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V,并支持动态电压调节。开关频率可达1 MHz以实现高功率密度,而且该器件备有省电模式,在轻负载可实现高效率。输出电流、电压和软启动可以实现精确的编程。该器件受到全面保护,并在5 mm x 5 mm......
和降低系统成本。” 立锜科技资深应用营销经理Eason Chen说:“立锜科技的RT6190专为充分发挥EPC的高性能氮化镓场效应晶体管的优势而设计,以实现具有高功率密度的解决方案。RT6190具备更高的开关频率和......
Power Management)'。这一DC-DC转换器系列又是这样的一个例证,我们以和竞争对手完全不同的方式应对尺寸和成本的挑战。我们的设计团队将工作频率提高到2MHz,并保持了最高的效率和功率密度......
Power Management)'。这一DC-DC转换器系列又是这样的一个例证,我们以和竞争对手完全不同的方式应对尺寸和成本的挑战。我们的设计团队将工作频率提高到2MHz,并保持了最高的效率和功率密度......
Power Management)'。这一DC-DC转换器系列又是这样的一个例证,我们以和竞争对手完全不同的方式应对尺寸和成本的挑战。我们的设计团队将工作频率提高到2MHz,并保持了最高的效率和功率密度......
800 kHz 的转换电路的开关频率,允许使用更小的无源元件来最大化紧凑模块尺寸内的功率密度。 图 3:FF08MR12W1MA1_B11A EasyPACK CoolSiC 汽车 MOSFET......
可发挥EPC eGaN FET的优势,用于高功率密度解决方案。LTC7890实现更高的开关频率和经过优化的死区时间,与市场上现有的解决方案相比,性能更卓越且功耗更低。通过这些新型控制器,客户可以发挥氮化镓器件的极速开关......
可发挥EPC eGaN FET的优势,用于高功率密度解决方案。LTC7890实现更高的开关频率和经过优化的死区时间,与市场上现有的解决方案相比,性能更卓越且功耗更低。通过这些新型控制器,客户可以发挥氮化镓器件的极速开关......
可发挥EPC eGaN FET的优势,用于高功率密度解决方案。LTC7890实现更高的开关频率和经过优化的死区时间,与市场上现有的解决方案相比,性能更卓越且功耗更低。通过这些新型控制器,客户可以发挥氮化镓器件的极速开关......
意法半导体公布了新系列100V沟槽肖特基整流二极管以提高效率和功率密度;推出可提升高开关频率功率转换器能效的100V沟槽。本文引用地址:随着低开关损耗的宽禁带半导体等技术的广泛应用,设计人员开始提高功率转换器的工作频率......
,中国 – 意法半导体推出可提升高开关频率功率转换器能效的100V沟槽肖特基整流二极管。 随着低开关损耗的宽禁带半导体等技术的广泛应用,设计人员开始提高功率转换器的工作频率,不断刷新功率密度。不过,当开关频率......
Power Management)'。这一DC-DC转换器系列又是这样的一个例证,我们以和竞争对手完全不同的方式应对尺寸和成本的挑战。我们的设计团队将工作频率提高到2MHz,并保持了最高的效率和功率密度......
FET的优势,用于高功率密度解决方案。LTC7890实现更高的开关频率和经过优化的死区时间,与市场上现有的解决方案相比,性能更卓越且功耗更低。通过这些新型控制器,客户可以发挥氮化镓器件的极速开关......
FET的优势,用于高功率密度解决方案。LTC7890实现更高的开关频率和经过优化的死区时间,与市场上现有的解决方案相比,性能更卓越且功耗更低。通过这些新型控制器,客户可以发挥氮化镓器件的极速开关......
FET的优势,用于高功率密度解决方案。LTC7890实现更高的开关频率和经过优化的死区时间,与市场上现有的解决方案相比,性能更卓越且功耗更低。通过这些新型控制器,客户可以发挥氮化镓器件的极速开关......
FET的优势,用于高功率密度解决方案。LTC7890实现更高的开关频率和经过优化的死区时间,与市场上现有的解决方案相比,性能更卓越且功耗更低。通过这些新型控制器,客户可以发挥氮化镓器件的极速开关......
,因此减小磁性元件的体积成为提高车载充电器功率密度的一种重要方法,前述提高开关频率可以有效减小磁性元件的体积,但由于磁芯材料和功率器件限制,通过无限制的抬升开关频率......
的击穿电场和更高的热导率,随着硅接近其理论极限,SiC在电力电子领域越来越受欢迎。碳化硅基MOSFET在损耗、开关频率和功率密度方面比硅基MOSFET更高效。 当人们尝试提高电动汽车的效率和续航里程,同时降低其重量和价格以提高控制电子设备的功率密度......
