资讯
科赋CRAS C710 M.2 SSD晒物与Win To Go制作记录(2020-12-24)
卜论坛早有人说起这个事情。
选好镜像、移动硬盘和系统版本，参数基本安装默认即可，按下部署就会自动运作。按下部署还会要求确认，防止选错移动设备。
部署的花费时间取决于移动硬盘的写入速度，科赋CRAS......
你变了！不再是我以前认识的西部数据了— 西部数据My Passport移动硬盘体验评测(2022-12-12)
HD Tune软件进行测试。在ATTO测试中，可以看到其写入速度约为116.3MB/S，读取速度约为115.7MB/S，在1TB的容量存储中，My Passport移动硬盘的写入和读取速度......
对比机械硬盘：笔记本换上固态硬盘提升多少？(2016-09-30)
Benchmark硬盘跑分软件对固态硬盘进行了跑分测试，最终这块固态硬盘的持续读取速度为514MB/s，持续写入速度为487MB/s；随机读取速度为375MB/s，随机写入速度为146MB/s，硬盘......
瑞萨推出集成STT－MRAM的MCU测试芯片，瞄准物联网与边缘智能(2024-02-26)
于自旋的磁存储原理而非传统的电荷或电流存储方式。尽管MRAM的写入速度已被证明相当高，但其读取操作传统上却存在延迟——这正是瑞萨电子此次研发工作的重点。为了提升读取速度，瑞萨电子的测试芯片采用了两种新机制：一是......
瑞萨推出集成STT-MRAM的MCU测试芯片，瞄准物联网与边缘智能(2024-02-23)
于自旋的磁存储原理而非传统的电荷或电流存储方式。尽管MRAM的写入速度已被证明相当高，但其读取操作传统上却存在延迟——这正是瑞萨电子此次研发工作的重点。
为了提升读取速度，瑞萨电子的测试芯片采用了两种新机制：一是......
西部数据扩充旗下闪迪至尊超极速™ SDXC™ UHS-II存储卡系列(2023-03-22)
、成本以及耐用性等方面提出了更高的要求。
闪迪至尊超极速SDXC UHS-II存储卡（V60）拥有不低于60MB/s的写入速度，在标准录制模式下支持6K视频拍摄功能，时刻帮助用户记录高清瞬间，高达1TB......
2000MB/s高速读写 强劲性能硬控职场(2024-09-24)
，平均写入速度1617MB/s。通过每秒记录的写入速度可以看到，致态灵·先锋版2TB的最低写入速度也在1100MB/s以上，能够在全盘范围内满足8K乃至12K超高分辨率视频记录的需求。对于......
三星电子：正按计划推进 eMRAM 内存制程升级，8nm 版本基本完成开发(2024-06-03 14:20)
eMRAM 的技术开发已基本完成。作为一种新型内存，MRAM 基于磁性原理，具有非易失性，不需要同 DRAM 内存一样不断刷新数据，更为节能高效；同时 MRAM 的写入速度又是 NAND 的 1000 倍......
西部数据扩充旗下闪迪至尊超极速 SDXC UHS－II存储卡系列(2023-03-22 15:01)
高清分辨率的普及也推动了数字化内容的井喷式增长。这都对存储卡在性能、容量、成本以及耐用性等方面提出了更高的要求。闪迪至尊超极速SDXC UHS-II存储卡（V60）拥有不低于60MB/s的写入速度，在标......
三星电子：正按计划推进 eMRAM 内存制程升级，8nm 版本基本完成开发(2024-05-31)
的制程升级，目前 8nm eMRAM 的技术开发已基本完成。
作为一种新型内存，MRAM 基于磁性原理，具有非易失性，不需要同 DRAM 内存一样不断刷新数据，更为节能高效；同时 MRAM 的写入速度......
西部数据扩展闪迪移动microSDXC Nintendo Switch 专用存储卡系列(2023-06-01 11:27)
量型号。该存储卡系列的读取速度高达 100MB/s[ii]，写入速度高达90MB/s2，助力玩家更快一步进入精彩纷呈的游戏世界。高达90MB/s的写入速度也可支持高速的游戏下载。该存......
3．5ms超高速写入、支持125度工作的EEPROM＂BR24H－5AC系列＂(2021-01-05)
列产品是采用ROHM自有的数据写入/读取电路技术、实现了3.5ms（毫秒）的高速写入、支持125℃工作的EEPROM。与普通产品5ms的写入速度相比，写入时间可以减少30％。例如，在电子设备的制造过程中，对10......
