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用万用表判别稳压管极性及其正反向电阻值的方法;用判别稳压管极性及其正反向电阻值的方法与普通硅一样。 稳压管稳定电压vz的测量,最好用jt-1型晶体管图示仪。若条件不具备时,也可用万用表来测量。方法......
晶体管特性图示仪,晶体管特性图示仪是什么意思;  体管特性图示仪它是一种能对晶体管的特性参数进行测试的仪器。    一般使用简介:   (1)“电压(v)/度”旋钮开关  此旋钮开关是一个具有4......
与泰克已有多年合作历程,涉及研发、生产及应用各个环节。 MPS运用国际领先的仪器设备测试测量,更好地进行产品的研发和优化,从泰克早期经典的370B 晶体管图示仪用作芯片的特性标定,到3系列......
新产业布局和未来。 其实,MPS与泰克已有多年合作历程,涉及研发、生产及应用各个环节。MPS运用国际领先的仪器设备测试测量,更好地进行产品的研发和优化,从泰克早期经典的370B晶体管图示仪用作芯片的特性标定,到3......
及应用各个环节。 MPS运用国际领先的仪器设备测试测量,更好地进行产品的研发和优化,从泰克早期经典的370B 晶体管图示仪用作芯片的特性标定,到3系列示波器及探头在常规方案设计及最近几年泰克新一代5系及......
及应用各个环节。 MPS运用国际领先的仪器设备测试测量,更好地进行产品的研发和优化,从泰克早期经典的370B 晶体管图示仪用作芯片的特性标定,到3系列示波器及探头在常规方案设计及最近几年泰克新一代5系及6......
Multisim中虚拟伏安特性图示仪的使用;示波器可以进行伏安特性曲线的测量。但因为示波器不能直接测电流,需要给电路串联小电阻,通过测量小电阻的电压来代替电流信号。伏安特性图示仪......
以及氮化镓系统公司(GaN System)GS-065-011-2-L功率晶体管的PD快充电源方案。 广告 图示1-大联大友尚基于onsemi和GaN System产品的PD快充......
数字编码系统(2023-10-16)
制数 所有计算机系统都使用二进制数进行通信和操作,二进制数只使用数字 0 和 1。以下是这些设备的一些例子: 晶体管可以在截止或饱和状态下工作,但不能在有效区域工作。 开关可以打开或关闭。 一个......
本等移动设备的快充需求。 图示2-基于ST产品的65W PD快充方案的场景应用图 VIPERGAN65是一款高压转换器,内部集成一个脉宽调制(PWM)控制器和一个650V增强型GaN功率晶体管,能够......
将研究当今可用的每种音频放大器的最重要特征:A类,B类,AB类,D类,G类,DG类和H类。 甲类放大器 音频放大器最简单的类型是A类。A类放大器的输出晶体管(图1)导通(即,没有完全关断),而与......
款采用氮化镓(GaN)晶体管的功率变换器件,其专为准谐振反激式转换器设计,能够在宽范围内提供高达50W的输出功率。ViperGaN50采用单开关拓扑,内置电流采样和保护电路。在封装方面,该器......
大友尚基于ST产品的GaN电源转换器方案的场景应用图 本方案的核心ViperGaN50是一款采用氮化镓(GaN)晶体管的功率变换器件,其专为准谐振反激式转换器设计,能够在宽范围内提供高达50W的输......
PD快充方案的场景应用图 VIPERGAN65是一款高压转换器,内部集成一个脉宽调制(PWM)控制器和一个650V增强型GaN功率晶体管,能够在宽范围内提供高达65W的输出功率。并且......
脚输出为低时,它的驱动能力很强,可吸收相当大的电流。准双向口有3个上拉晶体管适应不同的需要。 在3个上拉晶体管中,有1个上拉晶体管称为"弱上拉",当端口 为1时打开。此上拉提供基本驱动电流使准双向口输出为1......
