存储器定时描述存储器模块的定时信息。内存频率以赫兹或每秒周期为单位，而内存定时以周期为单位。指示现代同步动态随机存取存储器（SDRAM）定时的四个参数是CL、TRCD、TRP和TRAS，以时钟周期为单位。CL是CAS延迟-从没有活动行的DRAM中读取第一位内存的时间。RAS到CAS是读/写的一个潜在延迟。要将时钟周期转换为时间度量，需要知道内存的频率。以MHz或1000000Hz为单位列出。例如，3200MHz内存的时钟频率为每秒320000000个周期。然而，现代内存是DDR（双倍数据速率），这意味着数据在每个时钟的上升沿和下降沿传输。因此，广告频率是实际时钟频率的两倍。这就是为什么在BIOS中将内存设置为3200MHz时，CPU-Z将显示1600MHz。内存计时直接影响系统性能，因为系统性能取决于内存的使用速度。更紧的定时导致更好的性能，但在较高频率下可能不稳定。AnandTech使用Haswell CPU和dGPU DDR3-2400 C11套件进行测试时，如果在同一系统中同时添加两个套件，则C11套件可能无法稳定在2400 C11。如果一个套件有很大的余量，那么这是可能的，但这并不能保证。
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资讯
性能更上一层楼！朗科绝影RGB DDR4-4266内存评测(2022-07-15)
推出了基于长鑫A-Die颗粒的绝影RGB DDR4-4266内存，时序CL18-22-22-42，电压1.35V。
朗科绝影RGB DDR4 4266MHz内存的时序和电压已经足够低了，在这......
游戏内存怎么选？科赋BOLT X电竞内存超频测试(2020-12-22)
游戏内存怎么选？科赋BOLT X电竞内存超频测试;前言
电脑内存只看容量？容量当然重要，但只是选择内存的第一步。虽然普通的办公电脑对于内存的主频和时序的要求并不高，但是......
内存科普：深入浅出，带你深入了解内存各项参数，附科赋CJR颗粒内存超频实战(2020-12-25)
手里也是搞到了一根科赋DDR4 8GB 3200MHz内存，到手价为185元，算是一个比较不错的价格了。这款内存使用了海力士CJR颗粒，工作电压为1.2V，时序为CL22-22-22，频率为3200MHz......
s3c2440裸机-内存控制器(三-2、norflash编程之适配访问时序)(2023-08-09)
s3c2440裸机-内存控制器(三-2、norflash编程之适配访问时序);前面我们了解了norFlash的特性和原理，那么cpu是如何和nor进行通信的呢？下面开始详细介绍。
1.内存......
超频神条 科赋CRAS X RGB DDR4-4000MHz内存评测(2020-12-10)
RGB DDR4-4000MHz内存套装提供三种时序与运行速度，分别为2600MHz 18-18-18-42 @1.20V、2666MHz 19-19-19-43@1.20V、4000MHz 19-25......
常见的PLC系统BUG有哪些？(2024-01-15)
不准确。为了减少时序问题，确保正确设置定时器和计数器、使用合适的采样频率，并进行时序测试和验证。
（4）内存溢出：
PLC系统中的内存......
基于STK4241V的音频放大器电路图(2023-10-30)
/0.25WR8，R19–4.7K/0.5KR2，R5，R21，R23–56K/0.125W
C7，C17–3pF陶瓷C2，C20–470pF陶瓷
50VC6，C16–1nF100VC11，C12......
Lattice MXO2: 2位7段数码管显示(2023-10-26)
信号
引脚
segled1(0)
A10
segled2(0)
C12
segled1(1)
C11
segled2(1)
B14
segled1(2)
F2
segled2(2)
J1......
深度解析电磁炉的工作原理与常见故障(2023-03-23)
制电路发出的矩形脉冲驱动，IGBT导通时，流过L2的电流迅速增加。IGBT截止时，L2、C12发生串联谐振，IGBT的C极对地产生高压脉冲。当该脉冲降至为零时，驱动脉冲再次加到IGBT上使之导通。
上述......
芝奇推出 DDR5-6000 CL30 64GB (32GBx2) 超大容量豪华内存套装(2022-03-30)
专业内容创作者新世代DDR5豪华内存的不二首选。
高速度、低时序、大容量再进化 - DDR5-6000 CL30 64GB (32GBx2)
随着新一代平台的问世以及用户对大容量需求与日俱增，芝奇......
