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90年代,它作为半导体材料的应用,才真正开始受到业界的重视。也正是在这个时间点,SiC首次被用做肖特基二极管、场效应晶体管和MOSFET。SiC的化学特性使其特别擅长处理高频、高功率和高温负载。只不......
产生重大影响。 据介绍,立方砷化硼对电子和空穴也有很高的迁移率,该材料有一个非常好的带隙,这一特性赋予了它作为半导体材料的巨大潜力。众所周知,已经成熟商用的硅材料具有良好的电子迁移率,但其......
镓(Ga2O3)是金属镓最稳定的氧化物,是制造半导体器件的重要材料,是国际半导体产业普遍关注的第四代材料。 作为一种宽禁带半导体材料,其导电性能和发光特性长期以来是半导体产业关注的重点,在光......
。和第一代、第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频......
电动汽车市场催生碳化硅新前景;第三代半导体材料是指以(SiC)、(GaN)为代表的宽禁带半导体材料。与前两代半导体材料相比,第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度,更高的击穿电场、热导......
较低的功耗,这对于延长电池寿命、节省能源以及降低运营成本非常重要。尤其在移动设备、电动车、无线通信等应用中,低功耗是一个关键的考量。 高温稳定性:碳化硅和氮化镓等第三代半导体材料具有......
可以克服低电洞移动率与低导热率这2个重大限制。立方砷化硼除了具有高电子移动率与电洞移动率,还具有出色的导热性,是迄今为止发现最好的半导体材料,也可能是最好的一种。 但我们需更多工作才能确定立方砷化硼能否以实用、经济......
应用领域的高压耐受性能,为未来高功率电子元件开辟了新的可能性。 第四代半导体氧化镓 (Ga2O3) 因其优异的性能,被视为下一代半导体材料的代表。它拥有超宽能隙 (4.8 eV)、超高临界击穿场强 (8......
技术已经成长为红外光电器件制造的主流。”牛智川向《中国电子报》记者表示。 在微电子领域,锑化物半导体具有超过前三代半导体体系的超高速迁移率,在发展超低功耗超高速微电子集成电路器件方面潜力重大。 在热电器件领域,含锑元素的各类晶体材料具有......
现实与理想的差距,第三代半导体发展存疑如何解?;关于第三代半导体的疑虑,这场研讨会都有答案。 第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,先天性能优越,是新......
在电子应用中的使用可以追溯到 1900 年代初期,但直到 1990 年代它才真正开始作为半导体材料使用。正是在这一点上,它首先被用于肖特基二极管、FET 和 MOSFET。虽然 SiC 具有......
结构和局部成分,并以微尺度空间分辨率生产柔韧程度逐渐变化的梯度材料。 研究团队指出,基于气溶胶的HTCP用途广泛,适用于打印各种金属、半导体和电介质,以及聚合物和生物材料。而且,它生成的组合材料具有......
金刚石等则会引起电荷卡死,提高不良率。 氧化镓还有一个特性是其它半导体材料不具备的。那就是它的晶棒也可以用硅材料生成化制造,这有利于大幅度降低氧化镓的生产成本。氧化......
半导体是一种材料具有介于导体和绝缘体之间特性的物质。常见的半导体材料有硅(Si)和锗(Ge),与金属导体相比,半导体的电导率较低,但高于绝缘体,半导体的导电特性......
今年六月即可开展二期厂房建设,预计18个月实现建成投产。 丽水经开区消息显示,浙江百可半导体材料有限公司主营业务为OLED材料的研发和生产,其最终产品应用于联想等IT公司消费类电子产品的屏幕制造。值得注意的是,百可半导体......
电机调速方法有哪三种 电动机的同步转速怎么算;  电机调速方法有哪三种   常用的电机调速方法有以下三种:   变频调速:通过改变电源频率,控制电机的转速。这种调速方式广泛应用于各种交流电机,具有......
。 更高的温度稳定性:第三代半导体材料具有较高的热导率和较宽的禁带宽度,使其能在更高的温度下稳定工作。 更小的尺寸:由于第三代半导体功率器件的高频率特性,可以减小磁性元件和电容的尺寸,从而......
烯都没有能隙。 "我们现在拥有了一种极其强大的石墨烯半导体,其迁移率是硅的10倍,而且还具有硅中不可用的独特特性," de Heer说道。“但过去10年来我们工作的故事一直是:‘我们能使这种材料......
瘫和集成电路的制造中的地位也日益提高,目前,光刻胶已经是代表整个半导体产业发展水平的核心材料具有指标性功能。 2015 年全球半导体光刻胶市场分布 日本半导体材料......
