资讯
解析LLC谐振半桥变换器的失效模式(2024-04-26)
电流消耗很高的循环能量。
关于移相全桥拓扑中功率的失效问题，其主要原因是：在低反向电压下，MSOFET体二极管的反向恢复较慢。另一失效原因是：空载或轻载情况下，出现Cdv/dt直通。在谐振中的一个潜在失效模式与由于体二极管反向恢复特性......
详解开关电源缓冲吸收电路~(2024-12-12 19:23:17)
结构、分布电感电容、器件等效电感电容、电流、电压、功率等级、di/dt、dv/dt、频率、二极管反向恢复特性等等。而且......
功率MOS体二极管参数分析(2024-12-07 19:11:23)
µJ，或者说只高出=1.6/0.128=12倍。
因Qrr引起的体二极管损耗
下管体二极管反向恢复时，上管还处在导通过程中，VDS维持在VIN，如下图所示：对应的反向恢复......
飞锃半导体-碳化硅 MOSFET(2023-11-02)
/60mohm，以满足不同电压应用的需求。这些产品具备高可靠性和高鲁棒性，以及优异的开关性能和导通特性。此外，它们还具备出色的体二极管反向恢复特性，能够显著降低车载充电（OBC）和DC-DC应用......
案例分享：二极管反向恢复电流如何测试？(2024-10-12 11:16:43)
案例分享：二极管反向恢复电流如何测试？;
最近在网上有看到测试二极管反向恢复时间的例子，大家可以看一下，加深印象。
从中......
东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET，助力提高电源效率(2024-02-22)
“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”，于今日开始支持批量出货。
新产品采用高速二极管，旨在改善桥式电路和逆变电路应用中至关重要的反向恢复[2]特性。与标准型DTMOSVI相比，新产品将反向恢复......
泰克携手芯聚能共推SiC功率模块， 协同打造新能源车产业新生态(2024-07-02)
出了符合 JEDEC、IEC60747-8 和 IEC60747-9 标准的专业宽禁带双脉冲测试方案（WBG-DPT软件选件）。该应用软件能够对功率器件的开关特性和二极管反向恢复特性进行自动化测量，大大......
东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性(2023-03-30)
东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性;东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性，有助......
专业与性能并行：顾邦半导体 GBS60020，为高功率应用量身定制！(2024-11-13)
体二极管反向恢复速度极快（Trr=190ns），恢复电荷低至1.72uC，同时具备较低的峰值反向恢复电流（Irrm=18A），减少系统损耗，适合......
TI推出250W氮化镓IPM，比IGBT更小巧更高效(2024-06-26)
) 切换氮化镓FET。在MOSFET中，体二极管具有高零反向恢复特性，限制了开关 di/dt 和 dv/dt，并导致额外的损耗和相节点电压振铃。对于IGBT，即使添加优化的反并联二极管，仍然会造成与反向恢复......
纳芯微全新发布1200V系列SiC二极管，布局SiC生态系统(2023-07-11)
温的影响。
2.提高开关频率
SiC二极管具备优异的反向恢复特性，可与......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管反向恢复......
东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET(2024-02-23)
“TK095N65Z5”，于今日开始支持批量出货。
新产品采用高速二极管，旨在改善桥式电路和逆变电路应用中至关重要的反向恢复......
东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET，助力提高电源效率(2024-02-26)
“TK095N65Z5”，于今日开始支持批量出货。
新产品采用高速二极管，旨在改善桥式电路和逆变电路应用中至关重要的反向恢复[2]特性。与标准型DTMOSVI相比，新产品将反向恢复时间（trr......
同时实现业内出色低噪声特性和超快反向恢复时间的600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”(2023-03-30 15:01)
减少工时和成本已成为必须要攻克的课题。然而，通常情况下，由于降低功率损耗和降低噪声之间存在此消彼长的权衡关系，因此如何同时满足这两个参数的要求，也是必须要解决的课题。在这种背景下，ROHM于2012年实现了具有业内超快反向恢复特性......
ROHM推出600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”(2023-03-30)
如何同时满足这两个参数的要求，也是必须要解决的课题。
在这种背景下，ROHM于2012年实现了具有业内超快反向恢复特性的Super Junction MOSFET PrestoMOS™的量产，并且，由于......
