2月24日,联电发布公告称,董事会通过了在新加坡Fab12i厂区扩建一座新先进晶圆厂计划。新厂第一期的月产能规划为3万片晶圆,预计于2024年底开始量产。
图片来源:联电公告截图
联电称,新厂(Fab12i P3)是新加坡最先进半导体晶圆代工厂之一,提供22/28纳米制程,总投资金额为50亿美元。联华电子在新加坡投入12英寸晶圆制造厂的营运已超过20年,新加坡Fab12i厂也是联电的先进特殊制程研发中心。加上Fab12i的扩建计划,联电在2022年的资本支出预算将提高至36亿美元。
据了解,由于5G、物联网和车用电子大趋势的带动,对联电 22/28纳米制程需求的前景强劲,因此新厂所扩增的产能也签订了长期的供货合约,以确保2024年后对客户产能的供应。新厂生产的特殊制程技术,如嵌入式高压解决方案、嵌入式非挥发性存储器、RFSOI及混合信号CMOS等,在智能手机、智能家庭设备和电动车等广泛应用上至为关键。联电表示,期望这座新厂能在满足这些市场强劲的需求上扮演重要角色,特别是协助纾解22/28纳米晶圆产能结构性的短缺。
联电董事长洪嘉聪表示,新加坡Fab12i厂是联电的旗舰创新中心,与客户合作新的研发项目并将在新厂上线后立刻投入生产。
封面图片来源:拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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