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【向宽禁带演进】： 您能跟上宽禁带测试要求的步伐吗？(2023-03-15)
或频率的提高而变得更加明显。这种泄漏的逻辑极限是不可控的导电率，相当于半导体运行失效。
在这两种宽禁带材料中，GaN主要适合中低档功率实现方案，大约在1 kV和100 A以下。GaN的一个显著增长领域是它在LED照明......
[向宽禁带演进]:您能跟上宽禁带测试要求的步伐吗?(2023-03-15)
泄漏的逻辑极限是不可控的导电率，相当于半导体运行失效。
在这两种宽禁带材料中，GaN主要适合中低档功率实现方案，大约在1 kV和100 A以下。GaN的一个显著增长领域是它在LED照明中的应用，而且......
SiC和GaN的应用优势与技术挑战(2023-10-17)
的技术挑战安世
安世（Nexperia）认为，宽禁带功率器件正朝着大规模使用的方向发展，特别是在汽车行业（尤其是电动汽车领域）。
尽管宽禁带材料正变得越来越成熟，但在实现高质量和扩大SiC 和GaN 晶圆......
【向宽禁带演进】：您能跟上宽禁带测试要求的步伐吗？(2023-03-15)
于半导体运行失效。
在这两种宽禁带材料中，GaN主要适合中低档功率实现方案，大约在1 kV和100 A以下。GaN的一个显著增长领域是它在LED照明中的应用，而且......
英飞凌将收购氮化镓系统公司（GaN Systems）(2023-03-03)
凌是一家技术实力非常深厚的集成器件制造商，能够帮助我们充分发挥自身潜力，再创辉煌。”
氮化镓是一种宽禁带材料，功率密度更大、效率更高而尺寸更小，尤其是在高频开关应用中能够发挥重要作用。凭借低能耗和小型化的优势，氮化......
辉煌。”
氮化镓是一种宽禁带材料，功率密度更大、效率更高而尺寸更小，尤其是在高频开关应用中能够发挥重要作用。凭借低能耗和小型化的优势，氮化镓器件的适用范围极广。据市场分析机构预测，氮化......
英飞凌将收购氮化镓系统公司，进一步巩固自身在全球功率系统领域的领导地位(2023-03-03)
辉煌。”
氮化镓是一种宽禁带材料，功率密度更大、效率更高而尺寸更小，尤其是在高频开关应用中能够发挥重要作用。凭借低能耗和小型化的优势，氮化镓器件的适用范围极广。据市场分析机构预测，氮化......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
的代表。目前，各国的半导体企业都争先恐后布局氧化镓，氧化镓正在逐渐成为半导体材料界一颗冉冉升起的新星。
性能优越的氧化镓
氧化镓是一种超宽禁带材料，超越了目前已经商用器件的禁带宽度，达到了4.2电子......
非常期待与英飞凌携手开始书写新的篇章。英飞凌是一家技术实力非常深厚的集成器件制造商，能够帮助我们充分发挥自身潜力，再创辉煌。”
氮化镓是一种宽禁带材料，功率密度更大、效率更高而尺寸更小，尤其......
英飞凌将收购氮化镓系统公司（GaN Systems），在扩充氮化镓产品线的同时(2023-03-03 17:28)
非常期待与英飞凌携手开始书写新的篇章。英飞凌是一家技术实力非常深厚的集成器件制造商，能够帮助我们充分发挥自身潜力，再创辉煌。”氮化镓是一种宽禁带材料，功率密度更大、效率更高而尺寸更小，尤其是在高频开关应用中能够发挥重要作用。凭借......
意法半导体与欧陆通设立联合开发实验室，瞄准第三代半导体领域(2023-05-04)
合作的研发团队将在服务器电源及新能源两大产业应用领域进行合作。
据介绍，在服务器电源领域，欧陆通将结合意法半导体广泛的芯片组合，包含主芯片控制器，功率器件（包含碳化硅，氮化镓等宽禁带材料），模拟......
