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纳芯微全新发布1200V系列SiC二极管，布局SiC生态系统(2023-07-11)
纳芯微全新发布1200V系列SiC二极管，布局SiC生态系统;
【导读】碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料，相较于硅（Si），具有更大的介电击穿强度、更快......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
碳化硅的带隙较宽，SiC二极管的正向电压高于硅二极管。
在对 System Plus Consulting 的电力电子和化合物半导体团队成员 Amine Allouche 的采访中，我们......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求(2024-06-15)
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求;
【导读】Nexperia今天宣布，其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管......
讨论下电动汽车的发电模式(2023-07-10)
乘以压降VF，也就是说，续流二极管（其实这时应该叫整流二极管）的压降VF决定了整流电路的效率。
那么对于发电电路，IGBT和SiC MOSFET哪个效率更高呢？
简单粗暴，直接上数据手册对比：
上图......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求(2024-06-13)
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求;符合汽车标准的肖特基二极管现采用R2P DPAK封装
奈梅亨，2024年6月13日：Nexperia今天......
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用(2022-12-21)
代半导体材料氮化镓（GaN）和SiC功率器件表现出越来越优越的特性。从理论上讲，SiC器件的WBG是硅的三倍，因此可以实现约600°C的结温。
以下是对有前途的碳化硅功率器件的简要介绍。
二极管
碳化硅肖特基势垒二极管......
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块(2024-07-04)
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块;
【导读】近日，半导体器件领域企业SemiQ宣布，其QSiC™产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管......
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块(2024-07-04 09:41)
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块;近日，半导体器件领域企业SemiQ宣布，其QSiC™产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用(2024-06-13)
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用;Nexperia近日宣布，其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管现已符合汽车标准(PSC1065H......
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列，继续扩充宽禁带半导体产品(2021-11-05)
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列，继续扩充宽禁带半导体产品;奈梅亨，2021年11月5日：基础半导体元器件领域的专家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;器件采用MPS结构设计，额定电流4 A~ 40 A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低
美国 宾夕......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求(2024-06-13 09:58)
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求;符合汽车标准的肖特基二极管现采用R2P DPAK封装Nexperia今天宣布，其一流的650 V、10......
Littelfuse推出首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列(2024-10-17 10:12)
Littelfuse推出首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列;
数据中心、电动汽车基础设施和工业设备中高效电源解决方案的理想选择Littelfuse公司......
Littelfuse 推出业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列(2024-10-23 10:27)
Littelfuse 推出业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列;数据中心、电动汽车基础设施和工业设备中高效电源解决方案的理想选择Littelfuse公司......
Littelfuse推出首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列(2024-10-15)
Littelfuse推出首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列;
【导读】Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20)
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管;
【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20)
半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2024-06-28)
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;器件采用MPS结构设计，额定电流5 A~ 40 A，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低
美国 宾夕......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20 11:10)
碳化硅(SiC)肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应对高电压和高电流应用带来的挑战，包括开关模式电源、AC......
对标C4D40120D，1200V SiC肖特基二极管B2D40120HC1让车载充电机更高效(2023-10-24)
对标C4D40120D，1200V SiC肖特基二极管B2D40120HC1让车载充电机更高效;车载充电机是电动汽车的核心部件，其功能是按照电池管理系统的指令，动态调节充电电流和电压参数，完成......
电动汽车OBC分类及其大功率PFC技术分析(2024-04-19)
碳化硅的无桥PFC拓扑
该方案由一个升压电感器、两个高频升压 SiC 开关（SiC1 和 SiC2）和两个用于在电路上传导电流的元件组成，线路可以是两个慢速二极管。（A）显示了两个硅MOSFET（Si1和......
国芯思辰｜基本半导体650V SiC肖特基二极管B1D10065F(替代IDK10G65C5)助力车载充电机;车载充电机可实现交流输入（85VAC~265VAC）/直流输出（200VDC......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;
【导读】日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH......
Nexperia与KYOCERA AVX Salzburg合作为功率应用生产650 V碳化硅整流二极管模块;双方就SiC模块的合作进一步提升了模块紧凑度和功率密度
奈梅亨，2023年11月6日......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管(2024-07-02)
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管;
【导读】日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出16款新......