基于LA3600的5频段图形均衡器电路(2023-06-01)
、C6、C8、C10和C15是输入电容，增加这些电容的值将增加低频响应。电容器C13是去耦电容器，C14是电源滤波电路。C12是输出电容，电阻R6限制电源电流。每个......
芝奇推出DDR5-6400 CL32 32GB (2x16GB) 超低延迟极速内存套装(2022-01-28)
芝奇推出DDR5-6400 CL32 32GB (2x16GB) 超低延迟极速内存套装;
2022年01月27日 – 世界知名超频内存及高端电竞设备领导品牌，芝奇国际全新推出DDR5-6400......
基于FET的100W音频放大器电路图(2024-04-19)
1nF
Q4 MPSA93
R10 22kΩ
C10 100uF 100V
Q5 MPSA93
R11 4.7kΩ
C11 100uF 100V
Q6 BC182
R12 33Ω
C12......
LCD实验学习笔记（六）：存储控制器(2023-06-15)
控制BANK0到BANK5 的时序，用默认值0x0700即可。
BANKCON6和BANKCON7：两个BANK接到内存上，除[14:0]控制时序外，[16:15]用于设置内存类型。根据内存......
)
为提供全球超频玩家 DDR5 超频内存的高速效能体验，芝奇资深研发团队坚持不懈探索速度再推升的可能性，并同时尝试将时序压至更低，本次成功突破瓶颈推出 DDR5-6800 CL32-45-45-108......
I2C—读写EEPROM 实验(2023-02-15)
EEPROM 发送了两个数据，但为何第一个数据被解释为EEPROM 的内存地址？这是由EEPROM 的自己定义的单字节写入时序，见图 24-14。
图 24-14 EEPROM 单字节写入时序(摘自......
数字万用表故障检修四例(2023-03-08)
器进入非线性区域的故障应出在积分元件上。拆下积分电阻R37和积分电容C12测量，发现C12的容量仅为0.1uF，正常值为0.47uF。换上一只0.47uF的薄膜电容后，故障排除。
例3．故障现象：一块DT830型数字万用表的2MΩ......
AUTOSAR CP的复杂驱动是什么(2024-02-03)
杂的微控制器外设、外部设备通信收发器、ASIC等，以满足特殊的功能和时序要求。此外，CDD还可以用于实现增强的服务/协议或封装非AUTOSAR系统的传统功能。CDD的实现可能与应用、微控制器和ECU......
基于BEL1895的电容麦克风前置放大器电路(2023-05-25)
-9V电压，因此可以完美地与电池一起使用。
耦合电容C7将决定由此产生的低频响应。电容器C9用作纹波抑制滤波器。电阻R15和电容C13组合在一起，以消除输出振荡。而 C12 可用于引导功能。
该放......
通用微处理器(ARM)与DSP的接口设计方案(2023-02-03)
能描述如表1。
表1 HCNTL0/1功能描述
HPI寄存器共占用了256KB的内存空间，对应的16进制地址范围是：0X01880000～0X018BFFFF。其中，HPIC的起......
芝奇推出Trident Z5 DDR5-6800极速内存套装(2021-10-28)
(2x16GB) 极速内存套装。此顶级规格专为最新第12代Intel@CoreTM 处理器及 Z690主板量身打造，再度将DDR5超频速度推向新高，而时序方面也维持在极低的CL38，充分展示出芝奇高速DDR5......
存储器厂商威刚发布XPG Lancer DDR5-5200内存(2021-10-27)
正式发布了旗下XPG Lancer DDR5内存系列，频率做到了52M00MHz，单条容量16GB，但未透露时序，估计不是CL36就是CL40。
它还搭载了经典XPG风格的散热马甲，金属材质，并支持RGB灯效......
基于电源IC BA5406的3W立体声音频放大器电路图(2024-04-22)
器：C1、C2、C11、C12 = 0.22 uF (220 nF)C3、C4、C5、C6、C7、C8 = 47 uF/16V (elco)C9、C10 = 470 uF/16V (elco)IC1......
新思科技推出黄金签核ECO解决方案，加速先进工艺芯片设计收敛路径(2022-10-18)
——与多种技术相结合，实现更快的ECO收敛时间，同时兼顾高容量和PrimeTime®黄金签核精度。与传统的ECO流程相比，早期客户采用PrimeClosure解决方案实现了时序提高45%、功耗降低10......
