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基础知识之二极管(2024-03-20)
导体端的端子叫做阴极。 电流只能从阳极流到阴极，从阴极到阳极几乎没有电流流过。 这个效果叫整流效果，换句话说，就是把交流变换直流的作用。
4. 二极管就是开关
二极管的作用直说就是开关，电流的开关。把电......
二极管的7种应用电路解析，图文并茂太详细了！(2025-01-03 22:03:30)
说明
开关二极管同普通的二极管一样，也是一个PN结的结构，不同之处是要求这种二极管的开关特性要好。
当给开关二极管加上正向电压时，二极管......
资深工程师分享7种常见二极管应用电路解析(2024-11-30 17:23:02)
说明
开关二极管同普通的二极管一样，也是一个PN结的结构，不同之处是要求这种二极管的开关特性要好。
当给开关二极管......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
;12V时通态损耗加大，>20V时难以实现过流及短路保护。关断偏压-5到-15V目的是出现噪声仍可有效关断，并可减小关断损耗最佳值约为-8～10V。
栅极参数对电路的影响
IGBT内部的续流二极管的开关特性......
低电感ANPC拓扑结构集成新型950V IGBT和二极管技术，满足光伏应用的需求(2022-12-23)
选用经优化的功率模块设计和更低RG值，IGBT和二极管的开关损耗大幅降低。对于子系统（即IGBT和二极管的组合）来说，损耗可降低多达28%。
图10.在TJ=25°C和150°C条件下，经优化功率模块设计（Lσ,total......
PNP与NPN两种三极管使用方法(2024-10-06 11:59:22)
教科书，来看下三极管的应用电路
。
放大状态主要应用于模拟电路中，且用法和计算方法也比较复杂，我们暂时用不到。
而数字电路主要使用的是三极管的开关特性......
全面升级！安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析(2024-04-09)
工作栅极电压
推荐的工作栅极驱动电压，是通过考虑性能（如 RDS（ON）、开关损耗（EON、EOFF）、体二极管的正向压降（VF）及其反向恢复损耗（EREC））和可靠性，特别是栅极氧化层质量来确定的。
如表2所示......
对标C4D40120D，1200V SiC肖特基二极管B2D40120HC1让车载充电机更高效(2023-10-24)
不能满足车载充电机日益增长的性能需求，而高耐压、低损耗且具有高速开关特性的SiC器件，正逐步取代Si器件，成为车载充电机的主流应用。
下面我们以6.6kW车载充电机为例，介绍基本半导体的SiC肖特基二极管......
牛人剖析功率MOS，从入门到精通(2024-11-18 19:30:30)
不加控制)
(2)说明：
即内部二极管的等效电路，可用一电压降等效，此二极管为MOSFET 的体二极管，多数情况下，因其特性很差，要避......
摊牌了，MOS管的真面目！(2025-01-01 18:07:51)
也可。
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MOS管的开关特性......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
必需有基极电压Vb，再产生基极电流Ib，才能驱动集电极电流的产生。晶体三极管的驱动是需要功率的（Vb×Ib）。
2.开关速度快
MOSFET的开关速度和输入的容性特性的有很大关系，由于输入容性特性......
Ameya360：平面MOSFET与超级结MOSFET区别(2023-03-13)
层会增厚，存在导通电阻增加的课题。而超级结结构是排列多个垂直PN结的结构，可保持耐压的同时降低导通电阻RDS(ON)与栅极电荷量Qg。
另外，内部二极管的反向电流irr和反向恢复时间trr是作为晶体管的关断开关特性......
了解RET的开关特性(2023-02-03)
了解RET的开关特性;可通过基极电流开启或关闭双极结型晶体管(BJT)。但是，由于基极-发射极二极管两端的压降在很大程度上取决于温度，因而在许多应用中，需要一个串联电阻将基极电流保持在所需水平，从而......
高压栅极驱动IC自举电路的设计与应用指南(2022-12-23)
集成电路电源电压 VDD 以下，或者 Vs 被拉低到地(下桥开关导通，上桥开关关闭)。电源 Vcc ，通过自举电阻 RBOOT和二极管 DBOOT ，对自举电容 CBOOT 充电。自举二极管的......
解析LLC谐振半桥变换器的失效模式(2024-04-26)
路状态更糟糕，因为流经开关体二极管的反向恢复
电流更大。
图14. 短路时功率MOSFET的测量波形
图15. 短路时功率MOSFET的仿真波形
图14和图15给出了短路时功率MOSFET的开关波形。短路......