泰克携手芯聚能共推SiC功率模块，协同打造新能源车产业新生态(2024-07-03 11:02)
IEC60747-9 标准的专业宽禁带双脉冲测试方案（WBG-DPT软件选件）。该应用软件能够对功率器件的开关特性和二极管反向恢复特性进行自动化测量，大大降低了测试难度，缩短了测试时间，提高了测试一致性，为设......
泰克携手芯聚能共推SiC功率模块，协同打造新能源车产业新生态(2024-07-02)
IEC60747-9 标准的专业宽禁带双脉冲测试方案（WBG-DPT软件选件）。该应用软件能够对功率器件的开关特性和二极管反向恢复特性进行自动化测量，大大降低了测试难度，缩短了测试时间，提高了测试一致性，为设......
泰克携手芯聚能共推SiC功率模块，协同打造新能源车产业新生态(2024-07-02)
出了符合JEDEC、IEC60747-8和IEC60747-9标准的专业宽禁带双脉冲测试方案（WBG-DPT软件选件）。该应用软件能够对功率器件的开关特性和二极管反向恢复特性进行自动化测量，大大......
牛人剖析功率MOS，从入门到精通(2024-11-18 19:30:30)
继续放电直至零。
八、因二极管反向恢复引起的MOSFET开关波形
(1)实验......
同时实现业内出色低噪声特性和超快反向恢复时间的600V耐压Super Junct(2023-03-30)
2012年实现了具有业内超快反向恢复特性的 PrestoMOS™的量产，并且，由于该系列产品可大大降低设备的功耗而受到市场的高度好评。在此基础上，此次ROHM又推出“R60xxRNx系列”3款新......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23 15:21)
不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管反向恢复时间几乎不受温度变化的影响，可在+175 °C高温......
东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性，有助于提高电源效率(2023-03-30 14:06)
东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性，有助于提高电源效率;东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
拖尾，从而能够进一步提升效率。
与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管反向恢复......
全面升级！安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析(2024-04-09)
NTH4L022N120M3S比NTH4L020N120SC1具有更快的恢复时间和更低的恢复电荷，提高了约40%~50%。即使在VF较高的情况下，M3S由于具备卓越的反向恢复特性，在体二极管......
碳化硅器件动态特性测试技术剖析(2023-01-10)
电路中往往都会出现SiC Diode或SiC MOSFET体二极管的反向恢复过程，发生反向恢复也是与开关过程伴生的，也是功率二极管的传统核心动态特性。
综上所述，碳化硅器件的动态特性应该包含开关特性、串扰特性和反向恢复特性......
碳化硅器件动态特性测试技术剖析(2023-01-10)
SiC MOSFET体二极管的反向恢复过程，发生反向恢复也是与开关过程伴生的，也是功率二极管的传统核心动态特性。
综上所述，碳化硅器件的动态特性应该包含开关特性、串扰特性和反向恢复特性三个部分。串扰和反向恢复......
英飞凌推出具备出色耐用性的1200 V电平转换三相SOI EiceDRIVER(2020-12-04)
它具有集成死区时间，因此可以防止出现直通电流（shoot-through）现象。集成过电流保护比较器具有+/-5%参考阈值精度，可实现快速、可重复、可靠的开关保护。集成自举二极管具备超快速反向恢复特性，提供......
英飞凌推出具备出色耐用性的1200 V电平转换三相SOI EiceDRIVER(2020-12-04)
它具有集成死区时间，因此可以防止出现直通电流（shoot-through）现象。集成过电流保护比较器具有+/-5%参考阈值精度，可实现快速、可重复、可靠的开关保护。集成自举二极管具备超快速反向恢复特性，提供......
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效(2024-03-29)
很低的能量损耗和优异的开关性能，同时，品质因数成为新的市场标杆。与上一代产品相比，最新的MDmesh DM9 技术确保栅源阈值电压(VGS(th)) 分布更窄，使开关波形更加锐利，导通和关断损耗更低。
此外，新产品还提高了体二极管反向恢复......
