资讯
2022(第二届)碳基半导体材料与器件产业发展论坛将于8月3-5日在浙江·宁波举行(2022-07-26)
论坛简介
第二届碳基半导体材料与器件产业发展论坛（CarbonSemi 2022）以“探索碳基半导体产业化应用”为主题，聚焦碳基电子材料与器件、宽禁带半导体与高功率器件、柔性电子与光电器件......
最新议程！| 2021碳基半导体材料与器件产业发展论坛(2021-04-13)
：金刚石半导体与器件
参考话题：（不局限于如下话题）
1、金刚石半导体对大单晶材料的要求
2、P型掺杂与N型掺杂
3、超宽禁带半导体金刚石器件研究
4、碳基芯片、散热器件、3D封装
5、微纳......
突破！西安高校团队从 8 英寸硅片制备出氧化镓外延片~(2023-03-17)
硅片中制备出高质量的氧化镓外延片，标志着在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。
据悉，该研究成果出自西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队。
陈海峰教授表示，氧化镓是一种超宽禁带半导体材料......
重点发展氮化镓，英诺赛科（苏州）全球研发中心正式启用(2023-11-23)
重点发展氮化镓，英诺赛科（苏州）全球研发中心正式启用;据吴江工信消息，11月20日，英诺赛科（苏州）全球研发中心正式启用，将打造成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地，同时......
第二轮征稿 | 2021碳基半导体材料与器件产业发展论坛(2021-04-23)
第二轮征稿 | 2021碳基半导体材料与器件产业发展论坛;2021碳基半导体材料与器件产业发展论坛
DT新材料以“实现芯片国产化”为主题，促进我国科研界与产业界之间的深度交流合作为目的，邀请......
国家自然基金“十四五”规划：集成电路多个细分领域被划重点(2022-11-22)
设计理论基础、光电子器件及集成技术、宽禁带半导体、电子器件、射频电路关键技术、多功能与高效能集成电路等。
量子材料与器件
围绕量子材料制备、物性研究和器件物理中的基础性重大科学前沿问题，重点......
国家自然基金“十四五”规划公布，集成电路多个细分领域被划重点(2022-11-22)
设计理论基础、光电子器件及集成技术、宽禁带半导体、电子器件、射频电路关键技术、多功能与高效能集成电路等。
量子材料与器件
围绕量子材料制备、物性研究和器件物理中的基础性重大科学前沿问题，重点......
功率半导体，未来怎么卷(2023-09-06)
去描述一项技术的成熟度，复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所的最新分享显示，目前硅器件、SiC SBD已进入稳定应用期，SiC MOSFET、GaN HEMT处于我爬坡期，金刚石、氮化......
专注四代半，杭州镓仁半导体开业(2024-01-04)
和销售的科技型企业。依托浙江大学硅材料国家重点实验室、浙江大学杭州国际科创中心和浙江省功率半导体材料与器件实验室，已形成一支以中国科学院院士杨德仁院士为首席顾问的研发和生产团队，掌握从设备开发、热场......
氮化镓微波毫米波无线能量转换芯片关键技术研发项目获得立项(2024-01-12)
衬底上研发出高性能、低成本的微波-直流转换芯片。通过探索新型半导体工艺、先进封测技术来提高芯片稳定性、可靠性，团队有信心整体性能达到国际前沿水平。
目前，江南大学建有宽带隙/超宽禁带半导体材料与器件......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄(2021-09-28)
入海”，适用范围广泛
禁带的宽度决定了电子跃迁的难度，是半导体的导电性的决定因素之一。禁带越宽，半导体材料越接近绝缘体，器件稳定性越强，因而超宽禁带半导体能应用于高温、高功率、高频......
特斯拉Model3搭载SiC，宽禁带半导体迎来爆发(2023-02-01)
射应用场景中尤其适用。GaN材料则更耐压、更耐热、更耐腐蚀，在发光器件中比较适用。基于性能上的明显优势，国内外相关企业都在积极发展宽禁带半导体材料。
放眼全球，目前，宽禁带半导体......
特斯拉 Model3 搭载 SiC，宽禁带半导体迎来爆发(2023-02-02)
相比，SiC 在禁带宽度等方面有明显优势，也更耐高温、更抗辐射，在大功率、高温、高辐射应用场景中尤其适用。GaN 材料则更耐压、更耐热、更耐腐蚀，在发光器件中比较适用。基于性能上的明显优势，国内外相关企业都在积极发展宽禁带半导体材料......