提升至1MHz,具有高效率和高功率密度特性。     图示2-基于Innoscience产品的1KW DC/DC电源模块方案的场景应用图   本方案采用全桥LLC DCX拓扑结构,固定变比为4:1,支持......
和电信电源系统的理想选择。eGaN FET和IC具有快速开关、高效率和小尺寸的优势,可以满足这些前沿应用对功率密度的严格要求。 宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow说:“GaN IC为DC/DC转换器提供了最高的功率密度......
INN040LA015A器件推出1KW DC/DC电源模块方案,其利用氮化镓寄生结电容小的特点,配合磁集成方案,将开关频率提升至1MHz,具有高效率和高功率密度特性。 图示2-大联......
。 氮化镓技术,通常称为 GaN,是一种宽带隙半导体材料,越来越多地用于高电压应用。这些应用需要具有更大功率密度、更高能效、更高开关频率、更出色热管理和更小尺寸的电源。除了数据中心,这些......
 48V应用电机驱动器设计,对设计的评估表明,GaN器件允许采用更高的开关频率,而不会降低系统效率或超过热管理极限。更高的开关频率可改进端到端系统效率,实现更低的电机温度和更高的功率密度。设计......
分发挥EPC eGaN FET的高性能优势,用于高功率密度解决方案。LTC7890可实现更高的开关频率和经过优化的死区时间,与市场上现有的解决方案相比,性能更卓越且功耗更低。通过这些新型控制器,客户可以发挥氮化镓器件的高速开关......
率。 高功率密度使该参考设计成为需要小尺寸和高效率的计算、工业、消费和电信电源系统的理想选择。eGaN FET和IC具有快速开关、高效率和小尺寸的优势,可以满足这些前沿应用对功率密度......
GaN技术:挑战和未来展望;氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙半导体,其在多种电力电子应用中的应用正在不断增长。这是由于这种材料的特殊性能,在功率密度、耐高温和在高开关频率下工作方面优于硅 (Si......
允许采用更小的电容和电感值,最终实现更高的功率密度。 提高电源开关频率还有其他好处。可以大大降低保护主处理器等关键部件所需的负载瞬态去耦电容。从历史上看,这些电容都采用钽或铝聚合物电容器。减少对去耦电容的依赖,可以......
种宽带隙半导体材料,越来越多地用于高电压应用。这些应用需要具有更大功率密度、更高能效、更高开关频率、更出色热管理和更小尺寸的电源。除了数据中心,这些应用还包括 HVAC 系统、通信电源、光伏......
意法半导体公布了新系列100V沟槽肖特基整流二极管以提高效率和功率密度;目标应用包括电信设备、服务器和智能表计的电源,以及LED车灯或汽车低压DC/DC转换器意法半导体推出可提升高开关频率功率......
式变压器组件的诞生增加了设计灵活性,并且由于交流阻抗损失显著降低,比传统绕线变压器设计具有效率和功率密度优势。PLN0xx-ED21 系列平面变压器提供 48 瓦至 70 瓦的输出功率,输入电压范围从 33 至 57  VDC......
推出1KW DC/DC电源模块方案,其利用氮化镓寄生结电容小的特点,配合磁集成方案,将开关频率提升至1MHz,具有高效率和高功率密度特性。     图示......
紧凑、低高度的外观设计,从而提供更高的可靠性,具有卓越的热导性和散热性能。  Bourns 平面式变压器组件的诞生增加了设计灵活性,并且由于交流阻抗损失显著降低,比传统绕线变压器设计具有效率和功率密度......
MHz,使设计人员能够最大限度地减小外部元件尺寸,并避开AM无线电等关键频段。静音开关稳压器 2 技术保证了出色的 EMI 性能,而不会牺牲开关频率和功率密度,也不会牺牲开关速度和效率。Silent......
地满足工业和新能源汽车应用的广泛需求。 近年来,为了追求更高的转换效率和功率密度,在工业和新能源汽车等领域,系统设计师们逐步开始采用SiC器件替代传统的、基于硅(Si)工艺的IGBT器件。然而,这种......
挑战已经推动了氮化镓 (GaN) 在高压电源设计中的广泛应用,原因在于 GaN 具有两大优势: 提高功率密度。GaN 的开关频率较高,使设计人员能够使用体积更小的无源器件(如电感器和电容器),从而缩小电路板的尺寸。 提升......
挑战已经推动了(GaN)在高压电源设计中的广泛应用,原因在于GaN具有两大优势: ●   提高功率密度。GaN的开关频率较高,使设计人员能够使用体积更小的无源器件(如电感器和电容器),从而缩小电路板的尺寸。 ●   提升......
Qorvo E1B SiC模块:成就高效功率转换系统的秘密武器;在中,效率和功率密度至关重要。每一个造成能量损失的因素都会产生热量,并需要通过昂贵且耗能的冷却系统来去除。软开关技术与碳化硅(SiC......