碳化硅器件动态特性测试技术剖析(2023-01-10)
电路中往往都会出现SiC Diode或SiC MOSFET体二极管的反向恢复过程，发生反向恢复也是与开关过程伴生的，也是功率二极管的传统核心动态特性。
综上所述，碳化硅器件的动态特性应该包含开关特性、串扰特性和反向恢复特性......
碳化硅器件动态特性测试技术剖析(2023-01-10)
SiC MOSFET体二极管的反向恢复过程，发生反向恢复也是与开关过程伴生的，也是功率二极管的传统核心动态特性。
综上所述，碳化硅器件的动态特性应该包含开关特性、串扰特性和反向恢复特性三个部分。串扰和反向恢复是与开关......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
度高）。一般的晶体三极管必需有基极电压Vb，再产生基极电流Ib，才能驱动集电极电流的产生。晶体三极管的驱动是需要功率的（Vb×Ib）。
9、开关速度快:MOSFET的开关速度和输入的容性特性......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
驱动集电极电流的产生。晶体三极管的驱动是需要功率的（Vb×Ib）。
9、开关速度快:MOSFET的开关速度和输入的容性特性......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
时间在10—100ns之间，工作频率可达100kHz以上，普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应，使开关总有滞后现象，影响开关速度的提高（目前采用MOS管的开关电源其工作频率可以轻易的做到100K......
干货 | 如何更好的理解PFC（功率因数校正）(2023-08-22)
进行功率因素校正：
功率因素校正（PFC）我们目前用的电视机由于采用了高效的开关电源，而开关电源内部电源输入部分，无一例外的采用了二极管全波整流及滤波电路，如图6A，其电压和电流波形如图6B
图6......
碳化硅MOSFET在电动汽车热管理系统中的研究(2023-05-04)
双脉冲测试电路｡上管外接空心电感作为感性负载｡上管给关断电压,使用其体二极管,可以测得器件体二极管特性;下管给两个连续脉冲,第1个宽脉冲测试器件的关断特性,第2个窄脉冲测试器件的开通特性｡因为第1个脉冲结束时电感电流通过上管的体二极管......
栅极驱动 IC 自举电路的设计与应用指南(2025-01-12 16:34:20)
了在主开关源极的电压负向瞬态时，肖特基二极管的电
流。
另外，连接到 CBOOT 两端的双二极管，确保自举电
容不......
泰克携手芯聚能共推SiC功率模块， 协同打造新能源车产业新生态(2024-07-02)
出了符合 JEDEC、IEC60747-8 和 IEC60747-9 标准的专业宽禁带双脉冲测试方案（WBG-DPT软件选件）。该应用软件能够对功率器件的开关特性和二极管反向恢复特性进行自动化测量，大大......
国星光电 NS62m 碳化硅功率模块上线：可用于传统工控、储能逆变、充电桩等(2022-12-13)
会以 2 个或 3 个 NS62m 功率模块并联的形式构成单相全桥拓扑或三相桥拓扑，将直流电变成频率、幅值可调的交流电，实现逆变功能。基于 NS62m 功率模块内 SiC 的体二极管具有出色的开关特性......
功耗低。
B1D10065F封装TO-263-2
基本半导体碳化硅肖特基二极管的低开关损耗和高开关频率可达MHz特性，可无限的将PFC效率提升至99%以上。B1D10065F可替代罗姆的SCS210AJ......
基础回顾：电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管(2024-06-03)
箍位。这里利用的是这种二极管是采用金属与半导体接触形成具有整流作用，这种二极管的开关速度很快。
三级管的开关应用非常多，常见的有控制继电器、控制LED、控制LCD背光、控制光耦等，一切开关电路几乎都可以使用三极管或者需要三极管......
德欧泰克|SiC和硅基组件在电动汽车充电电路中的应用(2024-02-28)
充电确实是一个有价值的功能，硅碳化物器件在其效率方面发挥了重要作用。SiC提供的提高效率可以归因于其对磁性元素的影响。图1 显示基于硅的超快恢复二极管的开关损耗充电电池需要高电流，通常需要大型线圈。为了最小化体积，解决方案在于提高元件的开关......
