窄带隙半导体有哪些

新一代化合物半导体有望在2027年大规模生产?;2月20日,据日刊工业新闻报道,电子元器件厂商Qualtec将于2027年开始大规模生产超宽带隙半导体材料二氧化锗 (GeO2) 晶圆。 据了

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新一代化合物半导体有望在2027年大规模生产?

新一代化合物半导体有望在2027年大规模生产?;2月20日,据日刊工业新闻报道,电子元器件厂商Qualtec将于2027年开始大规模生产超宽带隙半导体材料二氧化锗 (GeO2) 晶圆。 据了...

新一代化合物半导体有望在2027年大规模生产?

新一代化合物半导体有望在2027年大规模生产?;2月20日,据日刊工业新闻报道,电子元器件厂商Qualtec将于2027年开始大规模生产超宽带隙半导体材料二氧化锗 (GeO2) 晶圆。本文...

SiC 与半导体垂直整合的复兴,先进 SiC 解决方案的需求不断增长

械臂、飞行器等多个工业领域。其应用的范围也在不断地普及和深化,是一种应用 前景非常广泛、非常具有价值的材料。 第三代半导体材料禁带宽度远大于前两代。第一代和第二代半导体都是窄带隙 半导体,而从第三代半导体...

2亿美元,安世半导体德国基地扩产

2亿美元,安世半导体德国基地扩产;6月27日,半导体制造商Nexperia(安世半导体)宣布,计划投资2亿美元(约合人民币14.5亿元)开发碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等下一代宽带隙半导体...

下一代半导体:一路向宽,一路向窄

元素的各类晶体材料具有优良的热电和制冷效应,是长期以来热电制冷器件领域的重要技术方向,具有广阔的应用前景。 在制备方面,锑化物窄带隙半导体与砷化镓、磷化铟等III-V族体系的结构特性、制备...

英飞凌GaN解决方案赋能欧姆龙社会解决方案公司的全新车联网(V2X)充电系统

获得了领先的应用技术知识并据此开发出让我们的客户和终端用户更加满意的全新和改进型充电与放电系统。我们期待与英飞凌一起进一步开发基于氮化镓和碳化硅(SiC)的功率解决方案,推动可再生能源和电动汽车的发展。” 由碳化硅和氮化镓制成的宽带隙半导体...

功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时,栅极电阻选型注意事项

功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时,栅极电阻选型注意事项;本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势,以及如何权衡利弊。主要...

Onsemi:使用SIC等功率器件为碳中和做出的贡献

Onsemi:使用SIC等功率器件为碳中和做出的贡献; 为可再生能源提供动力以创造更美好的明天,因此,不仅是 GaN 和 SiC 等宽带隙半导体,还有围绕电力电子、智能电网、微电网、宏观...

上海微系统所在Nature Electronics报道新型碳基二维半导体材料基本物性研究重大进展

上海微系统所在Nature Electronics报道新型碳基二维半导体材料基本物性研究重大进展;以石墨烯为代表的碳基二维材料自发现以来受到了广泛关注。然而,石墨烯的零带隙半导体...

还在为用氮化镓设计高压电源犯难?试试这两个器件

是激发电子使之从束缚状态释放到自由状态以进行导电所需的最小能量(表 1)。 表 1:区分宽带隙半导体(如 GaN 和 SiC)与硅半导体的关键属性摘要。(表格来源:Art Pini) 用宽带隙半导体制造的器件相比传统半导体材料(如硅)具有...

适用于运输领域的SiC:设计入门

极性器件的优势较大(实现了开关权衡),宽带隙半导体也是一种可以尽量减少不利影响的替代性技术解决方案。图1重点介绍了宽价带的优势(粒子不能占据这个带区)。“宽带隙”材料的主要优点在于,在阻断模式下可成为较好的隔离器(更接...

Coherent拟扩建全球首个6英寸磷化铟生产线

都有不同程度进展。 ·碳化硅领域 2024年4月,Coherent基于CHIPS法案获得1500万美元的资金,用于加速下一代宽带隙和超宽带隙半导体(分别为碳化硅和单晶金刚石)的商业化。 9月26日...

