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两款产品，适合最大功率100W和65W的单开关管准谐振 (QR)反激式功率转换器。这个尺寸紧凑、高集成度的产品设计的目标应用包括USB-PD 充电器、家电、智能建筑控制器、照明、空调、智能......
要特点包括： （1）11.0592MHz 晶体，206.4384MHz 运行主频，支持 HME05 仿真器。 （2）外接 16MB SPI Flash，运行标准 DGUS II UI； （3）使用 USB......
半导体高压宽禁带功率转换芯片系列新增VIPerGaN100 和 VIPerGaN65两款产品，适合最大功率100W和65W的单开关管准谐振 (QR)反激式功率转换器。这个尺寸紧凑、高集成度的产品设计的目标应用包括USB-PD 充电器、家电、智能......
最大功率100W和65W的单开关管准谐振 (QR)反激式功率转换器。这个尺寸紧凑、高集成度的产品设计的目标应用包括USB-PD 充电器、家电、智能建筑控制器、照明、空调、智能......
最大功率100W和65W的单开关管准谐振 (QR)反激式功率转换器。这个尺寸紧凑、高集成度的产品设计的目标应用包括USB-PD 充电器、家电、智能建筑控制器、照明、空调、智能......
激光的四个主要应用场景;提起激光，我们都不陌生，它是二十世纪继核能、半导体、计算机后又一重大发明，凭借其良好的亮度高、单色性、方向性及相干性等特质，激光被广泛应用于工业制造、生物医疗、文化......
基于晶体管的90W音频功率放大器电路图;该晶体管功率放大器电路仅使用准互补放大器配置中的四个晶体管，即可以低成本向 4 欧姆负载提供 90W 的功率。 如图所示的晶体管功放电路，除了......
有很低的钳位电压和高稳健性，适用于新的车载接口。具体的车载应用包括采用USB 3.2、HDMI、LVDS、SerDes和SD卡接口的信息娱乐、多媒体与ADAS系统。 Nexperia的TrEOS ESD保护......
所见，步进电机附带一块 PCB。PCB 上的电路包括一个 ULN2003A 集成电路，其中包含七个达林顿晶体管对，其中使用了四个。每对由两个 NPN 双极结型晶体管组成，用作低电流信号（例如......
，同时提高额定输出功率。500kHz的最高开关频率允许使用小尺寸的电磁元件，当使用 GaN 晶体管时，还能最大限度地发挥宽带隙技术的优势。这款控制器采用意法半导体的绝缘体上硅 (SOI......
示波器测量之抖动的四个维度;抖动是在进行示波器测量的时候常见的一种现象，也是工程师比较头痛的问题之一，也是尝尝讨论的问题。为什么这个话题千古不变值得讨论呢?是因为抖动是示波器测量的诸多功能中与“数学......
提高额定输出功率。500kHz的最高开关频率允许使用小尺寸的电磁元件，当使用 GaN 晶体管时，还能最大限度地发挥宽带隙技术的优势。这款控制器采用意法半导体的绝缘体上硅 (SOI)制造工艺，在保证优异的鲁棒性的同时，还可......
提高额定输出功率。500kHz的最高开关频率允许使用小尺寸的电磁元件，当使用 GaN 晶体管时，还能最大限度地发挥宽带隙技术的优势。这款控制器采用意法半导体的绝缘体上硅 (SOI)制造工艺，在保证优异的鲁棒性的同时，还可......
使能引脚和两个电源引脚被连接到+5V电源。四个输入连接到8051的PORT1引脚，即P1.0、P1.1、P1.2和P1.3。双极步进电机的四个引脚与L293D的四个输出引脚相连。 为了控制步进电机的方向，三个......
规划有以下5个尺寸段的中空轴步进电机。 2、出轴型式 由于中空轴电机的空心设计，使其......
。 接下来，振荡器。它由两个80pF电容器和一个11.0592 MHz晶体组成，连接在8051的XTAL1和XTAL2引脚之间。 进入电机驱动器时，两个使能引脚和两个电源引脚连接到+ 5V电源。四个......
，硅晶体（红色）、氧化物（浅蓝色）和在光刻胶中显影的四个鳍片（紫色） SEMulator3D 刻蚀终点探测循环 SEMulator3D 的工艺流程使用 Until Loop......