8051内部ROM(2023-10-20)
存储器)一般用于存放程序执行过程中产生的大量的临时数据，相当于PC的内存。8051单片机的内部RAM：容 量： 128字节地址范围： 00H~7FH8051的CPU-Central......
MCU如何在扩展的SDRAM上运行程序？(2023-03-13)
MCU如何在扩展的SDRAM上运行程序？;在使用MCU的嵌入式系统设计中，当程序或者数据内存占用太大而无法放入片上闪存或SRAM时，开发者通常考虑使用SDRAM。
别问我为什么你的MCU不支......
spi协议时序图和四种模式实际应用详解(2022-12-16)
spi协议时序图和四种模式实际应用详解;上个章节我们讲解了spi接口定义，今天我们更加深入讲解下spi协议时序图和spi四种模式的用法。
刚开始接触单片机开发时，最怕就是看时序图，对于......
从零造单片机，需要哪些知识？(2022-12-09)
，算术逻辑单元）、内存、寄存器、总线等部分。而普通意义的单片机还包含GPIO、串口（UART）、DMA、协处理器、ADDA等。
前置：计算机组成原理、微机原理。
流水线：
前置：数字逻辑电路、集成......
金泰克速虎系列X4新品震撼发布，创新技术打造匠心品质(2021-06-30)
联保，免却售后维保烦忧
在保障稳定性的基础上，相比一般的内存，X4的时序被进一步升级和优化，最低时序可达16，速度更快，性能更强。
此外，这款X4产品......
英伟达系列芯片设计的高阶自动驾驶系统启动时序流程(2024-01-26)
机制如下：
①当系统无错误时，标准的电源时序会通过特定的 I/O 端或总线（CAN/Flexray/Ethernet PHYs） 唤醒整个系统。这也包含启动所有 SC7 断电域，然后是支持从内存......
spi协议时序图和四种模式实际应用详解(2023-12-19)
spi协议时序图和四种模式实际应用详解;大家好，我是无际。本文引用地址：上个章节我们讲解了定义，今天我们更加深入讲解下spi协议和spi四种模式的用法。
刚开始接触单片机开发时，最怕就是看，对于......
请问ADC是如何在电动汽车充电器中实现高精度计量系统的？(2024-01-11)
式解决方案将高精度模数转换器 (ADC) 与外部微控制器配对使用，从电流互感器或分流传感器的三相（称为多相计量架构）测量电流和电压。ADC 必须高度精确，符合美国国家标准协会 (ANSI) C12 0.5 级或......
STM32驱动LCD的原理介绍(2024-01-31)
~D15、WR、RD、CS、RST和BL等，其中真正在操作LCD的时候需要用到的就只有：
CS
WR
RS
D0~D15
RD
其操作时序和SRAM的控制完全类似，唯一不同就是TFTLCD有RS信号......
玩家的顶尖选择 - DDR4-4800 CL17-19-19-39 16GB (8GBx2)
为提供超频玩家更强效能的内存选择，芝奇研发团队不断挑战高频率与低时序兼俱的最佳可能性，今天......
嘉合劲威首批DDR5内存条量产下线(2021-04-26)
嘉合劲威首批DDR5内存条量产下线;近日，嘉合劲威首批DDR5内存条在深圳坪山工厂量产下线。
如今DDR正在向更快、更高效的新一代产品迭代。嘉合劲威作为全球排名前四的内存......
STM32是如何驱动LCD的？(2024-01-18)
、WR、RD、CS、RST和BL等，其中真正在操作LCD的时候需要用到的就只有：
CS
WR
RS
D0~D15
RD
其操作时序和SRAM的控制完全类似，唯一不同就是TFTLCD有RS信号，但是......
深度解析STM32驱动LCD原理(2024-03-07)
、WR、RD、CS、RST和BL等，其中真正在操作LCD的时候需要用到的就只有：
CS
WR
RS
D0~D15
RD
其操作时序和SRAM的控制完全类似，唯一不同就是TFTLCD有RS信号，但是......
TDengine发布时序数据库分析报告，与InfluxDB、TimescaleDB展开对比测试(2023-02-22 15:10)
和 InfluxDB。在整个查询过程中，TDengine 内存也始终维持在一个相对平稳的状态。关于 TDengineTDengine 是由涛思数据完全自主开发的一款开源、高性能、云原生的时序......