3．5ms超高速写入、支持125度工作的EEPROM＂BR24H－5AC系列＂(2021-01-05)
列产品是采用ROHM自有的数据写入/读取电路技术、实现了3.5ms（毫秒）的高速写入、支持125℃工作的EEPROM。与普通产品5ms的写入速度相比，写入时间可以减少30％。例如，在电子设备的制造过程中，对10......
s3c2440 nandflash 初始化(2024-07-22)
一些。
● NAND的写入速度比NOR快很多。
● NAND的擦除速度远比NOR快。
● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更加简单。
● NAND的实际应用方式要比NOR复杂......
工作温度横跨400度！工研院VLSI发表世界顶尖“磁性存储器”技术(2022-06-16)
适用于嵌入式存储器的新兴领域。
工研院电子与光电系统所所长张世杰表示，MRAM有媲美静态随机存取存储器（Static Random Access Memory；SRAM）的写入、读取速度，兼具快闪存储器非挥发性，近年......
闪迪与你 共赴下一场璀璨星海(2023-09-21)
UHS-II存储卡（V60）凭借高达150MB/s[3]的写入速度，在延时摄影的过程中保证即便是1s的间隔也能无间断的写入，每一次的闪烁、每一颗星的滑落、每一帧的动态变化都能被完美捕捉；以视频速度......
铠侠发布2TB microSDXC存储卡(2023-12-20)
变成了现实。
EXCERIA PLUS G2 2TB 具有高达100 MB/s[2]的读取速度和高达90 MB/s[2]的写入速度，达到了UHS速度等级3（U3）[3]、应用等级1（A1）[4]和视频速度等级30（V30）[3......
闪迪与你 共赴下一场璀璨星海(2023-09-25)
记录过不少流星奇景，但当再次亲眼目睹这广袤大地上空一道道划破天际的行星碎片时，龍柏山人依旧激动不已。闪迪至尊超极速™ SDXC™ UHS-II存储卡（V60）凭借高达150MB/s[3]的写入速度，在延......
超高写入速度的QspiNAND：汽车OTA升级新选择(2020-12-28)
组成的单片W25N02JW设备中，则编程时间仅需35秒。而将相同的程序代码存储在采用W25H02JV的SPI NOR闪存数组，则需要22分钟。
图2：SPI NOR与QspiNAND闪存设备的写入速度比较。（数据......
贸泽电子即日起开售Fujitsu Semiconductor Memory Solution产品(2021-12-13)
FRAM是新一代非易失性存储器，与EEPROM相比，具有更高的读/写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗，可满足工程师对这些特性的需求。贸泽分销的Fujitsu FRAM产品采用串行接口（SPI、I²C）和并......
贸泽电子即日起开售Fujitsu Semiconductor Memory Solution产品(2021-12-13)
FRAM是新一代非易失性存储器，与EEPROM相比，具有更高的读/写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗，可满足工程师对这些特性的需求。贸泽分销的Fujitsu FRAM产品采用串行接口（SPI、I²C）和并......
富士通电子将自9月推出业内最高密度8Mbit ReRAM产品(2019-08-08)
通电子提供各种铁电随机存取内存 (FRAM)(注3) 产品，能提供比EEPROM与闪存更高的耐写次数与更快的写入速度。富士通电子的FRAM产品以最佳的非挥发性内存闻名，尤其是需要非常频繁记录及保护写入......
春日有礼，西部数据和“她”一起开启存储焕新计划(2024-03-04)
迪至尊超极速 SDXC UHS-II存储卡(V60)，具备高达150MB/s的写入速度及280MB/s的读取速度[iii]，极具性价比。它在标准录制模式下支持6K视频拍摄功能[iv]，高速......
春日有礼，西部数据和“她”一起开启存储焕新计划(2024-03-04)
-II 存储卡(V60)，具备高达150MB/s的写入速度及280MB/s的读取速度[iii]，极具性价比。它在标准录制模式下支持6K视频拍摄功能[iv]，高速连拍和延时摄影统统满足，让你......
支持USB3.1传输速率——闪迪至尊极速CZ800体验评测(2022-12-11)
Disk Benchmark和HDTune进行测试。首先ATTO Disk Benchmark的结果可以看到这款闪迪CZ80 USB3.0闪存盘的读取速度已经超过200MB/s，而写入速度......
铠侠发布 2TB microSDXC 存储卡(2023-12-21 09:54)
把SDXC支持的最大 2TB规格变成了现实。EXCERIA PLUS G2 2TB microSDXC存储卡具有高达100 MB/s[2]的读取速度和高达90 MB/s[2]的写入速度，达到了UHS......
5款PCI-E/M.2 SSD体验：目前SSD最快速度？(2016-10-07)
/s。每秒超过2GB的读取速度以及超过1GB的写入速度，让普通不过600MB/s的SATA III SSD相形见绌。
测试小结：5款SSD在CMD的4K随机读写性能测试中，读取性能差距并不是特别明显，不过写入速度......
