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■ 低栅极电荷 ■ 低反向传输电容 ■ 开关速度快 ■ 提升了dv/dt能力 SVGP069R5NSA 14a 60v mos管参数 SVGP069R5NSA采用sop-8封装,具有14A......
压降以及正温度系数等优秀特点。 从上述特点可知,这一款20A、600V电流、电压的FHF20T60A型号IGBT单管参数是很适合使用在伺服电机驱动器上。   当然,在应用中,我们......
的FHF20T60A型号的IGBT单管参数可知,它是很适合使用在电锯设备的电机驱动电路上。 当然,在应用中,我们电机驱动研发工程师一定要了解这款优质FHF20T60A国产IGBT单管的详细参数:其具有20A......
品采用原边反馈控制机制.无需光耦和TL431即可实现高精度输出.恒流恒压精度达到正负4%以内.同时内部集成了高压复合功率管.内部设计了无电容控制电路.无需外接补偿和采样滤波电容.同时......
电源转换类芯片将电池电压转换到芯片所需的电压值。以下对DC-DC开关电源与LDO线性电源两类进行分析。 (1)DC-DC开关稳压器 DC-DC开关稳压器是指直流电压到直流电压稳压器,常指开关电源。DC-DC芯片的功率管......
电源转换类芯片将电池电压转换到芯片所需的电压值。以下对DC-DC开关电源与LDO线性电源两类进行分析。 (1)DC-DC开关稳压器 DC-DC开关稳压器是指直流电压到直流电压稳压器,常指开关电源。DC-DC芯片的功率管......
直流高压电路与底线间的阻值,检查高压电路与地是否短路或泄放电阻有无开路。如果高压电路与地短路未排除而直接通电开机,容易烧坏整流管或电源变压器。有的扩音机泄放电阻开路,会造成帘栅压过高,功率管......
往往成为核心竞争要素。尤其在电子产品领域,同质化严重,价格战几乎成为唯一的生存策略。 高速吹风筒市场发展至今,也不例外。初始时,PCB板的成本高昂,但现在已降至十多元,各元器件的成本被不断压缩,甚至包括MOS管参数......
Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计;Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计,该方案采用了高性能TO-220封装氮化镓功率管 目前,同业......
高压MOS功率管。 SMD PLUS超强散热封装形式。内置抖频工作模式。有效降低EMI RE/CE的辐射。深度恒流和精准恒压的特性。无电容/原边反馈控制电路。正负4%恒压/恒流精度。无音......
Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计,该方案采用了高性能TO-220封装氮化镓功率管;目前,同业竞争氮化镓技术均未推出插件式封装的氮化镓器件。采用符合产业标准的插件式封装,电源能够以更低的成本获得功率......
;系列,包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),低噪声管9014(NPN),高频小功率管9018(NPN)等。它们的型号一般都标在塑壳上,而样子都一样,都是TO-92标准封装。在老......
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据;Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据 该公司高压氮化镓器件持续为全功率范围的应用提供极佳的可靠性 加州......
电路主要有以下几个方面: 1)防止栅极 di/dt过高: 由于采用驱动芯片,其输出阻抗较低,直接驱动功率管会引起驱动的功率管快速的开通和关断,有可能造成功率管漏源极间的电压震荡,或者有可能造成功率管......
高压MOS功率管。 SMD PLUS超强散热封装形式。内置抖频工作模式。有效降低EMI RE/CE的辐射。深度恒流和精准恒压的特性。无电容/原边反馈控制电路。正负4%恒压/恒流精度。无音......
, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始规格书。TP120H070WS功率管是迄今为止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体,领先......
-00302 进行更详细的了解。 Figure 3 高边电流采样芯片输入过压保护 Figure 4 uClamp1201 TVS管参数 然而,由于......
器件,在现有基础上全面提升氮化镓工作电压、导电能力、开关频率等关键性能参数,助力实现更高效的功率管理系统。根据市场研究机构Yole Développement最新报告,全球功率......
师往往只关注驱动电流而忽视上升、下降 时间这一参数。事实上,驱动的上升、下降时间这个指标也同样重要,有时甚至比驱动电流这个指标还重要。因为驱动的上升、下降时间直接影响了功率器件的开通、关断速度。 驱动芯片概述 功率......
