资讯
二极管导通AB两端的控制条件藏在A中，而三极管却是藏在C中。(2024-01-15)
极小的电压增量都会带来电流的显著变化。
反向施压，称为反偏，一旦超过最大反向击穿电压，伴随的雪崩效应会产生很大的电流损坏二极管。
对理应该处于正偏状态的二极管进行故障诊断，如果测得的正向压降远大于0.7V......
TI推出支持业界最低功耗的智能旁路二极管SM74611(2013-03-18)
功耗低 80%，可将接线盒中的环境温度降低 50 摄氏度，不但可提高现有接线盒的电流额定值，而且还可实现具有更高电流额定值的更小接线盒；
·可在不出现雪崩效应的情况下处理 15 A 电流......
汽车激光雷达的方向是选择095纳米还是1550纳米(2024-08-20)
红外脉冲或信号的激光器以及探测散射反射光的传感器的价格和成熟度是导致这种选择的主要因素。传感器技术的发展在使激光雷达成为汽车制造商的可行技术方面特别有影响。
传感器通常是基于雪崩光电二极管(APDS......
ADAS的种类与主要组成 LiDAR的用途与相关技术(2023-07-10)
， SPAD）作为传感器：当单光子雪崩二极管传感器偏压超过崩溃区，其光子产生的电子受到高电场加速撞击，又产生许多电子，这些撞击产生电子又受到电场加速，又撞击产生更多的电子，这样的连锁雪崩效应......
功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？(2024-03-19)
功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？;在关断状态下，功率的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管......
轻松了解功率MOSFET的雪崩效应(2024-02-29)
轻松了解功率MOSFET的雪崩效应;在关断状态下，功率的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。体二极管的击穿或表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量流动。典型......
电机反转到底有什么影响？(2024-09-25)
开关，变频器都可以正反转，影响不大。如果高速正反转要控制其惯量，反电势等确实比较有难度。
直流电机的正反转控制更加难，要实现无环流控制。如果是采用可控硅控制正反转一定要有非常可靠的控制系统，否则会产生雪崩效应......
单光子探测器研究现状与发展(2023-03-15)
都属于传统单光子技术的光电器件。光电倍增管由光窗、光电阴极、聚焦电极、倍增极及阳极等部分组成，结构如图1所示。雪崩光电二极管是具有内部光电增益的半导体光电子器件，利用载流子的雪崩倍增效应......
怎样控制直流电机正反转调速(2024-09-25)
制系统、2套脉冲触发器来控制2套可控硅，其中2套可控硅控制如何切换。如何安全有效的运行，就必须要有一套非常精准而复杂的控制检测系统来实现2套可控硅来自由导通，而不会产生短路、漏电及雪崩效应。
当直......
）外，该技术还能通过减少BOM数量简化设计。
在汽车动力总成中的电磁阀和执行器控制领域，基于MOSFET的电源方案通常围绕着升压、续流二极管或主动钳位拓扑结构进行构建。第四个选择是重复雪崩......
GAN在汽车里面的应用(2023-10-09)
操作区域）评级。
● 欧洲GAN的应用案例（触发MOSFET的雪崩效应）
主要是用在传统车上，取代传统的器件。
● GAN的应用案例（半桥模块）
主要应用在功放，功率电源，DCDC和车......
浅谈GAN在汽车里面的应用案例(2024-03-21)
操作区域）评级。
● 欧洲GAN的应用案例（触发MOSFET的雪崩效应）
主要是用在传统车上，取代传统的器件。
● GAN的应用案例（半桥模块）
主要应用在功放，功率电源，DCDC和车......
MOSFET每个参数都讲透了(2024-09-23 17:38:21)
内部二极管......
干货分享丨一文讲透全电放电（ESD）保护，ESD细讲学问太深了！(2024-04-21 15:22:24)
的专题讲解PN结二极管理论的时候，就讲过二极管有一个特性：
正向导通反向截止，而且反偏电压继续增加会发生雪崩击穿而导通，我们称之为钳位二极管(Clamp)。这正......
埃赛力达全新C30733BQC-01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍(2023-06-12)
埃赛力达全新C30733BQC-01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍;新一代光子检测器可为基于光纤的高端电信测试和分析设备应用提供高速、高增......