IOS专享移动存储 闪迪欣享手机闪存盘体验评测(2022-12-08)
安全系数较高。
在ATTO Disk Benchmark测试的最高写入速度约127MB/s，最高读取速度约62MB/s，与其标示的9 0 M B / s 相差无几，与市面上其他Lightning插头......
双倍性能+自我修复技术！希捷科技推出下一代Exos X存储阵列(2022-09-10)
/O）的卓越性能、高达12GB/s的顺序读取速度和10GB/s的写入速度。
据悉，希捷科技的Exos X 2U12、2U24和高密度机箱5U84—均配备新的VelosCT ASIC控制......
新速度 新起点——闪迪至尊超极速USB3.1固态闪存盘体验评测(2022-12-10)
行业
目前闪迪的这款至尊闪存盘提供了128GB和256GB两种存储容量，同时还使用了目前最新的USB3.1规范，最大读取速度高达420MB/秒，写入速度达到380MB/秒，等于......
更具性价比来袭，英睿达P3 Plus PCIe4.0 NVMe(2022-11-30)
多数高端竞争者一样，提供了五年保修，并具有类似的耐用性评级。
具体参数如上，拿1T的配置来说，5000MBps的读取速度及4200MBps的写入速度相对其他PCIe 3.0的固......
双11狂欢 | 心动集结，西部数据解决方案狙击多样存储需求(2023-10-24)
呈现动态之美；而1TBii的容量以及高达150MB/s的写入速度及280MB/s的读取速度[vii]是高速连拍和延时摄影的全能型“选手”，任你玩转多样记录形式。
当然，如果你对传输速度有着更高的需求，读取速度......
双11狂欢|心动集结,西部数据解决方案狙击多样存储需求(2023-10-24)
量以及高达150MB/s的写入速度及280MB/s的读取速度[vii]是高速连拍和延时摄影的全能型“选手”，任你玩转多样记录形式。
当然，如果你对传输速度有着更高的需求，读取速度高达300MB......
西部数据618钜惠来袭，多款存储好物燃动一夏(2023-05-25)
展现个性和实力的理想搭档。
存储卡就好比是摄影师的左臂右膀，重要性不言而喻，而闪迪至尊超极速™SDXC™ UHS-II存储卡 (V60) 便是一位集性能与性价比于一身的“全能选手”。高达150MB/s的写入速度及280MB......
西部数据618钜惠来袭，多款存储好物燃动一夏(2023-05-25 14:47)
展现个性和实力的理想搭档。存储卡就好比是摄影师的左臂右膀，重要性不言而喻，而闪迪至尊超极速™SDXC™ UHS-II存储卡 (V60) 便是一位集性能与性价比于一身的“全能选手”。高达150MB/s的写入速度及280MB/s的读取速度......
PCM 存储器如何支持汽车的 OTA 固件升级(2024-06-25)
前无需擦除操作，PCM 的写入速度比 NOR 闪存更快。因此，PCM 缩短了 OTA 固件升级时间，改善了用户体验，降低了服务成本。这些功能还降低了固件升级的功耗。因此，如果在车辆运行时下载更新，固件......
3D Xpoint存储点燃SSD市场新战火(2017-03-22)
倍到77倍；该款产品在读取速度上一般能轻松击败NAND SSD，但是非常依赖缓冲存储的写入速度，两者之间则是不相上下。新款SSD一开始的目标市场很广泛，包括元资料(metadata)关键值搜寻、交易......
STM32入门学习笔记之EEPROM存储实验4(2024-03-25)
) ; //EEPROM的写入速度比较慢
}
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Name......
慧荣主控+英特尔颗粒，科赋CRAS C710 M.2固态硬盘评测(2020-12-31)
套件办公、视频剪辑、画图等等。最终成绩中最大的连续读取性能为1.95GB/S，最大的写入速度1.58GB/S，和此前CrystalDiskMark测试结果基本相同。
TxBENCH可以......
适合高级汽车市场ADAS应用的非易失性存储器MB85RS2MLY介绍(2023-04-07)
EEPROM和闪存相比，具有更高的读/写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗。FeRAM 已被对传统非易失性存储器的规格不满意的客户所采用。
自2017年以来，富士通一直提供64Kbit至2Mbit......
西数发布首款消费级SSD：蓝盘、绿盘齐飞(2016-10-12)
是闪迪15nm TLC，容量250GB、500GB、1000GB(1TB)。
性能方面，持续读取速度540-545MB/s，持续写入速度500-525MB/s，随机读取速度97000-100000 IOPS......