ADALM2000实验:LED作为光传感器;本次实验的目标是探索将发光二极管()用作光电二极管光传感器,将NPN和达灵顿NPN晶体管用作光传感器的接口电路。本文引用地址: 背景知识 光电......
; Storage Corporation)和东芝株式会社(Toshiba Corporation)(统称“东芝”)已经开发了一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该晶体管......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
NMOS和PMOS详解;一、简介本文引用地址:MOS管,是的缩写。金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect......
用于开关小于±250 mV的信号,则泄漏电流(25⁰C)将为超皮安。 图3示出了使用增强模式晶体管开关作为模拟开关的示例。图示了SD5400-2四路DMOS开关(SD5000-2,SD-5200-2和......
在确保卓越的功率密度的同时,节省物料成本(BOM)。此外,宽带隙晶体管技术也能进一步提高能效并简化热管理设计。 图示3-大联大友尚基于ST产品的65W PD快充......
-0XB06ES7 222-1BD30-0XB06ES7 223-3AD30-0XB06ES7 223-3BD30-0XB06ES7 223-0BD30-0XB0注意:所有支持源型输出的晶体管......
新能源汽车解析丨什么是IGBT?结构与拆解;IGBT (绝缘栅双极晶体管)作为一种功率半导体器件,广泛应用于轨道交通、智能电网、工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。具有节能、安装方便、维护......
ADALM2000实验:LED作为光传感器;目标 本次实验的目标是探索将发光二极管(LED)用作光电二极管光传感器,将NPN和达灵顿NPN晶体管用作光传感器的接口电路。 背景知识 光电......
容、晶体管、游丝、发条等电子器件的总称。常见的有二极管等。 电子元器件包括:电阻、电容、电感、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电......
罗姆(ROHM)第4代:技术回顾;Stephen Russell博士(TechInsights)与Peter Gammon教授(PGC)合作 罗姆今年发布了他们的第4代(Gen4)金氧半场效晶体管......
今年发布了他们的第4代(Gen4)金氧半场效晶体管(MOSFET)产品。新系列包括额定电压为750 V(从650 V提升至750 V)和1200 V的金氧半场效晶体管,以及多个可用的TO247封装元件,其汽......
罗姆(ROHM)第4代:技术回顾;今年发布了他们的第4代(Gen4)金氧半场效晶体管()产品。新系列包括额定电压为750 V(从650 V提升至750 V)和1200 V的金氧半场效晶体管,以及......
的充电体验。 图示2—大联大诠鼎基于Innoscience产品的300W电源适配器方案的场景应用图 INN700D140C和INN700DA140C均耐压为700V的增强型氮化镓晶体管,其中......
用户带来高效、轻便的充电体验。 图示2-大联大诠鼎基于Innoscience产品的300W电源适配器方案的场景应用图 INN700D140C和INN700DA140C均耐压为700V的增强型氮化镓晶体管,其中......
FinFET晶体管尺寸的量化一直是主要挑战,并迫使高密度6T; 存算一体化是指将传统以计算为中心的架构转变为以数据为中心的架构,它可以突破冯·诺伊曼架构下存算分离的瓶颈,直接......
欢迎的多端 TL431 三端子并联为设计人员的应用提供了相当大的多功能性。 图1a 图示了TL431的内部电路,其中包括一个精密基准电压源、一个运算放大器和一个并联晶体管(参考文献1)。在典型的应用中,两个......
CPU 与 GPU 的区别分析(2024-12-04 12:19:10)
在结构和功能上有显著区别。 什么是 CPU? CPU 由数百万个晶体管组成,可以有多个处理内核,通常被称为计算机的大脑。它是......
更高比特密度和性能的新型 3D 闪存结构。新兴存储器技术:1. 氧化物半导体通道晶体管 DRAM (OCTRAM): 该技术由南亚科技和 Kioxia Corporation 联合开发。双方开发了一种垂直晶体管,通过......
宽度调制是一种模拟控制方式,其根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置,来实现晶体管或MOS管导通时间的改变,从而实现开关稳压电源输出的改变。这种......