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效(2024-03-28)
很低的能量损耗和优异的开关性能，同时，品质因数成为新的市场标杆。与上一代产品相比，意法半导体最新的MDmesh DM9 技术确保栅源阈值电压(VGS(th)) 分布更窄，使开关波形更加锐利，导通和关断损耗更低。
此外，新产品还提高了体二极管反向恢复......
意法半导体公布了新系列100V沟槽肖特基整流二极管以提高效率和功率密度(2024-04-02)
关频率变得更高时，用作整流器的传统平面二极管(包括硅肖特基器件)的能量损耗也会随之变大，严重限制了转换能效的改进。
ST的沟槽肖特基二极管可显著降低整流器的能量损耗，正向电压和反向恢复特性......
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用(2022-12-21)
（SBD）是2001年上市的第一款商用碳化硅功率器件。SBD是SiC材料和肖特基二极管结构的组合，是Si PIN二极管的完美替代品。SBD优于Si PIN二极管的最重要特性是其快速反向恢复特性。它不......
意法半导体公布了新系列100V沟槽肖特基整流二极管以提高效率和功率密度(2024-04-02)
可显著降低整流器的能量损耗，正向电压和反向恢复特性非常优异，可在提升功率密度的同时提高能效。正向电压较同类平面二极管高 50-100mV，具体数值取决于电流和温度条件。只改用这些器件，能效就可提高0.5......
Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计(2024-01-30)
驱动电压
l较低的体二极管 VFSD：1.1V
l最高工作温度：175°C
l出色的反向恢复能力：Qrr＝338nC
l低栅极电荷：QG＝75nC
l通过汽车电子委员会 AEC-Q101 认证......
Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能(2024-01-30)
栅极驱动的器件。SiC FET 的效率取决于传导损耗；得益于业界卓越的低导通电阻和体二极管反向压降，Qorvo 的共源共栅结构／JFET 方式带来了更低的传导损耗。
UJ4SC075009B7S 的主要特性......
Qorvo 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能(2024-01-30 14:48)
15V 驱动电压• 较低的体二极管 VFSD：1.1V• 最高工作温度：175°C• 出色的反向恢复能力：Qrr＝338nC• 低栅极电荷：QG＝75nC• 通过汽车电子委员会 AEC-Q101 认证......
ROHM推出600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”(2023-03-30)
降低功率损耗和降低噪声之间存在此消彼长的权衡关系，因此如何同时满足这两个参数的要求，也是必须要解决的课题。
在这种背景下，ROHM于2012年实现了具有业内超快反向恢复特性......
东芝推出具备650 V N沟道功率MOSFET，扩大功率MOSFET的产品线(2024-08-12)
了约88%[3]（测量条件：-dIDR/dt＝100 A/μs）。DTMOSVI（HSD）工艺通过高速二极管（DTMOSIV（HSD））改进了东芝现有DTMOSIV系列产品的反向恢复[2]特性，它在......
氧化镓半导体器件，中国再获重要进展(2022-12-14)
比较。（c）封装器件反向恢复特性测试电路。（d）与已报道的氧化镓肖特基二极管的性能比较。
氧化镓光电探测器
光电探测器在目标跟踪、环境监测、光通信、深空......
二极管选型指南(2024-04-08)
。
8
反向恢复时间Trr
当正向工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。实际上，一般要延迟一点点时间。决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。
9
最大功率P......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
也受栅极电阻的影响，并也会限制我们选取栅极阻抗的最小值。IGBT的导通开关速度实质上只能与所用续流二极管反向恢复特性相兼容的水平。栅极电阻的减小不仅增大了IGBT的过电压应力，而且......
对标C4D40120D，1200V SiC肖特基二极管B2D40120HC1让车载充电机更高效(2023-10-24)
的拓扑结构为LLC谐振，如下图所示：
SiC二极管在LLC电路的应用
在上述PFC电路和LLC电路中，二极管的导通损耗和开关损耗越小、反向漏电流和反向恢复时间越小，开关频率就可以做到更高。反向耐压越高，工作......
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效(2024-03-29 14:35)
一代产品相比，意法半导体最新的MDmesh DM9 技术确保栅源阈值电压(VGS(th)) 分布更窄，使开关波形更加锐利，导通和关断损耗更低。此外，新产品还提高了体二极管反向恢复性能，所采......
