资讯
将三维材料变二维，合成新型极薄材料的方法问世(2024-03-18)
将三维材料变二维，合成新型极薄材料的方法问世;二维材料非常薄，只有几个原子厚，具有独特的性质，使其在能量存储、催化和水净化等方面极具吸引力。瑞典林雪平大学研究人员开发出一种能够合成数百种新型二维材料......
基于零维材料的光电探测器原子结构(2023-04-07)
易控等优点成为红外光电探测器的主流选择。然而，碲镉汞的固有缺陷和长波难控制等缺点难以避免，瓶颈问题难以突破。为满足光电探测器高性能、低成本的发展需求，一些研究者通过开发新的材料体系来制备新型红外光电探测器（如零维、二维材料......
复旦最新成果：用于规模化集成电路制造的12英寸高质量二维半导体问世(2023-10-07)
引用地址：北京时间2023年9月29日，复旦大学周鹏-包文中团队取得重大研究进展，发明了一种面向集成电路制造的二维材料生长方法，能够在工业界主流12英寸（300毫米）晶圆上进行均匀和单层材料......
复旦最新成果：用于规模化集成电路制造的12英寸高质量二维半导体问世(2023-10-07)
生长的规模（Scale）和成本（Cost）。
北京时间2023年9月29日，复旦大学周鹏-包文中团队取得重大研究进展，发明了一种面向集成电路制造的二维材料生长方法，能够在工业界主流12英寸（300......
科学家发明可弯曲超级电容：手机充电几秒用一周(2016-11-28)
他们打算在高功率的超级电容上做文章。
目前，业内对此主要的研究方法是使用新型的纳米材料，来改善超级电容的性能。此前也有科研团队使用石墨烯等储电性能强的二维材料来制备超级电容，但电容器的性能得到的改善有限。UCF科研团队也曾尝试采用仅仅几个原子厚度的二维材料......
中国科学院化学研究所等发展直写高性能原子级厚二维半导体薄膜新策略(2022-11-10)
性以及与不同衬底的兼容性而受到关注。目前，印刷的二维晶体管受到性能不理想、半导体层较厚和器件密度低的制约。同时，多数二维材料油墨通常使用高沸点溶剂，随之而来的问题包括器件性能退化、高材料成本和毒害性等，难以......
1纳米以下制程重大突破！台积电等研发出“铋”密武器(2021-05-18)
1纳米以下制程重大突破！台积电等研发出“铋”密武器;在IBM刚刚官宣研发成功2nm芯片不久，台积电也有了新的动作！中国台湾大学、台积电与麻省理工学院共同发表研究成果，首度提出利用半金属铋（Bi）作为二维材料......
GaN开启了“无限复制”时代！(2024-02-22)
同质外延在GaN芯片上形成了二维材料。可以在芯片上生长出与芯片质量相同的GaN半导体，并容易地移除，从而实现使用单个GaN芯片连续生产GaN半导体。
得益于其高速开关、低损耗和高效率的特性，GaN半导体作为下一代电动汽车的功率半导体材料......
中科院上海微系统所在Nature Electronics报道晶圆级范德华接触阵列研究重要进展(2022-05-26)
国家重点实验室狄增峰研究团队基于锗基石墨烯衬底开发出晶圆级金属电极阵列转印技术，在二维材料与金属电极的大面积无损范德华集成研究方面取得进展。相关工作于2022年5月23日以“Graphene-assisted metal transfer......
二维材料成功集成到硅微芯片内，有望用于高级数据存储和计算(2023-03-29)
二维材料成功集成到硅微芯片内，有望用于高级数据存储和计算;
微芯片内的设备和电路的光学显微镜图像。图片来源：《自然》杂志网站
沙特阿卜杜拉国王科技大学科学家在27日出版的《自然》杂志......
二维材料成功集成到硅微芯片内，有望用于高级数据存储和计算(2023-03-29)
二维材料成功集成到硅微芯片内，有望用于高级数据存储和计算;3月27日，沙特阿卜杜拉国王科技大学科学家在《自然》杂志上发表论文指出，他们成功将二维材料集成在硅微芯片上，并实现了优异的集成密度、电子......
