8月30日，芯联集成交出2024年上半年答卷，营业收入同比增长14.27%，同比减亏57.53%。其中，芯联集成的第二增长曲线SiC MOSFET业务同比增长300%，发展迅猛；第三增长曲线模拟IC逐步上量。与此同时，在近日深圳举办的PCIM Asia国际电力元件、可再生能源管理展览会中，芯联集成展出涵盖汽车、新能源（风光储）和家电应用等领域最新的功率半导体技术与产品，引起业界关注。

主营业务营收大涨，加码布局AI领域市场

8月30日，芯联集成披露最新上半年财报。今年上半年芯联集成实现营收28.80亿元，同比增长14.27%；主营业务收入为27.68亿元，同比增长为11.51%；2024年半年度实现归属于母公司所有者的净利润为-4.71亿元，与上年同期相比减亏6.38亿元，同比减亏57.53%。

官方表示，主营收入和净利润的大幅提升受益于行业下游比如新能源汽车及消费市场需求复苏，芯联集成新建产线收入的快速增长也直接提升了公司营收。

其中，芯联集成新能源车业务板块营收贡献48%；得益于AI推动需求增长，芯联集成消费业务板块营收贡献34%，实现营收同比增长107%；同时工控业务营收占比为18%。

近年来，芯联集成持续保持高强度研发投入来巩固芯联集成持续竞争力。芯联集成今年上半年研发投入8.69亿元，同比增长超过33%。同时芯联集成在研发人员数量、累计授权专利数量等方面也继续保持增长。

基于芯联集成持续的高强度研发投入，芯联集成不仅抓住了车载激光雷达、高端麦克风等领域带来的市场增量，也进一步巩固了碳化硅、模拟IC、车载功率等三大核心产品领域的领先地位。

在模拟IC板块，今年上半年，芯联集成相继推出数模混合嵌入式控制芯片制造平台、高边智能开关芯片制造平台、高压BCD 120V平台、SOI BCD 平台等多个车规级技术平台。截止上半年，芯联集成已成功覆盖60%以上的主流设计芯联集成。大量客户的导入和产品平台的相继量产带动了12英寸模拟IC业务的营收快速增长。

车载功率模组方面，芯联集成的功率模组产品完整，并拥有完整的功率模块系列制造能力，芯联集成的功率模块业务也实现了快速增长。今年上半年，芯联集成的车载功率模块产品获得欧洲知名车企定点采购，以及多家海外知名Tier1的批量导入。

根据NE时代发布的2024年上半年中国乘用车功率模块装机量，芯联集成功率模块装机量已超59万套，增速同比超5倍，市场占有率接近10%。

当下生成式人工智能（AI）市场火红，芯联集成积极布局AI、数据中心等新兴市场，打造价值增长新引擎。据悉，过去三年，芯联集成在AI方向累计投资超过20亿元，为其下一步发展带来长期的增长动能。今年上半年，芯联集成应用于AI服务器多相电源的0.18um BCD 工艺产品成功量产，特别是芯联集成面向数据中心服务器的55nm高效率电源管理芯片平台技术已获得客户重大项目定点。

伴随AI大模型赋能智能手机与PC加速迭代升级，芯联集成传感器和电池管理保护产品在出货量和市场份额均获得新一轮增长，这标志着芯联集成在AI领域的深度布局已显成效。

SiC MOSFET业务同比增长300%，预计全年营收达10亿元

作为第二增长曲线，芯联集成表示，SiC MOSFET业务增势很猛，今年上半年公司SiC MOSFET业务同比增长300%，在持续拓展国内外OEM和Tier1客户基础上，芯联集成预计全年碳化硅业务营收将达到10亿元。

自去年量产平面SiC MOSFET以来，芯联集成90%的产品应用于新能源汽车主驱逆变器，是国内产业中率先突破主驱用SiC MOSFET产品的龙头企业，且SiC MOSFET出货量已居亚洲第一。

今年6月，芯联集成发布公告，拟通过发行股份及支付现金的方式收购控股子芯联集成芯联越州集成电路制造(绍兴)有限芯联集成（下称“芯联越州”）剩余72.33%股权。完成交易后，芯联集成将100%控股芯联越州。芯联越州数据显示，2023年芯联越州6英寸SiC MOSFET出货量已达国内第一。该项收购完成后，芯联越州有望成为芯联集成未来8英寸碳化硅产线扩大生产的主要载体。

当前摆在碳化硅应用面前的一大问题仍然是，如何将其成本做到能和硅基器件相匹敌的水平。业界普遍认为，将碳化硅单器件或单位电流密度的成本降低到硅基器件的2.5倍以内，会是碳化硅进入大规模商业化应用的转折点。

芯联集成认为，成本下降第一有赖于产业链整体的良率提升，第二则需要从过去以6英寸为主的晶圆制造逐步转向8英寸，第三步则需要考虑如何将器件进一步缩小。从6英寸到8英寸的成本下降是很可观的，因此8英寸碳化硅也是未来的主战场。目前，芯联集成已建成国内第一条8英寸碳化硅晶圆产线，如何降本增效则是下一步芯联集成的重大命题。

新品集体亮相PCIM会场，引人驻足

来到PCIM Asia大会现场，芯联集成展台新品应接不暇。聚焦新能源汽车市场，芯联集成针对主驱逆变推出了750V 400A-1000A，1200V 500A-900A碳化硅功率模块，功率范围覆盖150kW-300 kW。最新的平面栅SiC MOSFET芯片效率提升至99%，多款塑封和灌胶模组产品已量产，沟槽栅SiC MOSFET平台预计2025年推出。

细分到产品，芯联集成展出了业内最丰富的新能源汽车主驱逆变功率模块，功率覆盖50-300kW，组串式光储热门功率段解决方案和2.3kV大功率风电模块，以及面向工控和家电应用的高功率密度，高性价比的智能功率模块。

同时，作为国内最大的功率半导体晶圆生产厂家，芯联集成除了展示IGBT晶圆产品外，也在本次展会中展出8英寸碳化硅晶圆样品。官方资料显示，今年4月，芯联集成国内首条8英寸SiC MOSFET产线已开始投片，并实现了工程批下线，明年将进入量产阶段。

目前，芯联集成已经在具备领先优势的产品线MEMS、MOSFET、IGBT、SiC MOS、功率模组等方面，持续市场开拓和技术迭代，实现技术赶超和引领业界水平，同时该公司将进一步发展高压模拟集成芯片工艺技术，今年下半年芯联集成推出面向专用高可靠性高性能的MCU平台。

封面图片来源：芯联集成