意法半导体和法国空客将联合开发功率半导体

于混合动力飞机和全电动城市飞行器。 据悉,双方已经对探索宽带隙半导体材料对飞机的好处进行了全面的评估,SiC/ 等有助于开发更小、更轻、更高效的高性能电子器件和系统,特别是在需要高功率、高频或高温操作的应用中。 此次...

ST在SiC和GaN的发展简况

面临的技术挑战 在制造方面,充分发挥宽带隙半导体的潜力面临接二连三的挑战,其中包括提高晶圆良率,降低缺陷率和成本,以及通过严格的测试验证芯片的长期可靠性。设计人员必须仔细评估寄生参数和热特性,同时...

意法半导体将在意大利新建碳化硅晶圆厂 获欧盟2.9亿欧元补贴

致力于开发200mm晶圆。此外,意法半导体表示,正在改变其全球制造业务,增加300mm制造能力,并重点关注宽带隙半导体,以支持其2000亿美元以上的收入目标。 据了解,意法半导体大批量STPOWER碳化...

宽带隙技术发展现状 不断演变的宽带隙半导体技术

带隙技术发展现状 不断演变的宽带隙半导体技术; 简介 几乎所有采用电气控制、通信、电力、驱动和传感的技术系统都已实现了电气化以及电气连接。从20世纪50年代开始,硅(Si) 一直...

24.5%!我国科研团队刷新大面积全钙钛矿光伏组件光电转化效率世界纪录

不同的子电池堆叠而成,窄带隙子电池能够吸收宽带隙子电池吸收不了的光,理论上,叠层组件的光电转化效率应该更高,21.7%这个结果显然不能令人满意。”论文共同第一作者、南京大学2019级直...

车规碳化硅功率肖特基二极管有哪些应用

车规碳化硅功率肖特基二极管有哪些应用;在新能源汽车市场快速发展的背景下,车载功率半导体需求量激增,其中,碳化硅功率器件凭借更低的能量损耗、更小的封装尺寸、更高的开关频率、更强...

WBG 器件给栅极驱动器电源带来的挑战

WBG 器件给栅极驱动器电源带来的挑战;碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 器件的栅极驱动器电源必须满足这些宽带隙半导体的独特偏置要求。本文将讨论在 SiC 和 GaN 应用...

国家统计局:10月半导体器件专用设备制造业增加值同比增长33.9%

部分高耗能产业的开工率同比增速有所下降,请问工业生产整体有哪些特点?原因有哪些?后续政策发力作用下,四季度整体形势如何?”的问题。 国家统计局新闻发言人、总经济师、国民经济综合统计司司长刘爱华表示,10月份,随着...

上演逼空行情?碳化硅衬底出货量2023年或劲增22%

的高需求是由于硅基功率器件接近其物理极限,特别是对于高速或大功率应用,宽带隙半导体代表了当前替代品中最有前途的选项,而SiC在材料特性和供应链成熟度方面都处于最前沿。此外,电动汽车、充电基础设施、绿色...

COSEL推出新型无风扇传导冷却式三相高效电源HCA3500TF

) •数字控制拓扑和宽带隙半导体 •厚度:65mm,带盖子(1.5U) •优化了传导水冷底板的设计 •5年保...

Nexperia公布2023年财务业绩

予EcoVadis金奖,在其行业内被评为前5%的公司之一,重申了其积极推动行业变革的承诺。 此外,Nexperia通过引入行业领先的宽带隙半导体、能量采集器件,以及对其功率半导体的持续投资,提高...

泰克2023新年展望:引领数智化未来,助力本土化创新加速腾飞

生活在一个不断变化的世界中,对有限的能源资源的管理已变得更加重要。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙半导体技术的进步使清洁、可再生和可靠的能源生态系统得以发展,同时也为工程师带来了新的挑战。电源产品整体评价,效率...

COSEL为要求苛刻的应用提供输出功率为3500W的新型无风扇传导冷却式三相高效电源

电压为180-528VAC •高达94%的效率 •最多可10台并联使用(31.5kW) •数字控制拓扑和宽带隙半导体 •厚度:65mm,带盖子(1.5U) •优化了传导水冷底板的设计 •5年保...

