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管同时荣获诺贝尔物理学奖。肖克利也被誉为晶体管之父。 芯片有如此强大的功能，为什么晶体管可以胜任呢? 我们知道，对于数字电路来讲，逻辑是其精髓所在，所有的功能归根结底，都可以说是逻辑功能。而逻......
​Transphorm 最新技术白皮书： 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比;氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明......
从摩尔定律的微缩中了解到的那样，High-K介电质确实在硅CMOS晶体管微缩上存在优势，使英特尔能够在氮化镓MOS方面实现非常高的性能。 需要强调的是，DrGaN与其他"单芯片氮化镓集成电路（氮化镓+硅驱动器）"的最大区别在于其它单芯片氮化镓......
质确实在硅CMOS晶体管微缩上存在优势，使英特尔能够在氮化镓MOS方面实现非常高的性能。需要强调的是，DrGaN与其他"单芯片氮化镓集成电路（氮化镓+硅驱动器）"的最大区别在于其它单芯片氮化镓......
) 基于氮化镓器件的激光雷达解决方案 是什么？ 飞行时间(ToF)激光雷达的应用案例 驱动设计与控制 杂散电感的影响 使用氮化镓器件的优势 3) 激光雷达专用eToF GaN集成电路(EPC21601......
Transphorm 最新技术白皮书：常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比; 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 10 月 19 日 –氮化镓......
Transphorm 最新技术白皮书：常闭耗尽型(D－Mode)与增强型(E－Mode) 氮化镓晶体管的优势对比;氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明了如何利用其Normally......
Transphorm 最新技术白皮书： 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比;氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明......
性且易驱动性：采用最稳健的硅MOSFET SiO2栅极，不受 e-mode 的 p 栅极限制，可兼容硅基驱动器和控制器。  业务开发和营销高级副总裁Philip Zuk表示，“长期以来，宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体......
：“Transphorm 将继续拓展产品线，向市场推出多样化的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。无论客户有什么样的设计需求，Transphorm都能够帮助客户充分利用SuperGaN平台的性能优势。四引......
 CCPAK贴片封装氮化镓器件评估  行业领先的CCPAK封装氮化镓器件的评估板即将推出，便于使用双脉冲测试评估其特性和优势。 l 功率MOSFET在工业应用中的设计 无论出于什么原因、什么......
科技介绍称，GaN系统公司是业界领先且备受好评的氮化镓功率晶体管开发商，其产品已经涉足汽车领域。然而，氮化镓晶体管在汽车应用中仍有很大的潜力，相比硅晶体管它的体积更小，性能更高效、使用更经济。 图片......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用......
资本等跟投。据介绍，本轮融资资金将主要用于吴越半导体氮化镓自支撑衬底的研发与扩产。 公开资料显示，吴越半导体成立于2019年3月，是一家半导体研发与设计服务商，致力于半导体晶体、晶圆、芯片......
EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管; 【导读】EPC推出 80 V、通过AEC-Q101 认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设......
再带来了新消息。 意法半导体量产氮化镓器件 8月3日，意法半导体官微宣布，公司最近已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT（高电子迁移率晶体管）器件。 据介绍，STPOWER......
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案; 【导读】宜普电源转换公司（EPC）和立锜科技（Richtek）携手推出新型快充参考设计，使用RT6190降压-升压控制器和氮化镓场效应晶体......
Intel展示全新3D晶体管：氮化镓都用上了; 2023 IEEE国际电子器件会议(IEDM 2023)上，Intel展示了多项新的半导体技术突破，继续推进摩尔定律。 一是3D堆叠CMOS......
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案;转换公司（EPC）和科技（Richtek）携手推出新型快充参考设计，使用RT6190降压-升压控制器和氮化镓场效应晶体管EPC2204......
EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管; 宜普电源转换公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2071）,为设计工程师提供比硅MOSFET更小......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺;功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延的不同，本文通过深入对比HEMT与硅基MOS管的外延，再对增强型和耗尽型的HEMT进行对比，总结......
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统 以实现更先进的自主式系统;EPC推出 80 V、通过AEC-Q101 认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设......
逆变器等用途，推动降本增效： 英飞凌&纬湃科技：DC/DC 转换器采用氮化镓 8月9日，据英飞凌官网透露，他们的CoolGaN™ 650V 晶体管产品将被纬湃科技采用，以提高汽车DC/DC 转换......
丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付900多亿件产品，产品......
发展及市场营销高级副总裁 Philip Zuk 表示：“Transphorm 将继续拓展产品线，向市场推出多样化的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。无论客户有什么样的设计需求，Transphorm都能......
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统;以实现更先进的自主式系统EPC推出 80 V、通过AEC-Q101 认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设......
用硅器件所常用的市售驱动器。 Transphorm 业务发展及市场营销高级副总裁 Philip Zuk 表示：“Transphorm 将继续拓展产品线，向市场推出多样化的氮化镓场效应晶体......
测物件的速度及准确性非常重要。EPC9144演示板展示出通过AECQ101认证的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管具备快速转换性能，与等效MOSFET相比，EPC2216的功率脉冲可以快速10倍的......
认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设计人员提供比硅 MOSFET 更小和更高效的解决方案，用于车规级激光雷达、48 V/12 V DC/DC转换和低电感电机驱动器。 作为增强型氮化镓......
宽度决定了一种材料所能承受的电场，更大的禁带宽度可以开发出载流子浓度更高的器件结构。 由于氮化镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓......
美国进口各种产品侵犯了英飞凌的上述专利，这些产品包括应用于汽车、数据中心、太阳能、电机驱动、消费电子产品的氮化镓晶体管，以及在汽车、工业和商业应用中使用的相关产品。 英飞凌电源与传感系统事业部总裁Adam White表示......
剂法和多点晶种法，兼具高质量及易扩径的优点。此外，以该技术为基础，他们将开发兼容8英寸或更大尺寸的晶体生长设备，用于未来进一步开发大尺寸衬底。 02氮化镓：第二次电力电子学革命催化剂 从原理上看，氮化镓......
功率半导体将在实现下世代电动车对尺寸微缩、轻量及高效率的要求上，扮演关键角色。GaN Systems 拥有完整且高质量车规等级氮化镓功率晶体管产品组合，而安世博能源科技已在电力电子领域深耕多年，两间公司将协力彻底运用氮化镓优势，开创......
业务开发部门负责人Kenji Fujito说：“氮化镓能否得到广泛应用，关键在于电动汽车是否采用它。”为此，需要开发大直径基板。 氮化镓半导体器件是通过在基板上生长氮化镓晶体......
一一家以垂直整合商业模式运营的上市公司，这意味着在器件开发的每个关键阶段，我们均能做到自主可控和创新——包括GaN HEMT 器件设计、外延片材料、晶圆制程工艺，直至最终氮化镓场效应晶体管芯片。因此，我们的氮化镓......
Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势;常闭耗尽型 (D-Mode) 与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管本质优势对比之简短指南 氮化镓......
功率半导体将在实现下世代电动车对尺寸微缩、轻量及高效率的要求上，扮演关键角色。GaN Systems 拥有完整且高质量车规等级氮化镓功率晶体管产品组合，而安世博能源科技已在电力电子领域深耕多年，两间公司将协力彻底运用氮化镓优势，开创......
, Inc.（Nasdaq: TGAN）今日宣布，利用该公司的一项专利技术，在氮化镓功率晶体管上实现了长达5微秒的短路耐受时间（SCWT）。这是同类产品有记录以来首次达到的成就，也是......
更快的开关速度及卓越的输入和输出品质因数（Figures of Merit)，氮化镓实现电源设计上的优势，带来超越钛金级的能效表现，并大幅提高功率密度。 氮化镓电晶体为电源设备带来更高的效率水准，效率......
MHz的超高频率和低于2 ns的超短脉冲下，调制并实现高达10 A的激光驱动电流。开启和断开时间分别为410 ps和320 ps。 EPC21601集成了基于EPC专有的氮化镓IC技术的单芯片驱动器和氮化镓场效应晶体......
FET已应用于各种商业产品，并在高功率系统中显著提升可靠性、功率密度和效率。 Allegro的自供电型单通道隔离式栅极驱动IC，在多种应用和电路中专为驱动氮化镓场效应晶体管进行了优化。经验证，与友......
MicroSystems, Inc.（Allegro）（Nasdaq: ALGM）开展合作，使用Transphorm 的 SuperGaN® 场效应晶体管和Allegro的AHV85110隔离式栅极驱动器，针对大功率应用扩展氮化镓......