国内实现6英寸AlN单晶复合衬底和晶圆制造全流程突破(2024-11-06)
成本大幅下降，且有效控制晶圆翘曲。
研究发现，AlN单晶复合衬底表面存在的Si、O杂质会造成寄生漏电通道，使得HEMTs器件无法正常关断。团队据此创新提出二次生长AlN埋层方法覆盖杂质层，使其在超宽禁带材料......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发;近期，媒体报道进化半导体完成近亿元人民币融资。据悉，进化半导体是以国际首创无铱工艺制备超宽禁带材料氧化镓为特色的化合物半导体衬底企业，创立于2021年5月，专注于以创新技术制备氧化镓为代表的新一代半导体材料......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发;
【导读】近期，媒体报道进化半导体完成近亿元人民币融资。据悉，进化半导体是以国际首创无铱工艺制备超宽禁带材料氧化镓为特色的化合物半导体衬底企业，创立......
SK Siltron CSS将为英飞凌提供150毫米SiC晶圆，未来还将涉及200毫米晶圆合作(2024-01-11)
晶圆直径过渡方面发挥重要作用。
2022年2 月，英飞凌宣布投资 20 多亿欧元，在马来西亚居林建设一座新的前道晶圆厂，以便扩大宽禁带材料产能，巩固其市场地位。第一批晶圆将于 2024 年下半年下线，届时，英飞凌的宽禁带材料......
克服碳化硅制造挑战，助力未来电力电子应用(2024-10-24)
宽度相对较窄，为1.1电子伏特(eV)，而SiC和GaN的禁带宽度分别为3.3eV和3.4eV。
图 1 - 宽禁带材料的物理特性(资料来源：安森美)
这些特性意味着宽禁带材料......
中国团队第三代半导体研发实现新突破(2024-11-08)
效控制晶圆翘曲。
研究发现，AlN单晶复合衬底表面存在的Si、O杂质会造成寄生漏电通道，使得HEMTs器件无法正常关断。团队据此创新提出二次生长AlN埋层方法覆盖杂质层，使其在超宽禁带材料......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机(2023-07-31)
（极化率十倍于氮化镓，适合于高电子迁移率晶体管）方面的研究也逐渐增加。
所以从材料属性来说，氧化镓是一种很有希望的超宽禁带材料。氧化镓的优势不仅是材料性能高，更重要的是成本较低。2019年有......
从原理到实例：GaN为何值得期待？(2021-11-30)
）等宽禁带材料升级，使得功率器件体积和性能均有显著提升。
那么什么是第三代半导体GaN呢？它是由氮和镓组成的一种半导体材料，由于其禁带宽度大于2.2eV, 因此又被称为宽禁带半导体材料。
功率......
全球外延生长设备市场将在 2026 年达到 11 亿美元(2021-11-10)
硅（SiC）衬底等宽禁带材料也将达到2.39亿美元。
德国AIXTROM是后摩尔定律下外延生长设备销量最高的公司，市场份额为39%。排名第二的是美国的Veeco，占有 12% 的份额。中微半导体以11%的份......
300+客户通过验证，长沙160亿半导体项目规划二期建设(2022-04-12)
半导体正在规划项目二期建设。
资料显示，长沙三安半导体产业项目总投资160亿元，主要建设具有自主知识产权的以碳化硅、氮化镓等宽禁带材料为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地，项目投产后可广泛用于新能源汽车、高铁......
总投资160亿元，湖南三安半导体项目即将迎来新进展(2021-06-07)
首批设备点亮。
湖南三安半导体项目是省市重点工程，总投资160亿元，总占地面积约1000亩，主要建设具有自主知识产权的以碳化硅、氮化镓等宽禁带材料为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地，项目......
功率器件领域重磅收购案尘埃落定！英飞凌完成收购GaN Systems(2023-10-25)
来西亚居林建设一座新的前道晶圆厂，以便扩大宽禁带材料产能，巩固其市场地位。第一批晶圆将于 2024 年下半年下线，届时，英飞凌的宽禁带材料制造能力将在现有奥地利菲拉赫工厂产能的基础上实现飞跃。
今年8月......
