资讯
室温打印金属氧化物薄膜实现，可制造坚韧透明的柔性电路(2024-08-16)
存在于每种电子设备中。传统上，制造金属氧化物需要专门设备，这些设备既慢又贵，而且需要在高温下运行。于是，研究人员希望开发一种能在室温下沉积金属氧化物薄膜的技术，即打印金属氧化物薄膜。
他们开发了一种从液态金属弯月面分离金属氧化物的......
突破性方法将“顽固”金属转化为薄膜(2023-05-25)
更容易地用“顽固”金属制造高质量的金属氧化物薄膜。这项研究为科学家开发用于量子计算、微电子、传感器和能源催化的下一代新材料铺平了道路。相关论文发表在最新一期《自然·纳米技术》杂志上。
“顽固”金属氧化物......
国外十分重视在人工智能领域的发展和应用！(2022-12-10)
委员会及其成员国发布主题为“人工智能欧洲造”的《人工智能协调计划》。
1964年，斯坦福大学的研究人员发现他们可以操纵某些被称为金属氧化物的材料，以打开和关闭其导电能力。这很重要，因为......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-25 09:55)
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能;来自东京都立大学的科学家们成功地设计了过渡金属二硫化物的多层纳米结构，它们在平面内相遇形成结点。他们......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-23)
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能;来自东京都立大学的科学家们成功地设计了过渡金属二硫化物的多层纳米结构，它们在平面内相遇形成结点。他们......
2024年度动力电池新时代——钠离子电池的崛起(2024-06-24)
离子类化合物以及普鲁士蓝类化合物三大类，而层状过渡金属氧化物因其优异的结构稳定性以及较高的体积功率密度，被业内看好，率先实现商业化应用。
钠离子层状过渡金属氧化物通常表示为NaxMO2，其中M是过渡金属元素，如Mn......
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管(2023-01-04)
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管;
二维(2D)半导体，如二硫化钼和黑磷，可以与硅技术竞争，因为它们的原子级厚度，优异的物理性能，并与经典的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术......
新型电极材料可提高混动汽车超级电容器的性能(2023-02-06)
可以改善存储和保留电荷的性能，而且增加了能量和功率密度，这要归功于电极材料的独特形态。
下一代电子设备和混动汽车，需要出色的电荷存储设备，才能正常运行。目前，大多数电荷存储设备，由传统的金属硫化物或金属氧化物......
柔性32比特微处理器问世(2021-07-22)
柔性32比特微处理器问世;据英国《自然》杂志21日发表的一项电子学最新进展，英国一个科研团队报告称，他们结合金属氧化物薄膜晶体管和柔性聚酰亚胺，制成了一种柔性32比特微处理器，这一......
上海“科技创新行动计划”集成电路领域拟立项项目公示，涉及存储器、光刻胶等(2022-09-06)
承担单位为费勉仪器科技（上海）有限公司；
“新型柔性存储器及存算一体技术研究”，项目承担单位为复旦大学；
“基于有机无机杂化金属氧化物的EUV光刻胶干法制备关键技术研究”，项目......
基于硅纳米波导倏逝场耦合的超紧凑光学式MEMS加速度计(2022-12-27)
基于硅纳米波导倏逝场耦合的超紧凑光学式MEMS加速度计;近些年，加速度计因其体积小、功耗低、易于与互补金属氧化物半导体晶体管集成电路（CMOS IC）整合而受到持续关注。目前已经开发了电容、压阻......
中韩科研人员在新型半导体材料和器件领域取得重大突破(2024-04-11)
研究首创高迁移率稳定的非晶P型(空穴)半导体器件，突破该领域二十余年的研究瓶颈。这一突破将进一步推动现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的发展。
相比于多晶半导体，非晶体系具有诸多优势，如低......
X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案(2023-06-02)
-Essonnes）工厂制造。量产将于2023年下半年启动。
缩略语：
BCDBipolar-CMOS-DMOS
CMOS互补金属氧化物半导体
DTI深槽隔离
EDA电子设计自动化
SOI绝缘......
Kinaltek宣布纳米硅技术取得突破 可使电池负极的比容量提高数倍(2022-11-29)
司的首席执行官兼创始人Jawad Haidar博士表示：“以当前价格的一小部分生产高性能纳米线和C-Si纳米复合材料，对储能市场来说具有颠覆性意义。”
这项新专利技术基于Kinaltek的集成工艺，可以利用金属氧化物来一步制造金属......
5.14亿美元，全球半导体材料领域新添并购案(2021-09-18)
5.14亿美元，全球半导体材料领域新添并购案;9月17日，日本半导体材料制造商JSR株式会社宣布，将收购总部位于美国俄勒冈州科瓦利斯的Inpria，后者为世界领先的极紫外 (EUV) 光刻金属氧化物......
