资讯
三星将在 2024 IEEE ISSCC 上展示 280 层 QLC 闪存，速率(2024-01-30)
具有如下特征：
280 层 1Tb 4b / cell 3D-NAND 闪存：
——280 层：指该闪存芯片由 280 层存储单元垂直堆叠而成，从而提高了存储密度。
——1Tb：指该闪存芯片的存储容量......
铠侠推出全新BG6系列消费级固态硬盘，引领PCIe®4.0高性价比主流(2023-05-26)
为1,000,000,000字节，将太字节(TB)定义为1,000,000,000,000字节。但是计算机操作系统记录存储容量时使用2的幂数进行表示，即定义1GB = 230......
铠侠推出全新BG6系列消费级固态硬盘，引领PCIe 4．0高性价比主流(2023-05-24 15:11)
为1,000,000,000,000字节。但是计算机操作系统记录存储容量时使用2的幂数进行表示，即定义1GB = 230 = 1,073,741,824字节，1TB = 240 = 1,099,511,627,776字节......
铠侠推出全新BG6系列消费级固态硬盘，引领PCIe®4.0高性价比主流(2023-05-24)
株式会社将兆字节(MB)定义为1,000,000字节，将千兆字节(GB)定义为1,000,000,000字节，将太字节(TB)定义为1,000,000,000,000字节。但是计算机操作系统记录存储容量......
【盘点】2021年存储市场回顾及2022年趋势展望(2021-10-29)
行业将会百花齐放。
表1 2017-2021年iPhone机型存储容量变化
5G手机换机潮也将带动NAND Flash和DRAM出货量的增加。今年9月，苹果公司发布了其首款5G手机——iPhone......
佰维EP400 BGA SSD：引领智能终端存储PCIe 4.0时代(2022-02-28)
协议标准；
● 以Type 1113的最小封装（11.5x13mm）实现256GB~1TB存储容量；
● 支持低功耗管理（L1.2）；
● 在DRAM-Less架构下采用HMB(Host Memory......
Teledyne e2v目前正在交付其宇航级DDR4内存解决方案(2022-03-18)
DDR4s存储容量为4G字节，尺寸仅为15mm x 20mm x 1.92mm，其存储密度远高于竞争对手的解决方案——仅占PCB基板面的一半，体积几乎减少了一个数量级。它们拥有高性能，并可提供2.4GT......
Teledyne e2v目前正在交付其宇航级DDR4内存解决方案(2022-03-18)
DDR4s存储容量为4G字节，尺寸仅为15mm x 20mm x 1.92mm，其存储密度远高于竞争对手的解决方案——仅占PCB基板面的一半，体积几乎减少了一个数量级。它们拥有高性能，并可提供2.4GT......
mini2440的SDRAM分析(2024-08-01)
速度较慢。
SRAM：它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。因此其存取速度快，但是体积较大，功耗大，成本高，常用作存储容量不高，但存取速度快的场合，比如CPU的L1......
关于汽车存储和MCU，兆易创新的答案是什么？(2024-07-23)
内及海外的主流平台， 为智能座舱、智能驾驶、中央网关、车身控制等系统提供可靠的代码及数据存储。
芯驰X9智能座舱方案，搭载的就是兆易创新GD25LX512ME车规级SPI NOR Flash，其存储容量为512Mb......
别光想着省钱！32GB iPhone 7读写速度太低(2016-10-11)
别光想着省钱！32GB iPhone 7读写速度太低;曾有业内人士多次表示，如果今年购买新款iPhone，最好避开存储容量为32GB的iPhone 7和iPhone 7 Plus，多花100美元购买存储容量为......
金泰克两款DDR4服务器专用内存通过美国AVL实验室认证(2021-11-13)
、32G存储容量，能满足不同用户对容量的读存需求。
（金泰克KTFGR4AE9 和KTQGR4AEE-H产品图）
此外，KTFGR4AE9 、KTQGR4AEE-H分别采用1颗、2颗......
用GDDR6W打开VR世界(2022-12-30)
虚拟空间中再现真实世界中纷繁复杂的物体和环境。这需要极大的存储容量和超高的计算能力。此外，创造更逼真的虚拟现实的益处不胜枚举，包括真实模拟复杂的场景，启迪多种跨行业的创新等。
在虚拟现实领域，数字......