PCIe 3.0x4高速存取+稳定效能 科赋CRAS C710 M.2 SSD评测(2020-12-15)
，1600 MB/s左右的顺序写入速度，高效稳定，在日常使用中无论是辅助转存文件、加载Adobe等大型应用程序，还是畅玩3A级游戏大作，都可以带来更极致的使用体验。
科赋CRAS......
纵向集成、横向架构扩展，西部数据以丰富产品组合迎接数字未来(2023-03-28)
了西部数据第四代DRAM-less SSD(自研主控和NAND闪存颗粒)，采用了PCIe Gen4接口，可提供高达5,150MB/s的读取速度(1TB和2TB容量版本)和4,900MB/s的写入速度(1TB......
容量价格比致胜:英睿达P3 2TB评测(2023-01-13)
测试可以得知,在空盘条件下英睿达P3 2TB可以提供大约500GB的SLC写入缓存空间,说明其采用了全盘SLC算法,即利用所有空白闪存空间用于模拟SLC写入。在SLC缓存用尽后SSD直接进入到边释放边写入状态,写入速度......
西部数据双十一好物盘点，多样存储需求即刻满足(2022-10-28)
固态硬盘卓越版采用NVMe高速技术，拥有高达1,050MB/s的读取速度和1,000MB/s的写入速度1，并拥有USB 3.1 Gen 2接口，让您能直接在硬盘中编辑，节省传输时间。非常......
铠侠出样最新一代 UFS 4.0 闪存芯片：连读写入速率提升 15%、封装面积减(2024-04-23)
与 UFS 主控，使用 JEDEC 标准 9mm x 13mm 封装，比前代产品的 11mm x 13mm 封装小 18%。
性能方面，新一代 UFS 4.0 闪存连续写入速度提升 15%、随机写入速度......
英飞凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON F－RAM非易失性存储器已开始批量供货(2022-11-23)
存储器的读写性能与采用并行接口、电池供电的静态存储器旗鼓相当，存取时间为35纳秒。凭借快速的写入速度、出众的耐用性和行业领先的能效水平，EXCELON F-RAM成为汽车、工业和医疗应用等领域的首选数据记录存储器。关于......
英飞凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON F－RAM非易失性存储器已开始批量供货(2022-11-23 09:52)
存储器的读写性能与采用并行接口、电池供电的静态存储器旗鼓相当，存取时间为35纳秒。凭借快速的写入速度、出众的耐用性和行业领先的能效水平，EXCELON F-RAM成为汽车、工业和医疗应用等领域的首选数据记录存储器。关于......
台积电、高通两大半导体巨头试水存储赛道？(2024-08-23)
口静态随机存取存储器单元电路
静态随机存取存储器(SRAM)通常用于集成电路中。SRAM单元具有保持数据而不需要刷新的有利特征。随着对集成电路速度的要求越来越高，SRAM单元的读取速度和写入速度......
Kioxia提供最新一代UFS Ver．4．0嵌入式闪存器件样品(2024-04-25 09:49)
UFS产品的增强性能可优化5G连接的利用率，从而加快下载速度、减少延迟并提升用户体验。较小的封装尺寸有助于提高电路板空间效率和设计灵活性。主要功能包括：• 读/写速度比上一代产品更快(3)：连续写入速度......
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，AUTORUN自动播放； 8、读写速度快：USB2.0 写入速度：4～8MB／s 读取速度：8～12MB／s； 9、数据存储持久稳定，根据存储介质不同，最高使用的次数达10万次。 10
;深圳嘉美泰科技有限公司;;usb3.0 PCIE 卡，USB3.0 Express卡，USB2.0/USB3.0 TO SATA线、usb3.0硬盘盒、sata ide转接卡、各种硬盘盒 Rita
)卡锁控制电路.及程序写入.单片机的程序写入.可按客户要求开发线路板,欢迎来电来函资询.
;宏伟实业;;懒的写了
;深圳市顺科电子有限公司;;本公司是从事FLASH存贮器IC芯片测试分类和数据写入服务的专业公司
;东莞东舜电子有限公司;;「老驾驶开新车」是东信电子最好的写照，成立于1998年,由一群具有十多年专业经验的菁英团队，合力创办了一家设施完备、技术创新的电子制程服务公司。以「团队、诚信、革新、速度
信号发生器, 综合测试仪等. 积开发、研制、生产于一体。 由公司自行研制的快速恒温石英晶体振荡器，具有体积小、重量轻、功耗低、进入速度快、抗冲击能力强、高稳定、高可靠性等特点。各项
;高密度多层pcb线路板电路板-深圳通联电路;;
;加急高密度多层pcb线路板电路板-深圳创杰兴;;