【干货】BCUK电路讲解，工作原理+图文结合(2024-06-25)
-DC的效率。
物理特性的极限使二极管的正向电压难以低于0.3V。对MOSFET来说，可以通过选取导通电阻更小的MOSFET来降低导通损耗。
在开关电源系统中，死区时间（Dead Time）是指为了避免两个晶体管开关......
基础电路学习（6）-- 从深度饱和谈三极管的开关响应(2022-12-07)
基础电路学习（6）-- 从深度饱和谈三极管的开关响应;
本来前几天就准备写一篇关于三极管开关电路的文章了，自己也认为比较简单，不是什么大问题。开关电路大家肯定经常用到，无非......
DC-DC BUCK电路详解(2024-10-25 08:05:21)
整流死区时间
同步整流是采用极低导通电阻的的MOSFET来取代二极管以降低损耗的技术，大大提高了DCDC的效率。
物理特性的极限使二极管的......
SiC MOSFET用于电机驱动的优势(2023-12-22)
它更适合电机驱动应用？
首先，从开关特性角度看，功率器件开关损耗分为开通损耗和关断损耗。
关断损耗
IGBT是双极性器件，导通时电子和空穴共同参与导电，但关断时由于空穴，只能通过复合逐渐消失，从而......
二极管导通AB两端的控制条件藏在A中，而三极管却是藏在C中。(2024-01-15)
，开关打开，管子导通。
值得注意的是，
导通AB两端的控制条件藏在A中，而三极管却是藏在C中。
对器件烂熟于于心，最好的方式莫过于搞懂他的曲线，这，是他的一生！
下图清晰地呈现了二极管的......
英飞凌推出采用TO-247PLUS SMD封装的EDT2工业级分立IGBT(2023-05-18)
提高了逆变器系统的性能和可靠性。
续流二极管是快恢复的发射极可控制的二极管，具有高效和软开关特性。
产品......
入门级Buck电路原理—简洁而不简单(2024-12-08 17:54:05)
整流死区时间
同步整流是采用极低导通电阻的的MOSFET来取代二极管以降低损耗的技术，大大提高了DCDC的效率。
物理特性的极限使二极管的......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
强调了 SiC
二极管的一些特性。
与普通的 PiN
二极管不同，肖特基二极管没有恢复电流，因为它们是具有多数电荷载流子的单极元件。然而，它们......
二极管反接有电压吗?二极管在电子电路中有哪些应用?(2025-01-13 18:54:45)
出现峰值之前所允许的最大工作电压。这个击穿电压是TVS二极管的特性之一，它可能是几百伏或者几千伏。击穿电压是TVS二极管可靠打开的最小电子电压差。
总结来说：反接二极管......
HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究(2023-03-06)
恢复能力(Qrr)，硬开关场景需要考虑该因素。
当MOSFET工作在开关状态时，处于线性工作区，其物理特性为等效电阻，（如下图所示），二极管I-V曲线大家都耳熟能详，那么当二者同时导通电流时，会是......
碳化硅肖特基二极管在光伏逆变器的应用(2023-03-20)
伏逆变器中，碳化硅肖特基二极管主要用于BOOST电路，如图2所示拓扑为Single Boost，是光伏逆变器中使用较为广泛的拓扑，拓扑中的D1在使用碳化硅肖特基二极管时，可以降低对应换流回路中开关管的开关......
如何用示波器测量稳压管稳压值(2022-12-29)
中的电流大小，将不影响二极管两端的电压，即二极管的反向击穿电压不随反向电流的变化而改变，这就是稳压二极管的稳压特性，测试电路如图。
测试方法：将示波器调到正常工作状态，两通道的输入耦合开关置“DC......
整理常见电子元器件的等效电路(2024-10-08 16:05:06)
所示是四极晶闸管结构示意图和等效电路。
逆导晶闸管的等效电路
下图所示是逆导晶闸管的等效电路。
从等效电路中可以看出，逆导晶闸管相当于在普通晶闸管上反向并联一只二极管......
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法(2024-06-10)
来作为积分器对MOS管的开关特性进行精确控制。控制了漏极电压线性度就能精确控制冲击电流。
3.2.2电路描述：
图9所示为基于MOS管的自启动有源冲击电流限制法电路。MOS管
Q1放在DC/DC电源......
三安集成完成碳化硅MOSFET量产平台打造，贯通碳化硅器件产品线(2020-12-03)
”的特性——更高的耐压和耐热、更快的开关频率，更低的开关损耗。优异的高温和高压特性使得碳化硅MOSFET在大功率应用中表现出色，尤其是高压应用中，在相同的功率下，碳化硅MOSFET自身器件损耗小，极大......