创意电子推出5nm HBM3 IP 已通过8.4 Gbps流片验证(2023-09-13)
供应商制定了积极的路线图，将传输率和内存大小从HBM3提高到HBM3E/P，并在HBM4上进一步将信号总线宽度加倍。但是，基本DRAM时序参数没有改变，并且HBM控制器变得越来越复杂，以提高总线利用率。
创意电子的HBM3控制......
兴福公司电子级硫酸二期项目正式建成投产(2021-03-15)
智能化等多方位分析研究后，对生产技术进行优化，对关键设备进行提档升级。
兴发集团表示，装置建成投产后，运行状况良好，根据目前产品检测分析，预计2021年3月底产品品质可达到SEMI-C12水平......
新思科技推出突破性ECO解决方案PrimeClosure，助力设计效率提升10倍(2022-10-14)
黄金签核精度。与传统的ECO流程相比，早期客户采用PrimeClosure解决方案实现了时序提高45%、功耗降低10%、ECO迭代次数减少50%、设计效率提升10倍。Socionext全球......
金泰克T4 DDR5高阶版正式上市，可超频至6000MHz(2022-09-08)
经过严苛筛选，出厂前都经过严格的测试，具有优秀的超频性能。时序方面做了特别优化，具体时序为CL38-38-38-78，对高带宽要求的玩家更为友好。此外，自带ECC纠错功能，可以及时发现和纠正内存......
C51_单片机开发_XBYTE的使用(2024-04-15)
不用你管，当然你必须要满足时序工作一下摘自网友博客文章：
如何理解#define XBYTE ((unsigned char volatile xdata *
8051 特有的内存型态 code 以......
存储控制器FSMC与触摸屏介绍(2024-02-22)
存储控制器FSMC与触摸屏介绍;一、FSMC外扩内存SRAM
FSMC(Flexible Static Memory Controller，灵活的静态存储控制器)是STM32系列......
详解基于VLT的新型DRAM(2017-01-01)
数组感测；读取操作只涉及在锁存感测数据与DDR缓存器之间传输数据，以及读取DDR缓存器的数值。
根据所需的操作序列不同，有些DDR的时序可能极其复杂。但如果相邻读取操作发生在不同内存......
南芯科技推出完整 LPDDR5/5X和LPDDR4X存储器电源解决方案(2023-08-15)
南芯科技推出完整 LPDDR5/5X和LPDDR4X存储器电源解决方案;
【导读】LPDDR 全称为Low Power Double Data Rate，简称低功耗内存，是美国JEDEC......
带音调控制和低音滤波器的2.1前置放大器电路图(2023-05-23)
以使用任何双运算放大器。
电源采用DB-1封装的整流桥，可以是DB102、DB103、DB104、DB105、DB106或DB107。对于过滤，我们使用 C23、C24、C12、C13、C27、C28......
RGB补完计划之机箱里最靓的仔，科赋CRAS X RGB(2020-12-28)
我不是幻觉，主板自动调到CL20的样子……
后边……受限于AMD2600这款CPU的性能，在我没给CPU超外频，又是保持默认时序和电压的情况下，内存果然继续提就翻车了.
不过这套平台，尤其......
S3C2440开发板-LCD基础(源代码)(2023-01-30)
S3C2440开发板-LCD基础(源代码);首先了解TFT LCD的时序，每个VSYNC信号表示一帧数据的开始，每个HSYNC表示一行数据的开始，无论这些数据是否有效，每个VCLK表示......
Arm承认其Cortex M可被侧信道攻击但否认已被破解(2023-05-16)
隔离保护。
研究人员概述攻击利用了通过总线互连仲裁逻辑暴露的时序差异。当 MCU 内的两个总线主控器（例如 CPU 和直接内存访问 (DMA) ）发出事务以访问内存中的值时，总线互连无法同时处理两者。它优......
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;深圳联升达电子公司;;DRAM 内存芯片 内存条
;立信电子科技有限公司;;内存IC测试，SMT 贴片，内存维修
;深圳祥和丰电子有限公司;;18002509360，QQ1980406220，MSN/邮箱：1980406220@qq.com深圳中华海电子有限公司专业高价收购内存芯片收购内存
;百灵电子有限公司;;本公司主要代理:华邦（内存）.EON.（内存）.毅力（液晶驱动）