9月22日,株洲中车时代电气股份有限公司(以下简称“时代电气”)发布公告称,公司控股子公司株洲中车时代半导体有限公司(以下简称“中车时代半导体”)拟投资中低压功率器件产业化建设项目,项目投资总额约111.2亿元。
中车时代半导体本次主要投资项目包含两项——
中低压功率器件产业化(宜兴)一期建设项目:实施主体为宜兴中车时代半导体有限公司(暂定名,注册资本36亿元),项目投资金额约58.26亿元,达产后可新增年产36万片8英寸中低压组件基材产能(基建及公共设施具备72万片/年产能),产品主要用于新能源汽车领域。
中低压功率器件产业化(株洲)建设项目:实施主体为中车时代半导体,项目投资金额约52.93亿元,达产后可新增年产36万片8英寸中低压组件基材产能,产品主要应用于新能源发电及工控、家电领域。
IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管,是目前发展最快的功率半导体器件之一,被业界称为电力电子装置的“CPU”,可广泛应用于新能源、新能源汽车、电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子等领域。
尽管目前,IGBT市场主要被欧美日的企业所垄断,但近年来,随着新能源汽车、数据中心的快速发展、以及5G基站、工控等领域的推动,我国IGBT市场规模持续增长,预计到2025年,中国IGBT市场规模将达到522亿人民币,年复合增长率达19.11%。
目前中国已经成为全球最大的新能源汽车市场,但在中低压模块等方面进口依赖程度依然较高。以中低压模块为代表的关键核心技术是国之重器,国内半导体企业加大研发投入、提升关键核心技术创新能力以及扩大产能的需求较为迫切。
天风证券8月的调研数据显示,为满足下游旺盛需求,67%的大陆厂商有产线扩张计划,而未来,随着市场需求的持续推动以及国家政策的扶持,国内功率半导体产品国产化也将进一步提升。
封面图片来源:拍信网
相关文章