中国科学家在铁电多值存储器方面取得进展(2022-11-28)
成为当前延续摩尔定律的一个重要研究方向。迄今为止，针对铁电二维材料忆阻晶体管的研究仍然匮乏，尤其是具有垂直构型的门电压可调的忆阻器件的研究一直缺失，主要原因是传统基于隧穿架构的二维......
突破！中国科学家在铁电多值存储器方面取得进展(2022-11-28)
成为当前延续摩尔定律的一个重要研究方向。迄今为止，针对铁电二维材料忆阻晶体管的研究仍然匮乏，尤其是具有垂直构型的门电压可调的忆阻器件的研究一直缺失，主要原因是传统基于隧穿架构的二维......
关于二维/石墨烯材料及电子器件测试介绍(2023-04-18)
后自动生成相应器件的测试流程
二维/石墨烯材料及电子器件测试
所谓二维材料 （Two dimensional material ），指的是电子仅可在两个维度的非纳米尺度（1-100nm）上自由运动（平面运动）的材料，属于纳米材料......
新型纳米腔重新定义光子极限，为量子光学新应用打开大门(2024-02-07)
×100平方纳米，厚度仅为3纳米，限制光的时间要长得多。其关键在于双曲声子极化激元的使用，这种独特的电磁激励发生在形成空腔的二维材料中。
与以前不同，此次研究利用了一种新的间接限制机制。研究......
新材料大幅提升太阳能电池量子效率(2024-04-11)
华间隙”，即层状二维材料之间的原子级小间隙，开发了这种新型材料。这些间隙可以限制分子或离子，材料科学家通常使用它们来插入或嵌入其他元素，以调整材料特性。
为了开发新材料，研究人员将零价铜原子插入到由硒化锗和硫化锡组成的二维材料......
1nm芯片采用比2nm芯片更先进的工艺，将会用到铋电极的物质(2023-01-28)
已经满足不了它的生产制造了，于是台积电就另辟蹊径，开始寻找新型材料。而这时麻省理工学院刚好发现了一种半金属铋电极，可以作为二维材料用于1nm芯片，所以就与台积电展开了合作。
随着......
中国研发再突破，北大团队制备迄今速度最快能耗最低二维晶体管(2023-04-06)
研究实现了三方面技术革新：
首先，采用高载流子热速度（更小有效质量）的三层硒化铟作沟道，实现了目前场效应晶体管的最高值；
第二，解决了二维材料表面生长超薄氧化层的难题，制备出2.6纳米......
复旦大学研发出晶圆级硅基二维互补叠层晶体管，集成度翻倍并实现卓越性能(2022-12-12)
有技术节点下能够大幅提升集成密度的三维叠层互补晶体管 (CFET) 技术价值凸显，但全硅基 CFET 的工艺复杂度高且性能在复杂工艺环境下退化严重。
据介绍，这种硅基二维互补叠层晶体管利用成熟的后端工艺将新型二维材料......
复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
异质集成叠层晶体管。该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现4英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管。在相......
国内科研团队在二维高性能浮栅晶体管存储器方面取得重要进展(2023-09-19)
以满足频繁的数据交互。随着计算机数据吞吐量的爆发式增长，突破传统浮栅晶体管擦写速度、耐久性等瓶颈，发展一种可兼顾高速、耐久特性的存储技术势在必行。
二维材料具有原子级厚度和无悬挂键表面，在器......
南京大学、东南大学在双层二维半导体外延生长核心技术取得新突破(2022-05-10)
果近日发表于国际学术期刊《自然》。
论文共同第一作者、东南大学教授马亮表示，这份研究不仅突破了大面积均匀双层二硫化钼的层数可控外延生长技术瓶颈，研制了最高性能的二硫化钼晶体管器件，而且双层二硫化钼层数可控成核新机制有望进一步拓展至其他二维材料......