碳中和之路，“风光”无限好(2023-09-11 10:10)
能源系统的重要组成部分。电池管理系统是储能的关键
随着芯片技术的发展，以及宽禁带材料的引入，电源管理解决方案正在朝着一体化、集成化方向发展。在电池储能过程中，电池管理系统（BMS）的作用可谓举足轻重，它是......
碳中和之路，“风光”无限好(2023-09-08)
的特性，成为能源系统的重要组成部分。
电池管理系统是储能的关键
随着芯片技术的发展，以及宽禁带材料的引入，电源管理解决方案正在朝着一体化、集成化方向发展。
在电池储能过程中，电池......
碳中和之路,“风光”无限好(2023-09-08)
能源系统的重要组成部分。
电池管理系统是储能的关键
随着芯片技术的发展，以及宽禁带材料的引入，电源管理解决方案正在朝着一体化、集成化方向发展。
在电池储能过程中，电池管理系统（BMS）的作用可谓举足轻重，它是......
碳中和之路，“风光”无限好(2023-11-01)
空气储能等）和热能储能为主。电池储能作为储能技术的一种重要形式，以其高效、便捷的特性，成为能源系统的重要组成部分。
电池管理系统是储能的关键
随着芯片技术的发展，以及宽禁带材料......
意法半导体或将进军10nm工艺(2022-12-12)
意大利卡塔尼亚（Catania）投资7.3亿欧元建造一条6英寸碳化硅衬底生产线，预计于2023年投产。
从目前布局看，在传统产品线之外，先进制程与宽禁带材料是意法半导体未来两大投入重点。在先进制程方面，意法半导体重启了向1X......
英飞凌亮相APEC 2023，以高能效电源解决方案助力低碳化和数字化(2023-03-23 16:02)
/ OTCQX 代码：IFNNY）展示了业界非常全面的功率电子半导体器件以及高性能、高能效的电源解决方案。以推动低碳化和数字化为己任，英飞凌重点展示了其以先进的硅材料和宽禁带材料......
英飞凌亮相APEC 2023，以高能效电源解决方案助力低碳化和数字化(2023-03-23)
凌科技股份公司展示了业界非常全面的功率电子半导体器件以及高性能、高能效的电源解决方案。以推动低碳化和数字化为己任，英飞凌重点展示了其以先进的硅材料和宽禁带材料为基础制造的广泛的产品组合。这些产品具有更高的功率密度、更小......
英飞凌亮相APEC 2023，以高能效电源解决方案助力低碳化和数字化(2023-03-23)
了业界非常全面的功率电子半导体器件以及高性能、高能效的电源解决方案。以推动低碳化和数字化为己任，英飞凌重点展示了其以先进的硅材料和宽禁带材料为基础制造的广泛的产品组合。这些产品具有更高的功率密度、更小......
英飞凌亮相APEC 2023，以高能效电源解决方案助力低碳化和数字化(2023-03-23)
动低碳化和为己任，英飞凌重点展示了其以先进的硅材料和宽禁带材料为基础制造的广泛的产品组合。这些产品具有更高的功率密度、更小的占板面积和更加出色的性能，有助于创造一个更加绿色环保的世界。
作为......
又一起收购，涉及MOSFET(2024-01-05)
资料显示，X-FAB是第一家为宽禁带材料SiC/GaN 提供全面加工技术的纯晶圆代工厂，其在德国德累斯顿的现代化8英寸晶圆厂负责加工 GaN-on-Si，在美国德克萨斯州拉伯克的6英寸晶圆厂负责加工SiC......
意法半导体或将进军10nm工艺(2022-12-12)
产。
从目前布局看，在传统产品线之外，先进制程与宽禁带材料是意法半导体未来两大投入重点。在先进制程方面，意法半导体重启了向1X纳米工艺节点的进军，明确选择了FD-SOI技术......
三安半导体SiC项目二期计划Q3投产(2024-05-11)
用地面积约1000亩，主要建设具有自主知识产权，以SiC、GaN等宽禁带材料为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地，业务涵盖衬底材料、外延生长、晶圆制造及封装测试等环节。该项目一期于2020年7月破......