边界区域（蓝色），其中包含四个鳍片（红色）和用于测量隔离区（黄色）和沟槽区（绿色）薄膜厚度的两个测量区域   图2：SEMulator3D 模型，硅晶体（红色）、氧化物（浅蓝色）和在光刻胶中显影的四个......
厚度的两个测量区域    图2：SEMulator3D 模型，硅晶体（红色）、氧化物（浅蓝色）和在光刻胶中显影的四个鳍片（紫色）  SEMulator3D 刻蚀终点探测循环  SEMulator3D 的工......
提高额定输出功率。500kHz的最高开关频率允许使用小尺寸的电磁元件，当使用 GaN 晶体管时，还能最大限度地发挥宽带隙技术的优势。这款控制器采用意法半导体的绝缘体上硅 (SOI)制造工艺，在保......
说的，诸如，台积电16nm工艺的Nvidia GPU、英特尔14nm工艺的i5，等等，这个长度的含义，具体的定义需要详细的给出晶体管的结构图才行，简单地说，在早期的时候，可以姑且认为是相当于晶体管的尺寸......
尔第一代采用“intel 20A”工艺节点的设计具有四个堆叠的纳米片，每个纳米片都被一个门完全包围。Kelleher 说，这种设计有望在 2024 年首次亮相。RibbonFET 使用环栅 (GAA) 设计，它可以提高晶体......
功率技术配套使用。MasterGaN技术包含意法半导体的集成栅极驱动器的氮化镓(GaN)宽带隙功率晶体管。意法半导体GaN技术的开关频率比传统硅 MOSFET更高，使适......
-ONEHP 非常适合与意法半导体的单封装集成了公司的第三代氮化镓 (GaN) 功率晶体管和优化的栅极驱动器的MasterGaN芯片一起使用。与传统的硅晶体管相比，该SiP解决......
-ONEHP 非常适合与意法半导体的单封装集成了公司的第三代氮化镓 (GaN) 功率晶体管和优化的栅极驱动器的MasterGaN芯片一起使用。与传统的硅晶体管相比，该SiP解决......
控制器有64KByte 闪存，可以存储定制功率转换固件。 ST-ONEHP 非常适合与意法半导体的单封装集成了公司的第三代氮化镓 (GaN) 功率晶体管和优化的栅极驱动器的MasterGaN芯片一起使用。与传统的硅晶体......
红外探测器芯片的像元尺寸解析;　　业内也有人说这个尺寸叫像元间距或者像元中心距，即相邻像元中心的间距。 　　红外探测器是通过焦平面上一个个像元的光电转换效应来实现红外热成像的而像元尺寸......
压开关非互补有源钳位能效高于传统准谐振反激式变换拓扑。ST-ONEMP与意法半导体的MasterGaN功率技术配套使用。MasterGaN技术包含意法半导体的集成栅极驱动器的氮化镓(GaN)宽带隙功率晶体管。意法半导体GaN技术......
压开关非互补有源钳位能效高于传统准谐振反激式变换拓扑。ST-ONEMP与意法半导体的MasterGaN功率技术配套使用。MasterGaN技术包含意法半导体的集成栅极驱动器的氮化镓(GaN)宽带隙功率晶体管。意法半导体GaN技术......
器结构 A4C传感器的自动对焦功能基于这样一种机制：如果来自物体的不同光线汇聚至一个焦点，则物体处于对焦状态；如果来自物体的不同光线未能汇聚至一个点，则物体处于失焦状态。换句话说，如果一个微透镜下的四个......
钟发生器的创新功能，同时通过降低晶体的集成板空间和成本。通过内置的频率源，设计师不再需要将外部晶振在他们的设计，并不遗余力参与频率调谐的努力。 VersaClock 5可编程时序器件具有优异的抖动性能，在竞......
种非互补有源钳位反激式零压开关(ZVS) 拓扑，可确保应用在高功率输出和高开关频率下能效出色。芯片集成了次级整流器和 USB PD通信接口等基本功能，节省了物料成本以及 PCB 尺寸和布局复杂性。内置......
