技术咨询
代买器件
商务客服
研发客服
文章来源于:电路一点通 原文链接
本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关文章
兼容C3D02065E，碳化硅肖特基二极管B1D02065E助力LED显示屏电源(2023-08-16)
足在高温环境中的应用。
在LED电源的电路设计过程中，保护电路的设置是必不可少的，碳化硅肖特基二极管B1D02065E的反向重复峰值电压650V，正向重复峰值电流为2A，正向不重复电流为16A，具备更强的抗浪涌能力，在大......
满足市场对下一代碳化硅器件的需求(2023-10-31)
MOSFET
为支持新型 MOSFET，还发布了 D1 系列 1700 V SiC 肖特基二极管，包括 NDSH25170A 和 NDSH10170A。高额定电压可使设计受益于反向重复峰值电压(VRRM......
保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡(2023-09-15)
1700 V SiC 肖特基二极管。1700 V 的额定电压可在 VRRM 和反向重复峰值电压之间为器件提供更大的电压裕量。该系列器件具有更低的 VFM（最大正向电压）和出色的反向漏电流，有助......
保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡(2023-09-19)
可在 VRRM 和反向重复峰值电压之间为器件提供更大的电压裕量。该系列器件具有更低的 VFM（最大正向电压）和出色的反向漏电流，有助于实现在高温高压下稳定运行的设计。
图 4：安森......
芯力特Mini LIN SBC SIT1028Q应用方案(2023-10-07)
V SiC 肖特基二极管。1700 V 的额定电压可在 VRRM 和反向重复峰值电压之间为器件提供更大的电压裕量。该系列器件具有更低的 VFM（最大正向电压）和出色的反向漏电流，有助......
川土微电子经济型低速数字隔离器CS817x2x在家电及工业上的应用(2022-12-23)
的浪涌试验时，数字隔离器可以称为组件级增强型。
图2：隔离器抗瞬态电压能力
● 最大重复峰值隔离电压（VIORM）
在IEC 60747-5-5和VDE 0884-11中定义为隔离器能够承受的最大重复峰值电压......
贸泽即日起备货安森美EliteSiC碳化硅解决方案(2023-04-12)
NDSH10170A EliteSiC肖特基二极管的额定BV为1700V，在最大反向电压 (VRRM) 和重复峰值反向电压之间具有更大的容限。这些器件还使设计人员能够在高温下实现稳定的高压操作，并且......
速开关，可提升车载充电机整机效率。
碳化硅肖特基二极管B1D30120HC的特点如下：
1、结温最大额定值为175℃，存储温度范围为-55~175℃，符合车载高温应用要求。
2、反向电压（重复峰值）最大......
℃，存储温度范围为-55~175℃，符合高温应用要求。
2、反向电压（重复峰值）最大额定值为650V，耐压性能出色，满足车载大电压应用对二极管的要求。
3、连续正向电流最大额定值为10A，可承......
汽车BMS浪涌静电防护设计方案及保护器件选型(2024-09-11)
基二极管在方案中起到了防反接作用，东沃电子技术推荐选用SS34BQ，最大可重复峰值反向电压40V，最大正向平均整流电流3A，最大正向电压0.55V，SMB封装，通过AEC-Q101认证标准，高可靠性和稳定性。
2......