突破！复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
异质集成叠层晶体管。该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现4英寸......
预计到了 2028 年，这个 1nm 工厂的耗电量就相当于全台 2.3% 的用电量了(2023-01-28)
硅已经不能继续缩小了，而二维材料则有望代替硅使芯片性能有所提升，但是二维材料存在的高电阻、低问题，成为学界的一大难点。
麻省理工学院研究发现一种叫做铋电极的物质可以增强降低电阻，可以与二维材料......
复旦大学周鹏、包文中、万景团队合作发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-13)
异质集成叠层晶体管。该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现4英寸......
二维材料成功集成到硅微芯片内，有望用于高级数据存储和计算(2023-03-30)
二维材料成功集成到硅微芯片内，有望用于高级数据存储和计算;3月27日，沙特阿卜杜拉国王科技大学科学家在《自然》杂志上发表论文指出，他们成功将集成在上，并实现了优异的集成密度、电子性能和良品率。研究......
光刻机将成为历史！麻省理工华裔研究出 2D 晶体管，轻松突破 1nm 工艺！(2023-05-29)
的方法需要超过一天的时间来生成 2D 材料，新方法则将其缩短到了一小时内。
“使用二维材料是提高集成电路密度的有效方法。我们正在做的就像建造一座多层建筑。如果你只有一层，这是传统的情况，它不会容纳很多人。但是......
具二维亚铁磁性石墨烯系统首次合成(2022-12-21)
开发出不使用硅的替代技术设备，提高能源效率和速度。
描述被调查系统中霍尔效应的图表。图片来源：圣彼得堡国立大学
石墨烯是碳的二维改性形式，是当今所有可用的二维材料中最轻、最坚固的，而且具有高导电性。2018年，圣彼......
IEDM2022：延续摩尔定律，英特尔底层创新不断(2022-12-09)
强说道。
3微米间距的混合键合技术
3个原子厚的超薄二维材料
材料同样是晶体管微缩的关键。宋继强表示，英特尔采用RibbonFET结构实现GAA时，随着源极和漏极之间的间距缩小，硅材料......
薄如原子的人工神经元面世，有助更好模拟和理解人脑(2023-05-09)
和反馈路径可同时存在于一个网络中。最新研究创建出性能优异的神经网络：具有解决机器学习中复杂问题潜力的计算学习程序。
研究团队解释说，二维材料只由几层原子组成，这种精细的尺度赋予其多种奇异的特性，可根据材料......
防水且透明柔性有机发光二极管制成(2023-07-31)
米线和导电聚合物等开展积极研究。
MXene是一种具有高电导率和透光率的二维材料，具有优异的电化学和光电性能，可通过溶液加工实现大规模生产。尽管拥有这些诱人特性，但其电性能很容易因空气中的湿气或水而劣化，因此其商业化备受挑战。
为解......
防水且透明柔性有机发光二极管制成(2023-07-31 16:10)
是一种具有高电导率和透光率的二维材料，具有优异的电化学和光电性能，可通过溶液加工实现大规模生产。尽管拥有这些诱人特性，但其电性能很容易因空气中的湿气或水而劣化，因此其商业化备受挑战。为解......
上海微系统所在Nature Electronics报道新型碳基二维半导体材料基本物性研究重大进展(2021-11-02)
上海微系统所在Nature Electronics报道新型碳基二维半导体材料基本物性研究重大进展;以石墨烯为代表的碳基二维材料自发现以来受到了广泛关注。然而，石墨......
科学家创造出新型一维超导体，为解决凝聚态物理长期难题提供新路径(2024-04-25)
设备中，电子在同一纳米尺度空间内以两个相反的方向传播，而且没有散射。这样的一维系统十分少见，有望解决基础物理中一系列问题。
在第一种二维材料石墨烯问世20年后，这种......