德欧泰克|SiC和硅基组件在电动汽车充电电路中的应用(2024-02-28)
充电确实是一个有价值的功能，硅碳化物器件在其效率方面发挥了重要作用。SiC提供的提高效率可以归因于其对磁性元素的影响。图1 显示基于硅的超快恢复二极管的开关损耗充电电池需要高电流，通常需要大型线圈。为了最小化体积，解决......
基础知识之SiC功率器件(2024-03-21)
却存在开关损耗大 的问题，其结果是由此产生的发热会限制IGBT的高频驱动。 SiC材料却能够以高频器件结构的多数载流子器件（肖特基势垒二极管和MOSFET）去实现高耐压，从而同时实现 “高耐压”、“低导通电阻”、“高频......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2024-07-01 09:46)
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;
器件采用MPS结构设计，额定电流5 A~ 40 A，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低日前，威世......
Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法(2022-12-05)
就是这些努力成果的示例。它们具有更快速的体二极管，与前代产品相比，可以将 Qrr 降低 10 倍。英飞凌的 CoolSiC 系列在这方面取得了进步，与最新的 CoolMOS 组件相比，这些SiC......
Bourns 推出首款650 V – 1200 V碳化硅肖特基势垒二极管(2023-07-08)
– 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 正式上市。 Bourns® SiC SBD 系列提供六款型号，旨在提供出色的载流和散热能力以及高功率密度，从而......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23 15:21)
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;器件采用MPS结构设计，额定电流4 A~ 40 A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低日前，Vishay......
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET(2022-12-13)
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET;
【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices &......
Nexperia与KYOCERA AVX Salzburg合作为功率应用生产650 V碳化硅整流二极管模块;双方就SiC模块的合作进一步提升了模块紧凑度和功率密度
基础......
Nexperia与KYOCERA AVX Salzburg合作为功率应用生产650 V碳化硅整流二极管模块(2023-11-07 09:50)
Nexperia与KYOCERA AVX Salzburg合作为功率应用生产650 V碳化硅整流二极管模块;双方就SiC模块......
用于电动汽车充电器应用 PFC 的 SiC 器件(2024-01-05)
部分可以使用英飞凌产品，例如D1~D6采用1200 V Si或SiC二极管，SW1~SW6采用CoolMOS? MOSFET和TRENCHSTOP? IGBT5。LLC DC-DC原边可采用CFD系列......
用于电动汽车充电器应用 PFC 的 SiC 器件(2024-07-11)
1200 V Si或SiC二极管，SW1~SW6采用CoolMOS? MOSFET和TRENCHSTOP? IGBT5。LLC DC-DC原边可采用CFD系列CoolMOS MOSFET，副边......
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET(2022-12-13 11:33)
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET;
东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage......
SiC功率半导体技术如何助力节碳减排？(2023-03-29)
年的时间，完成了1,200V的碳化硅二极管和MOS管的设计、量产，建立了以碳化硅高性价比的高可靠系列产品，同时在供应链体系保障和质量体系都建立了完善了体系。
SiC在双碳背景下的发展机遇
由于......
Vishay推出新型EMIPAK 1B封装二极管和MOSFET功率模块(2022-11-24 13:42)
功率模块。含有各种电路配置的集成解决方案采用PressFit引脚压合专利技术，将高效快速体二极管MOSFET和SiC、FRED Pt®和MOAT二极管技术结合在小型EMIPAK 1B封装中。
日前......
SiC在电动车功率转换中的应用(2024-07-23)
车最重要的动力元件是电动车牵引逆变器，我们将在之后的文章中讨论。其他重要转换器有车载充电器和直流转换器。它们越来越多地涉及双向功率流，并因快速开关和出色的寄生二极管行为而大大获益。SiC FET 产品现已符合 AEC-Q101......
SiC MOSFET用于电机驱动的优势(2023-12-22)
SiC MOSFET的结构里天然集成了一个体二极管，无需额外并联二极管。SiC体二极管参与换流，它的反向恢复电流要远低于IGBT反并联的硅PiN二极管，因此，即使在同样的dv/dt条件下，SiC......