埃赛力达推出全新C30733BQC－01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍(2023-05-23 10:34)
埃赛力达推出全新C30733BQC－01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍;
新一代光子检测器可为基于光纤的高端电信测试和分析设备应用提供高速、高增益和低噪音性能
提供......
埃赛力达推出全新C30733BQC－01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍(2023-05-23 10:34)
埃赛力达推出全新C30733BQC－01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍;
新一代光子检测器可为基于光纤的高端电信测试和分析设备应用提供高速、高增益和低噪音性能
提供......
埃赛力达推出全新C30733BQC-01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍(2023-05-22)
埃赛力达推出全新C30733BQC-01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍;新一代光子检测器可为基于光纤的高端电信测试和分析设备应用提供高速、高增益和低噪音性能
提供......
半导体器件击穿机理分析及设计注意事项(2023-09-25)
结电流增加，电压基本保持不变。齐纳二极管（稳压二极管）即是利用该效应制作的一种稳压元器件。
图[10] 隧穿效应示意图
由于隧穿效应的导电离子是来自于挣脱原子核束缚的电子（或者空穴），因此，随着......
埃赛力达推出全新C30733BQC-01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍(2023-05-22)
埃赛力达推出全新C30733BQC-01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍;
【导读】提供以市场为导向的创新化光电解决方案工业技术领导者——埃赛......
助工程师取代成本更高的电压基准器件。相比直接保护MOSFET，另一种替代方案更为经济，即将漏极-栅极路径与齐纳二极管并联。齐纳二极管被击穿后，MOSFET随即导通，防止漏极-源极发生雪崩击穿。
A-selection齐纳二极管......
埃赛力达推出全新C30733BQC－01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍(2023-06-12 14:54)
埃赛力达推出全新C30733BQC－01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍;
新一代光子检测器可为基于光纤的高端电信测试和分析设备应用提供高速、高增益和低噪音性能
提供......
埃赛力达推出全新C30733BQC－01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍(2023-06-12 14:54)
埃赛力达推出全新C30733BQC－01型InGaAs雪崩光电二极管，APD增益高达40倍;
新一代光子检测器可为基于光纤的高端电信测试和分析设备应用提供高速、高增益和低噪音性能
提供......
电路设计少不了ESD，详述一下其理论，超详细！(2024-04-17)
的原理及注意点， 你会发现前面讲的PN结/二极管、三极管、MOS管、全都用上了……
以前的专题讲解PN结二极管理论的时候，就讲过二极管有一个特性：正向导通反向截止(不记得就去翻前面的课程)，而且反偏电压继续增加会发生雪崩......
业界 5000 万级像素赛道上首颗采用 100% 全像素对焦功能的 0.7μm 芯片横空出世(2022-11-29)
量 Qwell 设置了 CD
可以容纳的电荷量的上限。超过一定的光强，二极管将饱和，累积电荷将等于上图所示的最大值。因此，必须谨慎选择整合期。
另一个应考虑的非理想效应是，除了光电流之外，还有另一种称为暗电流的电流分量流过二极管......
硬件工程师的哲学人生~(2024-10-17 22:45:34)
呢。
（2）爱情里的背叛就像用来消除
交越失真
的那根二极管，刚知道时你怎么也想不明白为什么是那个人抢了你爱人，可是......
SiC功率半导体技术如何助力节碳减排？(2023-03-29)
双极退化问题，电流的控制非常重要，M-MOSTM的电流采用沟道控制型的MCR来替代PIN二极管，可避免双极退化并保证体二极管电流的一致性。
另外，关于反向恢复电流问题。反向恢复电流主要由少数载流存储效应......
应用于ADAS和汽车传感的相干激光雷达设计方案(2024-01-12)
害人类的视力。在ADAS或自动驾驶汽车应用中，简单地增加近红外光的发射功率会对其他道路使用者和行人造成危险。
至于提高接收器灵敏度，可以使用更大面积的接收透镜来增加光子收集。此外，可以使用雪崩光电二极管......
HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究(2023-03-06)
的工程师朋友们肯定想知道：在微观世界下，是什么之间的相互作用，导致了上述的结果呢？我们在这里抛砖引玉，尝试性的扒开微观世界的面纱，一瞥其神秘风采：
1.当Vgs=0时， P、N、N+ 掺杂层形成PIN二极管的结构，在外......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
必看！IGBT基础知识汇总！;
01 是什么？本文引用地址：
，绝缘栅双极型，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET......
干货 | 图解二极管单向导通的原因(2024-10-28 19:03:53)
为阻挡层。
PN 结详解
二极管的单向导电特性用途很广，到底是什么......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
而另一个器件打开时，这会导致电流“续流”通过 mos 管的内部体二极管。
这个原本不是什么问题，但当对面的 mos 管 试图开启时，内部体二极管的缓慢关断（或反向恢复）就会......
MOSFET每个参数都讲透了！(2024-10-08 15:24:00)
内部二极管......
对话Yole分析师：解密2023年三大汽车传感器趋势(2023-06-15)
，在发射端由EEL(边发射激光器)过渡到VCSEL(垂直腔表面发射激光器), 接收端探测器从PD(光电二极管)/APD(雪崩二极管)过渡到SPAD(单光子雪崩二极管)/SiPM(硅光电倍增管)，芯片......
埃赛力达推出用于测距和LiDAR系统的增强型 InGaAs 雪崩光电二极管(2024-11-21 09:32)
埃赛力达推出用于测距和LiDAR系统的增强型 InGaAs 雪崩光电二极管;新型APD设计可在相同的激光输出功率下实现更远测距范围埃赛力达近期宣布推出增强版 C30645 / C30662 型......
湃睿半导体推出光强-时间激光测距套片(2023-10-15)
-时间法方案的接收链路主要包括以下关键器件，如下图（2）所示。
• 雪崩二极管（APD）：接收回波脉冲并转换为光电流信号
• 跨阻放大器（TIA......
纳芯微全新发布1200V系列SiC二极管，布局SiC生态系统(2023-07-11)
图所示，纳芯微的SiC二极管采用MPS结构设计，与传统的JBS结构相比，具有显著优势。MPS结构中的PN结构在大电流下更容易开启，通过向高电阻的漂移区注入少数载流子形成电导调节效应，从而......
数字全流程方案应对先进工艺设计“拦路虎”(2022-09-28)
%。
Tempus（图片：Cadence）
IR压降引发的“雪崩效应”“先进节点环境下，IR压降对时序分析有很大影响。”燧原科技芯片高级总监柴菁表示，为了确保AI芯片设计达到最高的可靠性，设计......
激光雷达实现测距的方法：直接检测与相干检测的区别(2024-03-27)
动驾驶汽车应用中近红外光的传输功率会对其他道路使用者和行人造成危险。
为了提高接收灵敏度，可以使用更大面积的接收透镜来增加光子收集。 此外，还可以使用雪崩光电二极管（APD，具有固有增益的光电二极管），尽管......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
模具尺寸
SIDC130D170H
1700A
235A
16.3×8mm 2
图 10.二极管图这么薄的半导体材料能有千伏的电压和几百安培的电流通断，很了不起。这就是为什么......
瞬态电压抑制二极管 TVS 选型(2024-12-30 10:53:26)
电压抑制器
、
雪崩击穿二极管
等。其具有单向与双向之分，当两端经受瞬间高能量冲击时，就会......
电路与人生，这样来理解电路(2024-10-20 12:02:30)
你爱一个男人，就和他结婚吧，男人的爱情就像绝缘栅场效应管，一般不可以测，所以，你千万别用你的闺蜜好友啥的来试他，男人的防线就如模电老师形容那管子一样，一测试就坏，而且，就算坏了，你还不知道他是什么......
iPad Pro那颗3万像素LiDAR有何玄机？(2020-04-25)
光传感器、VCSEL（垂直腔面发射激光器）的光学模组。其中的距离传感器所用的就是SPAD（单光子雪崩光电二极管）阵列[3]。次年1月，意法半导体又发布了二代的VL53L0，开始......
TVS瞬态抑制二极管(2024-12-13 11:22:46)
TVS瞬态抑制二极管;
1、TVS瞬态抑制二极管的工作原理
TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬态电压抑制器，又称雪崩击穿二极管......