集成电路学院任天令团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破 首次实现亚1纳米栅长晶体管(2022-03-11)
士生苟广洋、杨轶副教授和华东师范大学通信与电子工程学院孙亚宾副教授。
任天令教授团队长期致力于二维材料器件技术研究，从材料、器件结构、工艺、系统集成等多层次实现创新突破，先后在《自然》（Nature......
新型类脑晶体管模仿人类智能，可在室温下节能执行联想学习(2023-12-21)
团队探索了莫尔条纹物理学的新进展。莫尔条纹是一种几何设计，当两种图案相互层叠时就会出现。当二维材料堆叠时，会出现单独一层不存在的新特性。当这些层扭曲形成莫尔条纹时，电子......
下一代节能计算机研究获突破：更快自旋波催生新型磁振子计算机(2023-08-21)
们在日常生活中深受“续航焦虑”的折磨。开发更加节能的电子终端势在必行，而这绕不开一个关键问题——芯片的能耗。目前科学家正在从多种途径寻求破解之方，包括开发二维材料芯片、类脑芯片等等。利用磁学原理开发磁集成电路则为解决电子终端能耗问题提供了新思路。
......
复享光学显微角分辨光谱仪完成国家科技部科技成果入库(2022-09-28)
光电所罗先刚院士团队发表在Advanced Science, 2022, 9(9): 2103429.的关于二维材料的研究。
助力学科发展的同时，ARMS还服务国家重大工程。复享......
单颗芯片容纳1万亿个晶体管？我们的世界是否还需要更好的晶体管?(2023-01-10)
宜的节点来实现密度改进较小的其他一些功能的能力。
在不久之前，我们曾披露，复旦大学微电子学院的周鹏教授，包文中研究员及信息科学与工程学院的万景研究员，创新地提出了硅基二维异质集成叠层晶体管技术。
该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料......
1nm 的芯片会有吗? 1nm制造工艺是什么概念？(2022-12-15)
单层技术如何受到这些金属诱导间隙的影响。此外，文中并建议采用后过渡金属铋和半导体单层过渡金属二硫化物以缩减间隙的尺寸，从而生产出比以往更小尺寸的2D晶体管。
二维材料，是指电子仅可在两个维度的纳米尺度(1......
日本入局，全球2纳米制程争夺战升级！(2022-06-16)
电的2纳米工艺也将采用GAAFET架构。
随着芯片制造工艺的精进，硅基芯片材料已无法满足行业未来进一步发展的需要。2纳米制程的制作过程中或将引入一些新的材料，其中二维材料（如石墨烯、过渡......
国家自然基金“十四五”规划：集成电路多个细分领域被划重点(2022-11-22)
研究高温超导等强关联体系，非平庸新型拓扑材料，新型磁性、多铁、光电和热电材料，二维材料及其异质结构，复合材料体系、纳米体系和软凝聚态体系等，深入研究新型量子器件物理与技术，发展多体理论与计算方法，为制备新型量子材料......
像搭积木一样连接神经元和突触，集成元件技术可用于人工神经网络(2024-01-24)
神经元之间的连接强度变化的实验结果。观察到下游神经元的放电程度随着突触重量的减小而降低。图片来源：韩国科学技术研究院
该团队使用hBN制造垂直堆叠的忆阻器器件。hBN是一种有利于实现高集成度和超低功耗的二维材料，可展......
国家自然基金“十四五”规划公布，集成电路多个细分领域被划重点(2022-11-22)
研究高温超导等强关联体系，非平庸新型拓扑材料，新型磁性、多铁、光电和热电材料，二维材料及其异质结构，复合材料体系、纳米体系和软凝聚态体系等，深入研究新型量子器件物理与技术，发展多体理论与计算方法，为制备新型量子材料......
中国研究人员开发自供电纳米传感器 可提高车辆安全性(2023-10-23)
由MXene钛基二维材料制成的纳米片，有助于提高设备的电荷收集能力，而导电海绵增加了可携带电荷的颗粒数量。
这样的设计不仅可以为设备提供动力，还使其能够在长达两米的范围内检测超远距离物体。该纳......