无锡吴越半导体展出GaN晶体 全球首次厚度突破1厘米？;据无锡高新区消息，12月15日，吴越半导体GaN晶体出片仪式在无锡高新区举行。仪式上，吴越半导体展出了全球范围内首次厚度突破1厘米的氮化镓晶体......
源科技在高功率电源系统设计及批量生产的卓越能力，此次策略合作将为中国行业带来突破性革新。本文引用地址： 氮化镓功率半导体将在实现下世代电动车对尺寸微缩、轻量及高效率的要求上，扮演关键角色。 拥有完整且高质量车规等级氮化镓功率晶体......
功率半导体器件的设计与制造工艺的核心环节，且这些创新技术专利已成功将基于氮化镓的功率器件从一个研究项目，发展成为一个可大批量生产的替代硅产品。使用氮化镓器件的晶体管和集成电路，较使用硅基器件而言更高效，更轻巧且成本更低。 宜普......
功率半导体器件的设计与制造工艺的核心环节，且这些创新技术专利已成功将基于氮化镓的功率器件从一个研究项目，发展成为一个可大批量生产的替代硅产品。使用氮化镓器件的晶体管和集成电路，较使用硅基器件而言更高效，更轻巧且成本更低。宜普......
化硅（SiC）以外，其他所有新兴宽带隙半导体必须生长在另一种材料盘中，比如氮化镓通常依靠复杂的工艺在硅、碳化硅、蓝宝石基底上生长，由于基底的晶体结构明显不同于氮化镓的晶体结构，这种差异会造成基底和氮化镓......
人兼CEO Rob Gwynne和qGaN模块 氮化镓晶体管对下一代电力电子的重要性在于其能够在超高频率下工作，以实现开启和关闭。缓慢的转换会浪费能源，因为在晶体管既不开启也不关闭的开关时间内，它要......

相关企业

epc
manufacturing in Taiwan. ; EPC设计，开发，市场，销售基于氮化镓的电源管理设备，采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换，利用优越的半导体材料，EPC是率先推出增强型氮化镓上硅晶体
东莞中和光电有限公司
;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装，材料采用氮化镓（GaN），结构为电解出型，封装形式为直插型，型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号，形状有圆头，椭圆，草帽，钢盔，方形
triquint-semiconductor
(GaAs)、氮化镓 (GaN)、声表面波 (SAW) 和体声波 (BAW)技术设计、开发和生产先进的高性能射频解决方案，满足全球客户需求。我们是市场领导者，专门为移动设备，3G和4G蜂窝基站，WLAN
北京中材人工晶体研究院有限公司
支以中国工程院院士和国家级专家为核心的复合型人才队伍，为公司健康、持续和快速发展提供了可靠的保证。 北京中材人工晶体有限公司先进陶瓷事业部（氮化硅材料部），自1978年开始氮化硅陶瓷的研究，2006年初由山东工业陶瓷研究设计院搬迁至北京。三十
深圳市科莱特电子有限公司
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始，在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓（GaAs
璨圆光电深圳市场部
;璨圆光电深圳市场部;;璨圆光电股份有限公司是一家LED芯片专业生产厂家,提供以氮化镓（GaN）为材质的超高亮度蓝、绿、紫光等LED晶粒!目前产品波长范围可达385nm-560nm；可应
四川新力实业集团有限公司
子体 (PDP)显示荧光粉、氮化镓基白光二级管光源材料，新型太阳能光源等新型环保节能产品的研发生产。
深圳市希奇电子科技有限公司
;深圳市希奇电子科技有限公司;;希奇电子科技有限公司是一家以台湾LED芯片为龙头，集LED芯片及成品销售、服务于一体的专业团队。提供以氮化镓（GaN）为材质的超高亮度蓝、绿、白、紫外光等LED晶粒
深圳市港晟电子有限公司
兆龙； 【氮化镓】： 英诺赛科、GaN systems； 【单片机】： GA (格安电子)、HK (航顺芯片)、RENESAS 分销IR、ON、ST、NXP、INFINEON、CREE等半导体电子元器j件。
深圳市瑞光科技有限公司
度四元晶粒（C系列）、金属基板倒装晶粒（MS）、氮化镓晶粒（AllnGaN）、覆晶晶粒（Flip chip）； K＊on：红外芯片（940nm）、高速红外芯片（850nm,875nm,880nm） 用过