魏少军教授:《中国芯片设计业要自强不息》—ICCAD-Expo 2024中国IC设计业统计数据即将发布!

有部分供应链关键领域有望在2024年取得突破和进展。 时间一晃而过,今年中国半导体行业,特别是设计领域发展如何?其余环节如EDA、IP、封测等有哪些新进展新技术?迎接2025年,又有哪些...

Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越来越受欢迎的D2PAK-7封装

断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等各种工业应用中越来越受欢迎。这也进一步证明了Nexperia与三菱电机公司(MELCO)之间成功的战略合作伙伴关系,两家公司联手将SiC宽带隙半导体...

SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性

得该技术甚至可以在高工作温度下使用。 宽带隙参数 宽带隙半导体的带隙比硅或砷化镓 (GaAs) 等普通半导体宽得多。这自然会转化为更大的击穿电场,并转...

泰克携手EA提供扩展的电源产品组合,  助力工程师实现世界电气化

的客户面临的挑战是提供安全可靠的电源电子设计,这些设计融合了高能量密度电池、高效电机、智能电源逆变器和宽带隙半导体等新技术,以实现高功率和高性能,从而推动行业电气化并满足不断增长的能源需求,为世界提供动力。”  泰克...

针对高要求应用,科索(COSEL)推出了 3.5kW 三相  高效率薄型电源

(1.61 英寸)(含外盖),符合 1U 高度 • 效率⾼达 94% • 最多可并联 10 台(31.5kW),有功电流共享 • 采用数字控制拓扑及宽带隙半导体 • 内置 12V/1A 辅助电源,用于...

半导体投融资“避坑”指南

半导体投融资“避坑”指南; 对于传统投资人来说,半导体三个字就是一个大门槛,想要在半导体圈投出水平,必须得知道里面的道道,都有哪些坑呢?昨天,云岫...

开创国内唯一自有图像传感器品牌—淮安德科码最新招聘信息

了中国影像传感器IDM模式的空白。结合海外成熟工艺平台及本土晶圆厂运营团队, 建成拥有自主知识产权的民族半导体芯片品牌。 现在 淮安德科码 正在摩尔精英招聘英才,先来看看都有哪些...

半导体行业如何助力“绿色低碳”目标?

低碳的第二个关键动因与能源尤其是可再生能源有关。我们助力世界向更绿色的能源转型,利用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙半导体技术开发大功率、高能效的功率器件,降低太阳能电池板、风力发电机和智能电网中的能量转换损耗。 最后,在中国,空气...

半导体行业如何助力“绿色低碳”目标?

低碳的第二个关键动因与能源尤其是可再生能源有关。我们助力世界向更绿色的能源转型,利用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙半导体技术开发大功率、高能效的功率器件,降低太阳能电池板、风力...

半导体行业如何助力“绿色低碳”目标?

驶者能够减少空气污染,减缓全球气候变化。  支持低碳的第二个关键动因与能源尤其是可再生能源有关。我们助力世界向更绿色的能源转型,利用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙半导体技术开发大功率、高能效的功率器件,降低...

聚焦第三代半导体,泰克荣获“2023行家极光奖”年度优秀产品奖

也把国内外新的行业标准与测试方法带给客户。在碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙半导体技术方面,泰克为工程师提供了强大的功率分析仪和软件,轻松解决测试难题。泰克致力于成为智能汽车测试的领跑者,聚焦智能座舱、自动...

SiC为何会突然流行,哪些应用在推动需求?

SiC为何会突然流行,哪些应用在推动需求?;碳化硅(SiC)在各行业的应用已经有数百年历史。如今,它作为半导体材料比以往任何时候都更受市场的欢迎,这主要得益于它在工业领域的广泛应用。 在本文中,我们...

向光伏系统添加储能的四大设计注意事项

电池电压的升高,对于转换器更高功率密度,更 低开关损耗的要求,宽带隙半导体器件,例如SiC和 GaN,将扮演越来越重要的角色。功率转换系统还可 以帮助电池组更好地管理分布式发电系统中的功率 波动,并使...