测试的老化测试插座 (BiTS),可满足测试期间严苛的性能要求。随着DDR集成电路引脚数量增加、测试温度上升、尺寸不断缩小,BiTS组件对于材料的性能要求也越来越高。SABIC的这款全新改性料具有极高的流动性,有助......
射器一般采用III-V族化合物半导体材料,其中以InP优势突出。相比GaAs材料,InP具有更高的转换效率、一半的惯性能量时间常数、双倍的工作效率极限以及更好的噪声特性。在InP衬底上生长的InGaAsP......
的专利改进技术,从而能够生成更加优化的芯核,可以提供一些独特的性能优势。 更值得注意的是,与传统 EMI 滤波器中的铁氧体变体相比,这些纳米晶体材料具有更高的磁导率和更低的损耗。与之......
器中的铁氧体变体相比,这些纳米晶体材料具有更高的磁导率和更低的损耗。与之前市场可用的其他 EMI 滤波器相比,能够实现更紧凑和更高密度的设计,从而实现更高的衰减能力和更小体积封装。 一些......
蚀刻是主要环节,当在晶圆表面蚀刻时,可使用等离子体监测跟踪蚀刻穿过晶圆层的程度,确定等离子体何时完全蚀刻特定层并到达下一层。通过监测在蚀刻期间由等离子体产生的发射光谱,可准确追踪蚀刻过程。这种终点检测对于使用基于等离子体的蚀刻工艺的半导体材料......
基础知识之SiC功率器件;SiC半导体 1. SiC材料的物性和特征 SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。 不仅绝缘击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,而且......
传统的Si等半导体材料逐步接近物理极限,氧化镓作为新一代功率半导体材料,其禁带宽带大、击穿场强高,有望在未来功率器件领域发挥重要的作用。 另外,氧化镓半导体材料能够采用熔体法生长,未来......
片的激光剥离。 据介绍,SiC半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、化学性能稳定等优点,对电动汽车、高压输变电、轨道交通、通讯基站、卫星通讯、国防军工等领域的发展有重要意义。 但是......
12英寸氮化镓,新辅助?;第三代半导体材料氮化镓,传来新消息:日本半导体材料大厂信越化学为氮化镓外延生长带来了有力辅助。 2024年9月3日,信越化学宣布研制出一种用于GaN(氮化镓)外延......
Jewel 和佐贺大学研发出的可以用于量子计算机存储器的金刚石晶圆,主要希望利用这一特性。 总而言之,金刚石半导体具有优于其他半导体材料的出色特性,如高热导率、宽禁带、高载流子迁移率、高绝缘性、光学......
厂商起步较晚,市场份额小,但已经具有一定品牌影响力,国产替代空间巨大,代表企业包括华润微、士兰微、新洁能等。 同时,第三代半导体材料SiC(碳化硅)也有望给国内厂商带来新的发展机遇。与硅基材料相比,SiC......
江湖中人角度给大家聊一聊,三代半导体产业在中国乃至世界的发展,以及这个行业的特点。 三代半导体材料的发展历程 先扫扫盲吧。 首先要给大家声明一下“半导体”可不是收音机和随身听的简称,以后......
都不一样。 下面就铁氧体材料的电感加以解说: 铁氧体材料是铁镁合金或铁镍合金,这种材料具有很高的导磁率,他可......
了解7805 IC电压调节器;简介本文引用地址:在本教程中,我们将了解最常用的稳压集成电路之一-- 稳压集成电路。稳压电源对于一些电子设备来说非常重要,因为这些设备采用的半导体材料具有......
)等等,这些是美日严格限制出口的。 2、半导体材料 生产半导体芯片需要 19 种必须的材料,缺一不可,且大多数材料具备极高的技术壁垒,因此半导体材料企业在半导体行业中占据着至关重要的地位。而日......
协议,双方未来还将在驱动系统等领域深化技术合作。 03 车企与第三代半导体企业的不解之缘 以SiC等为代表的第三代半导体材料具备高频、高效、节能等特性,在电动车领域具有明显的应用优势。当下......
plc编程语言主要有哪三种;  plc编程语言主要有哪三种   PLC有五种标准化编程语言   1、PLC有五种标准化编程语言顺序功能图(SFC)、梯形图(LD)、功能模块图(FBD)三种......
) ERU27M系列SMD大电流扁平线电感器。该系列元件采用绝缘处理过的金属磁粉芯和扁平线螺旋绕组设计,磁芯材料具有更好的饱和特性,以满......
计算机视觉加速半导体分析;在最近发表在《自然通讯》杂志上的一篇文章中,研究人员介绍了一套自动表征(自动表征)工具,利用自适应计算机视觉技术快速准确地测量半导体材料的关键特性。他们......
栅双极型晶体管IGBT等)。此外,随着半导体技术的不断发展,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料也逐渐被应用于功率半导体器件中,这些新材料具有更高的击穿电场、更高......