X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案(2023-06-02)
半年启动。
缩略语：
BCD Bipolar-CMOS-DMOS
CMOS 互补金属氧化物半导体
DTI 深槽隔离
EDA 电子设计自动化
SOI......
X－FAB率先向市场推出110纳米BCD－on－SOI代工解决方案(2023-06-02 16:25)
语：BCD Bipolar-CMOS-DMOSCMOS 互补金属氧化物半导体DTI 深槽隔离EDA 电子设计自动化SOI 绝缘体上硅SONOS 硅-氧化物-氮化物......
北大教授：后摩尔时代，集成电路技术的4个发展方向(2022-05-19)
管是集成电路的核心器件，最初的晶体管是双极型结构，后来金属氧化物半导体器件诞生，成为主流集成电路器件结构。现在，平面的金属氧化物半导体器件结构变为三维的鳍形栅结构，并正向环形栅方向发展。
每一......
Microsemi扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体MOSFET产品系列(2013-09-16)
Microsemi扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体MOSFET产品系列;Microsemi宣布扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体(VDMOS) MOSFET产品系列，两款更大功率、更高电压(V......
实时监测TVOC浓度——中科微感新一代高性能TVOC传感器正式推出(2024-02-06 10:16)
企业自行监测的质量普遍较低。同时，点位设置存在不合理、采样方式不规范、监测时段代表性不强等问题，缺乏现场快速检测等有效手段。大气质量检测中科微感的半导体传感器解决方案为物联网系统提供了一种创新的个性化实现。我们的最新一代金属氧化物半导体气体传感器能够准确测量气味和污染物的......
实时监测TVOC浓度——中科微感新一代高性能TVOC传感器正式推出(2024-02-06 10:16)
企业自行监测的质量普遍较低。同时，点位设置存在不合理、采样方式不规范、监测时段代表性不强等问题，缺乏现场快速检测等有效手段。大气质量检测中科微感的半导体传感器解决方案为物联网系统提供了一种创新的个性化实现。我们的最新一代金属氧化物半导体气体传感器能够准确测量气味和污染物的......
NTC 热敏电阻阻值和温度的换算(2024-11-12 17:37:00)
热敏电阻是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成的.这些金属氧化物材料都具有半导体性质，因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料.温度低时，这些氧化物材料的载流子（电子......
“直击要害”的LED防雷设计攻略(2024-07-29)
中采用一种浪涌保护器(SPD)来抑制浪涌能量并最大限度地减少对照明设备的浪涌冲击。
对于SPD，有多种过电压保护元件可用，包括金属氧化物压敏电阻(MOV)、气体放电管(GDT)和瞬态电压抑制(TVS)二极管。这些......
钠电池正极材料技术路线多样，我国布局企业快速增多(2023-04-19)
国钠电池正极材料行业市场深度调研及发展前景预测报告》显示，目前，全球已经开发问世的钠电池正极材料种类众多，主要包括过渡金属氧化物、聚阴离子类化合物、普鲁士蓝类化合物等几大类，其中，过渡金属氧化物又包括层状氧化物、隧道状氧化物两种，研究......
英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破，将用于未来制程节点(2023-12-10)
尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物半导体）这两大CMOS关键组件。此外，英特......
英特尔在IEDM 2023上展示3D堆叠、背面供电、背面触点研究成果(2023-12-10)
材料让晶体管物理栅极长度有机会微缩到10纳米以下。在IEDM 2023上，英特尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物......
英特尔在IEDM 2023上展示3D堆叠、背面供电、背面触点研究成果(2023-12-11 11:28)
尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物半导体）这两大CMOS关键组件。此外，英特......
NXP推出一款用于X电容的自动放电IC GreenChip TEA1708(2013-12-20)
耗。
除了自动放电功能，TEA1708还集成有500伏钳位电路，可在电源浪涌期间保护IC，令器件更加坚固耐用。无需额外的金属氧化物压敏电阻 (MOV) 来保护TEA1708。对于仅有2个200 kΩ电阻的典型应用......
台积电：2nm 制程 2025 年量产，N3P 2024 年下半年量产(2023-04-28)
，也就是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）结构。这种结构已经被台积电使用了多年，并且有着成熟和稳定的特点。台积电称，2 纳米制程在良品率和元件效能进展良好，将如期于 2025 年量产。台积......
