化物
镜、滤光片、分光片等镜片所需要的光学精密抛光片。光学镀膜材料：硅氧化物系列（一氧化硅，二氧化硅）、五氧化三钛、氟化镁、氧化锆、三氧化二铝、硫化锌等各种金属氧化物、氟化物、混合膜料 。以上
;霸州市康仙庄得力线路工具厂;;本厂专业生产电力金具，电力施工机具，主要生产生产避雷器、防雷器、金属氧化物避雷器、复合外套无间隙氧化锌避雷器、跌落式避雷器、三合一防雷器、信号防雷器、视频防雷器、避雷
;上海展科特电子有限公司;;爱思塞拉（S-cera)公司是专业生产电子晶体.陶瓷制品的高新技术企业，拥有韩国国内一流的电子晶体.陶瓷系列制品。为了专门事业化在2002年从三星电机（株）分社
种高新技术半导体电阻材料（不同于PTC及NTC热敏电阻）。其性能达到甚至超过同类进口产品。它是以氧化锌（ZnO）为基料配以其他少量多种金属氧化物，用制备陶瓷的工艺制造而成（比普通制陶工艺更为复杂）。比一
;上海韦蓝贸易有限公司;;主营 湖北东光 电子晶体产品
电瓷弯扭试验机、超声波探伤仪等专用设备，工厂还拥有具有国际先进水平的复合外套金属氧化物避雷器和高压熔断器制造技术和生产线关键设备，和其完备的检测仪器。企业主要生产绝缘子、穿墙套管、避雷
;广州有色金属研究院稀有所销售部;;广州有色研究院稀有金属研究所生产和进出口各种稀土，稀有金属等.我们的产品有长效夜光粉，钛阳极,荧光粉，硫化锌（镀膜），一氧化硅，贮氢合金粉，单一氧化物（99.9
;吴江文宇电子有限公司;;公司主要经营固定色环电阻器，金属膜电阻、碳膜电阻、金属氧化膜电阻、水泥电阻、保险丝电阻及电子元器件配套服务。
质量深得同仁各界的认可信赖． ２．硅散热膏系列以热传导佳之硅利光(SILICONE)与金属氧化物,共同制 作而成。硅散热膏已经广泛使用于电子及电器工业,用于填补散热器之空隙 及裂缝,以促进热传导，有较