泰克参加【全国半导体物理学术会议】，助力半导体物理的技术发展和革新(2023-07-18)
近年来与客户、合作伙伴联手一道解决前沿探索过程中的种种难题，助力半导体物理技术的发展和革新。在【第二十四届全国半导体物理学术会议】期间，泰克集中展示最新测试方案，为低维半导体材料测试、新一代宽禁带半导体材料......
泰克参加【全国半导体物理学术会议】，助力半导体物理的技术发展和革新(2023-07-18)
伙伴联手一道解决前沿探索过程中的种种难题，助力半导体物理技术的发展和革新。在【第二十四届全国半导体物理学术会议】期间，泰克集中展示最新测试方案，为低维半导体材料测试、新一代宽禁带半导体材料测试、神经形态器件与脑类计算、半导体量子器件......
积塔/天岳/长电等参与，国内再添半导体产业基地(2024-04-01)
产业链联盟”。
宽禁带半导体也被称为第三代半导体，指的是以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料。近年来，随着新能源汽车、光伏、储能、5G通讯等产业快速发展，宽禁带半导体......
东莞：目标1000亿！(2022-09-05)
产业发展生态、构建高水平产业创新体系等五个方面重点任务。其中，
推动产业集聚发展。《行动计划》指出，推动滨海湾新区建设集成电路设计园，松山湖高新区建设宽禁带半导体材料集聚区和半导体特色产业园，临深片区建设半导体......
奥趋光电成功制备出高质量3英寸氮化铝单晶(2022-12-23)
/cm）、高热稳定性及良好的紫外透过率等优异性能（见图三），是高功率、高频及高压器件（见图四）的理想衬底材料，同时也是紫外光电器件的最佳衬底材料。据康奈尔大学报导，AlN基功率器件的综合性能有着其它宽禁带半导体材料......
多个百亿级项目加持，第三代半导体产业将添新高地？(2020-12-15)
、芯片、模组、封装检测及下游应用的全产业链格局。
山东济南
山东济南以宽禁带半导体材料（亦称第三代半导体）为重点发展产业，建设济南宽禁带半导体小镇。
2018年7月......
史上最全第三代半导体产业发展介绍(2017-07-27)
拓宽发光光谱，实现全彩显示。随着宽禁带技术的进步，材料工艺与器件工艺的逐步成熟，其重要性将逐渐显现，在高端领域将逐步取代第一代、第二代半导体材料，成为电子信息产业的主宰。
今天是《半导体行业观察》为您......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
”），一家开发和销售氧化镓晶圆的日本公司。
以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，凭借耐高温、抗高......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争;然而，在宽禁带半导体材料发展势如破竹的同时，学术界和科研界不约而同地展望下一代半导体材料——氧化镓（Ga2O3），并将其视为“替代碳化硅和氮化镓”的新一代半导体材料......
合盛硅业：子公司成功研发碳化硅半导体材料并具备量产能力(2023-05-24)
并具备量产能力。
根据公告，合盛硅业通过合盛新材布局第三代半导体产业的研发与制造。合盛新材是一家专业从事半导体材料研发和生产的高新技术企业。截至2022年底，“宽禁带半导体......
浙江大学杭州国际科创中心50mm厚6英寸碳化硅单晶生长成功(2022-07-29)
方面使一个碳化硅单晶锭切片所获得的碳化硅衬底片数量能够翻倍，所以能够大幅降低碳化硅衬底的成本。
浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院紧紧围绕国家重大战略需求和浙江省战略性新兴产业发展布局，目前已获批浙江省宽禁带功率半导体材料与器件......
全球SiC争霸赛，谁在豪掷千金？(2023-08-10)
美国对第三代半导体的资助由来已久，2000年美国能源部、国防部以及科学技术委员会便制定了有关GaN和SiC半导体材料的开发项目；2010年，美国推出宽禁带半导体技术创新计划，推动......
氧化镓商业化脚步临近，或将与碳化硅直接竞争(2023-09-22)
镓对市场需求产生的带动作用。
氮化镓适用于1000V以下的中低压的市场，碳化硅适用于650V以上的中高压市场。氧化镓作为一种新型超宽禁带半导体材料，虽然......
已申请3项发明专利！国内8英寸碳化硅单晶取得新突破(2022-05-05)
的大批量生产和销售。2021年10月，陈小龙研究团队最终在自研的衬底上初步生长出了8英寸SiC晶体。
中国科学院物理研究所表示，8英寸SiC导电单晶研制成功是物理所在宽禁带半导体领域取得的又一个标志性进展，研发......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
于2021年5月，专注于以创新技术制备氧化镓为代表的新一代半导体材料。
稍早之前，镓仁半导体宣布完成数千万天使轮融资。该公司是一家专注于氧化镓等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发;近期，媒体报道进化半导体完成近亿元人民币融资。据悉，进化半导体是以国际首创无铱工艺制备超宽禁带材料氧化镓为特色的化合物半导体衬底企业，创立于2021年5月，专注于以创新技术制备氧化镓为代表的新一代半导体材料......