驱动,可由专用控制器或通用MCU进行驱动控制,是数据中心模块电源,电机驱动以及D类功率放大器等48V电源系统的最佳选择。   INN040LA015A是一颗耐压40V导阻1.5mΩ的增强型氮化镓晶体管,其采......
Corporation)和东芝株式会社(Toshiba Corporation)(统称“东芝”)已经开发了一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该晶体管......
MOSFET开关损耗简介;本文将通过解释功耗的重要来源来帮助您优化开关模式调节器和驱动器电路。本文引用地址:的工作可以分为两种基本模式:线性和开关。在线性模式中,晶体管......
电压为13.8~14.6V,图示为这种调节器的原理图:      1.结构   电阻R1、R2、R3构成分压器,R4和稳压管VS2构成电压敏感电路,晶体管VTl与复合连接的晶体管VT2、VT3构成2个开......
类功率放大器等48V电源系统的最佳选择。 INN040LA015A是一颗耐压40V导阻1.5mΩ的增强型氮化镓晶体管,其采用FCLGA 5*4封装,体积小巧,同时具备极低栅极电荷和导通电阻,且反......
更高比特密度和性能的新型 3D 闪存结构。 新兴存储器技术: 1. 氧化物半导体通道晶体管 DRAM (OCTRAM): 该技术由南亚科技和 Kioxia Corporation 联合开发。双方开发了一种垂直晶体管,通过......
程开关置于hFE档,决定所测晶体管为NPN型或PNP型,将发射极,基极,集电极分别插入相应的孔里。 ......
机器非常准确地将微观材料沉积在表面,将晶体管图案印到硅片上,并蚀刻掉不必要的部分——所有这些都需要消耗大量电力。过滤空气中的灰尘并调节晶圆厂洁净室的温度和湿度也会消耗电力。 此外,现代晶圆厂使用各种工艺气体来清洁硅晶片的表面,并精确蚀刻这些闪闪发光的硅片上的晶体管......
器和碳刷的两个表面之间会产生火花,导致自发热,短寿命以及由于火花产生的电噪声,这会损坏任何半导体开关器件,例如MOSFET或晶体管。为了克服这些缺点,开发了无刷直流电动机。 “无刷”直流电动机无刷直流电动机(BDCM......
1.5mΩ的增强型氮化镓晶体管,其采用FCLGA 5*4封装,体积小巧,同时具备极低栅极电荷和导通电阻,且反向恢复电荷为零,不仅可以降低占板面积,而且具有更高的开关频率,能够......
件提供多种先进的电压和温度测量功能,带有嵌入式平衡晶体管和丰富的诊断功能,简化了BJB应用设计。在通信方面,MC33772C支持标准SPI和与MCU的隔离菊花链通信,能够处理和控制多达63个节点。并且......
要额外供电的电子元器件称之为「被动元件」,因此电阻器、电容器以及电感器均为被动元件,而晶体管以及其他放大器则不是被动元件)。如果你有阅读上一篇文章,那么你可能还记得 RC 滤波......
调谐放大器的仿真原理图见图1。计算偏置电阻R1和R2的值,确保当发射极电阻R3设置为100 Ω时,NPN晶体管Q1中的集电极电流约为5 mA。假设电路由10 V电源供电。确保R1和R2之和(总电阻)达到合理的最高值,从而......
适配器方案的场景应用图   INN700D140C和INN700DA140C均耐压为700V的增强型氮化镓晶体管,其中,INN700D140C采用DFN8*8封装,INN700DA140C采用DFN5*6封装,两款......
用户带来高效、轻便的充电体验。 图示2-大联大诠鼎基于Innoscience产品的300W电源适配器方案的场景应用图 INN700D140C和INN700DA140C均耐压为700V的增强型氮化镓晶体管,其中......
数字显示仪表故障检查与处理方法;在工业现场中有大量显示仪表在使用,显示仪表故障处理是用户面临的问题,本文介绍显示仪表本机的故障判断思路、故障检查方法及故障处理,帮助大家提高处理显示仪......

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