中国有望在 NAND Flash 大进击?长江存储与美光正就技术授权协商

发布时间:2016-11-18  

technews

半导体行业观察中国内存发展来势汹汹,紫光集团与武汉新芯合体的长江存储将与美国存储大厂美光(Micron)合作的传闻不断,现在真的迎来突破性发展?

日本媒体日经新闻 17 日报导,长江存储副董事长、大基金总经理丁文武接受采访时指出,正就 NAND Flash 新技术与美光展开协商,且不排除 2017 年双方合作能够确立,对此事丁文武拒绝再谈,但其也强调,长江存储同样与日本东芝等 NAND Flash 大厂洽谈合作,中国半导体产业相关官员透露,长江存储与美光协商的优先顺序还是高于其他厂商。

全球存储市场几乎由三家独霸,除了三星、SK 海力士就是美光,美光手握 DRAM 与 NAND Flash 技术,而长江存储的布局同样是 DRAM、NAND Flash 两路并进,但为何双方仅就 NAND Flash 展开谈判,熟稔两家厂商的资深业内人士分析,DRAM 市场在过往价格血战后,形成寡占市场由这存储三雄独霸,厂商皆严控产能试图维持价格优势。而 NAND Flash 在 SSD 等应用带动下其实发展仍可期,加上 3D NAND Flash 技术渐起,除了美光/英特尔阵营,三星、SK 海力士、东芝/WD 等厂商也在积极建厂扩产,透过跟长江存储合作,对美光在 NAND Flash 市占的拓展是有利的。

而在紫光与武汉新芯合体组成长江存储之前,武汉新芯的存储基地在今年 3 月举移动土仪式,该基地五年投资额高达 240 亿美元,初步将先行建造 Flash 厂,生产武汉新芯本业 NOR 型 Flash,并逐步生产 NAND Flash,武汉新芯当时已与飞索半导体(Spansion)签订技术授权合约,共同开发生产 3D NAND Flash,并预计 2017 年量产 32 层以上堆叠产品,外界推测,现在长江存储与美光谈技术合作,应也是锁定新技术 3D NAND Flash,在子公司武汉新芯与 Spansion 合作之余,母公司长江存储积极寻求其他 NAND Flash 技术合作颇耐人寻味。

据长江存储、紫光集团董事长赵伟国近日透露,武汉新芯内存基地将于今年 12 月正式动工,预计 2018 年建设完成,月产能约 20 万片,2020 年基地总产能达 30 万片/月、2030 年来到 100 万片/月。

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