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加速激光光源商业化，中村修二创立 SoraaLaser 推特殊照明应用(2016-10-20)
光不会有光效下降（droop）的问题，且能与萤光粉结合，并安全的发出高度集中的光线，优于其他光源所产生的光效。激光光是照明的未来。”
SoraaLaser 的可见光激光光源奠基于其专利研发的半极性（semi-polar......
加速激光光源商业化，中村修二创立 SoraaLaser 推特殊照明应用(2016-10-19)
光不会有光效下降（droop）的问题，且能与萤光粉结合，并安全的发出高度集中的光线，优于其他光源所产生的光效。激光光是照明的未来。”
SoraaLaser 的可见光激光光源奠基于其专利研发的半极性（semi-polar......
清洗封装产品面临哪些挑战？(2023-08-21)
所有表面和间隙都能够被有效清洗。
2. 助焊剂变化
随着锡球尺寸的减小，助焊剂的比例增加。同时，助焊剂类型也在从极性助焊剂或半极性助焊剂向非极性助焊剂的发展。为了适应助焊剂的变化，清洗剂需要添加能够有效清洗非极性......
中国科大在半导体p-n异质结中实现光电流极性反转(2021-09-27)
中国科大在半导体p-n异质结中实现光电流极性反转;近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授、孙海定研究员团队在氮化镓（GaN）半导体p-n异质结中实现了独特的光电流极性反转（即双......
赛富乐斯首条大尺寸硅基Micro-LED微显示屏产线贯通 有望带动AR眼镜成本下降(2023-12-06)
高昂的生产场地和生产设备使得创业团队将目光转向国内。2017年，赛富乐斯正式落户光电子先导院，利用其提供的电子束蒸镀机等一系列先进设备，赛富乐斯的研究成果很快从实验室进入产业化阶段，良品率达95%以上，助力其成为全球首家可以量产工业级半极性氮化镓材料......
半导体所等在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列进展(2022-10-19)
了氮化物异质异构单晶外延的可行性，提出了氮化物位错控制新思路，拓展了氮化物在高温热电领域的应用。相关成果分别以Continuous Single-Crystalline GaN Film Grown on WS2......
Nexperia表面贴装器件通过汽车应用的板级可靠性要求(2021-09-10)
生产大批量基础半导体器件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部......
Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势(2023-10-16)
了一个横向 (lateral) 氮化镓功率晶体管的原型结构—这几乎是当今市面上所有氮化镓器件的结构。AlGaN/GaN层通过沉积在被精心设计的缓冲层隔开的硅衬底上以实现高材料质量及阻断电压。沟道与漏极 (Drain......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
镓功率器件的结构
氮化镓功率器件的外延结构可分为D-mode（Depletion-mode/耗尽型）和E-mode（Enhance-mode/增强型）。因为材料的极化特性，耗尽型是GaN功率器件的自然状态，增强......
安世半导体与电子器件供应商合作，生产车规GaN功率模块(2022-05-23)
安世半导体与电子器件供应商合作，生产车规GaN功率模块;近日，安世半导体（Nexperia）宣布已在奥地利萨尔茨堡与电子器件供应商日本京瓷集团子公司Kyocera AVX Components......
Nexperia将于2021年9月21日-23日举办“Power Live”(2021-08-30)
Live’，这是其第二次举办此年度虚拟会议。鉴于去年首届活动取得圆满成功，本届为期三天的活动将扩大规模，涵盖与功率电子元件相关的众多主题，包括面向汽车和工业应用的GaN、MOSFET、功率二极管和双极性......
东芝在SiC和GaN的技术产品创新(2023-10-17)
东芝在SiC和GaN的技术产品创新;本文引用地址：1 、相比传统方案的优势
虽然硅功率器件目前占据主导地位，但（碳化硅）和（氮化镓）功率器件正日益普及。 功率器件具有出色的热特性，适用......
Nexperia的新型双极结晶体管采用DPAK封装，为汽车和工业应用提供高可靠性(2021-07-29)
Nexperia的新型双极结晶体管采用DPAK封装，为汽车和工业应用提供高可靠性;
奈梅亨，2021年7月29日：Nexperia是基础半导体器件领域的专家，今日宣布推出9款新的功率双极性......