超导性在“魔角”石墨烯中开启和关闭(2023-02-16)
的团队率先展示了魔角扭曲双层石墨烯。他们表明，当他们施加一定的连续电场时，新的双层结构可以起到绝缘体的作用，就像木头一样。当他们提高磁场时，绝缘体突然变成超导体，让电子无摩擦地流动。
这一发现催生了“扭曲电子学”，这是一个探索某些电子特性如何从二维材料......
20秒充满电 华为石墨烯快充电池背后：坚持创新(2016-12-05)
企业与曼彻斯特大学的235名研究人员合作开展石墨烯和相关二维材料的研究，并在周边催生出上千家独立公司。
然而前段时间曼彻斯特大学的国家石墨烯研究院也由于不能把有关石墨烯研究成果市场化，而遭......
半导体所等在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列进展(2022-10-19)
阱，实现了黄光波段LED器件。
氮化物材料由于生长方法的限制具有高密度的穿透位错，这些穿透位错会充当非辐射复合中心和漏电通道，对氮化物基光电器件和电力电子器件的性能有严重的负面影响。近期，研究团队采用二维材料......
被“玩坏”的石墨烯，这回真能造芯片了？(2024-01-04)
厚的鳞片石墨=300万片石墨烯）、超轻、（动物毛发可以支撑起红枣大小的石墨烯气凝胶）、超强（完美石墨烯膜制作成保鲜膜盖在杯子上坐一头大象才能让其破裂）的特性。 石墨烯是二维材料的“天才”，电性能远超目前正在开发的任何其他二维......
索尔维在中国揭幕全新材料应用研发中心(2023-05-15)
，索尔维首席技术官Nicolas Cudré-Mauroux、索尔维材料高级执行副总裁Andrew Lau与索尔维材料应用研发中心总监Francesco Triulzi出席了全新材料......
相关企业
;淄博金鼎纤维材料有限公司;;我公司于2004年5月份成立,主要生产玻璃纤维拉丝与织物于一体的中型企业.总投资3000万元,特聘高级技术人员5名,专业技术人员26名,员工300人.年产值5000万.
;华人在线;;中国移动二维码｜二维码｜深圳中国移动二维码｜中国移动二维码深圳华人在线｜中国移动二维码深圳注册中心｜中国移动二维码深圳营销服务部｜中国移动二维码深圳营销服务中心｜深圳二维码｜注册深圳中国移动二维
;东莞市巨能新型保温材料有限公司;;巨能公司是由一群有着十多年生产及销售保温材料经验的、充满活力的专业人士，经过市场的优化组合而成立的。集科研、生产、销售新型保温材料为一体，下属有矿棉纤维材料
;上海佶隆地工公司;;『佶隆地工，国内著名的地下工程材料生产提供商与防腐防水工程专家，生产各类地下工程材料：地工防渗膜（防渗膜,HDPE防渗膜,LDPE防渗膜,EVA防渗膜）,地工排水网（复合
℃、1600、1700、1800、等以及根据客户要求设计特殊温度电炉。炉衬全部采用耐高温纤维材料，可靠的集成化电路，可编程升温，从室内温度到最高温度标准型最快升温速度30分钟，受到广大客户好评 。 广泛
;信码互通北京科技有限公司;;关于信码互通 信码互通（北京）科技有限公司致力于二维条码技术及相关应用的研究和开发工作，是国内外知名的二维码技术提供商。公司拥有强大的技术团队，产品全部自主研发，拥有
;灵马二维码科技公司灵动快拍济南;;二维码可以用于各个行业及领域。灵动快拍二维码团队由移动互联网、图像识别、数据算法、自动识别技术、市场营销等领域资深专家组成。 主要功能有移动营销、会议签到、防伪
制作可耐高温250℃。2.毡套内部含有热收缩纤维材料, 经加热后毡套会自动收缩，包裹紧密。3.毡套表面平整、密度均匀，耐磨性好。使用寿命长。耐高温针刺毛毡：1.进口材料制作，常用规格有耐温160
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