越多的第三代半导体正在使用,相较于传统 Si 功率器件,第三代器件能够提升系统开关频率,在降低系统体积的同时显著提升系统功率密度并降低系统功耗。 德州仪器开发 GaN 可追溯至 2010 年,并于 2016 年正式量产。为了......
控制器:采用碳化硅功率器件的电机控制器能够实现更高的开关频率和更低的开关损耗,从而提高电机的控制精度和响应速度。此外,碳化硅功率器件的高热导率有助于降低散热系统的复杂性和成本。 车载充电器:碳化硅功率器件在车载充电器中的应用能够显著提高充电效率和功率密度......
Allegro MicroSystems推出高带宽电流传感器技术,帮助实现高性能电源转换;全新高功率密度传感器能够降低能量损耗,同时改进SiC和GaN技术的效率和可靠性 美国......
能源解决方案和数据中心应用中实现更高性能电源转换。   —— 全新高功率密度传感器能够降低能量损耗,同时改进SiC和GaN技术的效率和可靠性 美国......
由于交流阻抗损失显著降低,比传统绕线变压器设计具有效率和功率密度优势。PLN0xx-ED21 系列平面变压器提供 48 瓦至 70 瓦的输出功率,输入电压范围从 33 至 57  VDC,开关频率为 250......
由于交流阻抗损失显著降低,比传统绕线变压器设计具有效率和功率密度优势。PLN0xx-ED21 系列平面变压器提供 48 瓦至 70 瓦的输出功率,输入电压范围从 33 至 57 VDC,开关频率为 250......
电源便携性以及高效环保的重视,我们看到了GaN在快充市场应用已经成为大趋势。如今,包含GaN在内的广义上的宽禁带技术半导体能够很好的满足大批量应用的严格要求,为原始设备制造商带来更高的效率和功率密度,再搭配Si基半......
提升了器件的热性能和可靠性。结合特定的冷却设计(“为了增加散热,将器件单管直接贴装在散热片上,而未进行任何电气隔离”[3]),它提供了更出色的器件单管解决方案(图1)。它可实现更高输出功率,提高效率和功率密度,并降低中功率......
英飞凌推出全新62 mm封装CoolSiC产品组合,助力实现更高效率和功率密度;【2023年11月29日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V......
突破电源管理极限。”   借助 100V 集成式 GaN 功率级提高功率密度和效率 借助德州仪器新款 100V GaN 功率级 LMG2100R044 和 LMG3100R017,并得益于 GaN 技术的较高开关频率......
硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器(OBCs)、电动汽车超级充电桩以及太阳能/储能系统(ESS)。产品涵盖了从D2PAK......
者可以在不到半小时的时间内将电池充电至80%的电量。由于快速充电的优势和电动汽车的快速发展,直流市场近年来经历了非凡的增长。与此同时,该市场正在面临可靠性、效率和功率密度方面的技术挑战。下一代功率半导体SiC器件......
者可以在不到半小时的时间内将电池充电至80%的电量。由于快速充电的优势和电动汽车的快速发展,直流电动汽车充电器市场近年来经历了非凡的增长。与此同时,该市场正在面临可靠性、效率和功率密度方面的技术挑战。下一代功率半导体SiC器件......

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;常熟市周行四通电热器材厂;;专业生产单头电热管,高功率密度电热元件.本厂生产的高功率密度电热元件(简称单头或单端电热管)由于使用方便,具有升温快,热效率高,耗电小,使用寿命长等特点,它可
环境模拟等方面均有独到之处,其高频开关技术、软开关技术、功率因数校正技术、同步整流技术、智能化技术、表面安装技术,已经形成高工作频率、高效率、高功率密度、高可靠性等为特征的现代开关电源产品。现有员工300
IKW40N120T2 两支替代一个50A1200V2单元的模块 同样可以使用IGBT提到mos,电压600v、1200v电流6A以上硬开关频率低于100K用IGBT具有高性价比 IGBT焊机
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速率(OCT/Min) 17、 特点:振幅,加速度,扫描速率OCT/MIN,频谱密度,功率谱密度PSD(gg/Hz)可调.扫频中可出 现二段定频.扫频可分二段扫频,并以二段不同的扫描速率完成.更好地完成易损频率
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足不同行业用户对山特UPS的需求。 目前,世界上最高功率密度的UPS产品由山特公司制造。山特还是率先将IGBT功率元件及高频PWM技术引入UPS行业的厂商。这些技术的应用,从根本上提升了山特UPS的性能和稳定度。 山特
;深圳互胜电子有限公司;;互胜生产的大功率铝基板在电路设计方案中对热扩散进行极为有效的处理;极为优良的导热性能和高强度的电气绝缘性能, 降低产品运行温度,提高产品功率密度和可靠性,延长