品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部......
Nexperia“Power Live”在线研讨会于2020年7月2日和3日正式上线(2020-06-29)
丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付900多亿件产品，产品......
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列，继续扩充宽禁带半导体产品(2021-11-05)
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC......
Nexperia再度蝉联博世全球供应商大奖(2021-08-05)
生产大批量基础半导体器件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC......
三星推出新款1.08亿像素的图像传感器；恩智浦推出3频段Wi-Fi6E产品 | 每周芯品(2023-01-10)
称拓扑氮化镓功率产品MasterGaN2
本周，意法半导体推出了MasterGaN2，作为新系列双非对称氮化镓(GaN)晶体管的首款产品，单个封装中包含两个适用于软开关和有源钳位反激拓扑的非对称GaN晶体......
Nexperia发布P沟道MOSFET，采用节省空间的坚固LFPAK56封装(2020-05-08)
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻......
GaN开启了“无限复制”时代！(2024-02-22)
的研究团队已经开发出了仅采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）的氮化镓（GaN）半导体远程同质外延技术。
外延技术，即在半导体制造中将半导体材料生长成对齐良好的薄膜，对于半导体制造至关重要。使用外延技术进行的GaN远程......
GaN将成PA主流技术，这家公司恐成最大赢家(2017-07-27)
需要清楚一点，GaN器件并不是一种新东西，它其实一早就被应用到军事雷达和有线电视等相关设施。但受限于成本问题，过去才一直没有被推广到民用领域。但在经过了Qorvo和Macom这些企业的努力，GaN材料......
从原理到实例：GaN为何值得期待？(2021-11-30)
率半导体的发展路径中，功率半导体从结构、制程、技术、工艺、集成化、材料等各方面进行了全面提升，其演进的主要方向为更高的功率密度，更小的体积，更低的成本及损耗。特别是材料迭代方面，从硅Si材料逐渐向氮化镓（GaN......
切入电力电子器件，LED企业在GaN领域谋转型(2021-12-20)
日的集邦咨询化合物半导体新应用前瞻分析会现场，华灿光电副总裁王江波围绕《新应用下氮化镓技术的发展和挑战》主题，分析了GaN材料和器件的应用及市场趋势，并在媒体群访中透露了公司在GaN器件......
丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付1000多亿......
功率半导体在电动汽车充电中的作用(2022-11-28)
石为四大代表，是5G时代的主要材料。其中GaN、SiC主要应用在手机充电、电动汽车、消费电子以及其他变频输出领域。
前文提到过，开关电源相比线性电源，发热较低，损耗较小，然而......
Nexperia首次亮相第三届中国国际进口博览会(2020-10-29)
丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付900多亿件产品，产品......
闻泰科技IGBT加速研发，汽车市场布局全面展开(2022-09-28)
安世原有产品线收入规模较大，IGBT预计未来上量的前期不会立刻体现在对营收上，公司看好400V左右的中低压车市场，会用IGBT和GaN覆盖该领域。另外，安世的双极性晶体管和二极管市场占有率全球第一，Mos产品......
SiC和GaN的供应链考量(2024-07-24)
SiC和GaN的供应链考量;过去几十年里，硅(Si)基技术一直在主导着半导体行业。然而，最近几年，市场上出现了向更先进材料转变的迹象，如向氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)转变。如今，GaN和SiC......
车用GaN需求攀升，国内企业有望抢占先机！(2023-09-27)
车用GaN需求攀升，国内企业有望抢占先机！;
【导读】凭借优异的材料特性，SiC元件正加速导入汽车、再生能源、电源PFC等领域，而GaN元件亦在终端设备的快速充电领域大放异彩；此外，在汽......
已全面开启IPO，初创公司收购世界500强企业GaN晶圆业务(2022-01-27)
业务。
△图片来源：IVWorks公告截图
GaN外延晶片是一种在晶片上包含多层堆叠的III-N化合物半导体薄膜的材料。它用于高速充电器、电动汽车(EV)电源转换和国防雷达。根据......