或者两者同时为系统供电。这些功能的实现依赖于输入与系统之间的低导通阻抗功率管(BUS-FET)以及系统和BAT之间的低导通阻抗功率管(BAT-FET),如图1所示。当USB插入时,BUS-FET完全导通,BAT-FET处在......
计使用了三个Transphorm的SuperGaN® 功率管 (TP65H150G4PS),该氮化镓功率管的导通电阻为150毫欧,采用为业界所熟悉且深受信赖的三引脚TO-220封装。在使用PFC架构、较高......
计采取了软件死区方法。这样做的另一个好处是,对不同的功率管只需改变软件设计即可获得最佳的死区参数。 5)采样电路 输出电压采样用于反馈稳压,输出电流采样用于过载保护,母线电流采样用于短路保护,母线......
戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管......
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据; 该公司高压器件持续为全功率范围的应用提供极佳的可靠性 加州戈利塔—2012年12月15日--高可靠性、高性......
的电源管理可避免性能不佳和灾难性故障等问题,这些问题会造成严重的火灾危险和潜在的死亡事故。电流检测技术增强了系统功能并直接解决了可靠性和安全问题。关键要素包括测量电流、确保的功率因数校正、有效的频率管......
档的使用 A、每一次测量电阻都必须调零。 B、测量电阻时,被测电路不允许带电。 C、被测电阻不能有并联支路,否则其测量结果是被测电阻与并联支路后的等效电阻。 D、用欧姆档测量晶体管参数时,考虑......
浅谈ASDM40P55KQ的高效电源管理解决方案;随着科技的不断进步,电子设备的功能日益强大,对功率管理的需求也越来越高。在这个快节奏的时代,我们......
计使用了三个的SuperGaN® 功率管 (TP65H150G4PS),该的导通电阻为150毫欧,采用为业界所熟悉且深受信赖的三引脚TO-220封装。在使用PFC架构、较高电流的电源系统中,这种......
压范围下的最佳效率。 芯片内置高压功率管和自供电线路,具有外围元件极少, 变压器设计简单(隔离输出电路的变压器只需要两个绕组)等特点。 主要特点  全电压输入 85V—265V  内置 700V 高压功率管......
与执行器有关的电气线路及执行器本身是否正常等。 除上述功能外,数字万用表还可用来测量电流、频率、周期、时间间隔、晶体管参数等。在使用数字万用表时应注意,尽管数字万用表的抗过载能力较强,在每次测量时,仍应......
能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始规格书。TP120H070WS功率管......
)“功耗限制电阻”旋钮  “功耗限制电阻”相当于晶体管放大器中的集电极电阻,它串联在被测晶体管的集电极与集电极扫描电压源之间,用来调节流过晶体管的电流,从而限制被测管的功耗。测试功率管时,一般......
面积 3、TIP147 3D 模型 TIP147 3D模型 四、TIP147 三极管参数 晶体管类型: PNP 达林顿 最大集电极电流(IC ):-10A 最大集电极-发射极电压(V CE......
期使用,转矩下降比 HB 型要大。   二、两相 HB型步进电机   1、优点:   (1)分辨率高(一般步距角 1.8°的较多)而被广泛使用。   (2)转矩大。   (3)与多相 HB型步进电机比较,驱动功率管......
式存储器并取得了流片成功,而最近又将这种成功延伸到28纳米技术节点。通过利用Synopsys IP中一种先进的功率管理模式的组合,我们能够在性能不打折扣的情况下,实现功耗的显著降低。” “作为......
数据来源于部分大型地面电站的近期招投标信息,其主流需求为双面双玻组件,功率段主要为182mm的550W+和210mm的595W+,以某厂家同功率段产品为例,其关键参数如下表: 从上述表格中可以看到,高功率......
数据来源于部分大型地面电站的近期招投标信息,其主流需求为双面双玻组件,功率段主要为182mm的550W+和210mm的595W+,以某厂家同功率段产品为例,其关键参数如下表: 从上述表格中可以看到,高功率组件的工作电流和短路电流均较大,若为......
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据;该公司高压氮化镓器件持续为全功率范围的应用提供极佳的可靠性 加州戈利塔—2012年12月15 日--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源......
Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据;该公司高压氮化镓器件持续为全功率范围的应用提供极佳的可靠性高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源......