LED的基本认识与STC89C52中的LED(2024-08-16)
相对应的单片机引脚设置为低电平。还没有完全明白这是什么原理，目前的一种解释是，发光二极管正极和VCC(正极)相连，设置了对应引脚为低电平 这样电路就才能导通了。
update:
我发现没有记录一个问题，就是为什么把引脚设为低电平就能使二极管......
漫谈自动驾驶激光雷达和新型探测技术(2023-06-19)
和激光雷达的比较
图片来源：toutiao.com
激光雷达和一个了不起的新伙伴
针对单线和多线激光雷达，高速、高增益且在近红外波段高灵敏度的单点探测器APD（雪崩二极管）是目前探测端的首选。该器......
恒流二极管是什么鬼？(2024-05-07)
恒流二极管是什么鬼？;01恒流
是一种有极性的两端电子元件，它在单个方向上传导电流并阻止电流在另一个方向上流动，因为在一个方向上，它的电阻理想地为零，而在另一个方向上它是无限的。这些......
为什么单片机的I/O口需要驱动(2023-02-01)
”，截止场效应管。
内部上拉电阻阻值很大，经过测量大致在330KΩ左右，而内部电源Vcc仅仅+5V，这样以P1.X高电平驱动发光二极管为例，场效应管截止，相当于Vcc通过330KΩ的电阻向二极管......
基础电路学习（6）-- 从深度饱和谈三极管的开关响应(2022-12-07)
基础电路学习（6）-- 从深度饱和谈三极管的开关响应;
本来前几天就准备写一篇关于三极管开关电路的文章了，自己也认为比较简单，不是什么大问题。开关电路大家肯定经常用到，无非......
纳微半导体发布新一代650V MPS SiC碳化硅二极管(2023-05-12 15:05)
代650 V MPS二极管具有一流的鲁棒性和耐久性 ，具备高浪涌电流和雪崩能力，并通过100%雪崩（UIL）生产测试。从4A到24A的容量，采用表贴封装（QFN，D2-PAK）和插件（TO-220......
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;嘉盛电子商行;;深圳市嘉盛电子一直以信誉为主． 诚信经营，货真价实． 是什么货就是什么货．质量保证 以跟广大客户长期合作为基础． 价格可以谈，质量你放心．
）、东芝（TOSHIBA）.三星（SAMSUNG）, 等。 主营产品有：A 红外光电系列： 全系光电开关、凹槽型开关、反射式开关、硅光电池管、红外发射管、光敏接收管、光电二极管、雪崩二极管、红外接收头、光电
;上海联单数码科技有限公司;;还是什么都没有
;香港忠芯国际电子有限公司;;本公司只做自己的现货,报价什么就是什么,欢迎来电. 查看全部>> 主营：只卖自己库存， 欢迎询价！
;上海欧光电了科持有限公司;;欧光电子科技有限公司代理德国SILICON-SENSOR公司APD（雪崩光电二极管） 主要分类： 1、系列8高速/高增益APD 2、系列9近红外增强APD 3、系列10
;隆兴家电维修部;;其实也不是什么公司，就是一个小小的家电维修部
10.片状高效率二极管11.片状开关二极管12.片状稳压二极管13.片状三端稳压电路14.片状场效应管15.片状晶振、霍尔元件16.片状微调电容器17.片状电位器18.片状磁珠、磁珠排19
10.片状高效率二极管11.片状开关二极管12.片状稳压二极管13.片状三端稳压电路14.片状场效应管15.片状晶振、霍尔元件16.片状微调电容器17.片状电位器18.片状磁珠、磁珠排19
10.片状高效率二极管11.片状开关二极管12.片状稳压二极管13.片状三端稳压电路14.片状场效应管15.片状晶振、霍尔元件16.片状微调电容器17.片状电位器18.片状磁珠、磁珠排19
;深圳市福田区峰科电子商行;;我公司专业推广功率半导体器件。主要品牌有： 美国Fairchild（仙童），主要有IGBT模块，整流二极管模块，IGBT单管，SPM模块,场效应管，软快恢复二极管，肖特基二极管