解密长江存储，靠啥打破全球存储垄断格局？(2022-12-30)
朝着96层迈进。但就在今天（2019年9月2日）长江存储正式对外宣布，其基于Xtacking®架构的64层256GbTLC3DNAND闪存（每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位，每个存储......
为什么单片机内存那么少？(2023-03-27)
数据。
RAM有一些常见特点：
随机存取
易失性
对静电敏感
访问速度块
······
随着需求的提高，技术的进步，RAM又发展了像SRAM、DRAM、SDRAM等多种类型的RAM存储......
HBM上车？HBM2E被用于自动驾驶汽车(2024-08-25)
到2028年将达到102.5亿美元。Yole预计，到2026年汽车领域平均存储容量将达到483GB。面对智能座舱、车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统等不同的先进技术应用，车用存储芯片涉及NOR Flash......
ST 4Mbit EEPROM存储芯片，让小型设备也能处理更多用户数据(2019-11-25)
ST 4Mbit EEPROM存储芯片，让小型设备也能处理更多用户数据;半导体供应商意法半导体推出了新一代存储器芯片，集前所未有的存储容量与读写速度和可靠性于一身，新产......
佰维EP400 BGA SSD：引领智能终端存储PCIe 4.0时代(2022-02-25)
/s。
EP400关键特性：
● 支持PCIe Gen4x2，NVMe 1.4接口协议标准；
● 以Type 1113的最小封装（11.5x13mm）实现256GB~1TB存储容量；
● 支持......
类 3D NAND 设计，Neo 半导体推出 3D X-DRAM：8 倍密度、230 层(2023-05-10)
推出了 3D X-DRAM 存储芯片，声称是全球首个采用类似于 3D NAND 的 DRAM，其容量明显超过当前的 2D DRAM 解决方案。
3D X-DRAM 存储的首个版本实现了 128 Gb......
东芝推出首款TransferJet TM SD卡极速传输行业领先(2015-07-27)
东芝推出首款TransferJet TM SD卡极速传输行业领先;据日本东芝消息称，东芝将于7月31日推出存储容量为16GB注1的新型无线SDHC存储卡，型号为SD-TJA016G。该存储......
存储芯片下半年价格走势及未来技术方向(2024-06-12)
足高数据传输速率和低时延需求。
中国闪存市场总经理邰炜指出，2024年的手机平均容量将超过200GB，内存也朝更高性能的LPDDR5x演进，今年手机DRAM的平均容量在7GB以上。观察市场现有AI手机的存储容量......
金泰克2款DDR5内存通过Intel AVL实验室认证(2022-03-05)
产品都严格按照JEDEC最新的标准设计，搭载了原厂Original等级的4800MHz DRAM颗粒，分别拥有8GB、16G存储容量，能满足不同用户对容量的存储需求。
（金泰克KT8GU5MA4-M......
AI功能仅两款iPhone能用！苹果被存储卡了脖子(2024-06-14)
Intelligence的运行需要预留约0.7-1.5GB的DRAM，而未来苹果若升级至更大型的AI模型，如7B大模型，将需要更大的存储容量。
目前，iPhone 15 Pro/Pro......
s3c2440 SDRAM(2024-08-21)
的数据。因此其存取速度快，但是体积较大，功耗大，成本高，常用作存储容量不高，但存取速度快的场合，比如CPU的L1 cache，L2cache(一级，二级缓存) ，寄存器。
为了......
S3C2440存储系统-SDRAM驱动(2024-08-21)
：是否使用存储器的WAIT信号，通常设为0
l DWx：设置焊接存储器芯片的位宽，笔者开发板使用两片容量为32M，位宽为16的SDRAM组成64M，32位存储器，因此DW7，DW6位设置为0b10......
AI浪潮席卷 存储再进化(2024-03-04)
计算过程中的主要作用，是暂存计算过程中的中间值或参数。传统的暂存用存储可区分为芯片内部的快闪（Cache）存储与外部连接的DRAM。随着计算性能持续提升，芯片对内部与外部存储的容量与数据存取速率要求提高，特别......
基于LPC2378的IAP功能实现配变监测终端程序远程更新(2023-03-07)
空间，本文还将LZW压缩算法应用到程序更新中。1 LPC2378芯片介绍LPC2378是一款基于ARM7TDMI-S的32位处理器。它具有512 KB的片内Flash程序存储......