宽禁带功率半导体的竞争格局及趋势分析(2022-02-24)
宽禁带功率半导体的竞争格局及趋势分析;SiC、GaN在功率半导体中扮演不同角色
宽禁带半导体在国内也被称为“第三代半导体”，目前以SiC、GaN材料半导体器件为代表，适用于光电子、功率电子、射频......
GaN的里程碑：晶圆向300mm过渡(2024-09-09)
GaN的里程碑：晶圆向300mm过渡;氮化镓（GaN）作为一种高性能半导体材料，因其在高频、高功率、高温和高压环境下的卓越性能而备受关注。随着对高性能电子器件需求的不断增长，GaN技术......
除了功率和射频，化合物半导体还有哪些发展契机？(2021-03-29)
石衬底主要生产蓝绿光，砷化镓衬底主要生产红黄光。GaN-LED材料体系主要分为三种：GaN-on-Sapphire、GaN-on-SiC、GaN-on-Si。
GaN-on-Sapphire是最......
这家晶圆龙头代工厂拟在硅基GaN上生产8英寸元件！(2022-01-06)
这家晶圆龙头代工厂拟在硅基GaN上生产8英寸元件！;据韩媒报道，韩国东部高科株式会社（Dongbu HiTek Co., Ltd.）计划在硅基GaN（将GaN材料薄膜沉积在硅晶圆上）上生产8英寸......
韩媒：DB HiTek将采用碳基GaN技术改进8英寸半导体工艺(2022-01-10)
韩媒：DB HiTek将采用碳基GaN技术改进8英寸半导体工艺;据韩媒etNews报道，韩国晶圆代工厂商DB HiTek通过在硅晶圆片上制作由氮化镓材料制成的薄膜来生产半导体晶圆。该技......
高清晰小尺寸，日本开发最小的硅衬底GaN激光芯片(2022-11-28)
上，这造成了高缺陷密度和固有的质量控制挑战。
GaN和蓝宝石衬底非常昂贵，虽然硅衬底的成本低于蓝宝石，但将器件层与硅衬底分离却极为困难。
京瓷在其位于京都的先进材料......
车用GaN需求攀升，国内企业有望抢占先机！(2023-09-27)
车用GaN需求攀升，国内企业有望抢占先机！;在材料特性的支持下，车用GaN元件的竞争优势将日益显著
凭借优异的材料特性，SiC元件正加速导入汽车、再生能源、电源PFC等领域，而GaN元件......
12英寸氮化镓，新辅助？(2024-09-10)
12英寸氮化镓，新辅助？;第三代半导体材料氮化镓，传来新消息：日本半导体材料大厂信越化学为氮化镓外延生长带来了有力辅助。
2024年9月3日，信越化学宣布研制出一种用于GaN（氮化镓）外延......
Nexperia（安世半导体）宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术(2020-06-08)
Nexperia（安世半导体）宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术;奈梅亨，2020 年 6 月 8 日：半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布......
Nexperia继续扩充采用小型DFN封装、配有侧边可湿焊盘的分立器件产品(2022-04-27)
丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付1000多亿件产品，产品......
Transphorm表示氮化镓供应链来源安全，生产可以稳定持续(2023-07-07)
期一宣布，将限制对半导体制造至关重要的镓和锗相关材料的出口。这些法规包括了氮化镓 (GaN) 晶圆材料。
作为高压 GaN 功率半导体制造商，Transphorm 依靠三甲基镓 (TMGa) 生产......
赛微电子：子公司聚能创芯将获2.8亿元增资(2023-06-07)
）半导体材料有限公司，主要从事第三代半导体氮化镓（GaN）外延材料的研发、设计、制造和销售，致力于为客户提供大尺寸、高性能GaN外延解决方案与材料产品，覆盖GaN功率与微波器件应用。
赛微......
宽带隙技术发展现状 不断演变的宽带隙半导体技术(2023-10-10)
、III-V类和II-VI类化合物半导体材料都具有宽带隙。这些材料通常用于光子学、发光二极管和激光器，只有少数适用于更广泛的半导体应用。其中，碳化硅(SiC) 和氮化镓(GaN) 是两......