DS1402D-3数据手册和产品信息;这里描述了用于构建DS1402D-DR8和DS1402D-DB8 Blue Dot™ i Button®读写探头的四个组成部分。完整数据资料中的图1至图4给出了各个部分的尺寸......
” (1.0x0.6x0.8mm，高度为最大值) 等 2 个尺寸 2 个产品的量产。 以1006 尺寸实现高电感，体积减少约5 成，有助......
方形金属辐射贴片从馈电点旋转到螺旋辐射区中心，每片辐射贴片的边长逐渐减小。对渐变贴片折线螺旋结构进行取反操作后可得到，如图1 所示。用于天线设计时，可以利用多个尺寸不同的辐射缝隙的辐射频率叠加效应，实现......
迎接三个万亿时代，英特尔中国研究院的四个关键字;“半导体的万亿时代即将到来，而且是三个万亿。”英特尔中国研究院院长宋继强在英特尔中国研究院、南京英麒智能科技2023探索创新日上指出。 其中，第一......
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Pickering 为现有产品增加了额定功率加倍的型号，提升了常用舌簧继电器的技术规格; 【导读】英国Clacton-on-Sea：高性能舌簧继电器的领先者Pickering提高了最受欢迎的四个......
长距离低功耗无线通信技术，可以通过LoRaWAN 无线网络远程抄表，有效解决在地貌广阔、多样化的雅加达市区和森林密布的地区的抄表难题。STM32 无线微控制器是一个尺寸轻巧的系统芯片 (SoC)，可以让 Sindcon等客......
管大大减少铝片所散出的热量，从而进一步节省系统成本。 宜普电源转换公司的首席执行官Alex Lidow说："氮化镓场效应晶体管eGaN® FET具备开关快速、尺寸小和效率高等优势，从而......
管大大减少铝片所散出的热量，从而进一步节省系统成本。 宜普电源转换公司的首席执行官Alex Lidow说："氮化镓场效应晶体管eGaN® FET具备开关快速、尺寸小和效率高等优势，从而......
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意法半导体推出灵活多变的同步整流控制器，提高硅基或氮化镓功率转换器能效;2024 年 3 月 7 日，中国—— SRK1004 降低采用硅基或 GaN 晶体管的的设计难度，提高转换能效，目标......
-ONEMP与意法半导体的MasterGaN功率技术配套使用。MasterGaN技术包含意法半导体的集成栅极驱动器的氮化镓(GaN)宽带隙功率晶体管。意法半导体GaN技术的开关频率比传统硅 MOSFET......
据引脚连接到PORT1，控制引脚RS、RW和EN分别连接到P3.0、GND和P3.1。这里，LCD用于显示与负载有关的信息。 键盘连接到微控制器的PORT2。键盘的四个行引脚连接到P2.0至P2.3，四个......
Fusion 晶片是自从苹果的片上系统转移到64 位处理器架构以来，它的进步最重大的一次。A10 Fusion 晶片拥有四个核心和33 亿个电晶体。尽管苹果并没有公开A9 晶片的电晶体数量，但我......
这款电视已经上线，有55寸/65寸/75寸/85寸四个尺寸可供选择，喜欢这款电视的用户可开始选购啦！ ......
长距离低功耗无线通信技术，可以通过LoRaWAN 无线网络远程抄表，有效解决在地貌广阔、多样化的雅加达市区和森林密布的地区的抄表难题。STM32 无线微控制器是一个尺寸轻巧的系统芯片 (SoC)，可以......
。 信道长度调制系数λ的计算公式为： 方程式7 由此，我们可以计算饱和时的输出电阻（ROUT）为：      方程式8 亚阈值导电 以前，我们定义了三个晶体管工作区域：截止、线性、饱和。实际上，还有第四个......
使用MD7120 MOSFET驱动器的D类功率音频放大器电路设计;这是使用IC MD7120作为MOSFET驱动器的D类功率音频放大器的电路设计。 MD7120 用于驱动在 H 桥开关两侧运行的四个......

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）、石英晶体谐振器（HC-49U、HC-49S、HC-49SMD、UM-1、UM-5、贴片SMD：5×7、6×3.5、5×3.2）、柱状晶体（Φ3×10、Φ3×9、Φ3×8、Φ2×6）、钟控振荡器（全尺寸