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研发客服---大联大控股近日宣布，其旗下意法半导体（ST）VIPERGAN65芯片以及SRK1001和STUSB476QTR芯片的 方案。
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图示1-基于ST产品的 方案的展示板图
在5G、物联网技术的不断推进下，越来越多的移动电子设备涌入市场，为人们的生活带来极大的便利。然而随着用户对移动设备的依赖性日益增强，高效的充电需求也与日俱增。在这种趋势下，能够提升充电速率的PD充电器迅速进入快车道，且市场发展前景广阔。为助力厂商加快PD充电器的开发，基于ST VIPERGAN65芯片推出 方案，该方案具有紧凑设计的特点，可满足手机、笔记本等移动设备的快充需求。
图示2-基于ST产品的65W PD快充方案的场景应用图
VIPERGAN65是一款高压转换器，内部集成一个脉宽调制（PWM）控制器和一个650V增强型GaN功率晶体管，能够在宽范围内提供高达65W的输出功率。并且具有低静态电源管理可用于系统实现低待机功耗。不仅如此，VIPERGAN65内置多种能确保安全性和可靠性的功能，包括输入电压前馈补偿、输入/输出过压保护、电流检测、以及上电和掉电保护，且所有保护均为自动重启模式。
在外观尺寸方面，VIPERGAN65采用5mm x 6mm QFN封装，占地面积小、集成度高，能够在确保卓越的功率密度的同时，节省物料成本（BOM）。此外，宽带隙晶体管技术也能进一步提高能效并简化热管理设计。
图示3-大联大友尚基于ST产品的65W PD快充方案的方块图
本方案初级侧主控芯片使用ST VIPERGNA65，次级侧同步整流控制器使用ST SRK1001，协议芯片采用ST STUSB476QTR，输出接口为主流的USB Type-C。凭着这些器件的出色性能，本方案能够有效的提高充电效率，助力厂商迅速推出具有PD快充功能的充电产品。
核心技术优势：
65W开发板优势：
● 4个功率点平均效率：>92%；
● 空载待机功耗：<50mW（@230 VAC）；
● EMI符合IEC55022 B；
● VIPERGAN65集成650V氮化镓MOS（GaN）可实现紧凑、简化的PCB布局和减少BOM；
● 具有动态消隐时间和可调谷底同步延迟功能的QR，可在任意输入线路和负载条件下最大化效率；
● 谷底锁定；
● 输入电压前馈补偿OPP；
● 频率抖动可抑制EMI。
方案规格：
65W开发板规格：
● 输入电压：90~264VAC，频率47~63Hz；
● 输出电压：单Type-C输出5V~20VDC；
● 输出功率：最大20V 3.25A@65W；
● 尺寸：70mm x 35mm x 25mm（长x宽x高）；
● 功率密度：>22 W/in3；
● 效率：符合欧盟CoC Tier 2和DoE Level 6效率要求，230 VAC 65W时峰值效率>93%。
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