车载大算力需求背后：存储芯片的“背刺”？(2023-02-21)
闪存市场预测，L4、L5级别自动驾驶汽车将配备“40GB+”的内存和“3TB+”的存储容量。业内也有公司认为，到2027年L4和L5级自动驾驶可能会产生艾字节（1EB=1024PB）的数据。届时，强大的云存储和本地存储......
去库存近尾声？存储市场现状如何(2023-04-18)
的制造商，其存储容量超过4Gb，他们仍在制造具有相同配置的存储cell，包括一个晶体管和一个电容器。三星、SK海力士、美光在2016-2017年进入1Xnm(16nm-19nm)阶段，2018-2019年进......
东芝推出适用于电机控制的Arm Cortex－M4微控制器(2024-03-27 10:03)
个独立的代码闪存区，每个容量为512 KB[4]
闪存（数据）
32 K（编程／擦写周期：高达10万次）
RAM
64 KB，带奇偶校验
I/O端口......
车载存储芯片研究：百舸争流，国产化势在必行(2022-12-30)
美光统计，2021年中国汽车存储市场规模约7亿美元，到2023年估计将大幅增长至15亿美元。增长动力一方面来自中国汽车出货量的增长，另一方面也得益于车载内存和存储容量的持续扩大。
高等级自动驾驶汽车，对车载存储容量......
东芝推出适用于电机控制的Arm® Cortex®-M4微控制器(2024-03-28)
）
内存交换法固件转换功能，有两个独立的代码闪存区，每个容量为512 KB[4......
三星宣布PCIe 5.0 NVMe SSD量产(2024-09-20)
-NAND闪存技术，可提供强大的性能和更高的功率效率，使其成为AI PC等设备的最佳解决方案。新产品的SSD关键属性，包括性能、存储容量、功率效率和安全性等，都比前代产品（PM9A1a）要更......
中国大陆存储器行业方兴未艾？(2021-11-09)
器（RRAM）的研究。
据了解，2011年，中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠研究组研制成功中国第一款具有自主知识产权的相变存储器（PCRAM）芯片，存储容量为......
意法半导体推出Page EEPROM二合一存储器 提升智能边缘设备的性能和能效(2024-10-15)
32Mbit，大大高于标准 EEPROM产品的存储容量。嵌入式智能页面管理允许进行字节级写操作，适合数据记录等数据处理，同时还支持页面/扇区/块擦除和高达 512 字节的页面写操作，可以......
深度分析汽车存储市场与产业：美光几乎垄断高端市场(2023-08-10)
舱域控制器SA8155P模块，使用两片LPDDR4，LPDDR4芯片由美光提供，型号为MT53E1536M32D4DT-046 AIT:A，容量为6GB，速率为4266Mbps。UFS方面......
东芝推出适用于电机控制的Arm Cortex-M4微控制器(2024-03-26)
] TMPM4KxFDAxxG的单区代码闪存容量为512 KB
[2] TMPM4KxF10AxxG的代码闪存容量为1 MB，由两个512 KB区组成
[3] TMPM4KxFDAxxG不支......
东芝推出适用于电机控制的Arm® Cortex®-M4微控制器(2024-03-26)
]
- 自诊断功能，实现IEC 60730 B类功能安全性
- 四种封装类型
主要规格：
注：
[1] TMPM4KxFDAxxG的单区代码闪存容量为512 KB
[2......
SK海力士重磅消息：NAND Flash达到300层，“两王”之争谁是上风？(2023-03-23)
。
DRAM结构简单、存储容量大，广泛应用于计算机内存，是市场规模最大的存储芯片。SDRAM是同步DRAM，能够与CPU系统时钟同步，是DRAM的主流。目前，DDR4 SDRAM占据了主流市场，相比DDR3......
汽车存储器的种类和功能是什么(2024-04-30)
舱域控制器SA8155P模块，使用两片LPDDR4，LPDDR4芯片由美光提供，型号为MT53E1536M32D4DT-046 AIT:A，容量为6GB，速率为4266Mbps。UFS方面......
三菱PLC选型的七大标准(2023-09-27)
制功能日益扩大。
标准五：存储容量存储容量是指用户程序存储器的容量。用户程序存储器的容量大，可以编制出复杂的程序。一般来说，小型三菱PLC的用户存储器容量为几千字，而大型机的用户存储器容量为几万字。
标准六：扫描......
半导体周期回暖，存储市场率先上扬(2024-02-20)
%。
有行业专家指出，AI大模型需求将对存储产业带来新的变化。通常来说，运行一个端侧大模型、在不压缩模型的前提下，大约需要耗费十几GB的存储容量，这显然就会拉动运存DRAM需求......