超共源共栅简史(2023-03-29)
来阻止电流流向 MOSFET 体二极管，但这会进一步增加成本，提高导电损耗。并联 MOSFET 可解决导电损耗问题，但这会使动态损耗更高，让电流监测变复杂，且额定电压仍会受限。
SiC 半导......
纳微半导体发布新一代650V MPS™ SiC碳化硅二极管(2023-05-12)
纳微半导体发布新一代650V MPS™ SiC碳化硅二极管;
【导读】唯一全面专注的下一代功率半导体公司 — 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布推出第五代高速GeneSiC碳化......
给SiC“挖坑”，国产有机会吗？(2024-06-17)
的规划中，又“老老实实”把沟槽器件当作最终目标。在这背后，国产是否也有机会？
挖坑提升性能
SiC功率器件研究要追溯到上世纪80年底啊，自从2001年Infineon推出第一款商业SiC二极管......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用(2022-12-30)
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用;
一、前言
(SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物，属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强，使半......
车规碳化硅功率肖特基二极管有哪些应用(2024-06-14)
) **
SiC SBD属于宽带隙第三代半导体，材料本身拥有极低的反向恢复电荷Qrr，用于高频开关电路可显著降低二极管本身和相邻开关器件的开关损耗，应用中可以使用更高的开关频率， 有利......
总投资160亿元，湖南三安半导体项目即将迎来新进展(2021-06-07)
吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。
该项......
Bourns推出10款新型号碳化硅肖特基势垒二极管产品(2023-10-06)
款新型号 650 和 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 产品系列。Bourns® SiC SBD 系列本次扩增的 10 款新型号，旨在满足不断增长的交通运输、可再......
国产碳化硅芯片项目面临的几个实际问题(2022-08-12)
器件设计到晶圆制造的过程，实际生产出来的器件与设计的器件差距较大，受限于工艺能力不足，芯片制造难以满足芯片设计的要求。
六、碳化硅二极管已成红海市场
近年来衬底的价格在不断下降，到今年6英寸SiC衬底......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用(2023-01-03)
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用;碳化硅 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物，属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强，使半......
相关企业
恢复损耗,提高EMI正常在5％个DB左右.具有很低的Vf电压. GaN产品,GaN的二极管具有0反向恢复时间.是代替SIC产品的理想材料,且价格比SIC低许多.适合高频工作.可达800KHZ. 模块
and manufacturing company dedicated to products based on Silicon Carbide (SiC) technologies and Amorphous
sic-safco;;;
;施克斯集团有限公司;;施克斯集团有限公司前身是德国 SIC Silicone materials institute（硅材料研究事物所），成立于1981年6月，位于德国科特布斯市蒂姆大街，是专
;西安众鑫特种材料有限公司;;西安众鑫特种材料有限公司是一家专业从事SiC微粉和SiC晶须及其下游产品研发、生产和销售的高新技术企业，也是全球首家突破传统生产技术，利用
;深圳市芯诚科技有限公司;;深圳市芯诚科技有限公司专业生产和经营二、三极管。如直插二极管、贴片二极管、稳压二极管、肖特基二极管、开光二极管、整流二极管、快恢复二极管、超快恢复二极管、变容二极管、瞬变二极管
;东莞电子贸易有限公司;;供应类型： PIN 二极管 功率三极管 开关二极管 低电压二极管 达林顿管 整流二极管 稳压二极管 微波三极管 肖特基二极管 高频三极管 桥式整流桥 快恢复二极管 射频三极管
;深圳市罗湖区宾轩商店;;深圳市嘉美电子有限公司经销批发的贴片二极管、直插二极管、TVS瞬态抑制二极管、肖特基二极管、整流二极管、齐纳二极管、快恢复二极管、稳压二极管、双触发二极管
;上海市科洋微电子经营部;;科洋电子是一家专业销售世界各种知名品牌的SMD贴片电子元件的供用商，产品主要：二极管（开关二极管。稳压二极管 、变容二极管、肖特二极管、TVS二极管 、整流二极管、发光二极管
;深圳市嘉美电子;;本公司专业代理和销售世界各名牌厂家二极管系列，主营：TVS瞬态抑制二极管（ SMAJ / SMBJ / SMCJ / P4SMA / P6SMB / 1.5SMC / P4KE