2月24日，联电发布公告称，董事会通过了在新加坡Fab12i厂区扩建一座新先进晶圆厂计划。新厂第一期的月产能规划为3万片晶圆，预计于2024年底开始量产。

图片来源：联电公告截图

联电称，新厂（Fab12i P3）是新加坡最先进半导体晶圆代工厂之一，提供22/28纳米制程，总投资金额为50亿美元。联华电子在新加坡投入12英寸晶圆制造厂的营运已超过20年，新加坡Fab12i厂也是联电的先进特殊制程研发中心。加上Fab12i的扩建计划，联电在2022年的资本支出预算将提高至36亿美元。

据了解，由于5G、物联网和车用电子大趋势的带动，对联电 22/28纳米制程需求的前景强劲，因此新厂所扩增的产能也签订了长期的供货合约，以确保2024年后对客户产能的供应。新厂生产的特殊制程技术，如嵌入式高压解决方案、嵌入式非挥发性存储器、RFSOI及混合信号CMOS等，在智能手机、智能家庭设备和电动车等广泛应用上至为关键。联电表示，期望这座新厂能在满足这些市场强劲的需求上扮演重要角色，特别是协助纾解22/28纳米晶圆产能结构性的短缺。

联电董事长洪嘉聪表示，新加坡Fab12i厂是联电的旗舰创新中心，与客户合作新的研发项目并将在新厂上线后立刻投入生产。

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