5月9日，据湖南三安半导体消息，湖南三安半导体董事长林志东近日作为中国半导体企业代表应邀参加了中法企业家委员会第六次会议。

在法期间，林志东介绍了湖南三安SiC项目最新进展。据介绍，位于湖南湘江新区的湖南三安半导体责任有限公司，2020年落户长沙，仅用一年时间就点火试产。目前，一期已经全线投产，目前SiC年产能已达到25万片（6英寸）。二期正在建设中，将全部导入8英寸生产设备和工艺，计划今年三季度投产。整个项目达产后将实现总计年产48万片的规模。

据悉，该项目作为国内首个、世界第三个SiC全产业链整合研发与制造项目，总投资160亿元，规划用地面积约1000亩，主要建设具有自主知识产权，以SiC、GaN等宽禁带材料为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地，业务涵盖衬底材料、外延生长、晶圆制造及封装测试等环节。该项目一期于2020年7月破土动工，2021年6月23日正式投产，并于同年11月量产下线SiC SBD全系列产品。2022年7月，该项目二期工程开工。

产品方面，湖南三安的SiC系列产品主要面向工业级和车规级应用。目前，湖南三安SiC SBD已推出G3/G4/G5系列产品，已广泛应用于光伏逆变器、充电桩、电源以及新能源汽车等领域并形成批量出货，累计出货量超2亿颗；SiC MOSFET方面，湖南三安已推出针对新能源汽车主驱的1200V 16mΩ车规级产品，目前正在数家战略客户进行模块验证；湖南三安还推出了针对光伏的1700V 1Ω及1200V 32mΩ/75mΩ SiC MOSFET，已在重点客户批量导入。

此外，湖南三安今年4月在第十八届北京国际车展上展示了1200V 8mΩ SiC MOSFET，这款产品是湖南三安目前1200V电压平台最小导通电阻、最大额定电流产品。    

合作方面，湖南三安与维谛技术于3月28日宣布达成战略合作伙伴关系，双方将共同推动数据中心、通信网络等领域的创新与发展。基于此，湖南三安SiC业务有望向数据中心、通信等领域加速渗透。

封面图片来源：拍信网