“第三代半导体”迎来新方向，新能源车成为主线，重点在5家短线大牛(2023-04-13)
“第三代半导体”迎来新方向，新能源车成为主线，重点在5家短线大牛;以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特点，可以极大满足新能源汽车电动化、网联......
抢占竞争制高点？国内氧化镓功率器件研发取得重要进展(2022-08-31)
的最高值。
氧化镓（β-Ga2O3）是超宽禁带半导体的典型代表，禁带宽度高达（~4.8 eV），临界击穿场强高达（~8 MV/cm），是研制高耐压、大功率和高效节能半导体器件的理想半导体材料......
西安邮电大学成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片(2023-03-13)
研究上取得重要进展。
据陈海峰教授介绍，氧化镓是一种超宽禁带半导体材料，具有优异的耐高压与日盲紫外光响应特性，在功率器件和光电领域应用潜力巨大。硅上......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展(2022-05-27)
型结构难以设计和实现。常见的增强型设计方案往往会大幅提升器件的开态电阻，导致过高的导通损耗。
针对上述问题，该课题组在原有增强型晶体管设计基础上，引入了同样为宽禁带半导体材料的P型NiO，并与沟槽型结构相结合，成功......
西安交通大学绍兴市通越宽禁带半导体研究院揭牌成立(2023-07-31)
，从材料到芯片到器件，一直到应用的全产业链协同创新。此次研究院与地方企业的签约，也将推动绍兴宽禁带半导体产业链创新链人才链深度融合，开辟发展新赛道，进一......
华灿光电第三代半导体材料与器件省重点实验室通过验收(2022-11-14)
华灿光电第三代半导体材料与器件省重点实验室通过验收;11月11日，华灿光电（浙江）有限公司（以下简称“华灿光电”）官微发文称，近日，浙江省科学技术厅公布2020年度省重点实验室责任期考核结果，依托公司的浙江省第三代半导体材料与器件......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机(2023-07-31)
开发和销售氧化镓晶圆的日本公司。
以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，凭借耐高温、抗高压、开关速度快、效率高、节能、寿命长等特点，近年来业界热度一路飙升。然而，在宽禁带半导体材料发展势如破竹的同时，学术界和科研界不约而同地展望下一代半导体材料......
中国研发再突破！15亿美元的氧化镓市场如何引发多国博弈？(2022-05-12)
镓被科技部高新司列入重点研发计划；2018年3月，北京市科委率先开展了前沿新材料的研究，把氧化镓列为重点项目。此外，安徽等省/市也在“十四五”科技创新规划公布的集成电路重大专项中提出，研发氧化镓等宽禁带半导体材料、工艺、器件......
空中客车公司和意法半导体合作研发功率电子器件，助力飞行电动化(2023-06-30)
更高效、更轻量化，这对于未来的混动飞机和纯电动城市飞行器发展至关重要。
在签署该合作协议前，双方已充分评估了宽禁带半导体材料给飞机电动化带来的种种好处。与硅等传统半导体材料相比，碳化硅 (SiC......
空中客车公司和意法半导体合作研发功率电子器件，助力飞行电动化(2023-06-30)
签署了一项功率电子技术研发合作协议，以促进功率电子器件更高效、更轻量化，这对于未来的混动飞机和纯电动城市飞行器发展至关重要。
在签署该合作协议前，双方已充分评估了宽禁带半导体材料给飞机带来的种种好处。与硅等传统半导体材料......
长城汽车投资同光股份 进军第三代半导体核心产业(2021-12-30)
核心产业。
官微显示，此次，作为领投方的长城汽车，将推进后者的碳化硅产业发展，聚焦第三代宽禁带半导体碳化硅在新能源汽车产业的应用，推动碳化硅半导体材料与芯片的产业化。
图片......
意法半导体和空客达成合作，SiC和GaN将登上飞机(2023-06-26)
SiC和GaN等半导体材料带入飞机是脱碳飞行的重要一步，目前空客正在探索一种混合动力电力推进的技术，用于提升飞机的能源利用效率的同时，并将二氧化碳的排放降低。而SiC和GaN等宽禁带半导体器件......
总投资25亿元，上海天岳碳化硅半导体材料项目开工(2021-08-20)
显示，上海天岳半导体材料有限公司成立于2020年6月，注册资本6000万元，是山东天岳先进科技股份有限公司的全资子公司。山东天岳成立于2010年，注册资本3.87亿元，是一家国内领先的宽禁带半导体衬底材料......
