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研发客服Galaxy Note 7的意外离场，让三星懊恼不已，除了要吸取失败教训外，还有就是加大产品的安全性，不能为了创新而创新，所以在这样的大环境下，他们的Galaxy S8将会在明年4月份发布。
现在有消息称，三星的Galaxy S8有可能会采用8GB内存和UFS 2.1闪存芯片，而今年的10月份，他们就曾发布公告称，基于10nm工艺的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。
需要注意的是，昨天产业链给出的消息称，三星、台积电目前都面临一个问题，那就是10nm工艺良品率太低，而面对Galaxy S8这样的产能，如果良品率不改善，恐怕8GB内存要等到Note 8上才能看到了。
另外，据说Galaxy S8将会推出两个版本（双曲面屏），一个配备5寸屏幕，其二则放大到6寸左右，并且有个单独的名字叫Galaxy S8 Plus，两者的Home键都要被干掉，以为提供屏占比，这样的效果就是6寸的S8 Plus会比5.7寸的Note 7还要小。
希望这次的Galaxy S8会让人惊艳。
责任编辑：mooreelite
文章来源于:半导体行业观察 原文链接
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