三星计划2026年推出400层V10 NAND闪存，用于AI服务器(2024-10-31)
”NAND堆叠，具有大存储容量和出色的散热性能，是AI数据中心使用的超大容量固态硬盘（SSD）的理想选择。
据三星称，这种芯片被称为键合垂直NAND闪存或BV NAND......
潜力无限的汽车存储芯片，正在迎来新机遇(2023-03-29)
器步入千亿美金市场的核心因素。20世纪70年代起，DRAM进入商用市场，并以其极高的读写速度成为存储领域最大分支市场；功能手机出现后，迎来NOR Flash市场的爆发；进入PC时代，人们对于存储容量......
AT89C52单片机的SD卡读写设计原理(2023-08-21)
为512字节，所以需要在单片机最小系统上增加一片RAM。本系统中RAM选用存储器芯片HM62256，容量为32K。对RAM进行读写时，锁存器把低8位地址锁存，与P2口的8位地址数据构成16位地......
佰维存储：拟定增募资建设的晶圆级先进封测项目可构建HBM实现的封装技术基础(2023-11-27)
层叠Die、30~40μm超薄Die、多芯片异构集成等先进封装工艺，为NAND Flash芯片、DRAM芯片和SiP封装芯片的大规模量产提供支持，使得存储芯片在体积、散热、电磁兼容性、可靠性、存储容量......
后疫情时代需求爆发，半导体存储产业迎来新的曙光(2024-01-05)
实现量产。
NAND Flash 模组应用于嵌入式存储（用于电子移动终端低功耗场景）、固态硬 盘（大容量存储场景）和移动存储（便携式存储场景）等领域。闪存模组内部组成包括主 控芯片、DRAM 颗粒......
三家存储大厂业绩复苏(2024-02-01)
业务营收为15.71万亿韩元，环比增长49%，同比增长29%。
三星表示，随着PC和移动设备单机存储容量增加，以及IT行业对生成式人工智能的投资不断扩大，服务器需求出现了复苏的迹象，三星电子存储......
东芯股份前三季度营收3.71亿元，存储产品周期反转将近(2023-11-03)
产品核心技术情况如下：
公司SLC NAND Flash芯片制程（公司当前主力产品）涵盖38/2xnm，存储容量覆盖1Gb至32Gb，可以灵活选择SPI或PPI类型......
前三大存储原厂猛攻HBM，内存产业格局将重塑(2024-03-01)
）、高性能计算（HPC）以及AI服务器等应用的理想选择。透过将DRAM以3D堆叠方式封装，HBM能够提供远高于传统DRAM技术的带宽和存储容量。这种先进的内存结构不仅大幅提升了数据传输效率，还有......
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+1Gb+64 NAND+MOBILE DRAM/DDR ◎三星MMC卡MMCmicro,MMCmobile,MMCplus,容量分别为 8G,4G.2G.1G.512M.256M.128M.64M.32M
测试事业部，并在硅谷、慕尼黑和香港设立合作研发中心。2009年5月，公司成功收购德国奇梦达中国研发中心，自主研制大容量动态随机存储器（DRAM）芯片并成功量产销售；2011年公司研发出超高速固态存储
+64 NAND+MOBILE DRAM/DDR ◎三星MMC卡MMCmicro,MMCmobile,MMCplus,容量分别为 8G,4G.2G.1G.512M.256M.128M.64M.32M
:A Email:itvsd@126.com收购新旧好坏ARM、SRAM、DRAM、SDRAM、DDR、FLASH、电脑集成、通信芯片、存储芯片、裸片晶圆 硅片 芯片 ic 原器件 内存卡 各种成品半成品，工厂
;深圳市纳安科技有限公司;;纳安科技专业分销Micron的FLASH、DRAM,原厂原装品质、价格最具优势！ 以下常备现货: MT29F系列：MT29F1G08 2G08 4G08 8G08
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管理自己的电视节目、录象、照片和文件等。目前最高的存储容量500GB，它能够存储高达85小时的高清电视录像、500小时的标清电视录像并支持多达10个同步电视流。另外，针对不同的DVR设备
外接电源。有LCD灯显示； 3、容量为：16MB 32MB 64MB 128MB 256MB 512MB 1GB 2GB 4GB 8GB 16GB 32GB； 4、使用多种操作平台WIN98／SE
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