贸泽电子推出内容全面的可穿戴资源中心助力设计创新(2024-03-05)
抗和皮电活动。该传感器包含多个活动监控系统，可测量身体成分和皮肤含水量，适用于从健身手环到医疗贴片等各种应用。
● ScioSense ENS161数字金属氧化物多气体传感器，它基于金属氧化物 (MOX......
贸泽电子推出内容全面的可穿戴资源中心助力设计创新(2024-03-05)
。
•ScioSense ENS161数字金属氧化物多气体传感器，它基于金属氧化物 (MOX) 技术，具有四个传感器元件。ENS161多气体传感器使可穿戴设备能够连续进行空气质量监控。该传感器具有低功耗工作模式，功耗......
我国研发出首个室温超快氢负离子导体(2023-04-06)
还原电势，已经成为研究者们关注的重点。“近年来，科学家已经开发了几种氢负离子导体，比如碱土金属氢化物和稀土金属氧氢化物，它们以能够实现快速氢迁移而闻名。”陈萍说，然而它们都不能在室温环境下实现超离子传导。
此次......
基美电子推出了七个新型金属氧化物压敏电阻器系列(2016-11-15)
基美电子推出了七个新型金属氧化物压敏电阻器系列;基美电子（KEMET），推出了七个新型金属氧化物压敏电阻器系列。这些产品系列补充了该公司现有的电路保护解决方案，并可......
ASML：High NA EUV组装速度加快，英特尔已完成2套组装(2024-10-10)
的光罩检测工作已经按计划开始进行。因此，英特尔无需做太多辅助支援工作即可将其投入生产。
另外，Mark Phillips还被问到了关于CAR（化学放大抗蚀剂）与金属氧化物抗蚀剂的问题。据其介绍，CAR目前......
X-FAB引入图像传感器背照技术增强CMOS传感器性能(2024-04-09)
CMOS 互补金属氧化物半导体
PDK 工艺设计套件......
搞懂电阻，最全的一篇干货(2023-09-07)
在镀膜上加工出螺旋沟槽来精确控制电阻。
金属膜电阻可以说是性能好精度高，可以做E192系列，然后温度特性也好，噪声低，更加稳定。
06 金属氧化物膜电阻
与金属膜电阻结构类似，金属氧化物膜主要是在陶瓷棒形成一层锡氧化物......
全类型电阻介绍(2024-11-05 20:55:19)
膜电阻可以说是性能比较好的电阻，精度高，可以做E192系列，然后温度特性好，噪声低，更加稳定。
Metal film resistor Â
金属氧化物......
基础知识之烟雾传感器和空气质量传感器(2024-03-11)
设备现在体积小、便携，广泛用于工业卫生应用。随着人们对环境污染的关注增加，对空气质量监测的需求也逐渐增加。空气质量传感器简史
2：常见空气质量传感器工作原理介绍
（1）金属氧化物半导体式传感器
工作......
消息称SK海力士将在1c DRAM生产中采用新型Inpria MOR光刻胶(2024-05-30)
TheElec，SK Hynix 计划在第 6 代（1c 工艺，约 10nm）DRAM 的生产中使用 Inpria 下一代金属氧化物光刻胶（MOR），这是 MOR 首次应用于 DRAM 量产工艺。
消息......
北京大学研究团队在氧化物半导体器件方向取得系列重要进展(2023-02-21)
半导体的环形振荡器结构与电学特性
相比已经发展至3纳米节点的硅基集成电路器件，氧化物半导体的显著特点在于其宽禁带特性导致的极低关态漏电流，因此在DRAM应用中对于提升数据保持时间和降低功耗具有极大的优势，但当前面临的主要问题在于氧化物......
X-FAB引入图像传感器背照技术增强CMOS传感器性能(2024-04-09)
语：
ARC 抗反射涂层
BSI 背照技术
CMOS 互补金属氧化物半导体
PDK 工艺设计套件
......
英特尔发布硅自旋量子芯片：用上EUV工艺(2023-06-16)
栅极和接触层加工技术。
在硅自旋量子比特中，信息(0/1)被编码在单个电子的自旋(上/下)中。
硅自旋量子比特本质上是一个单电子晶体管，因此英特尔能够采用与标准CMOS(互补金属氧化物半导体)逻辑......
用源表测试IV参数的典型应用及源表测试软件(2023-03-20)
、分立和无源元件
两端口器件——传感器、磁盘驱动器头、金属氧化物可变电阻（MOV）、二极管、齐纳二极管、电容、热敏电阻
三端口器件——小信号双极结型晶体管（BJT）场效应晶体管（FET），等等
2、简单......
SK启方半导体推出HVIC工艺技术，扩大高压代工服务组合(2024-10-25 08:55)
收来自微控制器单元（MCU）的控制信号，并直接驱动高压金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）或绝缘栅双极晶体管（IGBT）等栅极，它们被广泛应用于各种电力产品，包括大型白色家电的电机驱动器、数据......