泰克携手EA提供扩展的电源产品组合,助力工程师实现世界电气化

设计融合了高能量密度电池、高效电机、智能电源逆变器和宽带隙半导体等新技术,以实现高功率和高性能,从而推动行业电气化并满足不断增长的能源需求,为世界提供动力。”泰克科技总裁 Chris Bohn 表示:“许多...

泰克携手EA提供扩展的电源产品组合,助力工程师实现世界电气化

的客户面临的挑战是提供安全可靠的电源电子设计,这些设计融合了高能量密度电池、高效电机、智能电源逆变器和宽带隙半导体等新技术,以实现高功率和高性能,从而推动行业电气化并满足不断增长的能源需求,为世界提供动力。” 泰克科技总裁Chris...

聚焦第三代半导体,泰克荣获“2023行家极光奖”年度优秀产品奖

进的测试方案,同时也把国内外新的行业标准与测试方法带给客户。在碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙半导体技术方面,泰克为工程师提供了强大的功率分析仪和软件,轻松解决测试难题。泰克...

聚焦第三代半导体,泰克荣获“2023行家极光奖”年度优秀产品奖

也把国内外新的行业标准与测试方法带给客户。在碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙半导体技术方面,泰克为工程师提供了强大的功率分析仪和软件,轻松解决测试难题。泰克...

聚焦第三代半导体,泰克荣获“2023行家极光奖”年度优秀产品奖

不断将自身产品与新的测试需求相结合,为客户提供更全面、更高效、更先进的测试方案,同时也把国内外新的行业标准与测试方法带给客户。在碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙半导体技术方面,泰克...

碳化硅 (SiC) 用于各种应用已有 100 多年的历史,为什么SiC 突然流行起来

期这样做的努力产生了不一致的结果。边缘位错、三角缺陷和其他问题减缓了 SiC 作为半导体的商业化,尽管它有许多潜在的应用,但它的使用仍然相对较少。 但是,是什么让 SiC 成为如此有效的半导体呢?作为一种宽带隙半导体...

TDK推出适合800V总线电压应用的CeraLink片式电容器

,符合AEC-Q200标准。特性和应用主要应用• 快速开关电源转换器和逆变器• 适合汽车、可再生能源和工业驱动应用主要特点和优势• 通过直流偏置效应增加了电容,具有更高的额定电压• 适合SiC和GaN等宽带隙半导体...

隆基绿能国产钙钛矿电池转化率跻身世界前三

表中国在该项电池技术领域的最高水平。 据了解,叠层电池的原理是宽带隙顶部电池吸收高能量光子,窄带隙底部电池提高光子利用率,二者合作能突破单结电池的理论效率极限,理论转化效率高达40%+,因此转化效率可突破传统的天花板。 而且...

意法半导体:SiC新工厂今年投产,丰沛产能满足井喷市场需求

和垂直制造战略确保了我们在性能成本结构和供应能力上的竞争力。行家说三代半:面对逐渐爆发的市场需求,贵公司有哪些举措为客户提供稳定的产品供应?意法半导体沐杰励:意法半导体确保为客户提供一个灵活可靠的供应链,以支持他们的需求增长。为此,意法半导体...

意法半导体:SiC新工厂今年投产,丰沛产能满足井喷市场需求

MOSFET技术和垂直制造战略确保了我们在性能成本结构和供应能力上的竞争力。 行家说三代半:面对逐渐爆发的市场需求,贵公司有哪些举措为客户提供稳定的产品供应? 意法半导体沐杰励:意法半导体...

意法半导体:SiC新工厂今年投产,丰沛产能满足井喷市场需求

和垂直制造战略确保了我们在性能成本结构和供应能力上的竞争力。 行家说三代半:面对逐渐爆发的市场需求,贵公司有哪些举措为客户提供稳定的产品供应? 意法半导体沐杰励:意法半导体...

意法半导体:SiC新工厂今年投产,丰沛产能满足井喷市场需求

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