为了应对市场需求不断增长的状况，半导体相关企业扩产动作频繁。近日台积电、三星、ASML、日本电装传来新消息。

台积电：或1万亿新台币扩产2nm

近期相关报道显示，台积电在2nm和3nm工艺的开发上取得了不错的进展，且台积电方面将准备研发1.4nm工艺。

2nm工艺方面，据中国台湾经济日报报道，台积电将砸1万亿新台币（约2290亿元人民币）在台中扩大2nm产能布局，有望在中清乙工建设半导体产业链园区。目前，台积电正向相关部门提出设厂用地需求。

此前，台积电总裁魏哲家在法说会上表示，台积电2nm预期会是最成熟与最适合技术来支持客户成长，台积电目标是在2025年量产。

据悉，台积电将在2nm的节点推出Nanosheet/ Nanowire的晶体管架构，另外还将采用新的材料，包括High mobility channel、2D、CNT等，其中2D材料方面，台积电已挖掘石墨烯之外的其他材料，可以逐渐用在晶体管上。

3nm工艺上，台积电今年4月上旬公开表示，该公司在3nm工艺开发上取得突破。其中在今年8月将可能率先投片第二版3nm制程的N3B，2023年第二季度将有可能量产3nm制程的N3E，比预计提前了半年。

据悉，第二版3nm制程N3B，将在新竹12厂研发中心第八期工厂及南科18厂P5厂同步投片，正式以鳍式场效晶体管（FinFET）架构，对决三星的环绕闸极（GAA）制程。据悉，台积电初步规划新竹工厂每月产能约1万至2万片，台南工厂产能为1.5万片。

此外，据Business Korea报道，台积电打算在6月份将其N3制程节点的团队做重新分配，以组建1.4nm级制造工艺的研发队伍。

三星：加快3nm量产速度

近日，据韩媒消息，三星芯片及代工高层大洗牌，目前三星电子已撤换负责开发下一代芯片的半导体研发中心负责人，新的负责人由副总裁兼Flash开发部门负责人Song Jae-hyuk 担任。

晶圆代工业务方面，三星指派半导体设备解决方案部门的全球制造与基础设施副总裁Nam Seok-woo兼任晶圆代工制造技术中心负责人，同时还任命存储器制造技术中心副总裁Kim Hong-shik带领晶圆代工技术创新团队。

2021年底，三星曾全面撤换半导体、手机、消费电子三大事业主管，并将手机及消费电子事业合并，将经营重心转向半导体。时隔半年，三星又将内存业务大将部署至晶圆代工事业，积极推进晶圆代工事业发展。

三星的代工业务备受压力。此前，业内传出三星4nm工艺良率只有35%，使得高通、英伟达、AMD等厂商将部分产品交由台积电代工。

目前三星正加快3nm量产速度。今年4月末三星宣布将在本季度开始使用3GAE（早期3nm级栅极全能）工艺进行大规模生产。近日，官方消息显示，预计最快今年6月量产3nm制程。

三星集团5月24日发表声明表示，计划在截至2026年的五年内，将支出增加30%以上，达到450万亿韩元（约合3600亿美元），以支持从芯片到生物制药等领域的业务。

ASML：2亿美元扩建威尔顿工厂

据《科创板日报》消息，近日，ASML宣布将斥资2亿美元扩建其位于康涅狄格州威尔顿的工厂。据悉，ASML Wilton是ASML在美国最大的研发和制造基地。

随着英特尔、三星、台积电等晶圆代工厂大幅扩产，对于设备的需求也水涨船高。据悉，ASML扩产的脚步早已迈开。

在今年Q1财报会议上，ASML表示，随着第二季度芯片制造设备的市场需求超过供应量，将上调长期营收预期，维持今年20%的营收增幅和55台极紫外光科技的产能预期不变，并表示，2025年将能生产70多部极紫外光刻机。

3月下旬，ASML在其新加坡工厂的开幕式上宣布，将继续在该工厂兴建第二座制造车间，预计将于2023年初投产。扩建后的工厂将让该公司在新加坡的产能增加3倍，全球产能倍增。

5月下旬，据路透社报道，ASML正在着手研发价值4亿美元（约合人民币26.75亿元）的新旗舰光刻机，有望2023年上半年完成原型机，最早2025年投入使用，2026年到2030年主力出货。

电装：将自产半导体销售额增加两成

据共同社消息，丰田汽车集团旗下电装公司公布新的目标，称到2025年把本公司生产的半导体销售额从现在的4200亿日元增加两成至5000亿日元（约合人民币257亿元）。公司生产将重视控制电力的“功率半导体”和用于监控电池等的“模拟半导体”领域，今后还将推进面向自动驾驶的传感器开发。

据报道，为实现半导体的稳定采购，电装还将深化与专业厂家等的合作。据悉，今年2月，为稳定采购半导体，电装宣布将向台积电（TSMC）为进驻熊本县而设立的子公司出资。

此外，联电还曾宣布，公司日本子公司USJC将与电装（DENSO）合作车用功率半导体制造，并将为DENSO建设一条IGBT产线。

其中，DENSO将提供其系统导向的IGBT元件与制程技术，而USJC则提供12英寸晶圆厂制造能力，预计在2023年上半年达成IGBT制程在12英寸晶圆的量产。这项合作已获得日本经济产业省的必要性半导体减碳及改造计划的支持。

封面图片来源：拍信网