温、高频、抗辐射等优良电气特性,它突破硅基半导体材料物理限制,成为第三代半导体核心材料。碳化硅材料性能优势引领功率器件新变革。 功率器件的作用是实现对电能的处理、转换和控制。以碳......
移动设备对于充电速度和充电效率的需求不断提升,氮化镓(GaN)技术在电源适配器领域的应用日益广泛。与传统的硅(Si)相比,GaN作为第三代半导体材料具有更宽的间隙和更高的击穿电压,因而......
适配器方案的展示板图 随着移动设备对于充电速度和充电效率的需求不断提升,氮化镓(GaN)技术在电源适配器领域的应用日益广泛。与传统的硅(Si)相比,GaN作为第三代半导体材料具有更宽的间隙和更高的击穿电压,因而......
争取更多订单。 半导体材料 按照半导体材料细分领域,将国内部分半导体材料行业上市公司划分为硅片、光掩模、光刻胶、电子特气、湿化学品、CMP 材料和靶材等细分领域。本文半导体......
可控硅从导通状态切换到关断状态,通常需要施加一个反向电压或减小电流至其维持电流以下。 可控硅还具有自保持的特性,这意味着一旦给它提供一个启动电压,它会自行保持在导通状态,直到流过的电流下降到一个特定的值以下。此外,可控硅不会像普通三极管那样存在半导......
有10个和14个座位。 绝对编码器外壳的材料具有许多优点。绝对编码器在强度控制和耐腐蚀方面具有更好的性能。优异的材料性能是设备环境适应性的基础。在选择合适的绝对编码器时,用户......
行业进行制裁,是因为其在半导体材料领域,尤其是上述三种产品市场中的统治地位。据资料显示,日本占全球氟聚酰亚胺和光刻胶总产量的90%,且全球半导体企业70%的氟化氢需从日本进口。 以具有......
开发和销售氧化镓晶圆的日本公司。 以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料,凭借耐高温、抗高压、开关速度快、效率高、节能、寿命长等特点,近年来业界热度一路飙升。然而,在宽禁带半导体材料发展势如破竹的同时,学术界和科研界不约而同地展望下一代半导体材料......
硅(SiC)是一种宽带隙半导体材料具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和迁移率等优点。相比于硅基IGBT,碳化硅功率器件具有更低的导通电阻和更高的开关频率,能够显著提升新能源汽车的性能和能效。 电机......
电路的测试需求,老化测试插座需要更高性能的新材料解决方案——SABIC正在努力填补这一空白。对高性能材料的持续研发也彰显了我们对半导体行业的坚定承诺。”   提高测试插座性能 DDR内存......
是上面提到的2D半导体,如二硫化钼(MoS2)。虽然这种材料具有许多优越的机械、光学和电子学性能,但迄今为止,用MoS2制造具有高器件密度和高性能的大规模柔性集成电路是一个挑战。去年末,中国......

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上海证券交易所挂牌上市,股票简称“有研硅股”。   有研硅股是中国最大的具有国际水平的半导体材料研究、开发、生产基地,坐落于北京市高新技术产业云集的中关村科技园区,占地3 万平方米,员工总人数650余人。公司
;广州市昆德科技有限公司;;本公司由数位曾在广州半导体材料研究所获得半导体测试仪多项成果奖的高级工程师主持产品开发,他们已完成过的研制项目有:硅产
;天津市环欧半导体材料有限公司;;天津市环欧半导体材料技术有限公司是从事半导体材料硅单晶、硅片的生产企业。拥有40余年的生产历史和专业经验,形成了以直拉硅单晶、区熔硅单晶、直拉硅片、区熔
;峨眉半导体材料研究所;;
;城大科技有限公司;;主营半导体材料、开发工具、烧录工具
;深圳市华晶微科技发展有限公司;;半导体材料及其产品的开发和销售
;高小军;;碳素材料具有许多独特的性能,如重量轻,为热,电的良导体,优异的化学稳定性和热稳定性,自润滑,无熔点,常压下在3650以上的温度不经液相直接升华,在2500度以下温度时,其机
;科理集创科技有限公司;;致力于开发先进的半导体技术应用于无线智能通讯的应用领域,启动和承担各类以半导体材料为起点的创新工程。
;常熟市兴达电子有限公司(深圳办事处);;本公司专业生产软磁铁氧体磁芯,其功率铁氧体材料具有高饱和磁通密度,高频率特性,超低功耗的特性。被广泛用各种视听设备.电光源.通讯
;上海三研实验仪器有限公司;;我们致力于为化学、材料科学领域的科学研究提供优质的实验仪器,为广大电子级试剂、电子材料、硅材料半导体材料厂商提供产品检测服务。