特斯拉Model3搭载SiC，宽禁带半导体迎来爆发(2023-02-01)
引了全球汽车厂商的目光。搭载SiC芯片的智能电动汽车，可提高续航里程，对突破现有电池能耗与控制系统上瓶颈，乃至整个新能源汽车行业都有重要意义。
目前，业内普遍认为以SiC为代表的宽禁带半导体将成为下一代半导体主要材料......
特斯拉 Model3 搭载 SiC，宽禁带半导体迎来爆发(2023-02-02)
量产应用，这吸引了全球汽车厂商的目光。搭载 SiC 芯片的智能电动汽车，可提高续航里程，对突破现有电池能耗与控制系统上瓶颈，乃至整个新能源汽车行业都有重要意义。
目前，业内普遍认为以 SiC 为代表的宽禁带半导体将成为下一代半导体主要材料......
泰克参加【全国半导体物理学术会议】，助力半导体物理的技术发展和革新(2023-07-18)
近年来与客户、合作伙伴联手一道解决前沿探索过程中的种种难题，助力半导体物理技术的发展和革新。在【第二十四届全国半导体物理学术会议】期间，泰克集中展示最新测试方案，为低维半导体材料测试、新一代宽禁带半导体材料......
泰克参加【全国半导体物理学术会议】，助力半导体物理的技术发展和革新(2023-07-18)
伙伴联手一道解决前沿探索过程中的种种难题，助力半导体物理技术的发展和革新。在【第二十四届全国半导体物理学术会议】期间，泰克集中展示最新测试方案，为低维半导体材料测试、新一代宽禁带半导体材料测试、神经形态器件与脑类计算、半导......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄(2021-09-28)
铝镓等，都被视为新一代半导体材料的重要方向。从带隙宽度来看，锑化物属于窄带半导体，而氧化镓、金刚石、氮化铝属于超宽禁带半导体。新一代半导体材料，将一路向宽，还是一路向窄？
超宽禁带半导体：“上天......
积塔/天岳/长电等参与，国内再添半导体产业基地(2024-04-01)
半导体产业链联盟”。
宽禁带半导体也被称为第三代半导体，指的是以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料。近年来，随着新能源汽车、光伏、储能、5G通讯等产业快速发展，宽禁带......
PCIM Europe 2024：英飞凌以创新半导体解决方案推动低碳化和数字化进(2024-06-07)
展示产品、演示和设计辅助工具，英飞凌将说明其在功率管理方面从产品到系统的专业技术如何帮助工程师平衡运营规范和应用要求。演示将包括以下领域的解决方案：
– 宽禁带技术：宽禁带材料......
西安交通大学绍兴市通越宽禁带半导体研究院揭牌成立(2023-07-31)
半导体，从材料到芯片到器件，一直到应用的全产业链协同创新。此次研究院与地方企业的签约，也将推动绍兴宽禁带半导体产业链创新链人才链深度融合，开辟发展新赛道，进一......
12英寸氮化镓，新辅助？(2024-09-10)
的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的充电器件运行速度，比传统硅器件要快100倍。而由于宽禁带材料具备高电场强度，耗尽区窄短，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。从氮化镓目前的发展来看，据业界披露，一个......
量产交付产品66款，2021年湖南三安导入SiC功率器件客户549家(2022-01-25)
全产业链生产线，湖南三安车规级功率器件“上车”
此前资料显示，湖南三安半导体项目总投资160亿元，主要建设具有自主知识产权的以碳化硅、氮化镓等宽禁带材料......
和设计辅助工具，英飞凌将说明其在功率管理方面从产品到系统的专业技术如何帮助工程师平衡运营规范和应用要求。演示将包括以下领域的解决方案：
宽禁带技术：宽禁带材料......