UnitedSiC推出四款基于第四代先进技术的新型SiC FET器件(2020-12-04)
则可实现更低的传导损耗和更高的频率。这些器件不仅超越了现有SiC MOSFET竞争产品的性能（无论是在25℃低温还是125℃高温下工作），而且还提供了最低的体二极管VF，并具有出色的反向恢复特性，从而......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-02-29)
发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34 mm工业标准封装100%兼容，可采......
意法半导体公布了新系列100V沟槽肖特基整流二极管以提高效率和功率密度(2024-04-02 14:33)
(包括硅肖特基器件)的能量损耗也会随之变大，严重限制了转换能效的改进。ST的沟槽肖特基二极管可显著降低整流器的能量损耗，正向电压和反向恢复特性非常优异，可在提升功率密度的同时提高能效。正向电压较同类平面二极管......
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效(2024-03-30)
和关断损耗更低。
此外，新产品还提高了体二极管反向恢复性能，所采用新的优化工艺提高了 MOSFET 的整体鲁棒性。体二极管的低反向恢复电荷 (Qrr) 和快速恢复时间 (trr) 使MDmesh DM9 AG......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和(2024-02-29)
，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型封装采用新型栅极引脚布局，与34 mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。
这款......
基础知识之二极管(2024-03-20)
时间 (trr) 短，与其他二极管相比，开关特性优异。
反向恢复时间 (trr)？
反向恢复时间 (trr) 是指开关二极管从导通状态到完全关闭状态所经过的时间。一般关断后电子不能瞬间停止，有一定量的反向......
相关企业
;日英电子（上海）有限公司;;NIEC日本英达电子的快恢复二极管具有软开关功能.在波形上没有形成大的振荡,减少了自身的功率损耗,对PFC电路上特别重要,反向恢复时间极短.对EMI也很有帮助.参数
损耗,提高EMI正常在5％个DB左右.具有很低的Vf电压. GaN产品,GaN的二极管具有0反向恢复时间.是代替SIC产品的理想材料,且价格比SIC低许多.适合高频工作.可达800KHZ. 模块
、 Thyristor、SCR、整流桥、二极管、DCB块、功率模块,Hybrid和晶体管等IXYS的HiPer MOSFET , 由于内置了恢复速度快,恢复特性良好的二极管,无论
快捷。 长期供应2CL系列高压二极管电压范围从4千伏到20千伏；电流范围从5毫安到450毫安；反向恢复时间小于100毫微秒;2CLZ系列高压二极管整流组件电压范围从30千伏到200千伏；电流范围从0.1安到2安
已达到正向电流300安培以上，反向电压200V以上；快恢复二极管已达到正向电流240安培以上。 伴随着公司的不断扩大与发展，公司通过了ISO9001国际质量体系认证。为顺
在半导体器件的研发领域一直处于国内领先水平。2000年，我司研制出大电流、高反压的肖特基与快恢复二极管，其中，肖特基势垒二极管已达到正向电流300安培以上，反向电压200V以上；快恢复二极管已达到正向电流240安培
壮大的动力。2000年，我司研制出大电流、高反压的肖特基与快恢复二极管，其中，肖特基势垒二极管已达到正向电流300安培以上，反向电压200V以上；快恢复二极管已达到正向电流240安培以上。伴随
;深圳市美微科半导体有限公司;;公司主营产品： 整流二极管/三端稳压管/ESD保护器件/肖特基二极管; 普通快恢复整流二极管; 快普通快恢复整流二极管; 超快恢复整流二极管; 桥式整流器; 肖特基整流二极管
;北京科隆兴电子科技发展中心;;专业批发二极管，三极管，稳压管，TVS管，自恢复保险丝，电阻，电容 大量现货库存 欢迎咨询台湾国巨（YAGEO）贴片电阻.电容.安森美（ON).菲利蒲(PHILIPS
;苏州鑫港电子有限公司;;苏州鑫港二极管厂专业生产各规格二极管,包括普通整流二极管,快恢复及超快恢复二极管,产量大,质量好,价格合理. 1N4007,FR107