车规碳化硅功率肖特基二极管有哪些应用(2024-06-14)
车规碳化硅功率肖特基二极管有哪些应用;在新能源汽车市场快速发展的背景下，车载功率半导体需求量激增，其中，碳化硅功率器件凭借更低的能量损耗、更小的封装尺寸、更高的开关频率、更强的耐高温及散热能力等优于传统硅基器件的先进特性......
常用的功率元器件大全(2023-02-06)
随着变换器开关频率的不断提高，对快恢复二极管的要求也随之提高。众所周知，具有比硅二极管优越的高频开关特性，但是由于工艺技术等方面的原因，砷化镓二极管的耐压较低，实际应用受到局限。为适应高压、高速......
PMOS做双向开关电路-PMOS防倒灌、防反接电路(2024-12-04 14:45:57)
mΩ，在几A的电流下压降仅仅0.0x ~ 0.xV，比肖特基二极管的0.3V更为高效。（并且二极管的压降并不是固定的，根据二极管的特性曲线得知，电流越大压降也会变得越大，所以现在的高效率电路都在用MOS......
国星光电NS62m功率模块上线(2022-12-13)
流电变成频率、幅值可调的交流电，实现逆变功能。基于NS62m功率模块内SiC MOSFET的体二极管具有出色的开关特性和反向恢复性能，因此在无需额外搭配二极管器件，更可......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
极电流Id在逐渐上升，二极管的电流在逐渐减小，但是电流之和始终等于电感电流，在开关开通的这个过程中可以认为电感电流是没有变化的。这个时间段内驱动电流仍然是为Cgs充电。在t2这段时间里，Id只是......
PMOS做信号开关NMOS做电平转换(2024-12-02 10:02:21)
是仿真电路，D2相当于寄生二极管。
仿真结果如此，但为什么是这个结果？
二极管有反向截止特性，为什么没有阻隔电压？
有没有办法使VB=0V？
这要从二极管的反向特性......
这位大牛记录下了电路设计的全过程(2024-04-24)
：
3. Step3：确定最大占空比Dmax
反激变换器有两种运行模式：电感电流连续模式（CCM）和电感电流断续模式（DCM）。两种模式各有优缺点，相对而言，DCM 模式具有更好的开关特性，次级整流二极管......
相关企业
;常州长源电子有限公司;;常州长源电子有限公司是一家专业生产二极管的专业企业,有较强的技术开发能力,有先进的自动化流水线生产设备,有完善的检验、检测设备和质量保证体系。 公司主要产品有各类硅塑封整流二极管
;广州市泽盛电子有限公司;;我司是一家专业制造LED等光电产品的制造商：主要生产经营：发光二极管、全彩发光二极管、红外线发射管/接收管、数码管。我公司专业从事LED发光二极管的开发、生产、销售
;深圳市超电科技有限公司;;公司主要从事二三极管的研发、生产、销售和相关成品。工厂位于山东省。主要产品包括整流二极管、稳压二极管、肖特基二极管、高效整流二极管、桥式整流器、开关二极管、快恢复二极管
;杭州稳润电子有限公司;;我司主要从事LED发光二极管的开发生产,总公司总投资12000万元人民币,主要产品有LEDLAMP.LEDDISPIY,LEDBACKLIGHT,CHIPLED
;深圳市永而佳实业有限公司;;公司成立于1996年，主要从事半导体器件的开发、生产、经营。目前生产经营有直插式和贴片式：整流二极管，快恢复二极管，超快恢复二极管，肖特基二极管，开关二极管，双向触发二极管
;鹏忠电子;;卖二极管的
;深圳市天电光电有限公司(业务部彭涛);;天电光电TLHP系列产品是一种创新的、节省能源的超小型新型光源，它将传统照明的亮度特性与发光二极管的使用寿命和可靠性等优势结合在一起。为您
;南京轩旭科贸有限公司;;本公司主营二极管玻壳与各种二极管,竭诚为各家生产二极管的企业与电子厂家服务,提供各种型号和优质的二极管与玻壳产品.我公司期待着与您的合作.
;临华光电有限公司;;公司具有完整的LED发光二极管的生产线,有员工厂百来人,能生产各种型号的LED发光二极管,和发射管.
;昆山江捷电子;;公司主要经营 电容电阻二极管三极管的代工, 以后转向生产