个电压的比值为:6.502。那么L1,L2的匝数之比为: 5.502:1。 2.三极管参数 将三极管使用 烙铁 取下,利用 三极管参数测试模块 测量获得三极管是NPN型的三极管。在发射极电流为2mA的情况下,三极......
温度、外置功率管Vgs/Vds、负载电流的测量。支持内置的可配置智能保护算法、过压过流保护电路、上报接口电路功能、旁路功能。 支持多参数诊断检测的三相电驱预驱动器榜单金额:不超过400万元功能性能要求:三相......
程电子负载的闪屏 可编程电子负载是通过控制内部功率器件或是晶体管的导通量,靠功率管耗散功率,消耗电能的设备。它可以模拟各种不同的负载情况,能够准确的检测出负载电压,精确调整负载电流,同时......
密度。此外,该研究还提出一种采用了可变电容的功率管栅极电压控制技术,实现了在更宽电源电压范围下,控制栅极峰值电压使其保持在最佳安全电压范围,而无需采用特殊厚栅氧工艺的功率管,实现......
InnoSwitch 5-Pro创新的拓扑技术,可以通过 SR 控制实现零电压开关,阎金光解释了大致原理,其本质是利用次级侧的同步整流功率管来泄放能量。 如图所示,第一步是在下一次功率管开通前,次级......
直流电机驱动控制采用三相六状态控制策略,功率管具有六种触发状态,每次只有两个管子导通,每60°电角度换向一次,若某一时刻AB相导通时,C相截至,无电流输出。单片机根据检测到的电机转子位置,利用MOSFET的开关特性,实现......
直流电机的驱动桥需要 4 只功率管,而无刷直流电机的驱动桥则需要 6 只功率管)。 图1所示为其中一种小功率三相、星形连接、单副磁对极的无刷直流电机,它的定子在内,转子在外。另一种无刷直流电机的结构和这种刚刚相反,它的......
。 AVR器件与固件提供优化整个背光设计的总体解决方案,提供相比竞争解决方案更卓越的性能。 MSL2164和MSL2166器件具有最高效的功率管理、背光控制,以及用于3D、扫描和区域调光侧光LCD......
形当中增加了待机功耗,因此如今各国也正在提高轻载下的效率要求。 浅析功率变换过程中的损耗 Jason表示,功率变换过程中功率管的损耗来源主要是开关损耗与导通损耗,这两个损耗有时候是需要权衡的。 导通......
机功耗。 开关电源芯片U6205D的两种工作模式有DCM和CCM: 1、CCM连续导通模式:在一个开关周期内,电感电流从不会到0。通俗来讲就是电感“从不复位”,意味着在开关周期内电感磁通量从不为0,功率管......
开关控制,当出现了过流,过压的使用情况下,需要快速关闭外部输出,达到保护功率电路的目的,如果不能快速关断,可能会导致功率管,如 MOSFET,IGBT 的损坏,典型......

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;欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼,欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信
;结型场效应管 欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼,欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信
;蒋明电子经营部;;本电子经营部,主营 Freescale、NXP半导体器件,通信IC,功率放大管,功率管,三极管等。
;杭州博声电子商行;;扬声器系列、大功率管
Design House)。公司的核心业务为功率管理产品的设计、开发和销售,包括功率Trench MOS,VDMOS,IGBT、肖特基二极管和功率集成电路等,其产品主要应用于功率管理领域。当前
;广州明越电子有限公司;;公司是主要经营功率管等电子零件.价格从优..
;新蓝星电子有限公司;;主营场效应,IGBT,肖特基,快恢复,可控硅,达林顿等大中小功率管
;杭州鑫日电子商行;;电解电容,二极管,三极管,各类功率管,SMD贴片器件,仪表,电子无级调速器
;杭州森隆电子元件商行;;场效应管、大功率管、可控硅、三极管、各系列集成块(SLA系列、SMA系列、CXA 系列
突破性设计技术平台紧密合作,为客户提供新型高速MOSFETs(增强型和耗尽型VDMOS)和面向功率管理领域的新型BCD集成电路技术应用。其新型高速中低压MOSFETs具有行业中最佳Ron*Qg 以及Ron*Qgd 参数,特有