英飞凌将在马来西亚居林建造全球最大的200毫米碳化硅功率半导体晶圆厂,到2030(2023-08-09)
英飞凌将在马来西亚居林建造全球最大的200毫米碳化硅功率半导体晶圆厂,到2030;低碳化趋势将推动功率半导体市场强劲增长，尤其是基于宽禁带材料的功率半导体。全球......
济南宽禁带半导体小镇一期项目基本完成(2021-08-05)
已提升完成，道路细沥铺设完成，目前等待消防验收和综合验收。
报道指出，2018年以来，山东省实施新旧动能转换工程，济南市将新材料列入十大千亿级产业范围，槐荫区提出了建设宽禁带......
展示产品、演示和设计辅助工具，英飞凌将说明其在功率管理方面从产品到系统的专业技术如何帮助工程师平衡运营规范和应用要求。演示将包括以下领域的解决方案：
–宽禁带技术：宽禁带材料......
多个百亿级项目加持，第三代半导体产业将添新高地？(2020-12-15)
、芯片、模组、封装检测及下游应用的全产业链格局。
山东济南
山东济南以宽禁带半导体材料（亦称第三代半导体）为重点发展产业，建设济南宽禁带半导体小镇。
2018年7月......
相关企业
;镇江兰锋有色金属有限公司;;本公司是生产各种规格型号的铍青铜带材、铍青铜板材、铍青铜棒材、铍青铜铸件、铍青铜铸锭块、铍青铜合金、铍青铜材料、铍铜带材、铍铜板材、铍铜棒材、铍铜合金、铍铜铸件、铍铜
;苏州壹帆金属材料有限公司;;1：加工范围：主要提供各种金属带材的分条加工：如铜带、铝带、不锈钢带等，拥有自动分条机及专业的技术人员。 带材的分条范围：厚度：0.08mm~~~~2.5mm
;北京百门胶粘产品制造有限公司;;北京百门胶粘产品制造有限公司（百门公司）是以压敏胶粘带材料（PSAT），胶粘标贴（PSAL）应用科学研究为主体的高新技术材料生产公司。中国化工信息中心指定为全国压敏胶粘带与不干胶材料
;东莞市金峰金属材料有限公司;;东莞市金峰金属材料有限公司是一家专业铜合金系列产品的生产厂家。公司多年来依托国内多家科研院所和工程技术人员倾心致力于铜合金系列产品的研究、开发及生产工作。 公司
成立了以2名国家级非晶科研专家为主题的研究开发队伍，并建立了化学分析实验室、磁性能测试实验室，具备非晶纳米晶软磁合金材料的研发能力，可为客户提供多种性能要求的铁基非晶合金、纳米晶合金带材及铁芯。关键
;安徽众恒复合材料科技有限公司;;安徽众恒复合材料科技有限公司是具有50多年历史的国有企业，专业生产非晶带材、非晶/纳米晶磁芯、变压器铁芯、各种类型的磁粉芯，产品广泛服务于航空航天、信息通讯、电力
;扬中晨隆金属压延有限公司;;扬中晨隆金属压延有限公司是一家综合性工业生产企业，专业生产铍青铜带材、铍青铜板材、铍青铜棒材、铍青铜合金及各类铍铜合金、铸件、铝合金的加工材料、内燃机配件、冷拉
磁电流和良好的温度稳定性和时效稳定性。 应用领域：主要用于替代硅钢片，作为各种形式、不同功率的工频配电变压器、中频变压器磁芯，工作频率从50Hz到10kHz；作为大功率开关电源电抗器磁芯材料，使用频率可达50kHz。 2、铁基纳米晶合金带材
;宝鸡华士嘉机械设备制造有限公司;;公司专业从事设计、制造、销售金属带材纵剪、横剪设备；金属带料拉弯矫平机组；板材校平及板带精整设备；半导体材料（晶体、陶瓷、磁性材料等）切割及研磨、抛光
;佛山市明富兴金属材料有限公司;;佛山市明富兴金属材料有限公司是专业从事软磁坡莫合金材料、非晶、超微晶(纳米晶)铁芯,EMC元器件及带材的高科技企业.公司汇集了一批从事非晶、超微晶(纳米晶)几十