GaN（氮化镓）掀起的半导体产业革命!(2016-11-26)
GaN（氮化镓）掀起的半导体产业革命!;
版权声明：本文转载自泰科天润，如您觉得不合适，请与我们联系，谢谢！
GaN材料的生长是在高温下，通过 TMGa分解出的 Ga(金属镓 )与......
GaN， “镓”驭全功率 ——高压大功率应用，氮化镓前景可期(2024-06-17)
电子领域，GaN和SiC取代硅基电子器件，正是由于它们在这些方面比硅材料性质更大的优势。
GaN 和 SiC 都属于所谓的宽带隙半导体，带隙越宽，原子之间的键越牢固，击穿电压就越高。GaN 的带......
功率半导体市场持续成长，哪个领域最具爆发力？(2022-05-23)
功率半导体市场持续成长，哪个领域最具爆发力？;功率半导体市场持续成长，GaN最具爆发力
全球电力设备数量与规格不断提升，带动功率半导体需求持续成长，且在第三类半导体材料导入下，整体......
奥趋光电成功制备出高质量3英寸氮化铝单晶(2022-12-23)
所无可比拟的优势与效率，被认为是下一代功率器件材料平台；由于AlN耐压能力约为SiC的5倍、GaN的3倍及金刚石的1.5倍，日本NTT公司于2022年首次使用高质量AlN单晶......
史上最全第三代半导体产业发展介绍(2017-07-27)
其性能可以置于不断发展的精密工艺控制之下，可谓是“最有料”的材料。在不久的将来，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料的应用，无论是在军用领域还是在民用市场，都是......
又一家氮化镓企业被合并，10年内营收提升至15亿(2022-08-10)
球市占率领先的GaN（氮化镓）单晶衬底厂商，致力于大直径GaN（氮化镓）衬底的早期量产，为拓展化合物半导体材料业务，合并将在全公司范围内进行，以进......
意法半导体和空客达成合作，SiC和GaN将登上飞机(2023-06-26)
意法半导体和空客达成合作，SiC和GaN将登上飞机;根据外媒消息，空客已同意与意法半导体签署了一项协议，旨在探索宽禁带半导体材料对飞机电气化的好处，双方将专注于开发适用于空客航空航天应用的SiC和......
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gan-systems;;;
;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装，材料采用氮化镓（GaN），结构为电解出型，封装形式为直插型，型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号，形状有圆头，椭圆，草帽，钢盔，方形
用先进的金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术，专业研发GaN和AlGaInP材料生产的各波长和高亮度的LED磊芯片和芯片。芯片系列主要有红、黄、蓝(30-100mcd)、绿(100-250mcd)等，◎Vf很稳定◎波长
恢复损耗,提高EMI正常在5％个DB左右.具有很低的Vf电压. GaN产品,GaN的二极管具有0反向恢复时间.是代替SIC产品的理想材料,且价格比SIC低许多.适合高频工作.可达800KHZ. 模块
;深圳安普达;;台湾奇力12mil红光120-145-170mcd 620-624nm 华稼9mil反极性红光260-300-350mcd 620-625nm 华上12mil反极性红光280-320
;成都雷电微力科技有限公司;;公司专注于设计、研发、测试和销售基于先进 GaAs、GaN、HBT 、PHEMT 、BICOM、LTCC、MCM等工艺技术的微波及数模混合SOC集成电路产品，以无
先进的有机金属汽相沉积(MOCVD)技术,研究以ALGaInP和GaN材料生产不同波长和亮度的超高亮度LED磊晶片和芯片.公司内部核心技术全部由日本和美国组成.我们的宗旨是:以客户的需要为依据,不断改进,务求
;源信光电科技有限公司;;主要销售台湾品牌正反极性LED芯片: 晶元:红黄PN10.PN14/白光V35.V40mil 信越:反极性红光.黄光.橙光.红外9MIL/10MIL/12MIL/14MIL
;深圳欣凯祥科技有限公司;;深圳欣凯祥科技有限公司是一家销售代理霍尔开关元件、零功耗磁敏传感器器等系列的公司。 公司主要产品包括：单极性霍尔开关、双极性霍尔开关 、全极性霍尔开关、无极性