低碳化成半导体强劲增长点 吉林华微电子进入新赛道(2024-01-22)
低碳芯片研发及产业化。
在节能降碳风潮的推动下，宽禁带半导体被认为是具有广阔发展前景的市场。即便当前碳化硅、氮化镓器件相较于硅器件的价格仍较高，但综合来看，应用宽禁带半导体器件......
8英寸SiC领域现强强联合！(2023-12-20)
领域发展，centrotherm下一步计划进一步增强宽禁带半导体工艺模块的扩散和退火工艺专业性，并将专业知识拓展至SiC/GaN及其他创新性宽禁带半导体材料领域。
作为......
三菱电机将与安世携手开发SiC功率半导体(2023-11-27)
三菱电机将与安世携手开发SiC功率半导体;11月，日本三菱电机、安世半导体（Nexperia）宣布，将联合开发高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立产品功率半导体。双方将联手开发，将促进SiC宽禁带半导体......
无锡吴越半导体展出GaN晶体 全球首次厚度突破1厘米？(2021-12-16)
的氮化镓晶体，并与君联资本、新投集团签署A轮融资战略框架协议。
公开资料显示，第三代半导体GaN是由氮和镓组成的一种半导体材料，相比于硅材料，GaN具备决定性的优势。由于其禁带宽度大于2.2eV, 因此又被称为宽禁带半导体材料......
第三代半导体功率器件在汽车行业的应用(2023-09-19)
。
更高的温度稳定性：第三代半导体材料具有较高的热导率和较宽的禁带宽度，使其能在更高的温度下稳定工作。
更小的尺寸：由于第三代半导体功率器件的高频率特性，可以减小磁性元件和电容的尺寸，从而......
半导体厂商，如何搭乘SiC东风？(2023-06-21)
极限，难以满足需求。因此，以SiC为代表的第三代半导体材料兴起。
SiC具有大禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射等特点，适合制造高温、高压、高频、大功率的器件。主要......
专注于大尺寸SiC衬底，超芯星半导体完成亿元B轮融资(2023-01-04)
宽度大于2.2eV被称为宽禁带半导体材料，在国内也称为第三代半导体材料。
碳化硅可广泛应用于5G通讯、航空航天、轨道交通、电动汽车、光伏储能、风力发电、智能电网、高压输配电和电能变换、电机......
完全自主产权 中国第四代半导体新突破！(2024-03-22)
镓因其优异的性能和低成本的制造，成为目前最受关注的超宽禁带半导体材料之一，被称为第四代材料。
该材料主要用于制备功率器件、射频器件及探测器件，在轨道交通、智能电网、新能源汽车、光伏发电、5G移动......
相关企业
;天津市环欧半导体材料有限公司;;天津市环欧半导体材料技术有限公司是从事半导体材料硅单晶、硅片的生产企业。拥有40余年的生产历史和专业经验，形成了以直拉硅单晶、区熔硅单晶、直拉硅片、区熔
;山东恒瑞电子有限公司;;滕州市恒瑞电子有限公司,为中国磁性材料与器件协会会员单位,是一家研制、生产、销售高磁导率软磁铁氧体磁芯的专业化公司.
;峨眉半导体材料研究所;;
;有研半导体材料股份有限公司;;成立于1999年3月12日，是北京有色金属研究总院独家发起，以募集方式设立的股份有限公司。公司前身是半导体材料国家工程研究中心。公司于 1999年3月19日在
;城大科技有限公司;;主营半导体材料、开发工具、烧录工具
;深圳市正和兴电子有限公司;;深圳市正和兴电子有限公司专业经营半导体集成电路裸芯片，特种军用元器件，封装材料（金属管壳和陶瓷管壳），各种电子浆料、靶材、半导体材料及设备，是国
;东莞市光好电子材料有限公司;;光好电子材料有限公司是一家专业提供FPD原料与器件的贸易公司．公司主要经营产品：LCD用材料:偏光片、IC 、ACF 、ACF去除液、铁氟胧(PTFE) 、高热传导性复合材料
光电技术开发中心可研制和生产整套中、小功率的激光器、新型陶瓷激光腔、激光美容治疗仪、激光焊接机、激光打标机、激光艺术表演机和激光切割/雕刻机等。目前，我所主营范围有：制造、加工半导体材料、晶体材料及元器件、电子仪器设备，提供
;深圳市华晶微科技发展有限公司;;半导体材料及其产品的开发和销售
;科理集创科技有限公司;;致力于开发先进的半导体技术应用于无线智能通讯的应用领域，启动和承担各类以半导体材料为起点的创新工程。