SK启方半导体推出HVIC工艺技术，扩大高压代工服务组合(2024-10-24)
收来自微控制器单元（MCU）的控制信号，并直接驱动高压金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）或绝缘栅双极晶体管（IGBT）等栅极，它们被广泛应用于各种电力产品，包括大型白色家电的电机驱动器、数据......
中国科学家在铁电多值存储器方面取得进展(2022-11-28)
团队通过设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。
据了解，基于垂直架构的二维纳米电子学器件，已经......
冠状病毒预防——以色列一项新技术或可为医护人员“保驾护航”(2020-01-28)
基础上开发了一种几乎永久性的超声波织物精加工技术，可将氧化锌纳米颗粒浸入纺织品中。此外，它使用成本较低的金属纳米氧化物，包括氧化锌和氧化铜，来提供抗菌保护功能。据该公司的首席技术官里亚特·斯特伯格称，"最近......
X－FAB与莱布尼茨IHP研究所达成许可协议推出创新的130纳米SiGe BiCMOS平台(2022-09-13)
语：BiCMOS 双极互补金属氧化物半导体HBT 异质结双极型晶体管mmW 毫米波PDK 工艺设计套件RF 射频SiGe......
突破！中国科学家在铁电多值存储器方面取得进展(2022-11-28)
突破！中国科学家在铁电多值存储器方面取得进展;近期，中国科学院金属研究所（以下简称金属所）沈阳材料科学国家研究中心与国内多家单位合作，研究团队通过设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物......
三星和印度研究所合作推动印度半导体研发(2023-02-09)
级
CMOS(互补金属氧化物半导体)技术开发的系统。而印度科学研究所是世界领先的 ESD 器件研究领域为数不多的研究所之一。
“我们很高兴与 IISc 合作以促进半导体创新，并设想开发 ESD......
相关企业
助剂、纳米涂层材料、纳米三防整理剂、纳米金属、纳米发光粉、纳米稀土材料、装修除味剂等。
于一体，汇集中国、韩国、日本一大批顶尖的科研人员和优秀的管理团队,靠自主创新,自行研制、生产0.02nm - 20nm的Au、Ag、Pt、Cu粉体、胶体、溶液和SnO、Tio2、ITO、ATO等纳米金属氧化物
载银抗菌粉，纳米三防整理剂，纳米防水防油防污剂， 纳米二氧化硅，纳米氧化锌，纳米金属，光触媒，精细化工 氨基酸保湿剂，特丁基对苯二酚，吡啶硫酮锌，脱氢枞胺等。产品已经广泛用于化妆品、保健、食品、医药
;佛山市多米金属材料有限公司;;欢迎光临佛山市多米金属材料有限公司。 本公司位于佛山市禅城区，集科研、生产、经营于一体。公司的主要产品有：（一）电解铜粉、硫酸铜、氧化锌、氧化铋、锌粉、硒粉、碲等
％－99.999％）。稀土纳米氧化物，及稀土金属等。我们有30年稀土生产经验，在这些年中我们一直推崇客户至上。信誉至上的原则。产品通过了ISO9000质量验证。如有需要请和我们联系。
;深圳市亿豪杰磁铁有限公司;;深圳市亿豪磁电制品有限公司是一般纳税人企业.我司是专业生产钕铁硼强磁，是目前国内较大的一家从金属氧化物的提炼到钕铁硼强磁（成品）一条龙生产的大型综合型企业。并为
形磁铁、瓦形、圆台形、圆环形、梯形磁铁和一些不规格的异形磁铁生产厂家，是目前国内较大的一家从金属氧化物的提炼到 钕铁硼强磁 （成品）一条龙生产的大型 磁铁厂家 。并为
;温州市金都开关厂;;上海金都电器成套有限公司位于上海市松江区玉树路518号，下设公司有上海金玉树避雷器制造有限公司和温州市金都开关厂，现有厂房2000平方米，生产金属氧化物
中小企业创新基金重点扶持企业，安徽省科技厅认定的高新技术企业，宣城市专利示范培育企业，是目前国内规模化、专业化研究生产超高纯材料、纳米氧化物的生产基地。公司专业技术处世界领先水平，生产能力居我国前列。公司
;霸州市康仙庄得力线路工具厂;;本厂专业生产电力金具，电力施工机具，主要生产生产避雷器、防雷器、金属氧化物避雷器、复合外套无间隙氧化锌避雷器、跌落式避雷器、三合一防雷器、信号防雷器、视频防雷器、避雷